JPS58190870A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS58190870A JPS58190870A JP57071789A JP7178982A JPS58190870A JP S58190870 A JPS58190870 A JP S58190870A JP 57071789 A JP57071789 A JP 57071789A JP 7178982 A JP7178982 A JP 7178982A JP S58190870 A JPS58190870 A JP S58190870A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明に高誘電率磁器組成物に関する。
高誘電率磁器組成物としては、チタン酸バリウムを主体
とＬ、これにスズ酸塩、ジルコン酸塩あるいは他のチタ
ン酸塩等を固溶させたものが広く実用に供されている。
とＬ、これにスズ酸塩、ジルコン酸塩あるいは他のチタ
ン酸塩等を固溶させたものが広く実用に供されている。
しかしながら、この系の磁器利料は、誘電率が高い組成
にすると容量温度特性が悪化するばかりで々く、容量の
電圧依存性が著しく大きくなる傾向があり、これらのこ
とがコンデンザ材利として用いる場合の大きな問題とな
っていた。しかも、この系の磁器はその焼成に１３００
〜１４００℃という高い温度を必要とするため焼成コス
トが高く、さらに積層コンデンサに適用する場合には内
部電極材料として高価なパラジウムや白金を用いざるを
得す、コンデンサのコストダウンを計ることができガい
という問題があった。このようガ問題を解決するため、
Ｐｂ（Ｎｉ Ｎｂ ）０８−ＰｂＴｉ０８−Ｐｂ（
Ｃｏ １／２１／Ｂ ２／８ Ｗ１７□）０８からなる高誘電率磁器組成物が提案され
ている。この三成分系磁器組成物はチタン酸バリウム系
のものに比して、焼結性、誘電率、容量温度依存性およ
び電圧依存性において格段に優れてはいるが、未だ容量
温度特性等の点で十分満足しうるものとは言い難いのが
現状である。
にすると容量温度特性が悪化するばかりで々く、容量の
電圧依存性が著しく大きくなる傾向があり、これらのこ
とがコンデンザ材利として用いる場合の大きな問題とな
っていた。しかも、この系の磁器はその焼成に１３００
〜１４００℃という高い温度を必要とするため焼成コス
トが高く、さらに積層コンデンサに適用する場合には内
部電極材料として高価なパラジウムや白金を用いざるを
得す、コンデンサのコストダウンを計ることができガい
という問題があった。このようガ問題を解決するため、
Ｐｂ（Ｎｉ Ｎｂ ）０８−ＰｂＴｉ０８−Ｐｂ（
Ｃｏ １／２１／Ｂ ２／８ Ｗ１７□）０８からなる高誘電率磁器組成物が提案され
ている。この三成分系磁器組成物はチタン酸バリウム系
のものに比して、焼結性、誘電率、容量温度依存性およ
び電圧依存性において格段に優れてはいるが、未だ容量
温度特性等の点で十分満足しうるものとは言い難いのが
現状である。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、容量温度特性および絶縁抵抗を向上させた高誘電率
磁器組成物を提供することを目的とし、その要旨は、一
般式： ％式％ ） （但し、式中Ｘ、γ、２は各成分のモル分率を表わし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）で表わされ、かつ第１図に示さ
れる下記組成の点Ａ＝ Ｂ、Ｃ，Ｄｆ頂点とする多角形
ＡＢＣＤで四重れた範囲内の組成（但し、ＡＤ線上の組
成を除く）４有する三成分０〜５０ｗｔ％ とＴｉＯ２
０，０５〜２．５ｗｔ％ を含み、かつＴ ｉ ０２と
ｌ５ｉ２０Ｂのモル比（Ｔ ｉ ０２ ／ｒｓｉ２０ａ
）が０５〜３であることを特徴とする高誘電率磁器組成
物、にある。前記多角形ＡＢＣＤの各頂点における各成
分のモル分率は次の通りである。
て、容量温度特性および絶縁抵抗を向上させた高誘電率
磁器組成物を提供することを目的とし、その要旨は、一
般式： ％式％ ） （但し、式中Ｘ、γ、２は各成分のモル分率を表わし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）で表わされ、かつ第１図に示さ
れる下記組成の点Ａ＝ Ｂ、Ｃ，Ｄｆ頂点とする多角形
ＡＢＣＤで四重れた範囲内の組成（但し、ＡＤ線上の組
成を除く）４有する三成分０〜５０ｗｔ％ とＴｉＯ２
０，０５〜２．５ｗｔ％ を含み、かつＴ ｉ ０２と
ｌ５ｉ２０Ｂのモル比（Ｔ ｉ ０２ ／ｒｓｉ２０ａ
）が０５〜３であることを特徴とする高誘電率磁器組成
物、にある。前記多角形ＡＢＣＤの各頂点における各成
分のモル分率は次の通りである。
ｘ ｙ
Ａ Ｏ，７７０，２３０，００
Ｂ Ｏ，３７０，３５０，２８
ＣＯ，３３０，４３０，２４
Ｄ Ｏ，６７０，３３０，００
本発明に係る高誘電率磁器組成物の組成を前記のように
限定１．たのＧ工法の理由による。主成分の組成範囲を
多角形Ａ ＲＣ１’）の範囲内に限定したのに、組成が
Ａｎ線より外ｔ１１１では、キュリ一点が低温側に下が
りすぎて、容量″温度変化率が悪化１−１ＲＣ線より外
側では、常温での誘電率が下がりすぎて実用上好ま１−
＜々く、ｃｎ線より外側では、キュリ一点が高温側ニ」
二かりすぎて、容量変化率（３） が悪化するからである。副成分のＢｉ２０ｇが０．５０
ｗｔ％未満では、誘電率は高くなるものの容量温度特性
の平坦化および比抵抗を向上させる効果が充分に得られ
ず、５．ＱｗＬ％ を超えると誘雷、率の低下および誘
電正接の上昇が著しいことがらＢｉ２０ａは０．５０〜
５．Ｑｗ［％ とじた。ＴｉＯ２を０．０５〜２．５ｗ
ｔチ としたのは、０．０５ｗｔ％ より少ないと誘電
率の低下および誘電圧接の上昇が著しく、また、２．５
ｗｔ％ より多いと誘電率の低下および誘電正接の上昇
の他、−２５℃における容量温度変化率が大きくなるか
らである。また、Ｔ ｉ ０２とＢｉ２０Ｂのモル比Ｔ
ｉＯ２／Ｂｉ２０ａ を０゜５〜３としたのは、０５
より小さいと誘電率の低下および誘電正接の上昇が著し
く、３より大きいとそれらに加えて一２５℃における容
量温度変化率も大きくなるからである。
限定１．たのＧ工法の理由による。主成分の組成範囲を
多角形Ａ ＲＣ１’）の範囲内に限定したのに、組成が
Ａｎ線より外ｔ１１１では、キュリ一点が低温側に下が
りすぎて、容量″温度変化率が悪化１−１ＲＣ線より外
側では、常温での誘電率が下がりすぎて実用上好ま１−
＜々く、ｃｎ線より外側では、キュリ一点が高温側ニ」
二かりすぎて、容量変化率（３） が悪化するからである。副成分のＢｉ２０ｇが０．５０
ｗｔ％未満では、誘電率は高くなるものの容量温度特性
の平坦化および比抵抗を向上させる効果が充分に得られ
ず、５．ＱｗＬ％ を超えると誘雷、率の低下および誘
電正接の上昇が著しいことがらＢｉ２０ａは０．５０〜
５．Ｑｗ［％ とじた。ＴｉＯ２を０．０５〜２．５ｗ
ｔチ としたのは、０．０５ｗｔ％ より少ないと誘電
率の低下および誘電圧接の上昇が著しく、また、２．５
ｗｔ％ より多いと誘電率の低下および誘電正接の上昇
の他、−２５℃における容量温度変化率が大きくなるか
らである。また、Ｔ ｉ ０２とＢｉ２０Ｂのモル比Ｔ
ｉＯ２／Ｂｉ２０ａ を０゜５〜３としたのは、０５
より小さいと誘電率の低下および誘電正接の上昇が著し
く、３より大きいとそれらに加えて一２５℃における容
量温度変化率も大きくなるからである。
本発明に係る前記組成の高誘電率組成物は、誘電率が高
いにもかかわらず、容量温度特性において従来のチタン
酸バリウム系のものに比べて著しく優れ、ＪＩＳ［規定
されるＤ特性を満足し、まＣ４） た高い比抵抗値を示す。しかも、本発明に係る高誘電率
磁器組成物に約９００〜１１００℃と従来のものに比べ
て低い温度で焼結させることができるので、焼成コスト
ヲ低下させることができるだけでなく、積層コンデンサ
を製造する場合に内部電極月利として従来のＩ” ｒｌ
やＰｔに比べてはるかに安価な銀糸合金、例えば、Ａ
ｇ −１’ ｄ合金、Ａｇ−Ｐｃ 合金などを使用でき
、コンデンサのコストダウンを削ることができるなど、
優れた効果を奏する。
いにもかかわらず、容量温度特性において従来のチタン
酸バリウム系のものに比べて著しく優れ、ＪＩＳ［規定
されるＤ特性を満足し、まＣ４） た高い比抵抗値を示す。しかも、本発明に係る高誘電率
磁器組成物に約９００〜１１００℃と従来のものに比べ
て低い温度で焼結させることができるので、焼成コスト
ヲ低下させることができるだけでなく、積層コンデンサ
を製造する場合に内部電極月利として従来のＩ” ｒｌ
やＰｔに比べてはるかに安価な銀糸合金、例えば、Ａ
ｇ −１’ ｄ合金、Ａｇ−Ｐｃ 合金などを使用でき
、コンデンサのコストダウンを削ることができるなど、
優れた効果を奏する。
次に、本発明の実施例について説明する。
原料と１．てＩ’ｂＯ１ＮｉＯ１Ｎ１３２０５、Ｔ ｉ
０２、ＣｏＣ０ａ、ＷＯａおよび１１ｉ２０ａ’ｉ用
い、これら全第１表に示す組成割合になるように秤爪１
−、メノウ石を用いたボールミルにて５〜２０時間湿式
混合１−だ。
０２、ＣｏＣ０ａ、ＷＯａおよび１１ｉ２０ａ’ｉ用
い、これら全第１表に示す組成割合になるように秤爪１
−、メノウ石を用いたボールミルにて５〜２０時間湿式
混合１−だ。
得られた各混合物を脱水、乾燥後、６５０〜８００°Ｃ
で２時間保持して仮焼Ｌ、再びボールミルにて粉砕１−
た。得られた粉末をバインダとしてのポリビニルアルコ
ール３重ｉ１％ （ｗｔ％ ’ｒ と混練し、造粒し
た後、２０００ ｋｇ／ｃｍ の圧力で直径］５關、
厚さ１漉の円板に成形した。この円板を電気炉にて鉛雰
囲気中９００〜１１００℃で２時間焼成して磁器を得た
。
で２時間保持して仮焼Ｌ、再びボールミルにて粉砕１−
た。得られた粉末をバインダとしてのポリビニルアルコ
ール３重ｉ１％ （ｗｔ％ ’ｒ と混練し、造粒し
た後、２０００ ｋｇ／ｃｍ の圧力で直径］５關、
厚さ１漉の円板に成形した。この円板を電気炉にて鉛雰
囲気中９００〜１１００℃で２時間焼成して磁器を得た
。
得られた磁器円板の両面に銀電極を焼付けてコンデンサ
となし、その誘電率Ｃε）、誘電正接Ｃｔａｎδ）、容
量温度特性および比抵抗（ρ）を測定した。その結果を
第２表に示す。
となし、その誘電率Ｃε）、誘電正接Ｃｔａｎδ）、容
量温度特性および比抵抗（ρ）を測定した。その結果を
第２表に示す。
々お、εおよびｔａｎδは温度２０℃、周波数ｌ ＫＨ
ｚ で測定し、容量温度特性について（工、２０℃で
の容量を基準とし、−２５℃および＋８５℃での容量の
変化率を求めた。また、比抵抗は２０℃で試ＩＲｖＣ５
００Ｖ ／ｙｎｍ）直流Ｎ圧’ｔ 印７ＪＩＩ Ｌ、１
分後の電流値から計算により求めた。
ｚ で測定し、容量温度特性について（工、２０℃で
の容量を基準とし、−２５℃および＋８５℃での容量の
変化率を求めた。また、比抵抗は２０℃で試ＩＲｖＣ５
００Ｖ ／ｙｎｍ）直流Ｎ圧’ｔ 印７ＪＩＩ Ｌ、１
分後の電流値から計算により求めた。
表中、＊は本発明の範囲外の組成の磁器を示す。
（７）
（８）
第２表に示す結果から明らかなように、本発明に係る磁
器は誘電率が約６８００以上と著しく高いにもかかわら
ず、静電容昆変化率は一３０％以下でＪＩＳに規定する
Ｉ）特性を満足し、また比抵抗も１０ Ωｏｎ以」−の
高い値を示す他、１１００℃以下の温度で焼結させるこ
とができる。
器は誘電率が約６８００以上と著しく高いにもかかわら
ず、静電容昆変化率は一３０％以下でＪＩＳに規定する
Ｉ）特性を満足し、また比抵抗も１０ Ωｏｎ以」−の
高い値を示す他、１１００℃以下の温度で焼結させるこ
とができる。
４図面の簡ｒ、１（な説明
図は本発明に係る高誘電率磁器組成物の主成分の組成範
囲を示す三角図である。
囲を示す三角図である。
Claims (1)
- （１）一般式： ％式％ ） （但し、式中ｘ、ｙ、ｚは各成分のモル分率を表わし、
Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．ＯＯ）で表わされ、かつ第１図に示さ
れる下記組成の点Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄｆ頂点とする多角形Ａ
ＢＣＤで囲まれた範囲内の組成（但し、ＡＤ線上の組成
を除く）を有する三成分系組成物を主成分とし、副成分
としてＢｉ ２０８０．５０〜５．Ｑｗｌ ％と、Ｔｉ
０２０．０５〜２．５ｗｔ％ を含み、かつＴｉＯ２と
Ｂｉ２０ｇのモル比（Ｔ ｉ Ｏ２／Ｂｉ２０ｇ）が０
．５〜３であることを特徴とする高誘電率磁器組成物。 Ｘ ｙ ｚＡ
Ｏ，７７０，２３０，００Ｂ Ｏ，３７０，３５
０，２８ ＣＯ，３３０，４３０，２４ Ｄ Ｏ，６７０，３３０，００
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071789A JPS58190870A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071789A JPS58190870A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190870A true JPS58190870A (ja) | 1983-11-07 |
| JPS6238316B2 JPS6238316B2 (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=13470688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57071789A Granted JPS58190870A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190870A (ja) |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP57071789A patent/JPS58190870A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6238316B2 (ja) | 1987-08-17 |
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