JPS58190814A - アモルフアスシリコンカ−バイドの製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコンカ−バイドの製造方法Info
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- JPS58190814A JPS58190814A JP58044690A JP4469083A JPS58190814A JP S58190814 A JPS58190814 A JP S58190814A JP 58044690 A JP58044690 A JP 58044690A JP 4469083 A JP4469083 A JP 4469083A JP S58190814 A JPS58190814 A JP S58190814A
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- amorphous silicon
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- substrate
- silane
- silicon carbide
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発ｑｉ、アモルファスシリコンカーバイドのｊＩｉｉ
造方法に関する。
造方法に関する。
シラン（ＳｉＨ４）のプラズマ分解法で得られるアモル
ファスシリコンｎ、Ｗ、Ｅ、 ５ｐｅａｒ ’４１１Ｃ
よって、ＰＨ，やＢ、 Ｈ，でドープする事により、そ
の伝導度音大きく変える事ができることが発見され（１
９７６年）、Ｄ、 Ｆｉ、 ０ａｒｌｓＯｎ 等によ
ってアモルファスシリコンを用いた太陽電池が試作（１
９７６年）されて以来注目を集め、アモルファスシリコ
ン薄膜太陽電池の効率を改善する研究が活発に行なわれ
ている。
ファスシリコンｎ、Ｗ、Ｅ、 ５ｐｅａｒ ’４１１Ｃ
よって、ＰＨ，やＢ、 Ｈ，でドープする事により、そ
の伝導度音大きく変える事ができることが発見され（１
９７６年）、Ｄ、 Ｆｉ、 ０ａｒｌｓＯｎ 等によ
ってアモルファスシリコンを用いた太陽電池が試作（１
９７６年）されて以来注目を集め、アモルファスシリコ
ン薄膜太陽電池の効率を改善する研究が活発に行なわれ
ている。
これまでの研究により、アモルファスシリコン薄膜光電
集子の構造としては、ショットキーバリヤー型、ｐｉｎ
型、ＭＩＳ型、ペデロ接合型があり、そのうち１０三者
が高効率太陽電池として有望視されている。丁ｌわちシ
ョットキーバリヤー型で５．５％（Ｄ、Ｅ、カールソン
他、１９７７年八ＭＩへ型で４゜８％ （Ｊ、 １．Ｂ
、ウィルンン他、１９７８）、ｐｉｒｌ！で４．５％（
浜用圭弘１ ！＋ ７８３の変換効率が達成されている
０ ｐ１ｎジャンクション型太陽電池の場合、ｐ型アモルフ
ァスシリコンでは、キャリヤーの寿命が短かく有効なキ
ャリヤーにならず、筐た光の吸収係数か１１−に比べて
大きい事からｐ層での光の吸収ロスか大きい点に問題が
必る０このような欠点を改良する為に、インバーティド
ｎ −ｉ −ｐ型の光電素子が提案されている０丁なわ
ちｎ型アモルファス／リコン側から光を照射する素子で
ある。この場合のｎｆｉアモルファスシリコンでもｐ型
と同様でキャリヤーの寿命が短かく有効なキャリヤーに
ならないが、ｐ型に比べると光の吸収係数が小さい為に
、ｐ側かり光を照射するよりは有利になるが、ｎｆｉア
モルファスシリコンで光の吸収ロスがある点では問題か
あった。
集子の構造としては、ショットキーバリヤー型、ｐｉｎ
型、ＭＩＳ型、ペデロ接合型があり、そのうち１０三者
が高効率太陽電池として有望視されている。丁ｌわちシ
ョットキーバリヤー型で５．５％（Ｄ、Ｅ、カールソン
他、１９７７年八ＭＩへ型で４゜８％ （Ｊ、 １．Ｂ
、ウィルンン他、１９７８）、ｐｉｒｌ！で４．５％（
浜用圭弘１ ！＋ ７８３の変換効率が達成されている
０ ｐ１ｎジャンクション型太陽電池の場合、ｐ型アモルフ
ァスシリコンでは、キャリヤーの寿命が短かく有効なキ
ャリヤーにならず、筐た光の吸収係数か１１−に比べて
大きい事からｐ層での光の吸収ロスか大きい点に問題が
必る０このような欠点を改良する為に、インバーティド
ｎ −ｉ −ｐ型の光電素子が提案されている０丁なわ
ちｎ型アモルファス／リコン側から光を照射する素子で
ある。この場合のｎｆｉアモルファスシリコンでもｐ型
と同様でキャリヤーの寿命が短かく有効なキャリヤーに
ならないが、ｐ型に比べると光の吸収係数が小さい為に
、ｐ側かり光を照射するよりは有利になるが、ｎｆｉア
モルファスシリコンで光の吸収ロスがある点では問題か
あった。
本発明省は、ｎ−１−ｐかンクション型光電素子の効率
を改善する為に鋭意研究した結果、シラントハイドロカ
ーボンとの比率がｓｉ／ｃ（原子数ン比で約０．９７〜
０゜３でわるシリコン含有混合ガス會フラズマ分解して
得られるアモルファスシリコンカーバイトのｎｇドープ
薄膜ｉｎ層に用いる事により効率の太［１］な改善を見
い出したもので、以ドに七の詳細を説明する。
を改善する為に鋭意研究した結果、シラントハイドロカ
ーボンとの比率がｓｉ／ｃ（原子数ン比で約０．９７〜
０゜３でわるシリコン含有混合ガス會フラズマ分解して
得られるアモルファスシリコンカーバイトのｎｇドープ
薄膜ｉｎ層に用いる事により効率の太［１］な改善を見
い出したもので、以ドに七の詳細を説明する。
本発明は、シラン（ＳｉＨ４）又はその誘導体を水素又
にアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスと水素で希釈した
混合カスを谷電結合法又に紡導結合法による尚周波グロ
ー分解法又は直流グロー放電分解法を用いる。混合カス
中のシランの濃度ｔ」“０．５〜５０％、好ましくは１
〜２０係である。
にアルゴン、ヘリウム等の不活性ガスと水素で希釈した
混合カスを谷電結合法又に紡導結合法による尚周波グロ
ー分解法又は直流グロー放電分解法を用いる。混合カス
中のシランの濃度ｔ」“０．５〜５０％、好ましくは１
〜２０係である。
基板の温度は２００〜３００℃が好ましく、透明電極（
工’ｒｏ 、ｓｎｏ＊＊）＊蒸着したカラスや尚分子フ
ィルム、金ｍ等のＳ成に必要なあらゆる基板か含まれる
。
工’ｒｏ 、ｓｎｏ＊＊）＊蒸着したカラスや尚分子フ
ィルム、金ｍ等のＳ成に必要なあらゆる基板か含まれる
。
光電素子の基本構成は、図−２の（ａ） 、 （ｂｌに
代表例が示される。（ａ）は透明基板を用いるタイプで
、例えはガラス−透り」電極−ｎｉ ｐ Ａｌｅ（
ｂ）Ｖｆ不透明基板７に月いるタイプで、？ｔｉえはス
テンレス−ｐ −ｉ −ｎ−透明電極の４１１成であり
、いずれもｎ側から九を照射する０その他、ｐノーと透
明電極の間に薄い絶縁Ｊ−全つけ几り、薄い金属−ｔつ
けｆｃｇ造でもよい。要はｎ−１−ｐジャンクションを
基本とするものであればいかなる構成でもよい。
代表例が示される。（ａ）は透明基板を用いるタイプで
、例えはガラス−透り」電極−ｎｉ ｐ Ａｌｅ（
ｂ）Ｖｆ不透明基板７に月いるタイプで、？ｔｉえはス
テンレス−ｐ −ｉ −ｎ−透明電極の４１１成であり
、いずれもｎ側から九を照射する０その他、ｐノーと透
明電極の間に薄い絶縁Ｊ−全つけ几り、薄い金属−ｔつ
けｆｃｇ造でもよい。要はｎ−１−ｐジャンクションを
基本とするものであればいかなる構成でもよい。
本発明の光電素子と汀、光スィッチ、太陽電池等に代表
される光？電流又は電圧に変換する素子である〇 シラン又にフッ化シランのグロー放電分解で得られる約
１（Ｉ′ 秒以上のキャリヤー寿命で約１０ｃｍｅＶ
−以下の局在準位ａｍおよび１０−”ｃｍ”／Ｖ以上の
易動度をもつ真性アモルファスシリコン（以下、１−ａ
−８ｉ：Ｈというｎｉ鳩として、ｐ層には上記真性アモ
ルファスシリコン會ボロン等の周期率表■族の元素でド
ープしｆｔｐ型アモルファスシリコン（以下、ｐ−ａ−
８ｉ：Ｈという）を用いる０１り、このｐｍのアモルフ
ァスシリコンのかわりにｐ型にドープしたアモルファス
シリコンカーバイドを用いてもよい。薄膜の厚みは特に
限定されないが、通常１−ａ−８ｉＣＨ層で約２５００
〜１．０００ＯＡ、 ｐ−ａ−８１： Ｈ”ｉＣ” １
（１０〜５００Ａか用いられる。
される光？電流又は電圧に変換する素子である〇 シラン又にフッ化シランのグロー放電分解で得られる約
１（Ｉ′ 秒以上のキャリヤー寿命で約１０ｃｍｅＶ
−以下の局在準位ａｍおよび１０−”ｃｍ”／Ｖ以上の
易動度をもつ真性アモルファスシリコン（以下、１−ａ
−８ｉ：Ｈというｎｉ鳩として、ｐ層には上記真性アモ
ルファスシリコン會ボロン等の周期率表■族の元素でド
ープしｆｔｐ型アモルファスシリコン（以下、ｐ−ａ−
８ｉ：Ｈという）を用いる０１り、このｐｍのアモルフ
ァスシリコンのかわりにｐ型にドープしたアモルファス
シリコンカーバイドを用いてもよい。薄膜の厚みは特に
限定されないが、通常１−ａ−８ｉＣＨ層で約２５００
〜１．０００ＯＡ、 ｐ−ａ−８１： Ｈ”ｉＣ” １
（１０〜５００Ａか用いられる。
本発明のアモルファスシリコンカーバイドは、シラン等
のシリコンハイドライド（Ｓ１ｎＨ！ｎ＋）とメタン、
エタン等のハイドロカーボンラフロー放電分解して得ら
れる。ハイドロカーボンについては、飽和脂肪族ハイド
ロカーボン（ａｎＨｇｎ＋２ ）、不飽和脂肪族ハイド
ロカーボン （例工ばエチレン、プロピレン等の一般式
０ｎＨｔｎ ）でもよい０組成については、グロー放電
分解時のガス組成で８１原子数とＣ原子数の比を用い、
５ＩＸＣ１−Ｘ で示す。ψりえばシラン（ＳｉＨ４Ｊ
８モル、メタン２モルの割合で混合した場合、ｓｉｏ
、８ａｏ、、と示き□る。工、。
のシリコンハイドライド（Ｓ１ｎＨ！ｎ＋）とメタン、
エタン等のハイドロカーボンラフロー放電分解して得ら
れる。ハイドロカーボンについては、飽和脂肪族ハイド
ロカーボン（ａｎＨｇｎ＋２ ）、不飽和脂肪族ハイド
ロカーボン （例工ばエチレン、プロピレン等の一般式
０ｎＨｔｎ ）でもよい０組成については、グロー放電
分解時のガス組成で８１原子数とＣ原子数の比を用い、
５ＩＸＣ１−Ｘ で示す。ψりえばシラン（ＳｉＨ４Ｊ
８モル、メタン２モルの割合で混合した場合、ｓｉｏ
、８ａｏ、、と示き□る。工、。
（０＊Ｈａ） ｋ用いる場合、エタン１モルにはメタン
１モルの２倍のＯを含むので、シラン８モル、エタン１
モルの混合でＳｉｏ、、Ｏｏ、、となる。これらのカス
組成で得られ友アモルファスシリコンカーバイド會ａ
５ＩＸＯＩ−Ｘ ： Ｈとして以下に示す。
１モルの２倍のＯを含むので、シラン８モル、エタン１
モルの混合でＳｉｏ、、Ｏｏ、、となる。これらのカス
組成で得られ友アモルファスシリコンカーバイド會ａ
５ＩＸＯＩ−Ｘ ： Ｈとして以下に示す。
本発明の場合、アモルファスシリコンカーバイドはリン
等の同期率表■族の元素をドープしてｎ型ａ −５ｉＸ
Ｏ１−Ｘ： Ｈとして用いることができる。ドープ童ｅ
ゴ任慧であるが、通常ドーパント原子畝／（ｓｉ＋（：
！Ｊ ＊子数か０．０５〜５％で用いられるＯａ ８
１ｚ Ｃ１−Ｘ ： Ｈ１ｌ−ｒシランのグロー放電と
同様の方法で作る事ができる。
等の同期率表■族の元素をドープしてｎ型ａ −５ｉＸ
Ｏ１−Ｘ： Ｈとして用いることができる。ドープ童ｅ
ゴ任慧であるが、通常ドーパント原子畝／（ｓｉ＋（：
！Ｊ ＊子数か０．０５〜５％で用いられるＯａ ８
１ｚ Ｃ１−Ｘ ： Ｈ１ｌ−ｒシランのグロー放電と
同様の方法で作る事ができる。
仄に不発１月の効果について述べる。図−３は、ｎ型ａ
−８ｉＸＯ，−Ｘ：Ｈのグロー放電分解時のカス組成り
１ｘＣ１−Ｘを変えた時の太陽電池の効率會示す。
−８ｉＸＯ，−Ｘ：Ｈのグロー放電分解時のカス組成り
１ｘＣ１−Ｘを変えた時の太陽電池の効率會示す。
従来のシラン１００％で得られるｎ型ａ−Ｅｌｉ、Ｏ（
、：Ｈ（ガスｆｄｉ成Ｓ１□ＯｏＪの場合、効率が３．
５饅でおるのに対して、本発明のｎ型ａ−８ｉｚ０１−
１ ；Ｉ（ｆ用いるとＸか０．９５〜０．５０の闇で４
．０％以上の効率を不し、Ｘが０．８０の時には５３３
襲という高い効率の得られる墨が判る。
、：Ｈ（ガスｆｄｉ成Ｓ１□ＯｏＪの場合、効率が３．
５饅でおるのに対して、本発明のｎ型ａ−８ｉｚ０１−
１ ；Ｉ（ｆ用いるとＸか０．９５〜０．５０の闇で４
．０％以上の効率を不し、Ｘが０．８０の時には５３３
襲という高い効率の得られる墨が判る。
シランのグロー放電分解でメタン、エタン等のハイドロ
カーボンを混合してグロー放電分解してアモルファスシ
リコンカーバイドの得られる事は既に知られている〔例
えばＤ＠Ａ、 Ａｎｄｅｒｓｏｎ ａｎｄＷ、Ｅ、８ｐ
ｅａｒ、 ｐｈｌｌ、Ｍａｇ、３５，１ （１９７７）
）。
カーボンを混合してグロー放電分解してアモルファスシ
リコンカーバイドの得られる事は既に知られている〔例
えばＤ＠Ａ、 Ａｎｄｅｒｓｏｎ ａｎｄＷ、Ｅ、８ｐ
ｅａｒ、 ｐｈｌｌ、Ｍａｇ、３５，１ （１９７７）
）。
しかしながら、シランとメタンで得られるａ ８１ｘ
Ｏ１−ｘ：Ｈｋ真性饋域に用いた太陽電池は、Ｄ、 ４
１．０ａｒｌＢＯｎらの去ＮＩｌによジメタンを含まな
い場合２．２７％の効率か、１０％のメタンを含むと１
．４饅に低下し、さらに３０チのメタンを含む場合０．
０８係と極端に低下してし筐う事が知られてい友（ｉｔ
’ｌｌえばＴｏｐｉｃｓ ｉｎ Ａｐｐｌｉｅａ ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｖｏ１３６゜Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅｍ
１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｐ＝ ３１１ （Ｍ、Ｈ。
Ｏ１−ｘ：Ｈｋ真性饋域に用いた太陽電池は、Ｄ、 ４
１．０ａｒｌＢＯｎらの去ＮＩｌによジメタンを含まな
い場合２．２７％の効率か、１０％のメタンを含むと１
．４饅に低下し、さらに３０チのメタンを含む場合０．
０８係と極端に低下してし筐う事が知られてい友（ｉｔ
’ｌｌえばＴｏｐｉｃｓ ｉｎ Ａｐｐｌｉｅａ ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｖｏ１３６゜Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｅｍ
１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ｐ＝ ３１１ （Ｍ、Ｈ。
Ｂｒｏｄ、ｓｋｙ、 Ｓｐｒｌｎｇ −Ｖｅｒｌａｇ
Ｂｅｒｌｉｎ Ｈｅｉｃｌｅｌｌ）ｅｒｇ刊１９７９年
）。従ってメタン等のノ＼イドロカーボンは不純物とし
て好ましくないとされていた０本発明省は、アモルファ
スシリコン力−ノ（イドをｎ型にドープする事により大
巾な効率全改善し友ものでおり、七の効果は驚くべきも
のである。
Ｂｅｒｌｉｎ Ｈｅｉｃｌｅｌｌ）ｅｒｇ刊１９７９年
）。従ってメタン等のノ＼イドロカーボンは不純物とし
て好ましくないとされていた０本発明省は、アモルファ
スシリコン力−ノ（イドをｎ型にドープする事により大
巾な効率全改善し友ものでおり、七の効果は驚くべきも
のである。
以下に夾施例により説明するが、去施例では１−ａ−８
ｉ：Ｈが４５００ＡＸｐ−ａ−８ｉ：Ｈか２００Ａのも
のを用いている。
ｉ：Ｈが４５００ＡＸｐ−ａ−８ｉ：Ｈか２００Ａのも
のを用いている。
夫施例
図−１に示す内径１１ｃＩＩＬの石英の反応管を用い１
４．５６ＭＨ２の島絢波でグロー放電分解を行う０真性
型（以後１）アモルファスシリコンは、水素で希釈した
シジン會２〜ｌ Ｑ Ｔｏｒｒでグロー放電分解する。
４．５６ＭＨ２の島絢波でグロー放電分解を行う０真性
型（以後１）アモルファスシリコンは、水素で希釈した
シジン會２〜ｌ Ｑ Ｔｏｒｒでグロー放電分解する。
ｐ型アモルファスシリコンは水素で希釈した７ランとジ
ホラン（ＢｚＨｓ ） （ＢｚＨｓ／ ”正、＝０．５
モル係）全同様にグロー放電分解する。ｎｆｆ１アモル
ファスシリコンカーバイドに水素で希釈したシラン、メ
タン（ＯＨ４）、フォスフイン（ＰＨ５ｌ （ＰＨｓ／
（ＯＨ４＋５ｉＨ４） ＝ ０．５モル％）を同様にグ
ロー放電分解する。ここでアモルファスシリコンカーノ
くイド（ａ−ｓ １ＸｃＬ−Ｘ ’ Ｈ）の組１’Ａｉ
−ｊ、グロー放電時のカス組成５ｉＸＣ，−エでＸを０
．９５〜０．５０に変量した。
ホラン（ＢｚＨｓ ） （ＢｚＨｓ／ ”正、＝０．５
モル係）全同様にグロー放電分解する。ｎｆｆ１アモル
ファスシリコンカーバイドに水素で希釈したシラン、メ
タン（ＯＨ４）、フォスフイン（ＰＨ５ｌ （ＰＨｓ／
（ＯＨ４＋５ｉＨ４） ＝ ０．５モル％）を同様にグ
ロー放電分解する。ここでアモルファスシリコンカーノ
くイド（ａ−ｓ １ＸｃＬ−Ｘ ’ Ｈ）の組１’Ａｉ
−ｊ、グロー放電時のカス組成５ｉＸＣ，−エでＸを０
．９５〜０．５０に変量した。
太陽電池の１１成に、ステンレス基板にｐ型ａ−８１：
Ｈｌｉ ｆＪ ａ−８１： Ｈ，ｎｆｉ ａ −５ｔＸ
ｃ、−ｘ： Ｈの１臓に堆積し、最後に３゜３ ｔＭＲ
”の工Ｔｏ（インジウムスズオキサイド）を蒸着してＡ
Ｍ−１１００ｍＷ／ｃｍ２のソーラーシュミレータ−で
太陽電池特性を調べた０ グロ一放電時の基板温度は２５０℃で行なった。
Ｈｌｉ ｆＪ ａ−８１： Ｈ，ｎｆｉ ａ −５ｔＸ
ｃ、−ｘ： Ｈの１臓に堆積し、最後に３゜３ ｔＭＲ
”の工Ｔｏ（インジウムスズオキサイド）を蒸着してＡ
Ｍ−１１００ｍＷ／ｃｍ２のソーラーシュミレータ−で
太陽電池特性を調べた０ グロ一放電時の基板温度は２５０℃で行なった。
父、１層は４５０ＯＡ、 ｐ層ｆ’ｊ２００Ａ、ｎ型ａ
５ｉｚＯ１−ｚ ： Ｈの厚みＨ１３５ＡＴ＃る。
５ｉｚＯ１−ｚ ： Ｈの厚みＨ１３５ＡＴ＃る。
ｎ型ａ”１ｘ Ｃ５−ｘ ： Ｈのカス組成による太陽
電池特性を図−３ｖＣ示す。この図から判るように、シ
ラン１００％（Ｓｉ＋ＯＪの場合、変換効率３．５％に
対して不発明の８１ｘＣｓ−ｘ ： Ｈｋ用いると”１
ｏ、ｉａ Ｏｏ、ｏｓでも４．１％と増加し、ＢｉＯ，
ＩＣ０，２でハ５．３％にも改善される。ＳＬｏ、５Ｏ
ｎ、５でも４゜５％とシラン１００チの時よりも＾い値
が得られる。
電池特性を図−３ｖＣ示す。この図から判るように、シ
ラン１００％（Ｓｉ＋ＯＪの場合、変換効率３．５％に
対して不発明の８１ｘＣｓ−ｘ ： Ｈｋ用いると”１
ｏ、ｉａ Ｏｏ、ｏｓでも４．１％と増加し、ＢｉＯ，
ＩＣ０，２でハ５．３％にも改善される。ＳＬｏ、５Ｏ
ｎ、５でも４゜５％とシラン１００チの時よりも＾い値
が得られる。
図−１は本発明のプラズマ分解装置の枇略図、図−２は
本発明太陽電池の基本構成を示すもので、（ａ）は透明
基板音用いるタイプ、（ｂ）は不透明基板を用いるタイ
プである。図−３はｎ型ａ −Ｓ ｉ工Ｏ，−、：Ｈを
作る時のガス組収日１ＸＯ１−ＸのＸを変えた場合の太
陽電池の効率を示すグラフである。 ｌ・・・電極 ２・・・サセプター ３・・・基板加熱
用ヒーター ４・・・カス（シラン、メタン、ドーピン
グカス）の入口、５は真空に引くためのカス出口、６は
基板 ７・・・ガラス又は透明フィルム ８・・・透明
電極 ９ ・−ｎ型のａ−８ｉｚｅ１−１ ： Ｈｌｏ
−１型ａ−８１；Ｈ１１−ｐ型ａ−Ｂｊ、：Ｈｌｉ・・
・電極 １３・・・透明電極 １４・・・ステンレス、
モリブデン、金属を蒸着したフイルム 図−２ 図−３ １，０００，９００，８００，７００，６００，５０×
（Ｓ１χＣ１−χ）
本発明太陽電池の基本構成を示すもので、（ａ）は透明
基板音用いるタイプ、（ｂ）は不透明基板を用いるタイ
プである。図−３はｎ型ａ −Ｓ ｉ工Ｏ，−、：Ｈを
作る時のガス組収日１ＸＯ１−ＸのＸを変えた場合の太
陽電池の効率を示すグラフである。 ｌ・・・電極 ２・・・サセプター ３・・・基板加熱
用ヒーター ４・・・カス（シラン、メタン、ドーピン
グカス）の入口、５は真空に引くためのカス出口、６は
基板 ７・・・ガラス又は透明フィルム ８・・・透明
電極 ９ ・−ｎ型のａ−８ｉｚｅ１−１ ： Ｈｌｏ
−１型ａ−８１；Ｈ１１−ｐ型ａ−Ｂｊ、：Ｈｌｉ・・
・電極 １３・・・透明電極 １４・・・ステンレス、
モリブデン、金属を蒸着したフイルム 図−２ 図−３ １，０００，９００，８００，７００，６００，５０×
（Ｓ１χＣ１−χ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、７ランとハイドロカーボンの比率か、Ｓ１／ｃ（原
子数）比で約０．９７〜０．３であるシリコン含有混合
ガスをｎ型ドーパントの存在下でグロー放電分解法によ
り反応させることを特徴とするｎ型アモルファスシリコ
ンカーバイドのｍ、ｍ方法。 ２、 １１Ｊｉハイドロカーボンがメタンであること全
特徴とする特Ｉ￥−Ｆ請求の範囲第１項記載のｎ型アモ
ルファスシリコンカーバイドのＨｍ ７ｊ 法。 ３、 ｓｉ／ｃ比が０．９５〜０．５０である特Ｉ￥
′Ｆ請求の範囲第１項ま次は第２項記載のｎ型アモルフ
ァスシリコンカーバイドの製造方法。 ４、前記アモルファスシリコンカーバイドの厚みか約５
０〜２００ Ａ Ｔあることを特徴とする時計請求の範
囲第１項、第２積重たは第３項記載のｎｕアモルファス
／リコンカーバイドの装造方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044690A JPS58190814A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | アモルフアスシリコンカ−バイドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044690A JPS58190814A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | アモルフアスシリコンカ−バイドの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55181150A Division JPS57104276A (en) | 1980-02-04 | 1980-12-19 | Amorphous silicon thin film photoelectric element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190814A true JPS58190814A (ja) | 1983-11-07 |
| JPH0315335B2 JPH0315335B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=12698413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044690A Granted JPS58190814A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | アモルフアスシリコンカ−バイドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190814A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61252625A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-10 | Komatsu Ltd | アモルフアスシリコンｐｉｎダイオ−ドの製造法 |
| JPH0611676U (ja) * | 1992-04-30 | 1994-02-15 | 敬二 石井 | 家庭用ハム切断具 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4109271A (en) * | 1977-05-27 | 1978-08-22 | Rca Corporation | Amorphous silicon-amorphous silicon carbide photovoltaic device |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58044690A patent/JPS58190814A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4109271A (en) * | 1977-05-27 | 1978-08-22 | Rca Corporation | Amorphous silicon-amorphous silicon carbide photovoltaic device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61252625A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-10 | Komatsu Ltd | アモルフアスシリコンｐｉｎダイオ−ドの製造法 |
| JPH0611676U (ja) * | 1992-04-30 | 1994-02-15 | 敬二 石井 | 家庭用ハム切断具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0315335B2 (ja) | 1991-02-28 |
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