JPS5818921A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5818921A JPS5818921A JP56117435A JP11743581A JPS5818921A JP S5818921 A JPS5818921 A JP S5818921A JP 56117435 A JP56117435 A JP 56117435A JP 11743581 A JP11743581 A JP 11743581A JP S5818921 A JPS5818921 A JP S5818921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- oxide film
- semiconductor substrate
- leakage current
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H10D62/112—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for preventing surface leakage due to surface inversion layers, e.g. by using channel stoppers
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造方法では、半導体基板の所定領
域に所望の素子を構成するための不純物領域を形成し死
後、これに炉内で熱処理を施して所望の仕様を満す半導
体装置を製造している。しかしながら、このような半導
体装置の製造方法では、熱処理の際に炉内の汚れや半導
体基板の表面に付着した不純物が飛散し、半導体基板表
面の領域が汚染される。その結果、リーク電流が増大し
て素子特性を劣化する問題があり九。
域に所望の素子を構成するための不純物領域を形成し死
後、これに炉内で熱処理を施して所望の仕様を満す半導
体装置を製造している。しかしながら、このような半導
体装置の製造方法では、熱処理の際に炉内の汚れや半導
体基板の表面に付着した不純物が飛散し、半導体基板表
面の領域が汚染される。その結果、リーク電流が増大し
て素子特性を劣化する問題があり九。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、リーク電
流の発生を防止して素子特性を向上させる仁とができる
半導体装置の製造方法を見出したものである。
流の発生を防止して素子特性を向上させる仁とができる
半導体装置の製造方法を見出したものである。
以下、本発明Ｏ実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図に示す如く、例えば不純物浸度が６ Ｘ １０
” ｉ’ Ｏ半導体基板１０所定領域にｐ導電型の不純
物拡散を施し、拡散深さが約５声ｍの不純物領域２，１
を約３０ Ａｍの間隔で形成する。次いで、半導体基板
１及び不純物領域２゜３の露出表面に、１００℃以下の
雰囲気中で低温酸化膜を形成した後、例えば１１００℃
のスチーム雰囲気で３０分間熱処理を施す。
” ｉ’ Ｏ半導体基板１０所定領域にｐ導電型の不純
物拡散を施し、拡散深さが約５声ｍの不純物領域２，１
を約３０ Ａｍの間隔で形成する。次いで、半導体基板
１及び不純物領域２゜３の露出表面に、１００℃以下の
雰囲気中で低温酸化膜を形成した後、例えば１１００℃
のスチーム雰囲気で３０分間熱処理を施す。
ζこで、低温酸化膜の形成方法としては、純水を１００
ｃに加熱して得た水蒸気を半導体基板の露出表面に接触
せしめて形成するもの中１００℃以下の低温の雰囲気中
で形成すゐものなどでも良い。
ｃに加熱して得た水蒸気を半導体基板の露出表面に接触
せしめて形成するもの中１００℃以下の低温の雰囲気中
で形成すゐものなどでも良い。
然る後、前述の熱処理によって形成された酸化膜を濃酸
で除去し、不純物領域１８３関０１７−り電流を低温酸
化膜の形成処理時間ごとに調べたところ、第２図に示す
如き結果を得九、同図から明らかな如く、３０分以上の
処理時間をかけて低温酸化膜を形成した後に熱処理を施
したものでは、リーク電流はＩＩＡＡ以下になっておシ
極めて優れた素子特性を有することが判る。
で除去し、不純物領域１８３関０１７−り電流を低温酸
化膜の形成処理時間ごとに調べたところ、第２図に示す
如き結果を得九、同図から明らかな如く、３０分以上の
処理時間をかけて低温酸化膜を形成した後に熱処理を施
したものでは、リーク電流はＩＩＡＡ以下になっておシ
極めて優れた素子特性を有することが判る。
以上説明した如く、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、所定領域の表面に低温酸化膜を形成した彼に
熱処理を施すようＫしたので、リーク電流の発生を防止
して素子特性の向上を図った半導体装置を容易に製造で
きるものである。
によれば、所定領域の表面に低温酸化膜を形成した彼に
熱処理を施すようＫしたので、リーク電流の発生を防止
して素子特性の向上を図った半導体装置を容易に製造で
きるものである。
第１図は、本発明方法によシ製造された半導体装置の断
面図、第２図は、低温酸化ＭＯ形成時間とリーク電流の
関係を示す特性図である。 １・・・半導体基板、２．３・−不純物領域。
面図、第２図は、低温酸化ＭＯ形成時間とリーク電流の
関係を示す特性図である。 １・・・半導体基板、２．３・−不純物領域。
Claims (1)
- １導電型の半導体基板に所望の素子を構成する所定導電
型の不純物領域を形成する工程と、前記半導体基板の所
定＠斌に低温酸化膜を形成した後熱処理を施す１鶏とを
具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117435A JPS5818921A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117435A JPS5818921A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818921A true JPS5818921A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14711571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117435A Pending JPS5818921A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108068A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-22 | Nitto Electric Ind Co Ltd | ペ−スト組成物 |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP56117435A patent/JPS5818921A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59108068A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-22 | Nitto Electric Ind Co Ltd | ペ−スト組成物 |
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