JPS58196682A - 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58196682A JPS58196682A JP57078265A JP7826582A JPS58196682A JP S58196682 A JPS58196682 A JP S58196682A JP 57078265 A JP57078265 A JP 57078265A JP 7826582 A JP7826582 A JP 7826582A JP S58196682 A JPS58196682 A JP S58196682A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer resin
- wafer
- pattern
- resin film
- bubble memory
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子の製造方法に関する。
一般に、磁気パズルメモリ素子は第１図に示したように
、磁気バブルを保持する磁性膜！（ＧａｍＧｄｓ％ な
ど非磁性基板１５上に形成されている）上に、第１の絶
縁膜２、導電体パターン３、第２の絶縁膜４、バブルの
転送や検出に用いる軟磁性体パターン５などが１−次積
層して被着されている。ここで第２の絶縁膜４は導電体
パターン３による段差を緩和するためには高分子樹脂膜
を用いることが有効である。このような目的の高分子樹
脂膜は、溶媒にとかした原料をウエーノ・上に回転塗布
し、これを加熱して固化させる（一般には重合させる）
ことにより形成される。このよ１図ＶＣ示したように被
着したもの）の周縁部に高分子樹脂のもり上りｆを生ず
る。このもり上り７は、彼の工程で植々の弊害となる。
、磁気バブルを保持する磁性膜！（ＧａｍＧｄｓ％ な
ど非磁性基板１５上に形成されている）上に、第１の絶
縁膜２、導電体パターン３、第２の絶縁膜４、バブルの
転送や検出に用いる軟磁性体パターン５などが１−次積
層して被着されている。ここで第２の絶縁膜４は導電体
パターン３による段差を緩和するためには高分子樹脂膜
を用いることが有効である。このような目的の高分子樹
脂膜は、溶媒にとかした原料をウエーノ・上に回転塗布
し、これを加熱して固化させる（一般には重合させる）
ことにより形成される。このよ１図ＶＣ示したように被
着したもの）の周縁部に高分子樹脂のもり上りｆを生ず
る。このもり上り７は、彼の工程で植々の弊害となる。
例えば、この後に行なわれるホトエツチング工程でホト
マスクとウェーハの密着性をさまたげパターン不良の原
因となる。また、蒸着やスパッタリングを行なう際には
、このもり上り部分から剥離が発生し、植種の欠陥が生
ずる原因となる。
マスクとウェーハの密着性をさまたげパターン不良の原
因となる。また、蒸着やスパッタリングを行なう際には
、このもり上り部分から剥離が発生し、植種の欠陥が生
ずる原因となる。
また、スクライプライン部分に高分子樹脂膜が存在する
と、チップ切断時にこの部分から剥離が発生しパターン
欠陥の原因となる。
と、チップ切断時にこの部分から剥離が発生しパターン
欠陥の原因となる。
上記高分子樹脂膜形成後のウェーハとホトマスクの密着
性は非常に重要である。すなわち磁気バブルメモリ素子
は、第１図に示す叩く、高分子樹脂膜４上に軟磁性体パ
ターン５を形成する必要があり、この軟磁性体パターン
５の最小寸法は１μｍと光学麹元法によって得られる寸
法の限界に近す、１乏、このパターン転写は密着無光に
より行うが、ウェーハとホトマスクの密着性が悪いと、
ｌｌ１ｍのパターンを良好に形成することはほとんど不
可能である。
性は非常に重要である。すなわち磁気バブルメモリ素子
は、第１図に示す叩く、高分子樹脂膜４上に軟磁性体パ
ターン５を形成する必要があり、この軟磁性体パターン
５の最小寸法は１μｍと光学麹元法によって得られる寸
法の限界に近す、１乏、このパターン転写は密着無光に
より行うが、ウェーハとホトマスクの密着性が悪いと、
ｌｌ１ｍのパターンを良好に形成することはほとんど不
可能である。
本発明の目的は上記従来の問題を解決し、磁気バブルメ
モリ素子を精度よく形成することのできる磁気バブルメ
モリ素子の製造方法を提供することである。ｌ：起重的
を達成するため、本発明は高分子、１ｆｌｌ ｌＩ＆
Ｉ！形成佐、ホトエツチング工程工りウェーハ周辺部お
よびスクライプライン部分の高分子樹）１冒嗅を除去す
るものである。
モリ素子を精度よく形成することのできる磁気バブルメ
モリ素子の製造方法を提供することである。ｌ：起重的
を達成するため、本発明は高分子、１ｆｌｌ ｌＩ＆
Ｉ！形成佐、ホトエツチング工程工りウェーハ周辺部お
よびスクライプライン部分の高分子樹）１冒嗅を除去す
るものである。
以上、本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の一実施り１」ケ示す工程図であり、高
分子樹脂膜の所定部分を除去する工程を示す。
分子樹脂膜の所定部分を除去する工程を示す。
第３図（ａ）に示すように、まず、ウェーハ６上に高分
子樹脂膜７としてポリイミド糸樹脂膜？形成し、ツキ“
ｖｃ、所定のパターン１０全有するホトマスク９を介し
て上記ウェーハ６土に露光を行う。しかる恢、現儂して
、第３図（ｂ）に示すように、レジストパターン１２を
形成する。このレジストパターン１２をマスクに用いて
、酸素プラズマによってポリイミド系樹脂７のエツチン
グを行ない露出部分を除去する。レジストパターンｌ媛
全しジストφ１陰剤Ｊ１００（商品名）番でより除去し
、第３図（ｃ） ｖｃ示−ｒ工うに、ポリイミド系ｍ脂
のパターン１３ｆｒ杉成する。ここでホトマスク上のパ
ターンｌＯはｄ４Ｕに平面形状を示すようにウェーハ６
１の１縁部およびスクライプライン部分１４が露光され
るパターンとなっているので、上記ホトエツチングによ
って上記ウエーノ・の周縁部および上記スクライプライ
ン部のポリイミド系樹脂膜は除去される。
子樹脂膜７としてポリイミド糸樹脂膜？形成し、ツキ“
ｖｃ、所定のパターン１０全有するホトマスク９を介し
て上記ウェーハ６土に露光を行う。しかる恢、現儂して
、第３図（ｂ）に示すように、レジストパターン１２を
形成する。このレジストパターン１２をマスクに用いて
、酸素プラズマによってポリイミド系樹脂７のエツチン
グを行ない露出部分を除去する。レジストパターンｌ媛
全しジストφ１陰剤Ｊ１００（商品名）番でより除去し
、第３図（ｃ） ｖｃ示−ｒ工うに、ポリイミド系ｍ脂
のパターン１３ｆｒ杉成する。ここでホトマスク上のパ
ターンｌＯはｄ４Ｕに平面形状を示すようにウェーハ６
１の１縁部およびスクライプライン部分１４が露光され
るパターンとなっているので、上記ホトエツチングによ
って上記ウエーノ・の周縁部および上記スクライプライ
ン部のポリイミド系樹脂膜は除去される。
このようにして、本発明によればウエーノ・＠縁部の高
分子樹脂のもり上り除去することができるので、彼に行
なわれるホトエツチング工程でのホトマスクとウェーハ
の密着性の同上に、極めて有効である。ま友、スクライ
ブライン部分の高分子樹脂膜も上記ホトエツチングＶＣ
よって同時に除去されるので、実用上極めて有効である
。すなわち、後のホトエツチング工程でＡＺ１３５０Ｊ
等のキノンジアジド系ホトレジストを用いる場合、菖光
時に窒素ガスがホトレジストより発生し、こｎがホトマ
スクとウェーハの１山に介在して両者のｆｆ； Ｍｌに
阻害する。しかし、本発明によれば、第３図（Ｃ）に示
したようｖＣスクライプライン部分１４に溝が存在する
場合、発生した窒素ガスはこの縛から外部に放出される
ので、密着性が低下することはない。
分子樹脂のもり上り除去することができるので、彼に行
なわれるホトエツチング工程でのホトマスクとウェーハ
の密着性の同上に、極めて有効である。ま友、スクライ
ブライン部分の高分子樹脂膜も上記ホトエツチングＶＣ
よって同時に除去されるので、実用上極めて有効である
。すなわち、後のホトエツチング工程でＡＺ１３５０Ｊ
等のキノンジアジド系ホトレジストを用いる場合、菖光
時に窒素ガスがホトレジストより発生し、こｎがホトマ
スクとウェーハの１山に介在して両者のｆｆ； Ｍｌに
阻害する。しかし、本発明によれば、第３図（Ｃ）に示
したようｖＣスクライプライン部分１４に溝が存在する
場合、発生した窒素ガスはこの縛から外部に放出される
ので、密着性が低下することはない。
以上述べたように、本発明によればホトマスクとウェー
ハの密着性が向上するため、後の工程での微細パターン
の形成全容易に行うことができる。
ハの密着性が向上するため、後の工程での微細パターン
の形成全容易に行うことができる。
以を白画の領域の高分子樹脂膜を除去すれば良い。
磁気バブルメモリ素子の製造工程において高分子樹脂膜
を除去することが望ましい領域は上記領域の他にポンデ
ィングパッドの直下部分および軟磁性体によって作られ
た検出器の直下部分がある。
を除去することが望ましい領域は上記領域の他にポンデ
ィングパッドの直下部分および軟磁性体によって作られ
た検出器の直下部分がある。
すなわち、ポンディングパッドの直下部分に高分子樹脂
膜が存在−「るとボンディングの信頼性が著しく低下す
る。また、バブル検出器の部分では軟磁性パターンと磁
性ガーネット膜の距離が小さい方が検出出力４大きくす
ることができ、同部分の高分子樹脂膜を除去することが
望ましい。これらの部分の高分子樹脂膜の除去は上記本
発明におけるホトエツチング工程ｒＣより同時に行うこ
とができるので、本発明は、工程数を増加させることな
しに、ウェーハとホトマスクの密着性を向上さぜること
ができ、磁気バブルメモリ素子を梢、犀よく形成するた
めに極めて有用である。 −なお、ウェーハ６は、
スクライプライン１４の部分で、スクライブされ、得ら
れた各小片がそれぞれ磁気バブルメモリ素子とり（反相
されることはいうまでもない。
膜が存在−「るとボンディングの信頼性が著しく低下す
る。また、バブル検出器の部分では軟磁性パターンと磁
性ガーネット膜の距離が小さい方が検出出力４大きくす
ることができ、同部分の高分子樹脂膜を除去することが
望ましい。これらの部分の高分子樹脂膜の除去は上記本
発明におけるホトエツチング工程ｒＣより同時に行うこ
とができるので、本発明は、工程数を増加させることな
しに、ウェーハとホトマスクの密着性を向上さぜること
ができ、磁気バブルメモリ素子を梢、犀よく形成するた
めに極めて有用である。 −なお、ウェーハ６は、
スクライプライン１４の部分で、スクライブされ、得ら
れた各小片がそれぞれ磁気バブルメモリ素子とり（反相
されることはいうまでもない。
第１図は磁気バブルメモリ素子の要部の断面構造を示す
図、第２図は高分子樹脂膜の盛り上りを説明するための
図、第３図は本発明の一実施例を示す工程図、第４図は
ホトマスクの平面形状の一例を示す図である。 ｌ・・・磁性ガーネット膜、２・・・第１の１１ｅ醸便
、３・・・導を体パターン、４・・・第２の絶縁膜、５
・・・軟磁性体パターン、６・・・ウェーハ、７・・・
盛り上り、８・・・ホトレジスト膜、９・・・ホトマス
ク、１０・・・マスクパターン、１２・・・ホトレジス
ト共ターン、１３・・・筒分子ＩＩ ｑ＝ パターン、
１４・・・スクライプライン邪ＹＪ ｌ 図 第 ２ 図
図、第２図は高分子樹脂膜の盛り上りを説明するための
図、第３図は本発明の一実施例を示す工程図、第４図は
ホトマスクの平面形状の一例を示す図である。 ｌ・・・磁性ガーネット膜、２・・・第１の１１ｅ醸便
、３・・・導を体パターン、４・・・第２の絶縁膜、５
・・・軟磁性体パターン、６・・・ウェーハ、７・・・
盛り上り、８・・・ホトレジスト膜、９・・・ホトマス
ク、１０・・・マスクパターン、１２・・・ホトレジス
ト共ターン、１３・・・筒分子ＩＩ ｑ＝ パターン、
１４・・・スクライプライン邪ＹＪ ｌ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記工程を含む磁気バブルメモリ素子の製造方法 （１）非磁性基板上に形成されである磁極ガーネツを回
転塗布によって形成する工程 （３）上記高分子樹脂膜の周縁部亦およびスフライ７″ プライン部分上に被着されている上記高分子樹脂膜を除
去する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078265A JPS58196682A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078265A JPS58196682A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196682A true JPS58196682A (ja) | 1983-11-16 |
| JPH0223955B2 JPH0223955B2 (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=13657144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57078265A Granted JPS58196682A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260185A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-16 | Fujitsu Ltd | バブルメモリチツプ形成方法 |
| JPS63157392A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-30 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5495132A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-27 | Hitachi Ltd | Production of magnetic bubble memory unit |
| JPS5522293A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP57078265A patent/JPS58196682A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5495132A (en) * | 1978-01-13 | 1979-07-27 | Hitachi Ltd | Production of magnetic bubble memory unit |
| JPS5522293A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260185A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-16 | Fujitsu Ltd | バブルメモリチツプ形成方法 |
| JPS63157392A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-30 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223955B2 (ja) | 1990-05-25 |
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