JPS5819157B2 - 混成集積回路基板の製造方法 - Google Patents
混成集積回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5819157B2 JPS5819157B2 JP52133331A JP13333177A JPS5819157B2 JP S5819157 B2 JPS5819157 B2 JP S5819157B2 JP 52133331 A JP52133331 A JP 52133331A JP 13333177 A JP13333177 A JP 13333177A JP S5819157 B2 JPS5819157 B2 JP S5819157B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit board
- hybrid integrated
- cracks
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路基板、特にアルミニウムを用いた
混成集積回路基板の製造方法に関する。
混成集積回路基板の製造方法に関する。
。既に特公昭４６−１３２３４号公報でアルミニウムの
表面を陽極酸化した混成集積回路基板を提案した。
表面を陽極酸化した混成集積回路基板を提案した。
斯上した混成集積回路基板では第１図に示す如く６角形
の蜂の巣状に酸化アルミニウム（Ａ１２０３）が形成さ
れ、各々の６角形の中央には陽極酸化の電流が流れるた
め元型の孔１が残される。
の蜂の巣状に酸化アルミニウム（Ａ１２０３）が形成さ
れ、各々の６角形の中央には陽極酸化の電流が流れるた
め元型の孔１が残される。
従ってこの孔１にはアルミニウムが露出されるため封孔
処理が必要となる。
処理が必要となる。
封孔処理は９′８゛℃程度の熱湯あるいはスチームで電
流密度１〜２Ａ／ｄ７７’で長時間たとえば３０分行な
われて完全封孔していない。
流密度１〜２Ａ／ｄ７７’で長時間たとえば３０分行な
われて完全封孔していない。
□ ゛ ・しかしながらミ
完全封孔した混成集積回路基板では上述した孔１は水酸
化アルミニウム（′Ｍ（αツ、）で密に充填されている
ので、アルミニウム・と酸化アルミニウムの熱膨張係数
の差により２６０℃くらい“に加熱するき多数の割れ（
クラック゛）が発生する欠点があり、このクラックは混
成集積回路基板の絶縁不良を招く危惧を有しているざ 本発明は斯る欠点に鑑みてなされ、゛・従来の欠点を完
全に除去した混成集積回路基板の製造方法を提供するも
のであり第２図堰よび第３図を参照して本発明の一実施
例を詳述する。
完全封孔した混成集積回路基板では上述した孔１は水酸
化アルミニウム（′Ｍ（αツ、）で密に充填されている
ので、アルミニウム・と酸化アルミニウムの熱膨張係数
の差により２６０℃くらい“に加熱するき多数の割れ（
クラック゛）が発生する欠点があり、このクラックは混
成集積回路基板の絶縁不良を招く危惧を有しているざ 本発明は斯る欠点に鑑みてなされ、゛・従来の欠点を完
全に除去した混成集積回路基板の製造方法を提供するも
のであり第２図堰よび第３図を参照して本発明の一実施
例を詳述する。
本発明方法はアルミニウム基板表面に陽極酸化により酸
化膜（Ａ１２０３）を形成し、酸化膜の前述した孔１を
封孔処理した後、混成集積回路基板２を約２００℃くら
いに加熱して第３図に示すように意図的に割れ（クラッ
ク）３を発生させて再び一陽極竺、化を行って割れによ
り露出したアルミニウム基板４都亦のみに酸化膜（Ａ１
２０３）を形成して構成されするみ 采ｉ萌・′Ｑｉの特徴は封孔処理条件にあり、特！こ封
延時間番、件やる。
化膜（Ａ１２０３）を形成し、酸化膜の前述した孔１を
封孔処理した後、混成集積回路基板２を約２００℃くら
いに加熱して第３図に示すように意図的に割れ（クラッ
ク）３を発生させて再び一陽極竺、化を行って割れによ
り露出したアルミニウム基板４都亦のみに酸化膜（Ａ１
２０３）を形成して構成されするみ 采ｉ萌・′Ｑｉの特徴は封孔処理条件にあり、特！こ封
延時間番、件やる。
第２図に於いて実線は封孔時間とクラック数の関係を示
す曲線であり、封孔条件としては前述と同様に９８℃程
度の熱湯で電流密度２ Ａ ／ ｄ ｍを用い、またク
ラッチ数は１０ｍｍの十字に交叉したクラックの本数を
計数したものである。
す曲線であり、封孔条件としては前述と同様に９８℃程
度の熱湯で電流密度２ Ａ ／ ｄ ｍを用い、またク
ラッチ数は１０ｍｍの十字に交叉したクラックの本数を
計数したものである。
この曲線から明白な様に封孔時間が長くなればクラック
数が増加し、この傾向は封孔時間が１０分を越えると顕
著となる。
数が増加し、この傾向は封孔時間が１０分を越えると顕
著となる。
これからクラックの発生を防止するためには封孔時間を
１０分以下に設定することが望ましい。
１０分以下に設定することが望ましい。
この理由は孔１が封孔時間が短いために完全に水酸化ア
ルミニウムで充填されず、酸化アルミニウムと水酸化ア
ルミニウムとで発生するストレスをすべてこの孔１の半
封孔状態の水酸化アルミニウムで吸収するからである。
ルミニウムで充填されず、酸化アルミニウムと水酸化ア
ルミニウムとで発生するストレスをすべてこの孔１の半
封孔状態の水酸化アルミニウムで吸収するからである。
次に第２図で点線で示した曲線は混成集積回路基板の耐
アルカリ性を示す特性であり、混成集積回路基板を力性
ソーダ等のアルカリ溶液に沈漬した後、酸化アルミニウ
ムの腐蝕を測定したものである。
アルカリ性を示す特性であり、混成集積回路基板を力性
ソーダ等のアルカリ溶液に沈漬した後、酸化アルミニウ
ムの腐蝕を測定したものである。
酸化アルミニウムの耐薬品性については酸性溶液には強
く、アルカリ溶液には弱いという性質を持っており、そ
こでアルカリ溶液によって白粉状に腐蝕されたアルマイ
ト層をブラシロン研摩した後、テープ等でマスクした腐
蝕されない部分との段差を測定した。
く、アルカリ溶液には弱いという性質を持っており、そ
こでアルカリ溶液によって白粉状に腐蝕されたアルマイ
ト層をブラシロン研摩した後、テープ等でマスクした腐
蝕されない部分との段差を測定した。
斯る方法に依れば孔１が封孔されていないものが当然も
つとも腐蝕され易く、４分間以上封孔処理を行なえば、
耐アルカリ性はあまり変化しないことが明白となった。
つとも腐蝕され易く、４分間以上封孔処理を行なえば、
耐アルカリ性はあまり変化しないことが明白となった。
従って第２図から封孔時間を４分から１０分までとすれ
ばクラックの発生を未然に防止でき且つ耐薬品性も十分
に確保される。
ばクラックの発生を未然に防止でき且つ耐薬品性も十分
に確保される。
本発明の第？の特徴は再陽極酸化である。
斯上した封孔時間の制御によりクラックの発生し難い製
造方法でも混成集積回路基板２を約２００℃くらいに加
熱すると第３図の如く若干のクラックが発生する。
造方法でも混成集積回路基板２を約２００℃くらいに加
熱すると第３図の如く若干のクラックが発生する。
しかしクラック数が極めて少０ために再陽極酸化を行う
とクラック部分のみに電流が集中してほぼクラック部分
にのみ酸化膜５が形成されてクラックを埋める。
とクラック部分のみに電流が集中してほぼクラック部分
にのみ酸化膜５が形成されてクラックを埋める。
また再陽極酸化後の封孔処理はり゛ラックが微小であ名
ので不要である。
ので不要である。
以上に詳述した如く、本発明に依れば封孔時間の設定お
よび加熱後の再陽極酸化によりクラックを完全に除去で
きる。
よび加熱後の再陽極酸化によりクラックを完全に除去で
きる。
また封孔時間を従来より大巾に短縮されるので混成集積
回路基板の生産性は向上し且つ絶縁不良は防止され信、
頼性の向上も計れる。
回路基板の生産性は向上し且つ絶縁不良は防止され信、
頼性の向上も計れる。
第１図はアルミニウムの表面を陽極酸化した混成集積回
路基板の上面図、第２図は本発明を説明するための曲線
図、第３図は本発明を説明するための断面図である。 １は元型の孔、２は混成集積回路基板、３はクラック、
４はアルミニウム基板、５は酸化膜である。
路基板の上面図、第２図は本発明を説明するための曲線
図、第３図は本発明を説明するための断面図である。 １は元型の孔、２は混成集積回路基板、３はクラック、
４はアルミニウム基板、５は酸化膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム基板の表面に陽極酸化により酸化膜を
形成した混成集積回路基板に坤いて、前記酸化膜にでき
た孔を封孔処理した後１．力嗟して前記酸化膜に割れを
発生させ再び陽極酢化を行うくとを特徴とした混成集積
回路基板ρｍｑ方麺”。 ２、特許請求の範囲第１項に於いて２、−前躬薊札処。 理の封孔時間を４分から１０分まで吟設定゛シて剪記孔
を半封孔状態とすることを特徴とした混成集積回路基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52133331A JPS5819157B2 (ja) | 1977-11-04 | 1977-11-04 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52133331A JPS5819157B2 (ja) | 1977-11-04 | 1977-11-04 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5466463A JPS5466463A (en) | 1979-05-29 |
| JPS5819157B2 true JPS5819157B2 (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=15102210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52133331A Expired JPS5819157B2 (ja) | 1977-11-04 | 1977-11-04 | 混成集積回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819157B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102770258B1 (ko) * | 2018-07-11 | 2025-02-20 | 넥스트 이노베이션 고도가이샤 | 절연층 형성 방법 |
| JP6613444B1 (ja) * | 2018-07-11 | 2019-12-04 | Ｎｅｘｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ合同会社 | 絶縁層形成方法 |
| US11312107B2 (en) * | 2018-09-27 | 2022-04-26 | Apple Inc. | Plugging anodic oxides for increased corrosion resistance |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917880B2 (ja) * | 1976-09-07 | 1984-04-24 | 株式会社東芝 | 電気装置用基板 |
-
1977
- 1977-11-04 JP JP52133331A patent/JPS5819157B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5466463A (en) | 1979-05-29 |
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