JPS5818954A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS5818954A JPS5818954A JP56118032A JP11803281A JPS5818954A JP S5818954 A JPS5818954 A JP S5818954A JP 56118032 A JP56118032 A JP 56118032A JP 11803281 A JP11803281 A JP 11803281A JP S5818954 A JPS5818954 A JP S5818954A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- capacitor
- alpha
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路の製造方法に関するものである。
近年、タン′タル、ニオブ、チタン等の弁金属、二
とりわけタンタルを用いたベータタンタルコン１ンサが
広く実用化されているが、その理由は、弁金属が陽極酸
化法によシ容易に誘電体酸化物に変換可能であシ、誘電
体酸化物が物理的、化学的にきわめて安定でアシ、また
、誘電体酸化膜厚も陽極酸化条件により再現性よく制御
可能なため、高信頼性を有する容量精度のきびしい薄膜
コンデンサを容易に実現できるからである。
広く実用化されているが、その理由は、弁金属が陽極酸
化法によシ容易に誘電体酸化物に変換可能であシ、誘電
体酸化物が物理的、化学的にきわめて安定でアシ、また
、誘電体酸化膜厚も陽極酸化条件により再現性よく制御
可能なため、高信頼性を有する容量精度のきびしい薄膜
コンデンサを容易に実現できるからである。
混成集積回路では、回路形成彼、個別部品の搭載、ある
いは外部リード接続には、熱圧着ボンディング法がしば
しば用いられる。熱圧着ボンディングをするためには、
少くとも圧着部分はグレージングなどのない基板素面で
なければならない。
いは外部リード接続には、熱圧着ボンディング法がしば
しば用いられる。熱圧着ボンディングをするためには、
少くとも圧着部分はグレージングなどのない基板素面で
なければならない。
それは、グレーズ面では被着金属層の密着度が十分でな
いからである。また、ＣＲラワンース混成集積回路の場
合、抵抗体のΩ／口、抵抗温度係数等、回路機能特性か
ら、アングレーズ上に形成せざるを得ない場合がある。
いからである。また、ＣＲラワンース混成集積回路の場
合、抵抗体のΩ／口、抵抗温度係数等、回路機能特性か
ら、アングレーズ上に形成せざるを得ない場合がある。
しかしながら、ベータタンタルコンデンサは熱的影譬を
受は易く、耐熱性が劣るという欠点があるため、前述の
如く、高信頼性を得るためには、コンデンサをグレーズ
上に形成する必要がある。
受は易く、耐熱性が劣るという欠点があるため、前述の
如く、高信頼性を得るためには、コンデンサをグレーズ
上に形成する必要がある。
したがって、セラミック基板は、所定の一部分にグレー
ズを印刷したいわゆる部分グレーズ基板を使用せざるを
得ない。このことは、基板が高価になシ、薄膜コンデン
サの単価が上がるなど材料的な欠点。また、グレーズが
数μｍの厚さを有するため、アングレーズ表面に対し段
差を生ずる。このことは、フォトマスクと基板面とを密
着させたとき、グレーズ表面はマスクと密着するが、ア
ングレーズ面とフォトマスクの間にすき間が生じ、無光
量の均一性Ｋかけ、設計のパターン幅に対し、再現性が
得られない。上記の如く、部分グレーズ基板を使用する
ことは、材料費の高騰ばかシでなく、歩留りの低下９回
路設計の自由度の束縛等の欠点がある。
ズを印刷したいわゆる部分グレーズ基板を使用せざるを
得ない。このことは、基板が高価になシ、薄膜コンデン
サの単価が上がるなど材料的な欠点。また、グレーズが
数μｍの厚さを有するため、アングレーズ表面に対し段
差を生ずる。このことは、フォトマスクと基板面とを密
着させたとき、グレーズ表面はマスクと密着するが、ア
ングレーズ面とフォトマスクの間にすき間が生じ、無光
量の均一性Ｋかけ、設計のパターン幅に対し、再現性が
得られない。上記の如く、部分グレーズ基板を使用する
ことは、材料費の高騰ばかシでなく、歩留りの低下９回
路設計の自由度の束縛等の欠点がある。
本発明の目的は、基板面グレーズによる上述の欠点をな
くすとともに、十分な耐熱性を備えた高信頼度のタンタ
ルコンデンサを形成する工程を含む混成集積回路の製造
方法を提供するにある。
くすとともに、十分な耐熱性を備えた高信頼度のタンタ
ルコンデンサを形成する工程を含む混成集積回路の製造
方法を提供するにある。
本発明方法では、セラミック基板素面に直接アルファタ
ンタルコンデンサを形成する工程を含んでいる。
ンタルコンデンサを形成する工程を含んでいる。
アルファタンタルコンデンサは、耐熱性の問題から、従
来グレーズ上に形成せざるを得なかったベータタンタル
コンデンサに比べて耐熱性に優れているため、グレーズ
などのないセラミ、り基板素面にそのまま形成しても、
高い信頼性が保持される。
来グレーズ上に形成せざるを得なかったベータタンタル
コンデンサに比べて耐熱性に優れているため、グレーズ
などのないセラミ、り基板素面にそのまま形成しても、
高い信頼性が保持される。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図（ａ）ないしくｋ）は本発明の一実施例の製造工
程を示す断面図である。まず直流２極スパツタ装置を５
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ以上の真空度に排気した後、外部か
らアルゴンガスを導入し、数十ｍＴｏｒｒのアルゴンガ
ス雰囲気を作り、さらに窒・素ガスを導入する。そして
タンタル陰極板と十分に洗浄したセラミック基板を３〜
１０信の距離に保ち、両電極間で異常グロー放電させて
、第１図（、）に示すように、膜厚４０００〜５６ｏｏ
λのアルファタンタル薄膜２をセラミック基板１に被着
させる。次に、同図（ｂ）に示すように、タンタル薄膜
２の全面にフォトレジスト３を数μｍの厚さに塗布し、
公知の一７オトエ、チング技術によりパターン形成した
後、同図（Ｃ）に示すように、所定領域以外のタンタル
薄膜２を７．酸、硝酸、水の混合液によシエ、チングす
る。エツチング稜、フォトレジスト３を除去した後、同
図（ｄ）に示すように、フォトレジスト４を塗布し、タ
ンタル薄膜２の所定領域が陽極酸化できるようにフォト
レジスト４をパターン形成する。更に、タンタル薄膜の
一部を０．０１％のクエン酸水溶液中で０．５ ｍＡ
／ｃｔ／ｌの定電流化成後、１２０ｖ１０分間の定電圧
化成を行い、同図（ｅ）に示すように誘電体層５に変換
し、フォトレジスト４を剥離除去する。次に、直流２極
スパ、り装置を５×１０ Ｔｏｒｒ以上の真空度に排
気した後、外部よシアルボンガスを導入し、数十ｍＴｏ
ｒｒのアルゴンガス雰囲気を作り、さらに皇素ガスを導
入する。
程を示す断面図である。まず直流２極スパツタ装置を５
Ｘ１０ Ｔｏｒｒ以上の真空度に排気した後、外部か
らアルゴンガスを導入し、数十ｍＴｏｒｒのアルゴンガ
ス雰囲気を作り、さらに窒・素ガスを導入する。そして
タンタル陰極板と十分に洗浄したセラミック基板を３〜
１０信の距離に保ち、両電極間で異常グロー放電させて
、第１図（、）に示すように、膜厚４０００〜５６ｏｏ
λのアルファタンタル薄膜２をセラミック基板１に被着
させる。次に、同図（ｂ）に示すように、タンタル薄膜
２の全面にフォトレジスト３を数μｍの厚さに塗布し、
公知の一７オトエ、チング技術によりパターン形成した
後、同図（Ｃ）に示すように、所定領域以外のタンタル
薄膜２を７．酸、硝酸、水の混合液によシエ、チングす
る。エツチング稜、フォトレジスト３を除去した後、同
図（ｄ）に示すように、フォトレジスト４を塗布し、タ
ンタル薄膜２の所定領域が陽極酸化できるようにフォト
レジスト４をパターン形成する。更に、タンタル薄膜の
一部を０．０１％のクエン酸水溶液中で０．５ ｍＡ
／ｃｔ／ｌの定電流化成後、１２０ｖ１０分間の定電圧
化成を行い、同図（ｅ）に示すように誘電体層５に変換
し、フォトレジスト４を剥離除去する。次に、直流２極
スパ、り装置を５×１０ Ｔｏｒｒ以上の真空度に排
気した後、外部よシアルボンガスを導入し、数十ｍＴｏ
ｒｒのアルゴンガス雰囲気を作り、さらに皇素ガスを導
入する。
そしてタンタル陰柾板とセラミック基板１とを３〜１０
０にの距離に保ち、両電極間で異常グロー放電させて、
同図（ｆ）に示すように、基板１を含みンンタル薄Ｊｌ
！２及び誘電体層５全体に膜厚７００〜９００Ａのタン
タル薄膜６を被着させる。次に、同図（ｇ）に示すよう
に、タンタル薄膜６の全面に７、オドレジスト７を数μ
ｍの厚さに塗布し、公知のフォトエツチング技術によシ
バターン形成した後同図（ｈ）に示すように、所定領域
以外のタンタル薄膜６を７．酸、硝酸、水の混合液によ
りエツチングし、エツチング稜、フォトしシスト７を除
去した後、同図（ｉ）に示すようにフォトレジスト８を
塗布し、タンタル薄膜の所定領域が陽極酸化できるよう
にフォトレジストをパターン形成する。更にタンタル薄
ｊ［２の一部を０．０１チクエン酸水溶・液中で０．５
ｍＡ／ｃｊの定電流化成後、１６０Ｖ２時間の定電圧化
成を行い同図０）Ｋ示すように、誘電体層５′に変換し
、フォトンジス２ト８を剥離除去する。次に、同図（ｋ
）に示すように上記構体の全面に膜厚それぞれ１０００
λ、１００ＯＡ 、６０００Ａのニクロム、バラジュー
ム、金の３層構造からなる導体薄膜９をスバ、りし、続
いてフォトエツチングにより電極をパターン形成する。
０にの距離に保ち、両電極間で異常グロー放電させて、
同図（ｆ）に示すように、基板１を含みンンタル薄Ｊｌ
！２及び誘電体層５全体に膜厚７００〜９００Ａのタン
タル薄膜６を被着させる。次に、同図（ｇ）に示すよう
に、タンタル薄膜６の全面に７、オドレジスト７を数μ
ｍの厚さに塗布し、公知のフォトエツチング技術によシ
バターン形成した後同図（ｈ）に示すように、所定領域
以外のタンタル薄膜６を７．酸、硝酸、水の混合液によ
りエツチングし、エツチング稜、フォトしシスト７を除
去した後、同図（ｉ）に示すようにフォトレジスト８を
塗布し、タンタル薄膜の所定領域が陽極酸化できるよう
にフォトレジストをパターン形成する。更にタンタル薄
ｊ［２の一部を０．０１チクエン酸水溶・液中で０．５
ｍＡ／ｃｊの定電流化成後、１６０Ｖ２時間の定電圧化
成を行い同図０）Ｋ示すように、誘電体層５′に変換し
、フォトンジス２ト８を剥離除去する。次に、同図（ｋ
）に示すように上記構体の全面に膜厚それぞれ１０００
λ、１００ＯＡ 、６０００Ａのニクロム、バラジュー
ム、金の３層構造からなる導体薄膜９をスバ、りし、続
いてフォトエツチングにより電極をパターン形成する。
第１表は基板素面及びグレーズ上に各々同一ノ（ターン
で形成したタンタル薄膜コンデンサの歩留りを示す。第
１表が示すように、グレーズのないセラミ、り基板素面
にでも、グレーズ上に形成したものと同郷以上の遜色の
ない高歩留りのタンク４Ｍコンデンサが得られる。
で形成したタンタル薄膜コンデンサの歩留りを示す。第
１表が示すように、グレーズのないセラミ、り基板素面
にでも、グレーズ上に形成したものと同郷以上の遜色の
ない高歩留りのタンク４Ｍコンデンサが得られる。
４、図面の簡単な説明
（６）第１図（ａ）ないしくｋ）は本発明の一実施
例における製造工程を説明するための断面図である。
（Ｃ）ｌ・・・・・・セラミ、り基板、２
，６・・・・・・タンタル薄膜、３，４，７，８・・・
・・・７オトレジスト、５ 、５’ （１）・
・・・・・陽衡酸化誘電体層、９・・・・・・導体薄膜
。
（６）第１図（ａ）ないしくｋ）は本発明の一実施
例における製造工程を説明するための断面図である。
（Ｃ）ｌ・・・・・・セラミ、り基板、２
，６・・・・・・タンタル薄膜、３，４，７，８・・・
・・・７オトレジスト、５ 、５’ （１）・
・・・・・陽衡酸化誘電体層、９・・・・・・導体薄膜
。
代理人 弁理士 内 原 晋 （ｅ
）（（） 第１図 ２３５−
）（（） 第１図 ２３５−
Claims (1)
- アルファタンタルコンデンサをセラミック基板素面上に
形成する工程を含むことを特徴とする混成集積回路の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118032A JPS5818954A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56118032A JPS5818954A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818954A true JPS5818954A (ja) | 1983-02-03 |
Family
ID=14726361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56118032A Pending JPS5818954A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796073A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-15 | Kanebo N S C Kk | Adhesive composition |
| US7446264B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-11-04 | Nok Corporation | Electromagnetic wave shielding gasket |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP56118032A patent/JPS5818954A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5796073A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-15 | Kanebo N S C Kk | Adhesive composition |
| US7446264B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-11-04 | Nok Corporation | Electromagnetic wave shielding gasket |
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