JPS58190900A - 水晶の製造方法 - Google Patents

水晶の製造方法

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JPS58190900A
JPS58190900A JP58005431A JP543183A JPS58190900A JP S58190900 A JPS58190900 A JP S58190900A JP 58005431 A JP58005431 A JP 58005431A JP 543183 A JP543183 A JP 543183A JP S58190900 A JPS58190900 A JP S58190900A
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JP
Japan
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soln
quartz crystal
solution
mixed
contg
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JP58005431A
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English (en)
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JPS646159B2 (ja
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Takashi Fujii
隆 藤井
Tsuguo Fukuda
承生 福田
Yoshihiro Kokubu
国分　義弘
Hitoshi Hirano
均 平野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/18—Quartz

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、耐火性酸化物である水晶を常温濃縮現象を
利用して製造する方法に関する。
水晶は研磨材や時計の軸受、宝石、レコード針等の広い
用途をもつ。従来耐火性酸化物の単結晶を得る方法とし
ては、■引上げ法、■ＥＦＧ法、■熱交換法、■バクダ
ザロフ法、■ベルヌーイ法、■フラックス法などが知ら
れている。
■〜■はいずれも原材料をるつぼや容器に入れ、高温に
加熱して融解し種子結晶下に成長させる方法である。■
はるつばや容器を使用しないが、原料を高温で融解する
点で■〜■と同じである。
■は原材料をフラックス剤ｐｂｏや水晶石（Ｎａμ／７
６）を用いてその融点よシ低い温度で融解し、結晶を晶
出させる方法である。いずれの方法でも、少くとも１０
００℃以上の高温にすることが必要となシ、従ってるつ
ぼや容器として白金、イリジューム、モリブデン等の高
融点金属材を用いなければならない。また高温融解用針
や発熱体にも特殊な材料、設備が要求される。
この発明は、複雑かつ高価な設備を用いることなく、常
温濃縮現象を利用して簡便に水晶を製造する方法を提供
するものである。
この発明の方法は、鉄（Ｆｅ　）を含む溶液と二酸化硅
素（８１０２）を含む溶液を混合し、この混合溶液に種
子結晶を入れて放置することにより、常温濃縮現象で水
晶を成長させることを特徴としている。
゛例えば、Ｆｅを４〜１２規程の硝酸に溶解した溶解液
と、硅酸塩捷たはシリカダルの水溶液を混合して放置す
ると、溶液中に生じた５ｔｏ２’ｉ含むケ゛ル状物質中
に水晶が晶出する。この結晶成長には、溶液中のＦ　ｅ
　（ＯＨ）３または５ｉ０２ダルが触媒として作用して
いるもの考えられる。
この発明の方法は、従来法のような高温を要せず、常温
付近で簡単に実施できることが基本的に優れている点で
ある。得られる水晶の大きさや成長速度は、溶液の一濃
度、温度、過飽和度等の制御により、また種子結晶を入
れることによシ、制御される。
以下この発明の詳細な説明する。１００ＣＣのビーカー
を２個用意し、一方のビーカーに８規程の硝酸を約５０
ＣＣ入れ、これに三価のＦｅを含む鉄の棒（２団φＸ　
３０　＋ｍｎ　）を入れた。更にＰＨ濃度調整のためＮ
ａＯＨを約５ｃｃ入れた。他方のビーカーには水５０Ｃ
Ｃを入れこれにシリカケ゛ルを溶かして５ＩＯ２濃度５
０　ｐｐｍのシリカ溶液を作った。これらの溶液を交互
に少しずつ混合して最終的に３− ル成長も可能である。
一方のビーカーに全部を入れ、これに水晶の種子結晶を
入れて５日間放置した。これによシ、種子結晶上に水晶
結晶が生成された。
以上、実施例を説明したが、この発明の方法は単純な溶
液からの濃縮に限らず、圧力下で約２００℃程度の熱水
合成によってもよい。更に上記実施例ではＦｅを溶解す
るのに硝酸を用いたが、硝酸と他の酸の混液等を用いて
もよい。更にまた、５ｉ０２を含む溶液についても、Ｎ
ａ　２　Ｓ　ｉ　Ｏ３やに２ＳｉＯ３等、Ｆｅを含む溶
液と混合したときに５Ｉ０２ｒルを生ずるような硅酸塩
を溶かした水溶液を用いることができる。
この発明の効果を列記すれば次のとｂＢである。（１）
従来、少くとも１０００℃以上の高温でなければ結晶成
長できなかった水晶を常温付近できわめて簡便に作るこ
とができる。（２）耐熱容器。
高温溶解設備など、複雑かつ高価な装置や設備を要せず
、従って安価な水晶を提供できる。（３）結晶成長は種
子結晶上に行うことができ、溶液のｐＨ８度の制御等に
よシ、水晶のエビタキシャ４− 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦５−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）鉄を含む溶液と二酸化硅素を含む溶液を混合し、
    この混合溶液に種子結晶を入れて放置することを特徴と
    する水晶の製造方法。
  2. （２）鉄を含む溶液は鉄を４〜１２規程の硝酸に溶解し
    た溶液であシ、二酸化硅素を含む溶液は硅酸塩またはシ
    リカグルを水に溶解した溶液である特許請求の範囲第１
    項記載の水晶の製造方法。
JP58005431A 1983-01-17 1983-01-17 水晶の製造方法 Granted JPS58190900A (ja)

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JP11875880A Division JPS5854119B2 (ja) 1980-08-28 1980-08-28 α−アルミナ単結晶の製造方法

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JPS58190900A true JPS58190900A (ja) 1983-11-07
JPS646159B2 JPS646159B2 (ja) 1989-02-02

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0693580A1 (en) * 1994-07-18 1996-01-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide thin film having quartz crystal structure and process for producing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0693580A1 (en) * 1994-07-18 1996-01-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide thin film having quartz crystal structure and process for producing the same
US5879811A (en) * 1994-07-18 1999-03-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide thin film having quartz crystal structure

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