JPS60262425A - 基板の加工方法 - Google Patents
基板の加工方法Info
- Publication number
- JPS60262425A JPS60262425A JP59117987A JP11798784A JPS60262425A JP S60262425 A JPS60262425 A JP S60262425A JP 59117987 A JP59117987 A JP 59117987A JP 11798784 A JP11798784 A JP 11798784A JP S60262425 A JPS60262425 A JP S60262425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- organic polymer
- resin
- film
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に容易に大面積、形状比の高い、ある
いは均質な微細パターンを形成する方法に関するもので
ある。
いは均質な微細パターンを形成する方法に関するもので
ある。
任意の基板上に、数十〜数ｐあるいは１ｐｙｎ以下の微
細構造を形成するには、通常写真食刻法が用いられてい
る。この方法は、基板上に感光性を持つレジストを塗布
し、マスクを介して露光後、レジストを現像してマスク
のパターンを転４する。
細構造を形成するには、通常写真食刻法が用いられてい
る。この方法は、基板上に感光性を持つレジストを塗布
し、マスクを介して露光後、レジストを現像してマスク
のパターンを転４する。
続いて、該レジストパターンをマスクとして基板ごエツ
チングする、あるいはリフトオフ加工を行うことが行わ
れている。
チングする、あるいはリフトオフ加工を行うことが行わ
れている。
上記の方法は、基板上に規則的な微細構造パターンを形
成するには最適な方法であるが、微細パターンを基板面
に形成する全てに有効、かつ能率的ではない。基板上に
形成される微細パターンに規則性が要求されない場合に
は、上記の写真食刻法ではマスク作成工程、露光工程な
ど不要な工程が多（、経済的な方法とけ言えない。
成するには最適な方法であるが、微細パターンを基板面
に形成する全てに有効、かつ能率的ではない。基板上に
形成される微細パターンに規則性が要求されない場合に
は、上記の写真食刻法ではマスク作成工程、露光工程な
ど不要な工程が多（、経済的な方法とけ言えない。
大面積にわたって基板の加工を行うには、作製上の困難
性が大きい大面積のマスクが必要となるか、あるいは小
面積のマスクで長時間繰り返して露光しなげればならな
い。また、基板の形状が特異なものに対しては特別な治
具も必要である。
性が大きい大面積のマスクが必要となるか、あるいは小
面積のマスクで長時間繰り返して露光しなげればならな
い。また、基板の形状が特異なものに対しては特別な治
具も必要である。
本発明の目的は、上記問題点を解決して１基板面に大面
積、高形状比、均質な微細パターンを容易に、また経済
的に得ることのできる基板の７Ｊ［Ｉ上方法を提供する
ことにある。 ） 〔問題点を解決Ｔるための手段〕 本発明は、シリコーン樹脂あるいはポリシラン樹脂と有
機高分子の相分離した膜を被加工基板上に形成し、これ
を加工マスクとして用い、相分離しなパターンを被加工
基板上に転写することを特徴としている。
積、高形状比、均質な微細パターンを容易に、また経済
的に得ることのできる基板の７Ｊ［Ｉ上方法を提供する
ことにある。 ） 〔問題点を解決Ｔるための手段〕 本発明は、シリコーン樹脂あるいはポリシラン樹脂と有
機高分子の相分離した膜を被加工基板上に形成し、これ
を加工マスクとして用い、相分離しなパターンを被加工
基板上に転写することを特徴としている。
本発明においては、シリコーン樹脂あるいはポリシラン
樹脂の群より選択された一種以上（以下Ｓｊ 樹脂と略
丁）と有機高分子の一種以上からなる相分離した高分子
膜を形成する。相分離した高分子膜は、Ｓｉ樹脂と有機
高分子を共通の溶剤に溶解し、キャスティングあるいは
回転塗布など通常の高分子膜作成方法で形成できる。前
述のＳ＋樹脂としては、例えば、ポリジメチルシロキサ
ン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリシルセスキオ
キサンなどのシリコーン樹脂、ポリメチルフェニルシラ
ン、ポリジフェニルシラン、ボリジメチルシプンとポリ
メチルフェニルシランの共重合体などのポリシラン樹脂
の一種以上を用いることができる。有機高分子としては
、酸素ガスプラズマにより分解気化し、Ｓｉ樹脂との相
溶性が悪く、Ｓｉ 樹脂と共通の溶剤をＭするものであ
れば、基本的にいかなるものでもよい。一般に、Ｓｉ樹
脂は有機縞分子と相溶性が悪いため、例えばアクリレー
ト系樹脂、メタクリレート系樹脂などの一種以上２有効
に用いることができる。相分離した高分子膜の膜厚は必
要に応じて任意の厚さとしてよいが、通常相分離の状態
で決められる。つまり、相分離が例えばｌ趨オーダーで
ある場合にけ膜厚はそれと同等の厚さ、あるいはそれ以
下の厚さであることが好ましい。
樹脂の群より選択された一種以上（以下Ｓｊ 樹脂と略
丁）と有機高分子の一種以上からなる相分離した高分子
膜を形成する。相分離した高分子膜は、Ｓｉ樹脂と有機
高分子を共通の溶剤に溶解し、キャスティングあるいは
回転塗布など通常の高分子膜作成方法で形成できる。前
述のＳ＋樹脂としては、例えば、ポリジメチルシロキサ
ン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリシルセスキオ
キサンなどのシリコーン樹脂、ポリメチルフェニルシラ
ン、ポリジフェニルシラン、ボリジメチルシプンとポリ
メチルフェニルシランの共重合体などのポリシラン樹脂
の一種以上を用いることができる。有機高分子としては
、酸素ガスプラズマにより分解気化し、Ｓｉ樹脂との相
溶性が悪く、Ｓｉ 樹脂と共通の溶剤をＭするものであ
れば、基本的にいかなるものでもよい。一般に、Ｓｉ樹
脂は有機縞分子と相溶性が悪いため、例えばアクリレー
ト系樹脂、メタクリレート系樹脂などの一種以上２有効
に用いることができる。相分離した高分子膜の膜厚は必
要に応じて任意の厚さとしてよいが、通常相分離の状態
で決められる。つまり、相分離が例えばｌ趨オーダーで
ある場合にけ膜厚はそれと同等の厚さ、あるいはそれ以
下の厚さであることが好ましい。
次の基板のＤロエ、つまり基板への微細パターン形成は
、前記相分離した高分子膜を例えば酸素ガスプラズマ処
理してその後に残存する酸化シリコン部分を利用するこ
とで行われる。したがって、写真食刻法で必要となるマ
スクの作製および露光工程、レジストの現像工程は全く
不要であり、引き蔵＜ｎｏ工工程にドライエツチング等
の乾式１程を利用丁れば、レジストの現象に伴う湿式処
理のない基板加工プロセスとなる。主なｎＯ工工程の例
を第１図〜第３図で説明するが、本発明は何らこれによ
り限定されるものではない。
、前記相分離した高分子膜を例えば酸素ガスプラズマ処
理してその後に残存する酸化シリコン部分を利用するこ
とで行われる。したがって、写真食刻法で必要となるマ
スクの作製および露光工程、レジストの現像工程は全く
不要であり、引き蔵＜ｎｏ工工程にドライエツチング等
の乾式１程を利用丁れば、レジストの現象に伴う湿式処
理のない基板加工プロセスとなる。主なｎＯ工工程の例
を第１図〜第３図で説明するが、本発明は何らこれによ
り限定されるものではない。
第１図は、被１１［１工基板２上に相分離した高分子膜
１を形成する（第１図（ａ））。次に、酸素ガスプラズ
マ処理で相分離した高分子膜中の有機高分子部分３ご除
去するとともにＳｉ樹脂部分４２酸化して酸化シリコン
５を基板上に残丁（第１図（ｂ））。
１を形成する（第１図（ａ））。次に、酸素ガスプラズ
マ処理で相分離した高分子膜中の有機高分子部分３ご除
去するとともにＳｉ樹脂部分４２酸化して酸化シリコン
５を基板上に残丁（第１図（ｂ））。
次に基板上の酸化シリコンごマスク材として基板をエツ
チング加工する（第１図（Ｃ））。次に、酸化シリコン
を除去する（第１図（ｄ））。
チング加工する（第１図（Ｃ））。次に、酸化シリコン
を除去する（第１図（ｄ））。
第２図は、被加工基板２の上に有機高分子膜６を形成し
、さらにその上に相分離した高分子膜ｌを形成する（第
２図（ａ））。次に、酸素ガスプラズマ処理で相分離し
た高分子膜中の有機高分子部分３を除去するとともに、
Ｓｉ ＃明部分４を酸化して酸化シリコン５にする。こ
れと同時に該酸化シリコンに覆われていない部分の有機
高分子膜を除去する（第２図（ｂ））。次に、有機高分
子膜６のパターンをマスク材として基板牙エツチング加
工する（第２図（Ｃ））。次に残存する有機高分子膜を
除去する（第２図（ｄ））。
、さらにその上に相分離した高分子膜ｌを形成する（第
２図（ａ））。次に、酸素ガスプラズマ処理で相分離し
た高分子膜中の有機高分子部分３を除去するとともに、
Ｓｉ ＃明部分４を酸化して酸化シリコン５にする。こ
れと同時に該酸化シリコンに覆われていない部分の有機
高分子膜を除去する（第２図（ｂ））。次に、有機高分
子膜６のパターンをマスク材として基板牙エツチング加
工する（第２図（Ｃ））。次に残存する有機高分子膜を
除去する（第２図（ｄ））。
第３図は、被加工基板２の上に有機高分子膜６を形成し
、さらＫその上に相分離した高分子膜１を形成する（第
３図（ａ））。次に、譲禦ガスプラズマ処理で相分離し
ｆｃ扁分子膜中の有機高分子部分３を除去するとともに
、Ｓｊ 樹脂部分４を酸化して酸化シリコン５にする。
、さらＫその上に相分離した高分子膜１を形成する（第
３図（ａ））。次に、譲禦ガスプラズマ処理で相分離し
ｆｃ扁分子膜中の有機高分子部分３を除去するとともに
、Ｓｊ 樹脂部分４を酸化して酸化シリコン５にする。
これと同時に該酸化シリコンに涜われていない部分の有
機高分子膜を除去する。このとき有機高分子膜６のパタ
ーンは該順化シリコンより細くなるよう酸素ガスプラズ
マ段によって堆積する（甫３図（Ｃ））。次に１有機高
分子６のパターンをその上にある酸化シリコン、該堆積
した物質とともに除去する（第３図（ｄ））。
機高分子膜を除去する。このとき有機高分子膜６のパタ
ーンは該順化シリコンより細くなるよう酸素ガスプラズ
マ段によって堆積する（甫３図（Ｃ））。次に１有機高
分子６のパターンをその上にある酸化シリコン、該堆積
した物質とともに除去する（第３図（ｄ））。
以上、述べたように本発明の方法によれば、露光工程を
経ずに基板上に微細パターンを設けることができる。ま
た、相分離の状態、丁なわら、相分離した高分子膜にお
いてＳｉ樹脂が占める面積と有機高分子が占める面積の
割合および、膜中の ）相分離したＳｉ 樹脂部分の大
きさは、Ｓｉ樹脂と有機高分子の混合比や混合するＳｉ
樹脂および有機高分子の種類によって選択できる。
経ずに基板上に微細パターンを設けることができる。ま
た、相分離の状態、丁なわら、相分離した高分子膜にお
いてＳｉ樹脂が占める面積と有機高分子が占める面積の
割合および、膜中の ）相分離したＳｉ 樹脂部分の大
きさは、Ｓｉ樹脂と有機高分子の混合比や混合するＳｉ
樹脂および有機高分子の種類によって選択できる。
以下、実施例につき説明する。
〔実施例１〕
シリコン基板上にアルミニウムをａ ｓｔｅｍ厚に蒸着
した基板を用意した。次に、ポリシルセスキオキサン０
３ｇとポリｎ−ブチルメタクリレートＱｋｇをキシレン
２θｄに溶解し、前記基板上に回転塗布法によって２０
θθｒｐ’ｎ、６０秒の条件で塗布した。塗布膜厚はＱ
／ｊ＃ｍであった。ｌθθ”Ｃ１１時間加熱処理した後
、酸素ガスプラズマ処理を平行平板型プラズマエツチン
グ装置（日車ア本ルバ社製、ＤＥＭ−４５１型）を用い
酸素ガス圧ｂ ＯｍＴｏｒｒ、 ＲＦパワー２θθＷで
１０分間行い、ポリｎ−ブチルメタクリレートを除去し
、ポリシルセスキオキサンを酸化シリコンにした。酸化
シリコン部分はほぼ円形の島状になり、直径は０３〜ａ
２μ翼であった。次に、前記エツチング装置でアルミニ
ウムをａ２μｍ厚エツチングした。エツチングにはＣＣ
７，ガスな用いた。エツチング後、酸化シリコン部分を
ＣＦ４ガスを用いたプラズマエツチングで除去した。パ
ター／を走査電子顕微韓で観察したところ酸化シリコン
のパターンが転写できていることがわかった。
した基板を用意した。次に、ポリシルセスキオキサン０
３ｇとポリｎ−ブチルメタクリレートＱｋｇをキシレン
２θｄに溶解し、前記基板上に回転塗布法によって２０
θθｒｐ’ｎ、６０秒の条件で塗布した。塗布膜厚はＱ
／ｊ＃ｍであった。ｌθθ”Ｃ１１時間加熱処理した後
、酸素ガスプラズマ処理を平行平板型プラズマエツチン
グ装置（日車ア本ルバ社製、ＤＥＭ−４５１型）を用い
酸素ガス圧ｂ ＯｍＴｏｒｒ、 ＲＦパワー２θθＷで
１０分間行い、ポリｎ−ブチルメタクリレートを除去し
、ポリシルセスキオキサンを酸化シリコンにした。酸化
シリコン部分はほぼ円形の島状になり、直径は０３〜ａ
２μ翼であった。次に、前記エツチング装置でアルミニ
ウムをａ２μｍ厚エツチングした。エツチングにはＣＣ
７，ガスな用いた。エツチング後、酸化シリコン部分を
ＣＦ４ガスを用いたプラズマエツチングで除去した。パ
ター／を走査電子顕微韓で観察したところ酸化シリコン
のパターンが転写できていることがわかった。
〔実施例２〕
酸化シリコン膜（膜厚ａＳμｍ）付シリコン基板を用意
し、この上にＡＺ１３５０ホトレジスト（商品名 シン
プレイ社）をａＳμｍ厚に塗布し、２０θ℃、１時間加
熱処理した。次に、ポリシルセスキオキサンａＳｇとポ
リｎ−ブチルメタクリレート０５ｇをキシレン２θＩＬ
ＩＫ溶解し、前記基板上に回転塗布法で２０００ｒ凹、
６０秒の条件で塗布した。１００″ＣＳ／時間加熱処哩
した後、酸素ガスプラズマ処理を平行平板型プラズマエ
ツチング装置（日車アネルバ社製、Ｉ）Ｆ）Ｍ−４５１
型）ご用い酸素ガス圧３θｍＴｏｒｒｓ ＲＦパワーｉ
ｓ。
し、この上にＡＺ１３５０ホトレジスト（商品名 シン
プレイ社）をａＳμｍ厚に塗布し、２０θ℃、１時間加
熱処理した。次に、ポリシルセスキオキサンａＳｇとポ
リｎ−ブチルメタクリレート０５ｇをキシレン２θＩＬ
ＩＫ溶解し、前記基板上に回転塗布法で２０００ｒ凹、
６０秒の条件で塗布した。１００″ＣＳ／時間加熱処哩
した後、酸素ガスプラズマ処理を平行平板型プラズマエ
ツチング装置（日車アネルバ社製、Ｉ）Ｆ）Ｍ−４５１
型）ご用い酸素ガス圧３θｍＴｏｒｒｓ ＲＦパワーｉ
ｓ。
Ｗで９分間エツチングした。走査磁子顕１ｍで観察した
ところ基板上にＡＺ１３５０ホトレジストが晶さａＳμ
ｍ１直径ａ３〜ａ２μｍの円柱状に形成できていた。次
に、このＡＺホトレジストパターンをマスクとして酸化
シリコン膜をエツチングした。ｎｃｆｔｆｉ！！エツチ
ング装置（日車アネルバ社製）企用いＣＦ、ガス圧／Ｘ
／ ０”ＴＯｒｒ ％ ＲＦパワーｉｓｏｗでＳ分間エ
ツチングした。エツチング後、酸素プラズマでＡＺホト
レジストを除去して走査電子顕微鏡で観察したところ、
シリコン基板上に高さａＳμｍ１直径ａ５〜ａ２μｍの
円柱状の酸化シリコンが形成されていた。
ところ基板上にＡＺ１３５０ホトレジストが晶さａＳμ
ｍ１直径ａ３〜ａ２μｍの円柱状に形成できていた。次
に、このＡＺホトレジストパターンをマスクとして酸化
シリコン膜をエツチングした。ｎｃｆｔｆｉ！！エツチ
ング装置（日車アネルバ社製）企用いＣＦ、ガス圧／Ｘ
／ ０”ＴＯｒｒ ％ ＲＦパワーｉｓｏｗでＳ分間エ
ツチングした。エツチング後、酸素プラズマでＡＺホト
レジストを除去して走査電子顕微鏡で観察したところ、
シリコン基板上に高さａＳμｍ１直径ａ５〜ａ２μｍの
円柱状の酸化シリコンが形成されていた。
〔実施例３〕
相分離した高分子膜としてポリジメチルシロキサンａＳ
ｇとポリ （／、ｌ−ジメチルテトラフルオロプロピル
メタクリレート）（１）、、ｌをキシレン１０ｄに溶解
した溶液を回転塗布（コθθ０ｒｐｎ。
ｇとポリ （／、ｌ−ジメチルテトラフルオロプロピル
メタクリレート）（１）、、ｌをキシレン１０ｄに溶解
した溶液を回転塗布（コθθ０ｒｐｎ。
６０秒）したものを用いる他は実施例２と同様に加工を
行った。走査′遊子顕微鏡で観察したところ、シリコン
基板上に扁さＱ！；Ａｒｎ、直径ｌ〜２５μｍの円柱状
の酸化シリコンが形成されていた。
行った。走査′遊子顕微鏡で観察したところ、シリコン
基板上に扁さＱ！；Ａｒｎ、直径ｌ〜２５μｍの円柱状
の酸化シリコンが形成されていた。
〔実施例４〕
シリコン基板を用意し、その上に実施例３と同様にＡＺ
ホトレジスト膜、相分離した高分子膜ご形成した。ただ
しＡＺホトレジスト膜の加熱処理は行わなかった。次に
、実施例３と同じ条件で酸素ガスプラズマ処理を１１分
間行った。次にこの上に酸化シリコンをａ２μｍ厚に蒸
着した。その後、酢酸イソアミル中でＡＺホトレジスト
を除去した。
ホトレジスト膜、相分離した高分子膜ご形成した。ただ
しＡＺホトレジスト膜の加熱処理は行わなかった。次に
、実施例３と同じ条件で酸素ガスプラズマ処理を１１分
間行った。次にこの上に酸化シリコンをａ２μｍ厚に蒸
着した。その後、酢酸イソアミル中でＡＺホトレジスト
を除去した。
走査電子顕微鏡で観察したところａコルＯｋｐｍ径の微
細な穴を持つ酸化シリコン膜が形成できた。
細な穴を持つ酸化シリコン膜が形成できた。
以上説明したように、本発明の基板２７［Ｊ工方法は、
写真食刻法で必要となるマスクの作製工程、露光工程が
老く不要であり、また、写真食刻法では困難とされる１
μｍ以下の微細加工も可能であり、数μｍ−１μｍ以下
までの加工ができ、基板上に大面積、高形状比、均質な
＃細パターンを容易に経済的に得ることができる。した
がって、ＬＳＩ５ＩＣ等の牛導体素子に塔載するヒート
シンクの作製、磁気ディスクの潤滑保護膜の作製、セン
サー表面のＢロエ、ラマン赦乱元測定１分析用基板の作
成、フィルターの作成に利用できる利点がある。
写真食刻法で必要となるマスクの作製工程、露光工程が
老く不要であり、また、写真食刻法では困難とされる１
μｍ以下の微細加工も可能であり、数μｍ−１μｍ以下
までの加工ができ、基板上に大面積、高形状比、均質な
＃細パターンを容易に経済的に得ることができる。した
がって、ＬＳＩ５ＩＣ等の牛導体素子に塔載するヒート
シンクの作製、磁気ディスクの潤滑保護膜の作製、セン
サー表面のＢロエ、ラマン赦乱元測定１分析用基板の作
成、フィルターの作成に利用できる利点がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）、第２図（ａ）〜ｆｄ）、第３
ｍ（ａ））〜（ｄ）ｕいずれも本発明の実施例を示す図
であって、基板の加工方法を水子工程図である。 １・・・・・・８ｉ樹脂と有機高分子の相分離膜、２・
・・・・・基板、３・・・・・・相分離膜中の有機高分
子部分、４・・・・・・相分離膜中のＳｉ 樹脂部分、
５・・・・・・酸素ガスプラズマ処理後のＳｉ 樹脂部
分（酸化シリコン）、６・・・・・・有機高分子膜、７
・・・・・・堆積物質。
ｍ（ａ））〜（ｄ）ｕいずれも本発明の実施例を示す図
であって、基板の加工方法を水子工程図である。 １・・・・・・８ｉ樹脂と有機高分子の相分離膜、２・
・・・・・基板、３・・・・・・相分離膜中の有機高分
子部分、４・・・・・・相分離膜中のＳｉ 樹脂部分、
５・・・・・・酸素ガスプラズマ処理後のＳｉ 樹脂部
分（酸化シリコン）、６・・・・・・有機高分子膜、７
・・・・・・堆積物質。
Claims (4)
- （１）シリコーン樹脂あるいはポリシラン樹脂と有機高
分子の相分離した膜を被加工基板上に形成し、これを加
工マスクとして用い、相分離したパターンを被加工基板
上に転写することを特徴とする基板のＤロエ方法。 - （２）被加工基板上にシリコーン樹脂あるいはポリシラ
ン樹脂と有機高分子の相分離した被膜を形成する工程、
次にこれ２酸素ガスプラズマ処理して有機高分子を除去
するとともにシリコーン樹脂あるいはポリシラン樹脂を
酸化して基板上に酸化シリコンの微細パターンを形成す
る工程、次に、これをマスクとして基板をエツチングｎ
ロエする工程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の基板の加工方法。 - （３）被り■工阪上に該基板のエツチング時にマスク材
となる被膜を形成する工程、次に該マスク材上にシリコ
ーン樹脂あるいはポリシラン樹脂と有８Ｍｇ分子の相分
離した破膜ご形成する工程、次にこれを酸素ガスプラズ
マ処理して有機高分子ご除去するとともにシリコーン樹
脂あるいはポリシラン樹脂を酸化して基板上に順化シリ
コンの微細ツマターンを形成する工程、次に該酸化シリ
コンをマスクとして被加工基板上のマスク材をエツチン
グして鹸化シリコンの微細パターンをマスク材に転写す
る工程、次に該パターン化されたマスク材をマスクとし
て基板をエツチングする工程を含むことを特徴とする特
′Ｗｆｉ１１求の範囲第１項記載の基板の加工方法。 - （４）被加工基板上に有機高分子膜を形成する工程、次
に該有Ｓ高分子換上にシリコーン樹脂あるいはポリシラ
ン樹脂と有機編分子の相分離した被膜を形成する工程、
次にこれを酸素ガスプラズマ処理してシリコーン樹脂あ
るいはポリシラン樹脂を順化して酸化シリコンとすると
ともに相分＊膜中の有機高分子を除去し、同時に順化シ
リコンに擁われていない部分の基板上の有機高分子膜を
選択的に除去して基板上に有機高分子パターンを形成す
る工程、該有機高分子パターンを利用して基板上にリフ
トオフ加工によりパターンご形成する工程を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の基板の加工方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117987A JPS60262425A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117987A JPS60262425A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 基板の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262425A true JPS60262425A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14725213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117987A Pending JPS60262425A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | 基板の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262425A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114524A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08130213A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリマーの相分離を利用した表面加工法 |
| WO2002099864A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-12 | Infineon Technologies, Ag | Method for removing polysilane from a semiconductor without stripping |
| JP2009277710A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、有機トランジスタの製造方法、有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59117987A patent/JPS60262425A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114524A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08130213A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Agency Of Ind Science & Technol | ポリマーの相分離を利用した表面加工法 |
| WO2002099864A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-12 | Infineon Technologies, Ag | Method for removing polysilane from a semiconductor without stripping |
| US6740594B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-05-25 | Infineon Technologies Ag | Method for removing carbon-containing polysilane from a semiconductor without stripping |
| JP2009277710A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、有機トランジスタの製造方法、有機トランジスタアレイ及び表示装置 |
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