JPH05259615A - 回路導体の形成方法 - Google Patents
回路導体の形成方法Info
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- JPH05259615A JPH05259615A JP8990892A JP8990892A JPH05259615A JP H05259615 A JPH05259615 A JP H05259615A JP 8990892 A JP8990892 A JP 8990892A JP 8990892 A JP8990892 A JP 8990892A JP H05259615 A JPH05259615 A JP H05259615A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジスト法を応用して高密度化及び高
精細度化を実現した回路導体の形成方法を提供する。 【構成】 絶縁材料で形成された回路基板(2)の表面
に印刷によって第1の導体層(61)を形成する工程
と、前記第1の導体層の上に所望のパターンを成すめっ
きレジスト膜(8)を形成する工程と、前記めっきレジ
スト膜から露出する前記第1の導体層の上にめっき処理
によって第2の導体層(62)を形成する工程と、前記
めっきレジスト膜を除去する工程と、前記第2の導体層
をマスクにし、前記第2の導体層から露出する前記第1
の導体層を除去する工程とを備えたものである。
精細度化を実現した回路導体の形成方法を提供する。 【構成】 絶縁材料で形成された回路基板(2)の表面
に印刷によって第1の導体層(61)を形成する工程
と、前記第1の導体層の上に所望のパターンを成すめっ
きレジスト膜(8)を形成する工程と、前記めっきレジ
スト膜から露出する前記第1の導体層の上にめっき処理
によって第2の導体層(62)を形成する工程と、前記
めっきレジスト膜を除去する工程と、前記第2の導体層
をマスクにし、前記第2の導体層から露出する前記第1
の導体層を除去する工程とを備えたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層導体を用いた回路
導体の形成方法に関する。
導体の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、セラミック等の絶縁材料で形成さ
れた回路基板に銀ペースト等の導体を印刷することによ
り導体パターンを形成し、その上に銅めっきを施し、導
体パターンの導体抵抗を低減させた厚膜集積回路が実用
化されている。
れた回路基板に銀ペースト等の導体を印刷することによ
り導体パターンを形成し、その上に銅めっきを施し、導
体パターンの導体抵抗を低減させた厚膜集積回路が実用
化されている。
【0003】図3は、従来の回路導体の形成方法を示し
ている。この形成方法では、図3の(A)に示すよう
に、セラミック等の絶縁材料で回路基板2が形成され、
次に、図3の(B)に示すように、この回路基板2の表
面に導体パターンを成す導体層41が導体ペーストの印
刷処理で形成され、次に、図3の(C)に示すように、
導体層41の上にめっき処理で導体層42が形成され
る。即ち、この形成方法では、印刷処理及びめっき処理
の2工程によって所望のパターンを成す一つの回路導体
4が形成されている。
ている。この形成方法では、図3の(A)に示すよう
に、セラミック等の絶縁材料で回路基板2が形成され、
次に、図3の(B)に示すように、この回路基板2の表
面に導体パターンを成す導体層41が導体ペーストの印
刷処理で形成され、次に、図3の(C)に示すように、
導体層41の上にめっき処理で導体層42が形成され
る。即ち、この形成方法では、印刷処理及びめっき処理
の2工程によって所望のパターンを成す一つの回路導体
4が形成されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
回路導体では、図4に示すように、導体層41の幅を
D、導体層42の厚さをdとすると、回路導体4が持つ
幅はD+2dとなる。厚さdはめっき厚であるから、導
体層41の幅Dが大きい場合には、問題にならないが、
高精細化のために、導体層41の幅Dを小さくすれば、
回路導体4の幅(D+2d)に対する導体層42の厚さ
2dの割合が大きくなる。このため、回路導体4の精度
を高く設定しようとすると、導体層41の幅D及び導体
層42の厚さdの双方を制御することが必要となり、導
体層41の幅Dは印刷精度に依存するので、高精細化は
困難である上、導体層42の厚さ2dが誤差として作用
し、回路導体4の精度が低下することになる。
回路導体では、図4に示すように、導体層41の幅を
D、導体層42の厚さをdとすると、回路導体4が持つ
幅はD+2dとなる。厚さdはめっき厚であるから、導
体層41の幅Dが大きい場合には、問題にならないが、
高精細化のために、導体層41の幅Dを小さくすれば、
回路導体4の幅(D+2d)に対する導体層42の厚さ
2dの割合が大きくなる。このため、回路導体4の精度
を高く設定しようとすると、導体層41の幅D及び導体
層42の厚さdの双方を制御することが必要となり、導
体層41の幅Dは印刷精度に依存するので、高精細化は
困難である上、導体層42の厚さ2dが誤差として作用
し、回路導体4の精度が低下することになる。
【0005】また、銀印刷等で形成された導体層41か
らなるアイランドパターンに導体層42をめっき処理す
ることは、回路パターンの低インピーダンス化が可能に
なるが、アイランドパターンにめっき処理を行うこと
は、導体層41に部分的にめっき層が形成されない部
分、即ち、導体層42が析出しない部分が生じる等の不
良発生も無視することができない。
らなるアイランドパターンに導体層42をめっき処理す
ることは、回路パターンの低インピーダンス化が可能に
なるが、アイランドパターンにめっき処理を行うこと
は、導体層41に部分的にめっき層が形成されない部
分、即ち、導体層42が析出しない部分が生じる等の不
良発生も無視することができない。
【0006】そこで、本発明は、フォトレジスト法を応
用して高密度及び高精細度化を実現した回路導体の形成
方法を提供することを目的とする。
用して高密度及び高精細度化を実現した回路導体の形成
方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の回路導体の形成
方法は、絶縁材料で形成された回路基板(2)の表面に
印刷によって第1の導体層(61)を形成する工程と、
前記第1の導体層の上に所望のパターンを成すめっきレ
ジスト膜(8)を形成する工程と、前記めっきレジスト
膜から露出する前記第1の導体層の上にめっき処理によ
って第2の導体層(62)を形成する工程と、前記めっ
きレジスト膜を除去する工程と、前記第2の導体層をマ
スクにし、前記第2の導体層から露出する前記第1の導
体層を除去する工程とを備えたことを特徴とする。
方法は、絶縁材料で形成された回路基板(2)の表面に
印刷によって第1の導体層(61)を形成する工程と、
前記第1の導体層の上に所望のパターンを成すめっきレ
ジスト膜(8)を形成する工程と、前記めっきレジスト
膜から露出する前記第1の導体層の上にめっき処理によ
って第2の導体層(62)を形成する工程と、前記めっ
きレジスト膜を除去する工程と、前記第2の導体層をマ
スクにし、前記第2の導体層から露出する前記第1の導
体層を除去する工程とを備えたことを特徴とする。
【0008】
【作用】この回路導体の形成方法では、回路基板の表面
に第1の導体層を形成し、その上に所望のパターンを成
すめっきレジスト膜を形成する。その上から、めっき処
理によって第2の導体層を形成する。この導体層は、所
望の回路パターンを構成するものである。
に第1の導体層を形成し、その上に所望のパターンを成
すめっきレジスト膜を形成する。その上から、めっき処
理によって第2の導体層を形成する。この導体層は、所
望の回路パターンを構成するものである。
【0009】そして、めっきレジスト膜を除くと、その
部分から第1の導体層が露出する。この状態で第2の導
体層をマスクとして利用し、その上からエッチング処理
を施し、第1の導体層を除去する。この結果、第2の導
体層からなる回路パターン以外の部分が除去され、第2
の導体層で支配された第1の導体層が第2の導体層とと
もに残ることになる。
部分から第1の導体層が露出する。この状態で第2の導
体層をマスクとして利用し、その上からエッチング処理
を施し、第1の導体層を除去する。この結果、第2の導
体層からなる回路パターン以外の部分が除去され、第2
の導体層で支配された第1の導体層が第2の導体層とと
もに残ることになる。
【0010】このように、本発明の回路導体の形成方法
は、従来の印刷及びめっき処理による膜を加算的に重ね
合わせる方法と異なり、精度の高いマスクを基準にして
膜を減算的に除去する方法である。したがって、回路導
体の高密度化、高精細度化が可能になるとともに、導体
層の密着度が高く、しかも、めっき不良による回路導体
の信頼性低下も回避できるものである。
は、従来の印刷及びめっき処理による膜を加算的に重ね
合わせる方法と異なり、精度の高いマスクを基準にして
膜を減算的に除去する方法である。したがって、回路導
体の高密度化、高精細度化が可能になるとともに、導体
層の密着度が高く、しかも、めっき不良による回路導体
の信頼性低下も回避できるものである。
【0011】
【実施例】以下、本発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0012】図1及び図2は、本発明の回路導体の形成
方法の一実施例を示している。図1の(A)は、所望の
パターンを成す回路導体を形成すべき回路基板2を示し
ており、この回路基板2は、アルミナ、セラミック等の
絶縁材料で形成する。
方法の一実施例を示している。図1の(A)は、所望の
パターンを成す回路導体を形成すべき回路基板2を示し
ており、この回路基板2は、アルミナ、セラミック等の
絶縁材料で形成する。
【0013】この回路基板2の表面を洗浄した後、図1
の(B)に示すように、その表面に第1の導体層61を
印刷によって形成する。この導体層61は銀、白金等の
導体ペーストを以て形成する。この導体層61は下部導
体を成す。
の(B)に示すように、その表面に第1の導体層61を
印刷によって形成する。この導体層61は銀、白金等の
導体ペーストを以て形成する。この導体層61は下部導
体を成す。
【0014】次に、この導体層61の表面にフォトレジ
スト法により、図1の(C)に示すように、所望のパタ
ーンを成すめっきレジスト膜8を形成する。このめっき
レジスト膜8は、スクリーン印刷によって形成され、空
部分10が実回路部を示している。
スト法により、図1の(C)に示すように、所望のパタ
ーンを成すめっきレジスト膜8を形成する。このめっき
レジスト膜8は、スクリーン印刷によって形成され、空
部分10が実回路部を示している。
【0015】次に、図2の(D)に示すように、めっき
レジスト膜8から露出している導体層61の表面に無電
解めっき処理によって表面導体である第2の導体層62
を形成する。この導体層62は、低インピーダンス化の
ため、導体抵抗の低い金属、例えば銅で形成する。この
導体層62が最終的な回路パターンの形態を成してい
る。
レジスト膜8から露出している導体層61の表面に無電
解めっき処理によって表面導体である第2の導体層62
を形成する。この導体層62は、低インピーダンス化の
ため、導体抵抗の低い金属、例えば銅で形成する。この
導体層62が最終的な回路パターンの形態を成してい
る。
【0016】このめっき処理の後、洗浄を施した回路基
板2を有機溶剤に浸漬することにより、図2の(E)に
示すように、回路基板2からめっきレジスト膜8を除去
する。
板2を有機溶剤に浸漬することにより、図2の(E)に
示すように、回路基板2からめっきレジスト膜8を除去
する。
【0017】次に、導体層62をマスクとして導体層6
1を回路基板2から除去する。即ち、回路基板2をエッ
チング液に浸漬し、導体62に覆われていない部分の導
体層61を除去し、導体層62のパターンで支配される
導体パターンを成す導体層61を回路基板2上にエッチ
グ処理で形成する。この結果、導体層61、62からな
る回路導体6が形成された回路基板2が得られる。
1を回路基板2から除去する。即ち、回路基板2をエッ
チング液に浸漬し、導体62に覆われていない部分の導
体層61を除去し、導体層62のパターンで支配される
導体パターンを成す導体層61を回路基板2上にエッチ
グ処理で形成する。この結果、導体層61、62からな
る回路導体6が形成された回路基板2が得られる。
【0018】以上説明したように、このような回路導体
の形成方法では、膜加算によるパターン形成がなく、し
かも、めっきレジスト膜8はフォトレジスト法によるた
め、高密度及び高精細化されたパターンを形成し、それ
に基づいてエッチング処理を行い、また、導体層62を
マスクとして導体層61をエッチング処理で除くため、
極めて高い精度の幅を持つ回路導体6が形成される。
の形成方法では、膜加算によるパターン形成がなく、し
かも、めっきレジスト膜8はフォトレジスト法によるた
め、高密度及び高精細化されたパターンを形成し、それ
に基づいてエッチング処理を行い、また、導体層62を
マスクとして導体層61をエッチング処理で除くため、
極めて高い精度の幅を持つ回路導体6が形成される。
【0019】また、導体層61は回路基板2上に全面印
刷によって形成できるので、両者の密着強度が高まり、
高密着度の回路導体6を形成することができる。
刷によって形成できるので、両者の密着強度が高まり、
高密着度の回路導体6を形成することができる。
【0020】また、従来のように、絶縁材料で形成され
た回路基板2上にめっきを施した場合に比較し、導体層
61を成す導体ペーストに含まれるガラス成分を接着層
として利用して導体層61に対するめっき層である導体
層62の密着強度を高めることができる。そして、導体
層62のめっき処理は、従来のアイランド化された導体
層上に行うのと異なり、共通の電位を持つ導体層61上
に導体層62をめっき処理するため、めっきの析出が良
好になり、めっき不良の発生を防止することができる。
また、最終工程として無電解めっきによってサイドにご
くうすい膜を形成することが可能であり、耐はんだ特
性、耐マイグレーション性を向上させることができる。
た回路基板2上にめっきを施した場合に比較し、導体層
61を成す導体ペーストに含まれるガラス成分を接着層
として利用して導体層61に対するめっき層である導体
層62の密着強度を高めることができる。そして、導体
層62のめっき処理は、従来のアイランド化された導体
層上に行うのと異なり、共通の電位を持つ導体層61上
に導体層62をめっき処理するため、めっきの析出が良
好になり、めっき不良の発生を防止することができる。
また、最終工程として無電解めっきによってサイドにご
くうすい膜を形成することが可能であり、耐はんだ特
性、耐マイグレーション性を向上させることができる。
【0021】なお、実施例では、無電解めっき処理を例
にとって説明したが、本発明では、導体層61の電位を
共通化できるので、無電解めっき処理以外のめっき処理
を用いても同様の効果が期待できる。
にとって説明したが、本発明では、導体層61の電位を
共通化できるので、無電解めっき処理以外のめっき処理
を用いても同様の効果が期待できる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
回路導体の高密度化、高精細度化を図ることができると
ともに、導体層と回路基板、導体層間の密着度を高める
ことができ、めっき不良の回避によって回路導体の信頼
性を高めることができ、厚膜集積回路の信頼性向上及び
高密度化に寄与することができる。
回路導体の高密度化、高精細度化を図ることができると
ともに、導体層と回路基板、導体層間の密着度を高める
ことができ、めっき不良の回避によって回路導体の信頼
性を高めることができ、厚膜集積回路の信頼性向上及び
高密度化に寄与することができる。
【図1】本発明の回路導体の形成方法の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明の回路導体の形成方法の一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図3】従来の回路導体の形成方法を示す断面図であ
る。
る。
【図4】従来の回路導体の形成方法で形成された回路導
体を示す断面図である。
体を示す断面図である。
2 回路基板 8 めっきレジスト膜 61 第1の導体層 62 第2の導体層
Claims (1)
- 【請求項1】 絶縁材料で形成された回路基板の表面に
印刷によって第1の導体層を形成する工程と、 前記第1の導体層の上に所望のパターンを成すめっきレ
ジスト膜を形成する工程と、 前記めっきレジスト膜から露出する前記第1の導体層の
上にめっき処理によって第2の導体層を形成する工程
と、 前記めっきレジスト膜を除去する工程と、 前記第2の導体層をマスクにし、前記第2の導体層から
露出する前記第1の導体層を除去する工程と、 を備えたことを特徴とする回路導体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8990892A JPH05259615A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 回路導体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8990892A JPH05259615A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 回路導体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259615A true JPH05259615A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13983823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8990892A Pending JPH05259615A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 回路導体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259615A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013021366A (ja) * | 2009-04-24 | 2013-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プリント配線板用基板、プリント配線板、及びプリント配線板用基板の製造方法 |
| JP2015222841A (ja) * | 2015-09-15 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法 |
| US10076028B2 (en) | 2015-01-22 | 2018-09-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing printed circuit board |
| US10076032B2 (en) | 2014-03-20 | 2018-09-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing substrate for printed circuit board |
| US10237976B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing substrate for printed circuit board |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP8990892A patent/JPH05259615A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013021366A (ja) * | 2009-04-24 | 2013-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プリント配線板用基板、プリント配線板、及びプリント配線板用基板の製造方法 |
| US10076032B2 (en) | 2014-03-20 | 2018-09-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing substrate for printed circuit board |
| US10237976B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing substrate for printed circuit board |
| US10076028B2 (en) | 2015-01-22 | 2018-09-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing printed circuit board |
| JP2015222841A (ja) * | 2015-09-15 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法 |
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