JPS5818982A - 蒸着薄膜形成方法 - Google Patents
蒸着薄膜形成方法Info
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- JPS5818982A JPS5818982A JP56117341A JP11734181A JPS5818982A JP S5818982 A JPS5818982 A JP S5818982A JP 56117341 A JP56117341 A JP 56117341A JP 11734181 A JP11734181 A JP 11734181A JP S5818982 A JPS5818982 A JP S5818982A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仁の発明はジ冒セ７ソン集積回路勢の製造プロセスにお
いて用いられる蒸着薄膜形１成方法及び蒸着薄膜形成装
置に胸するものである。
いて用いられる蒸着薄膜形１成方法及び蒸着薄膜形成装
置に胸するものである。
ジ曽セフノン集積回路（以下Ｊ−ＪＩＣと略す）を構成
する薄膜層のパターン化にれリフトオフ法が用いられる
事が多い、リフトオフ法と社薄膜層を形成すべき基板上
に予めフォトレジスト層あるい紘電子ビームレジスト層
（以下まとめてレジスト層という）を含むパターンされ
たステンシル（８ｔ＠ｎｃｌｌ ：抜型Ｏ意）を形成し
、蒸着を施した後、余分の蒸着薄膜層を上記のレジスト
層を溶鱗し去る時に同時に除去する事により所要Ｏパタ
ーｙを有する薄膜層を得る方法である。
する薄膜層のパターン化にれリフトオフ法が用いられる
事が多い、リフトオフ法と社薄膜層を形成すべき基板上
に予めフォトレジスト層あるい紘電子ビームレジスト層
（以下まとめてレジスト層という）を含むパターンされ
たステンシル（８ｔ＠ｎｃｌｌ ：抜型Ｏ意）を形成し
、蒸着を施した後、余分の蒸着薄膜層を上記のレジスト
層を溶鱗し去る時に同時に除去する事により所要Ｏパタ
ーｙを有する薄膜層を得る方法である。
第１図乃至第３図はＪ−ＪＩＣ製造工程において、ジ■
セｙ％）／ｙ＊合部を規定する絶縁体層例えばシリコン
モノキナイド層を形成する工程を説明する間両である。
セｙ％）／ｙ＊合部を規定する絶縁体層例えばシリコン
モノキナイド層を形成する工程を説明する間両である。
第１図は種々のステンシルの構造及び構成を示す図面で
ある。第１図（１）は基板１３上に形成されたフォトレ
ジスト層１１と金属層１２よシなる逆ヘヘル構造を有す
るステンシルの断ｍＷＡでｉｂ、第１図（ｂ）は過露光
にようて逆ベベル構造を形成させた電子ビームレジスト
１４よりなるステンシルの断面図であシ、第１図（ｃ）
は有機溶媒によるｌ１面処理で逆ベベル構造を形成させ
たフォトレジスト１５よりなるステンシルである。第１
図（ｄ）はこ友らのステンシルの共通の平面図である。
ある。第１図（１）は基板１３上に形成されたフォトレ
ジスト層１１と金属層１２よシなる逆ヘヘル構造を有す
るステンシルの断ｍＷＡでｉｂ、第１図（ｂ）は過露光
にようて逆ベベル構造を形成させた電子ビームレジスト
１４よりなるステンシルの断面図であシ、第１図（ｃ）
は有機溶媒によるｌ１面処理で逆ベベル構造を形成させ
たフォトレジスト１５よりなるステンシルである。第１
図（ｄ）はこ友らのステンシルの共通の平面図である。
ステンシルの形状を表わす主要力パラメータは、ステン
シル基部の大きさＤｌ、ステンシル上端の大きさＤ２及
びステンシルの高さ■である。ここに逆ベベル構造とは
第１図（ａＬ（ｂＬ（ｃ）の各構造でみられるように、
ステンシル断面形状において、基板と接する基部が上端
部に比して、くびれた形になっているもの、即ちＤＸ＜
Ｄ２であるものをいう。
シル基部の大きさＤｌ、ステンシル上端の大きさＤ２及
びステンシルの高さ■である。ここに逆ベベル構造とは
第１図（ａＬ（ｂＬ（ｃ）の各構造でみられるように、
ステンシル断面形状において、基板と接する基部が上端
部に比して、くびれた形になっているもの、即ちＤＸ＜
Ｄ２であるものをいう。
第２図は従来の蒸着薄膜形成方法での蒸着１糧を示す図
面である。超伝導金属層２２が基板２３上に形成され、
２２．２３上にはレジスト層を含み逆ベベル構造を有す
るステンシル２１が形成されている。基板及び絶縁体蒸
発ソースは真空室内に設置されるが、この場合基板面の
中心点と蒸発ソースを結ぶ直線が基板面とほぼ直角にな
るように設定される。絶縁体蒸発ソースを加熱する事に
よシ、絶像体が蒸発し、基板上に堆積する。
面である。超伝導金属層２２が基板２３上に形成され、
２２．２３上にはレジスト層を含み逆ベベル構造を有す
るステンシル２１が形成されている。基板及び絶縁体蒸
発ソースは真空室内に設置されるが、この場合基板面の
中心点と蒸発ソースを結ぶ直線が基板面とほぼ直角にな
るように設定される。絶縁体蒸発ソースを加熱する事に
よシ、絶像体が蒸発し、基板上に堆積する。
第３図は従来の蒸着薄膜方法でのリフトオフ工程を示す
図面である。第３図（ａ）は堆積直後の状態が示されて
いる。絶縁体層２４は、超伝導体層２２の形成された基
板２３上に、又絶縁体層２５はステンシル２１上に堆積
している。ステンシルに含まれるレジスト層を適当な溶
媒を用いて除去すると、絶縁体層２５は、ステンシル共
々除去され、第３図（ｂ）の断面図（Ｃ）の平面図にみ
られるように、基板上に、超伝導金属２２、絶縁体層２
４が配さ丸た構造のものが得られる。超伝導金属層の表
面の一部は絶縁体層２４の開孔部２６に−おいて露光し
ている。絶縁体層２５の境界即ち開孔部２６の縁部にお
いては、ステップ状のＲ２Ｍ１７が形成されている。
図面である。第３図（ａ）は堆積直後の状態が示されて
いる。絶縁体層２４は、超伝導体層２２の形成された基
板２３上に、又絶縁体層２５はステンシル２１上に堆積
している。ステンシルに含まれるレジスト層を適当な溶
媒を用いて除去すると、絶縁体層２５は、ステンシル共
々除去され、第３図（ｂ）の断面図（Ｃ）の平面図にみ
られるように、基板上に、超伝導金属２２、絶縁体層２
４が配さ丸た構造のものが得られる。超伝導金属層の表
面の一部は絶縁体層２４の開孔部２６に−おいて露光し
ている。絶縁体層２５の境界即ち開孔部２６の縁部にお
いては、ステップ状のＲ２Ｍ１７が形成されている。
第４図は、従来の蒸着薄膜方法を用いて形成さ層３２、
絶縁体層３３が形成された基板３１上に、ステンシル３
４を形成する。絶縁体層３３の開孔部に露出する第１の
超伝導体層の表面を酸化して酸化膜バリア３５を形成す
る。
絶縁体層３３が形成された基板３１上に、ステンシル３
４を形成する。絶縁体層３３の開孔部に露出する第１の
超伝導体層の表面を酸化して酸化膜バリア３５を形成す
る。
次いで第２の超伝導体層３６．３７，３８を堆積する。
リフトオフにより、ステンシル３３、超伝導体層３８を
除去すれば、第４図（ｂ）、（ｃ） Ｋ示される構造の
回路が得られる。
除去すれば、第４図（ｂ）、（ｃ） Ｋ示される構造の
回路が得られる。
ジ璽七フソン接合は第４図（ｂ）の３２，３５．３６で
構成される超伝導金属−酸化膜バリアー超伝導体金属の
サンドイッチ構造として形成されている。
構成される超伝導金属−酸化膜バリアー超伝導体金属の
サンドイッチ構造として形成されている。
電気抵抗が零である配線を構成する超伝導金属層３７と
、接合の一方の超伝導金属を構成する３ｂは電気的接続
がとられている必要があるが、第３図に関して述べたよ
うに、絶縁体層３３の境界には、ステップ状の段差が形
成されている丸め、この部分で、３０，３１が断線する
、所謂る段切れ事故が発生する奉書享１哀ヰ喝事がある
。特に、第２の超伝導金属層の膜厚が薄い場合社段切れ
事故の発生率は着るしく大と表る。
、接合の一方の超伝導金属を構成する３ｂは電気的接続
がとられている必要があるが、第３図に関して述べたよ
うに、絶縁体層３３の境界には、ステップ状の段差が形
成されている丸め、この部分で、３０，３１が断線する
、所謂る段切れ事故が発生する奉書享１哀ヰ喝事がある
。特に、第２の超伝導金属層の膜厚が薄い場合社段切れ
事故の発生率は着るしく大と表る。
上記のように、従来のリフトオフ法による蒸着薄膜形成
方法においては、形成された薄膜層の境界がステップ状
の段差となるという欠点があり、次段以後のプロ七スに
おいて形成される薄膜層の段切れ事故を発生させる原因
となっていた。
方法においては、形成された薄膜層の境界がステップ状
の段差となるという欠点があり、次段以後のプロ七スに
おいて形成される薄膜層の段切れ事故を発生させる原因
となっていた。
この発明は上記の欠点を解決せしめた蒸着薄膜形成方法
及び蒸着薄膜形成装置を提供することにある。
及び蒸着薄膜形成装置を提供することにある。
この発明によれば基板上に、フォトレジスト層又は電子
ビームレジスト層を含み、逆ベベル構造を有するステン
シルを形成し、この基板を自転させつつ、あゐいは自転
かつ公転させつつ斜蒸着を施し、上記レジスト層をリフ
トオフする事により、境界部分がテーパー状の段差とな
っている薄膜層を捲る事を特徴とする蒸着薄膜形成方法
及びこの蒸着薄膜形成方法を奥行するためのフォトレジ
スト層又は電子ビームレジスト層を含み逆ベベル構造を
有するステンシルが形成され九−個又は多数個の基板が
配置される、自転しあるいは自転しかつ公転する基板ホ
ルダと、蒸着ソースを真空室内に配置してなる蒸着薄膜
形成装置において、上記蒸発ソースの位置が、上記基板
ホルダの自転又は公転の軸上にない事を特徴とする蒸着
薄膜形成装置が得られる。
ビームレジスト層を含み、逆ベベル構造を有するステン
シルを形成し、この基板を自転させつつ、あゐいは自転
かつ公転させつつ斜蒸着を施し、上記レジスト層をリフ
トオフする事により、境界部分がテーパー状の段差とな
っている薄膜層を捲る事を特徴とする蒸着薄膜形成方法
及びこの蒸着薄膜形成方法を奥行するためのフォトレジ
スト層又は電子ビームレジスト層を含み逆ベベル構造を
有するステンシルが形成され九−個又は多数個の基板が
配置される、自転しあるいは自転しかつ公転する基板ホ
ルダと、蒸着ソースを真空室内に配置してなる蒸着薄膜
形成装置において、上記蒸発ソースの位置が、上記基板
ホルダの自転又は公転の軸上にない事を特徴とする蒸着
薄膜形成装置が得られる。
上記この発明によれば境界がテーバ状の段差となってい
る。蒸着薄膜層の形成を可能となる。
る。蒸着薄膜層の形成を可能となる。
以下これらの発明につき図面を用いて詳細に説明する。
第５図及び第６図は第一の発明である蒸着薄膜形成方法
の一実施例における蒸着工程を説明する図面である。第
５図（ａ）ではステンシル５１の形成され九−個の基板
５２が基板平面と直交する軸のまわりに自転し、これに
矢印で示されるように、蒸着物質ビームが斜めに入射す
る。また第５ｗＪ（ｂ）においては、ステンシル５１形
成された２個の基板５２が基板千両と直交する軸のまわ
ルに自転しさらに、自転軸と平行な軸ａｔわシに公転し
、これらの基板に矢印で示される蒸着物質のビームが斜
めに入射する。ここでステンシル５１は、第１図に関し
て説明したもので、フォトレジスト層又は、電子ビーム
レジスト層を含み逆ベベル構造を有するものである。第
６園は、周期Ｔで自転し又は周期Ｔで自転しつつ公転し
ている基板に固定し九座標で見た場合の蒸着物質ビーム
の方向を示した感のである６図では四分の一周期毎のビ
ームの基板に対する入射方向を示している。６１はレジ
スト層を含む逆ベベル構造ステンシル６２は基板である
。
の一実施例における蒸着工程を説明する図面である。第
５図（ａ）ではステンシル５１の形成され九−個の基板
５２が基板平面と直交する軸のまわりに自転し、これに
矢印で示されるように、蒸着物質ビームが斜めに入射す
る。また第５ｗＪ（ｂ）においては、ステンシル５１形
成された２個の基板５２が基板千両と直交する軸のまわ
ルに自転しさらに、自転軸と平行な軸ａｔわシに公転し
、これらの基板に矢印で示される蒸着物質のビームが斜
めに入射する。ここでステンシル５１は、第１図に関し
て説明したもので、フォトレジスト層又は、電子ビーム
レジスト層を含み逆ベベル構造を有するものである。第
６園は、周期Ｔで自転し又は周期Ｔで自転しつつ公転し
ている基板に固定し九座標で見た場合の蒸着物質ビーム
の方向を示した感のである６図では四分の一周期毎のビ
ームの基板に対する入射方向を示している。６１はレジ
スト層を含む逆ベベル構造ステンシル６２は基板である
。
第７図は第一の特許請求範囲に記載された蒸着薄膜形成
方法の一実施例におけるリフトオフ工程を示す図面であ
る。蒸着が終了し友時点での断面構造を第７図（ａ）に
示す。この構造を得るには、基板７２上に超伝導金属層
７３を形成し、ついでレジスト層を含み逆ベベル構造を
有するステンシル７１全形成し、第ｉｌｌ及び第６図Ｋ
ｍ明した方法によって、絶縁体層７４．７５を堆積した
ものである。堆積時の蒸着物質ビームの入射方向が時間
的に変化するため、ステンシルの影になる部分の境界が
時間的に変化し、絶縁体層７４の境界はテーパ状の段差
となる。適当な溶剤によりレジスト層を溶解し、ステン
シル７】及び絶縁体層７５を除去すれば、第７図（ｂ）
に示す構造が得られる。第７図（ｃｌ ｔｉその斜視図
である。堆積された絶縁体層７４で覆われていない超伝
導金属層表面の露出部分のパターン形状テーバ状段着の
傾斜角等は、ステンシルの形状を示すパラメータ、例え
ば第１図のＤｌ、Ｄ、Ｈ及び蒸着ビームの入射角θにを
用いて、簡単な計算によって求める事ができる１例えげ
第７図（ｂｌにおける絶縁体層の露出部分の直径Ｄ３ｔ
ｉ次式で与えられる。
方法の一実施例におけるリフトオフ工程を示す図面であ
る。蒸着が終了し友時点での断面構造を第７図（ａ）に
示す。この構造を得るには、基板７２上に超伝導金属層
７３を形成し、ついでレジスト層を含み逆ベベル構造を
有するステンシル７１全形成し、第ｉｌｌ及び第６図Ｋ
ｍ明した方法によって、絶縁体層７４．７５を堆積した
ものである。堆積時の蒸着物質ビームの入射方向が時間
的に変化するため、ステンシルの影になる部分の境界が
時間的に変化し、絶縁体層７４の境界はテーパ状の段差
となる。適当な溶剤によりレジスト層を溶解し、ステン
シル７】及び絶縁体層７５を除去すれば、第７図（ｂ）
に示す構造が得られる。第７図（ｃｌ ｔｉその斜視図
である。堆積された絶縁体層７４で覆われていない超伝
導金属層表面の露出部分のパターン形状テーバ状段着の
傾斜角等は、ステンシルの形状を示すパラメータ、例え
ば第１図のＤｌ、Ｄ、Ｈ及び蒸着ビームの入射角θにを
用いて、簡単な計算によって求める事ができる１例えげ
第７図（ｂｌにおける絶縁体層の露出部分の直径Ｄ３ｔ
ｉ次式で与えられる。
Ｄ３ ＝Ｍａｘ （Ｄｌ −Ｈｔａｕθ、Ｄｌ）第８図
は第７図（ｂ）、（ｃ）に示された、基板７２、第１の
超伝導金属層７３、絶縁体層７４よシなる構造物上にジ
■セ７ザン接合を形成した結果を示す図面である。まず
７４の開孔部に露出した７３０表面を酸化して酸化膜バ
リア７５を形成し、ついで、第２の超伝導金属層７６．
７７を真空蒸着法によって堆積する。７４．７５．７６
Ｋよってジ冒セフψノ接合が構成され、７７社配線部
を構成する。
は第７図（ｂ）、（ｃ）に示された、基板７２、第１の
超伝導金属層７３、絶縁体層７４よシなる構造物上にジ
■セ７ザン接合を形成した結果を示す図面である。まず
７４の開孔部に露出した７３０表面を酸化して酸化膜バ
リア７５を形成し、ついで、第２の超伝導金属層７６．
７７を真空蒸着法によって堆積する。７４．７５．７６
Ｋよってジ冒セフψノ接合が構成され、７７社配線部
を構成する。
絶縁体層７４０境界はテーバ状ＯＲ差となつており、ジ
謬七フツン接合部の超伝導金属層７６と配線部の超伝導
金属層７７は１段切れ”によって断線する事はない。
謬七フツン接合部の超伝導金属層７６と配線部の超伝導
金属層７７は１段切れ”によって断線する事はない。
尚上記の説明においては絶縁体層の形成に対して、この
発明による蒸着薄膜形成方法を適用した実施例について
述べたが、これＫとどまらず、１段切れ”を防止するた
めにテーパ状の段差が必要とされる薄膜層の形成に広く
、仁の発明状適用可能である。
発明による蒸着薄膜形成方法を適用した実施例について
述べたが、これＫとどまらず、１段切れ”を防止するた
めにテーパ状の段差が必要とされる薄膜層の形成に広く
、仁の発明状適用可能である。
第９図は、第二の発明である蒸着薄膜形成装置の一実施
例を示す図面である。真空ポンプ９１で排気される真窒
室９２内に第９図（−においては自転する基板ホルダ９
３、第９図（−においては互に平行な軸のまわりに自転
及び公転する基板ホルダ９４が配置される。基板ホルダ
上にはレジスト層を含み逆ベベル構造を有するステンシ
ルが形成されえ、−個又は多数側の基板９５を回転軸を
直交するように取につける事ができる０図中の一点鎖線
は自転軸（第９図１ｍ） ）、又は自転軸（第９図１ｂ
ｌ）を示す、蒸着ソース９６４真空富９２内に配置され
るが、その位置は自転軸（第９図（Ｃ））又社会転軸（
第９儲（ｂ））の上にない０本装置によつて、自転する
又は、自転かつ金板する基板上に蒸着物質ビームを斜め
に入射させる事ができる。
例を示す図面である。真空ポンプ９１で排気される真窒
室９２内に第９図（−においては自転する基板ホルダ９
３、第９図（−においては互に平行な軸のまわりに自転
及び公転する基板ホルダ９４が配置される。基板ホルダ
上にはレジスト層を含み逆ベベル構造を有するステンシ
ルが形成されえ、−個又は多数側の基板９５を回転軸を
直交するように取につける事ができる０図中の一点鎖線
は自転軸（第９図１ｍ） ）、又は自転軸（第９図１ｂ
ｌ）を示す、蒸着ソース９６４真空富９２内に配置され
るが、その位置は自転軸（第９図（Ｃ））又社会転軸（
第９儲（ｂ））の上にない０本装置によつて、自転する
又は、自転かつ金板する基板上に蒸着物質ビームを斜め
に入射させる事ができる。
以上述べたように、この発明によって提供される蒸着薄
膜形成方法及び蒸着薄膜形成方法によれば、レジスト層
を含み逆ベベル構造を有するステンシルが形成され九基
板上に、周期的に変化する蒸着物質ビームを入射、堆積
させる事によシ、境界がテーパ状の段差となっている薄
膜層を形成する事ができるという利点であ〉、ジ璽セフ
ツン集積回路勢の製造プロセスにおいてその効果轄大で
ある。
膜形成方法及び蒸着薄膜形成方法によれば、レジスト層
を含み逆ベベル構造を有するステンシルが形成され九基
板上に、周期的に変化する蒸着物質ビームを入射、堆積
させる事によシ、境界がテーパ状の段差となっている薄
膜層を形成する事ができるという利点であ〉、ジ璽セフ
ツン集積回路勢の製造プロセスにおいてその効果轄大で
ある。
第１１！１Ｉｔｉフオトレジスト層又は電子ビームレジ
スト層を含み、逆ベベル構造を有するステンシルを説明
するための図面である。 第２図句至第４図は従来の蒸着薄膜形成法を説明する図
面であシ、第２図は蒸着工程、第３図けり７トオフエ程
、第４図はジ替セフｖ７接合形成工橿を示す。 第５図乃至第８図は第一の特許請求範囲に記載されえ、
蒸着薄膜形成方法の一実施例を説明するための図面であ
プ、第５図及び第６図は蒸着工程、第７図はリフトオツ
工程、第８図はジ曹セフ！ン接合工程を示す。 第９図は第二の特許請求範囲に記載された蒸着薄膜形成
装置の一実施例を説明するための図面で金属層、１３．
２３．３１．５２．６２．７２は基板１４祉電子ビ一ム
レジスト層２１．３３．５１．６１．７１はステンシル
、２２．３６．３７．３８．７３．７７超伝導金属層、
２４．２５．３３．７４．７５は絶縁体層、３５は酸化
膜バリア、９１は真空ポンプ、９２は真空室、９３．９
４は基板ホルダー、９５は基板、９６は蒸着ソースを示
す。 第１図 （α） ４ （ｂ） ５ （Ｃ） （（１） 第２図 第３図 （Ｑ） （ｂ） （Ｃ） 第４図 （１２） （ｂ） （Ｃ） 第５図 第６図 ｔ−７ｒ ｔ＝７ 第７図 ＃、８図 １ ｗｉ、ｑ図 （α） （ｂ） 手続補正書昧創 昭和 草７・２・〃 日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許 願第１１１１
号２・ 発１″０名称 蒸着薄膜影成方法及び蒸着
薄膜形成装置３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和５７都１月に日（発送日）
６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容
スト層を含み、逆ベベル構造を有するステンシルを説明
するための図面である。 第２図句至第４図は従来の蒸着薄膜形成法を説明する図
面であシ、第２図は蒸着工程、第３図けり７トオフエ程
、第４図はジ替セフｖ７接合形成工橿を示す。 第５図乃至第８図は第一の特許請求範囲に記載されえ、
蒸着薄膜形成方法の一実施例を説明するための図面であ
プ、第５図及び第６図は蒸着工程、第７図はリフトオツ
工程、第８図はジ曹セフ！ン接合工程を示す。 第９図は第二の特許請求範囲に記載された蒸着薄膜形成
装置の一実施例を説明するための図面で金属層、１３．
２３．３１．５２．６２．７２は基板１４祉電子ビ一ム
レジスト層２１．３３．５１．６１．７１はステンシル
、２２．３６．３７．３８．７３．７７超伝導金属層、
２４．２５．３３．７４．７５は絶縁体層、３５は酸化
膜バリア、９１は真空ポンプ、９２は真空室、９３．９
４は基板ホルダー、９５は基板、９６は蒸着ソースを示
す。 第１図 （α） ４ （ｂ） ５ （Ｃ） （（１） 第２図 第３図 （Ｑ） （ｂ） （Ｃ） 第４図 （１２） （ｂ） （Ｃ） 第５図 第６図 ｔ−７ｒ ｔ＝７ 第７図 ＃、８図 １ ｗｉ、ｑ図 （α） （ｂ） 手続補正書昧創 昭和 草７・２・〃 日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許 願第１１１１
号２・ 発１″０名称 蒸着薄膜影成方法及び蒸着
薄膜形成装置３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和５７都１月に日（発送日）
６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に、フォトレジスト層又は電子ビームレジス
ト層を含み、逆ベベル構造を有するステンシルを形成し
、この基板を自転させつつ、あるいは自転かつ公転させ
つつ斜蒸着を施し、上記レジスト層をり７トオフする事
によシ、境界部分がテーパー状の段差となっている薄膜
層を得る事を＊＊とする蒸着薄膜形成方法。 λ フォトレジスト層又は電子ビームレジスト層を含み
逆ベベル構造を有するステンシルが形成された一個又は
多数個の基板が配置される。自転しあるいは自転しかつ
公転する基板ホルダと、蒸発ソースを真空室内に配置し
てなす、上記蒸発ソースの位置が、上記基板ホルダの自
転又は公転の軸上にない事を特徴とする蒸着薄膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117341A JPS5818982A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 蒸着薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117341A JPS5818982A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 蒸着薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5818982A true JPS5818982A (ja) | 1983-02-03 |
| JPH0363231B2 JPH0363231B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=14709303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117341A Granted JPS5818982A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 蒸着薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818982A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224286A (ja) * | 1984-04-21 | 1985-11-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル接合型ジヨセフソン素子の製法 |
| JPH04110099U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-09-24 | タツタ電線株式会社 | 音声変換素子用コイル |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146927A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-15 | Citizen Watch Co Ltd | Film forming device |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP56117341A patent/JPS5818982A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146927A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-15 | Citizen Watch Co Ltd | Film forming device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224286A (ja) * | 1984-04-21 | 1985-11-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル接合型ジヨセフソン素子の製法 |
| JPH04110099U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-09-24 | タツタ電線株式会社 | 音声変換素子用コイル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0363231B2 (ja) | 1991-09-30 |
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