JPS58190926A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPS58190926A JPS58190926A JP57074021A JP7402182A JPS58190926A JP S58190926 A JPS58190926 A JP S58190926A JP 57074021 A JP57074021 A JP 57074021A JP 7402182 A JP7402182 A JP 7402182A JP S58190926 A JPS58190926 A JP S58190926A
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- JP
- Japan
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- alignment film
- rubbing
- liquid crystal
- electro
- optical device
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２枚の基板により液晶物質を挾持してなる電
気光学装置の少なくとも一方の基板に、非線型特性を有
する素子を設置した電気光学装置の配向膜の形状に関す
る。
気光学装置の少なくとも一方の基板に、非線型特性を有
する素子を設置した電気光学装置の配向膜の形状に関す
る。
非線型特性を有する素子には、薄膜トランジスタ（以下
ＴＰＴという）、金属−絶縁体−金属の構造より成る素
子（以下ＭＩＭという）などがあり、薄膜により形成さ
れる素子ならばすべて応用することが可能である。以下
ＭＩＭ素子を設置した電気光学装置について説明する。
ＴＰＴという）、金属−絶縁体−金属の構造より成る素
子（以下ＭＩＭという）などがあり、薄膜により形成さ
れる素子ならばすべて応用することが可能である。以下
ＭＩＭ素子を設置した電気光学装置について説明する。
第１図はＭ工Ｍ素子を設置した電気光学装置の基板の一
部を示す。第２図は第１図の線ａにおける断面図である
。１は基板、２は第１の金属、３はｖＳ２の金属、４は
透明電極、５は絶縁体である。
部を示す。第２図は第１図の線ａにおける断面図である
。１は基板、２は第１の金属、３はｖＳ２の金属、４は
透明電極、５は絶縁体である。
従来の配向膜は数十から百オングストロームと薄く、第
３図に示す如く透明電極４とその表面に形成された配向
膜６の厚さをｄ、とすれば、Ｖ工Ｍ素子の厚さが数千ス
あるためにｄ、＜ｄ、の関係が成り立つ。配向膜形成後
ラビングにより配向膜は、液晶分子が基板表面より約２
〜３度のティルト角をもつ状態で一定方向の配列になる
ように処理されるのは公知である。
３図に示す如く透明電極４とその表面に形成された配向
膜６の厚さをｄ、とすれば、Ｖ工Ｍ素子の厚さが数千ス
あるためにｄ、＜ｄ、の関係が成り立つ。配向膜形成後
ラビングにより配向膜は、液晶分子が基板表面より約２
〜３度のティルト角をもつ状態で一定方向の配列になる
ように処理されるのは公知である。
第４図は第３図に示す基板のラビング後の形状を示す。
７はラビングの方向を示す矢印である。
第４ｖ！Ｊからも明らかな様にＭ工Ｍ素子の最も膜厚の
厚い部分Ｚ上の配向膜がｄ、＜ｄ、であるためにほとん
ど無くなってしまい液晶分子が配向しないという欠点が
あった。また更に、ラビングによりＭ工Ｍ素子の最も膜
厚の厚い部分７に最も大きな圧力が加わり、Ｍ工Ｍ素子
の第２の金属３が傷ついたり、あるいは剥がれたりして
Ｍ工Ｍ素子の特性を著しく変化させてしまい、欠陥とな
ってしまうという欠点があった。また更にラビングによ
り削り取られた配向膜が段差部８に集まってしまい著し
く表示性能を低下させるという欠点があった。
厚い部分Ｚ上の配向膜がｄ、＜ｄ、であるためにほとん
ど無くなってしまい液晶分子が配向しないという欠点が
あった。また更に、ラビングによりＭ工Ｍ素子の最も膜
厚の厚い部分７に最も大きな圧力が加わり、Ｍ工Ｍ素子
の第２の金属３が傷ついたり、あるいは剥がれたりして
Ｍ工Ｍ素子の特性を著しく変化させてしまい、欠陥とな
ってしまうという欠点があった。また更にラビングによ
り削り取られた配向膜が段差部８に集まってしまい著し
く表示性能を低下させるという欠点があった。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は、ラ
ビングの際Ｍ工Ｍ素子の特性を変化させることなく、ま
た液晶分子に十分な配向制御力を与えることにある。
ビングの際Ｍ工Ｍ素子の特性を変化させることなく、ま
た液晶分子に十分な配向制御力を与えることにある。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
実施例１
第５図は本発明に基づき作成された実施例であり、第６
図はラビング後の形状を示す。Ｍ工Ｍ素子および基板１
は従来のものと全く同一のものである。配向膜９を従来
の配向膜６に比べ厚くしてあり透明電極４とその表面に
形成された配向膜９の厚さをｄ、とすれば、ＭＩＭ素子
の厚さｄ、との間にはｄ、＞ｄ、の関係がある。第６図
にラビング後の配向膜１０の形状を示す。ラビング後も
ＭＩＭ素子上には配向膜が残っており、配向不良を無く
すことができる。また更にＭ工Ｍ素子をラビングにより
傷つけたりあるいは第２の金属３が剥がれることがない
ためにラビングの圧力を大きくすることが可能となり、
液晶分子に十分な配向制御力を与えることができるとい
う利点がある。
図はラビング後の形状を示す。Ｍ工Ｍ素子および基板１
は従来のものと全く同一のものである。配向膜９を従来
の配向膜６に比べ厚くしてあり透明電極４とその表面に
形成された配向膜９の厚さをｄ、とすれば、ＭＩＭ素子
の厚さｄ、との間にはｄ、＞ｄ、の関係がある。第６図
にラビング後の配向膜１０の形状を示す。ラビング後も
ＭＩＭ素子上には配向膜が残っており、配向不良を無く
すことができる。また更にＭ工Ｍ素子をラビングにより
傷つけたりあるいは第２の金属３が剥がれることがない
ためにラビングの圧力を大きくすることが可能となり、
液晶分子に十分な配向制御力を与えることができるとい
う利点がある。
また更にラビングすることによりＭ工Ｍ素子の第２の金
属６が傷ついたり、あるいは剥がれたりしてＭＩＭ素子
の特性に変化を与えることが無いためラビングによる欠
陥の発生を防ぐことができる。
属６が傷ついたり、あるいは剥がれたりしてＭＩＭ素子
の特性に変化を与えることが無いためラビングによる欠
陥の発生を防ぐことができる。
また更に、第２の金＄５上にも配向膜１０がラビング後
も残っているために、第２の金属３と液晶分子が接触す
ることがなく液晶分子を劣化させることが無いという利
点が有る。金属と液晶分子が接触すれば液晶分子が劣化
することは公知である。
も残っているために、第２の金属３と液晶分子が接触す
ることがなく液晶分子を劣化させることが無いという利
点が有る。金属と液晶分子が接触すれば液晶分子が劣化
することは公知である。
第７図にＭ工Ｍ素子の代表的な特性を示す。横軸はＭ工
Ｍ素子の印加電圧であり縦軸はＭＩＭ素子に流れる電流
である。Ｍ工Ｍ素子に＋ｖ１を印加した時流れる電流は
０であるのに対し、−Ｖ。
Ｍ素子の印加電圧であり縦軸はＭＩＭ素子に流れる電流
である。Ｍ工Ｍ素子に＋ｖ１を印加した時流れる電流は
０であるのに対し、−Ｖ。
を印加した時には−１，電流が流れる。すなわち、Ｍ工
Ｍ素子に印加する電圧の極性によりＭＩＭ素子に流れる
電流値が異なるために、液晶層には直流電圧が印加され
る。液晶分子に直流電圧を印加すれば液晶分子が劣化す
ることは公知である。
Ｍ素子に印加する電圧の極性によりＭＩＭ素子に流れる
電流値が異なるために、液晶層には直流電圧が印加され
る。液晶分子に直流電圧を印加すれば液晶分子が劣化す
ることは公知である。
従来の様に配向膜６が数十から１００スと薄い場合には
、配向膜６の抵抗値が低く、またピンホールなどの欠陥
も有り、液晶分子に直流電圧か印加されてしまったが、
配向膜６を第６図の配向膜１０の様に厚くすれば配向膜
１０の抵抗値を大きくすることができピンホールなどの
欠陥もほとんど生じないために液晶分子に直流電圧が印
加されるのを極力抑制することが可能となり、液晶分子
を劣化させることがないという利点がある。
、配向膜６の抵抗値が低く、またピンホールなどの欠陥
も有り、液晶分子に直流電圧か印加されてしまったが、
配向膜６を第６図の配向膜１０の様に厚くすれば配向膜
１０の抵抗値を大きくすることができピンホールなどの
欠陥もほとんど生じないために液晶分子に直流電圧が印
加されるのを極力抑制することが可能となり、液晶分子
を劣化させることがないという利点がある。
実施例２
第８図は本発明に基づき作成された他の実施例であり、
第９図はラビング後の形状を示す。Ｍ工Ｍ素子および基
板１は従来のものと全く同一のものである。第８図に示
す様に配向膜１２をＭ工Ｍ素子および透明電極４の凸凹
に関係なく平坦に形成したものである。このように表面
を平坦にしておくと、ラビングの際、局部的にラビング
圧力が大きくなり、液晶分子の配向制御力を均一にする
ことができるという利点がある。また更に液晶分子の配
向制御力を均一にすることができるために液晶分子の配
向不良を無くすことができるという利点がある。
第９図はラビング後の形状を示す。Ｍ工Ｍ素子および基
板１は従来のものと全く同一のものである。第８図に示
す様に配向膜１２をＭ工Ｍ素子および透明電極４の凸凹
に関係なく平坦に形成したものである。このように表面
を平坦にしておくと、ラビングの際、局部的にラビング
圧力が大きくなり、液晶分子の配向制御力を均一にする
ことができるという利点がある。また更に液晶分子の配
向制御力を均一にすることができるために液晶分子の配
向不良を無くすことができるという利点がある。
本発明は以上説明したように、非線型特性を有する素子
を設置した電気光学装置の配向膜を厚くしたという簡単
な構造により、ラビングから非線型特性を有する素子を
保護し、液晶分子に十分な配向制御力を与えることを容
易にする効果がある。
を設置した電気光学装置の配向膜を厚くしたという簡単
な構造により、ラビングから非線型特性を有する素子を
保護し、液晶分子に十分な配向制御力を与えることを容
易にする効果がある。
第１図はＭ工Ｍ素子を設置した電気光学装置の基板の一
部を示し、第２図は第１図のｌｌａにおける断面図であ
る。第３図は、従来の配向膜を形成した断面図であり、
第４図はラビング後の形状である。第５図は本発明に基
づき作成された実施例であり、第６図はラビング後の形
状である。 第７図はＭＩＭ素子の代表的な特性であり横軸はＭ工Ｍ
素子の印加電圧、縦軸はＭＵＭ素子に流れる電流である
。第８図は本発明に基づき作成された他の実施例であり
、第９図はラビング後の形状である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・第１の金属 ３・・・・・・第２の金属 ４・・・・・・透明電極 ５・・・・・・絶縁体 ６．９．１２・・・・・・配向膜 ７．１１．１３・・・・・・ラビング方向８・・・・・
・段差部 １０・・・・ラビング後の配向膜 以 上 出願人 信州精器株式会社 株式会社Ｒ紡精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２図 、・・４図 イ 第６図 第７図
部を示し、第２図は第１図のｌｌａにおける断面図であ
る。第３図は、従来の配向膜を形成した断面図であり、
第４図はラビング後の形状である。第５図は本発明に基
づき作成された実施例であり、第６図はラビング後の形
状である。 第７図はＭＩＭ素子の代表的な特性であり横軸はＭ工Ｍ
素子の印加電圧、縦軸はＭＵＭ素子に流れる電流である
。第８図は本発明に基づき作成された他の実施例であり
、第９図はラビング後の形状である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・第１の金属 ３・・・・・・第２の金属 ４・・・・・・透明電極 ５・・・・・・絶縁体 ６．９．１２・・・・・・配向膜 ７．１１．１３・・・・・・ラビング方向８・・・・・
・段差部 １０・・・・ラビング後の配向膜 以 上 出願人 信州精器株式会社 株式会社Ｒ紡精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第２図 、・・４図 イ 第６図 第７図
Claims (2)
- （１）２枚の基板により液晶物質を挾持してなる電気光
学装置の少なくとも一方の前記基板に、非線型特性を有
する素子を設置した電気光学装置において、前記非線型
特性を有する素子の厚さより厚く配向膜を形成したこと
を特徴とする電気光学装置。 - （２）配向膜を前記非線型特性を有する素子の表面には
薄く、前記素子の無い部分には厚く形成し、前記配向膜
の表面を平らにしたことを特徴とする特許請求の範匪第
１項記載の電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57074021A JPS58190926A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57074021A JPS58190926A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190926A true JPS58190926A (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=13535041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57074021A Pending JPS58190926A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190926A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57074021A patent/JPS58190926A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437697A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display unit of matrix type |
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