JPS6260224A - レジスト膜のドライエツチング方法 - Google Patents
レジスト膜のドライエツチング方法Info
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- JPS6260224A JPS6260224A JP60199778A JP19977885A JPS6260224A JP S6260224 A JPS6260224 A JP S6260224A JP 60199778 A JP60199778 A JP 60199778A JP 19977885 A JP19977885 A JP 19977885A JP S6260224 A JPS6260224 A JP S6260224A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造工程において、エツチングマ
スクに使用するレジスト膜のパターン形２、−１ 成に必要なレジスト膜のドライエツチング方法に関する
ものである。
スクに使用するレジスト膜のパターン形２、−１ 成に必要なレジスト膜のドライエツチング方法に関する
ものである。
従来の技術
従来、エツチングマスクに使用するレジスト膜のパター
ン形成はレジスト膜の塗布後に露光し、現像液のウェッ
ト処理で行なっていた。しかし、半導体装置の高集積化
に伴なって加工の微細化が進み又、厚いレジスト膜のパ
ターン形成の要求にも、現像液のウェット処理では下地
段差の影響も含めて、レジスト膜のパターン形成が不可
能になってきた。そこで、近年、多層レジスト構造によ
るアスペクト比の高いレジスト膜のパターン形成法が注
目金あびており、特に多層レジスト構造の厚いレジスト
膜のドライエツチング方法が重要表技術になっている。
ン形成はレジスト膜の塗布後に露光し、現像液のウェッ
ト処理で行なっていた。しかし、半導体装置の高集積化
に伴なって加工の微細化が進み又、厚いレジスト膜のパ
ターン形成の要求にも、現像液のウェット処理では下地
段差の影響も含めて、レジスト膜のパターン形成が不可
能になってきた。そこで、近年、多層レジスト構造によ
るアスペクト比の高いレジスト膜のパターン形成法が注
目金あびており、特に多層レジスト構造の厚いレジスト
膜のドライエツチング方法が重要表技術になっている。
以下図面全参照しながら上述した従来のレジスト膜のド
ライエツチング方法の一例について説明する。第４図は
従来の多層レジスト構造によるアスペクト比の高いレジ
スト膜のパターン形成法を説明する概略図を示すもので
ある。第４図ａにおいて、１は半導体基板（あるい３Ａ
−７ は半導体基板上に形成された膜）である。２は第ルジス
ト膜であり、第２レジスト膜４の膜厚は２〜３μｍであ
る。３け塗布−焼成法で形成されたＳ １０２膜である
。４は第２のレジスト膜であり、第２レジスト膜４の膜
厚は１μｍ以下である。第２レジスト膜４と第２レジス
ト膜４は同一のものでも良く、父兄なった組成のもので
も良い。
ライエツチング方法の一例について説明する。第４図は
従来の多層レジスト構造によるアスペクト比の高いレジ
スト膜のパターン形成法を説明する概略図を示すもので
ある。第４図ａにおいて、１は半導体基板（あるい３Ａ
−７ は半導体基板上に形成された膜）である。２は第ルジス
ト膜であり、第２レジスト膜４の膜厚は２〜３μｍであ
る。３け塗布−焼成法で形成されたＳ １０２膜である
。４は第２のレジスト膜であり、第２レジスト膜４の膜
厚は１μｍ以下である。第２レジスト膜４と第２レジス
ト膜４は同一のものでも良く、父兄なった組成のもので
も良い。
以上のように構成された多層レジスト構造によるアスペ
クト比の高いレジスト膜のパターン形成法において、以
下そのプロセスについて説明する。
クト比の高いレジスト膜のパターン形成法において、以
下そのプロセスについて説明する。
まず第４図すに示すように第２レジスト膜４に通常の露
光、現像処理を行なってマスクパターンを形成する。次
に第４図Ｃに示すように第２レジスト膜４をマスクとし
て、塗布−焼成法で形成したＳｉＯ２膜３を例えば弗素
系のガスでドライエツチングする。最後に第４図ｄに示
すように前記ＳｉＯ２膜３をマスクとして、膜厚の厚い
第ルジスト膜２’ｉ０２ガスでドライエツチングし、ア
スペクト比の高いレジスト膜のパターン形成を行なう（
例えばｒ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ ／ 日本版」１０１７１９８３年６４ページ〜７
１ページ）０発明が解決しようとする問題点 しかしながら」二記のようなプロセスでは次のような問
題点ケ有する。すなわち、第４１凶ｄに示す構造全得る
ために０２ガスのプラズマを利用したレジスト膜のドラ
イエ、チングを行なっているが、我々が行った上記プロ
セスの実験では第１表に示す結果と々す、前記Ｓ １０
２膜３はエツチングマスクとしての役割を果すことがで
きない。
光、現像処理を行なってマスクパターンを形成する。次
に第４図Ｃに示すように第２レジスト膜４をマスクとし
て、塗布−焼成法で形成したＳｉＯ２膜３を例えば弗素
系のガスでドライエツチングする。最後に第４図ｄに示
すように前記ＳｉＯ２膜３をマスクとして、膜厚の厚い
第ルジスト膜２’ｉ０２ガスでドライエツチングし、ア
スペクト比の高いレジスト膜のパターン形成を行なう（
例えばｒ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ ／ 日本版」１０１７１９８３年６４ページ〜７
１ページ）０発明が解決しようとする問題点 しかしながら」二記のようなプロセスでは次のような問
題点ケ有する。すなわち、第４１凶ｄに示す構造全得る
ために０２ガスのプラズマを利用したレジスト膜のドラ
イエ、チングを行なっているが、我々が行った上記プロ
セスの実験では第１表に示す結果と々す、前記Ｓ １０
２膜３はエツチングマスクとしての役割を果すことがで
きない。
第 １ 表
本発明は上記問題点に鑑み、多層レジスト構造によるア
スペクト比の高いレジストパターン形成法において、前
記第ルジスト膜２をエツチングする場合に、前記ＳｉＯ
２膜３が十分にマスク材料と６ペー７ しての役割を果すだけの耐エツチング性を有するレジス
ト膜のドライエ、チング方法を提供するものである。
スペクト比の高いレジストパターン形成法において、前
記第ルジスト膜２をエツチングする場合に、前記ＳｉＯ
２膜３が十分にマスク材料と６ペー７ しての役割を果すだけの耐エツチング性を有するレジス
ト膜のドライエ、チング方法を提供するものである。
問題点全解決するだめの手段
上記問題点を解決するために本発明のレジスト膜のドラ
イエツチング方法は塗布−焼成法で形成されたＳ ｘ
Ｏ２膜をエツチングマスクとしてレジスト膜全エツチン
グする場合において、反応ガスとして０２とＮ２との混
合ガス、あるいはｏ２とＮ２と弗素化合物との混合ガス
を用いたものである。
イエツチング方法は塗布−焼成法で形成されたＳ ｘ
Ｏ２膜をエツチングマスクとしてレジスト膜全エツチン
グする場合において、反応ガスとして０２とＮ２との混
合ガス、あるいはｏ２とＮ２と弗素化合物との混合ガス
を用いたものである。
作 用
本発明は上記した反応ガスを用いることによりＮ２のプ
ラズマ成分が塗布−焼成法で形成されたＳｌＯ膜と０２
あるいは弗素化合物のプラズマ成分とのプラズマ反応を
抑制することを実験的に見い出した。その結果、上記反
応ガスを用いることにより、レジスト膜のエツチング速
度を維持したままで、前記ＳｉＯ２膜のエツチング速度
を減少させ、前記Ｓ ｉＯ２膜が十分にマスク材料とし
ての役割を果すだけの耐エンチング性を得ることができ
６ヘーノ た。塗布−焼成法で形成されたＳ １０２膜は非常に多
孔質であり、しかも熱酸化で形成されたＳ ） ０２膜
に比べて結合エネルギが弱いため０２あるいは弗素系化
合物のプラズマにより高いエツチング速度を有してしま
うものと考えられる。
ラズマ成分が塗布−焼成法で形成されたＳｌＯ膜と０２
あるいは弗素化合物のプラズマ成分とのプラズマ反応を
抑制することを実験的に見い出した。その結果、上記反
応ガスを用いることにより、レジスト膜のエツチング速
度を維持したままで、前記ＳｉＯ２膜のエツチング速度
を減少させ、前記Ｓ ｉＯ２膜が十分にマスク材料とし
ての役割を果すだけの耐エンチング性を得ることができ
６ヘーノ た。塗布−焼成法で形成されたＳ １０２膜は非常に多
孔質であり、しかも熱酸化で形成されたＳ ） ０２膜
に比べて結合エネルギが弱いため０２あるいは弗素系化
合物のプラズマにより高いエツチング速度を有してしま
うものと考えられる。
実施例
以下本発明の一実施例のレジスト膜のドライエツチング
方法について、図面を参照しながら説明する。第１図は
本発明の第１の実施例におけるレジスト膜のドライエツ
チング方法のエツチング特性を示すものである。第１図
かられかるように、反応ガスとして０２とＮ２との混合
ガスを用いることにより、塗布−焼成法で形成したＳｉ
Ｏ２膜のエツチング速度が急激に減少し、厚いレジスト
膜をドライエツチングする際に前記塗布−焼成法で形成
したＳ ｉＯ２＋１勤叶分にマス外科としての役割を果
すことができる。第１の実施例で用いたエツチング試料
は第４図Ｃに示す構造であり、シリコン基板１上に通常
の塗布方法でフォトレジスト２である０ＦＰＲ−８００
（東京応化工業の商品名）を膜了・＼− 厚２μｍスピンコ−トし、さらにその上にケイ素化合物
である○ＣＤ（東京応化工業の商品名）を塗布した後、
２００℃で焼成しＳ ｉＯ２膜３′ｆｒ：１．２００人
形成した。さらにその上に前記同様のフォトレジスト 通常の露光，現像処理全行ないマスクパターン全形成し
た。次に前記フｔ ｌ・レジスト４ ｆ マスクバ 〜
ターンとして、前記塗布−焼成法で形成したＳ １０２
膜３ｆｆＣＦ４と０２との混合ガス金円いたドライエツ
チングで除去し、エツチング試料を作製；７た。
方法について、図面を参照しながら説明する。第１図は
本発明の第１の実施例におけるレジスト膜のドライエツ
チング方法のエツチング特性を示すものである。第１図
かられかるように、反応ガスとして０２とＮ２との混合
ガスを用いることにより、塗布−焼成法で形成したＳｉ
Ｏ２膜のエツチング速度が急激に減少し、厚いレジスト
膜をドライエツチングする際に前記塗布−焼成法で形成
したＳ ｉＯ２＋１勤叶分にマス外科としての役割を果
すことができる。第１の実施例で用いたエツチング試料
は第４図Ｃに示す構造であり、シリコン基板１上に通常
の塗布方法でフォトレジスト２である０ＦＰＲ−８００
（東京応化工業の商品名）を膜了・＼− 厚２μｍスピンコ−トし、さらにその上にケイ素化合物
である○ＣＤ（東京応化工業の商品名）を塗布した後、
２００℃で焼成しＳ ｉＯ２膜３′ｆｒ：１．２００人
形成した。さらにその上に前記同様のフォトレジスト 通常の露光，現像処理全行ないマスクパターン全形成し
た。次に前記フｔ ｌ・レジスト４ ｆ マスクバ 〜
ターンとして、前記塗布−焼成法で形成したＳ １０２
膜３ｆｆＣＦ４と０２との混合ガス金円いたドライエツ
チングで除去し、エツチング試料を作製；７た。
レジスト膜のドライエツチング条件は０２とＮ２との混
合ガス流量＝１００８ＣＣＭ， 反応圧カニ８。
合ガス流量＝１００８ＣＣＭ， 反応圧カニ８。
ｍＴｏｒｒ 、 Ｒ Ｆパワー： ２００Ｗ（ １３．
５６ ＭＨｚ）である。以上のように本実施例によれば
、レジスト膜のドライエツチング方法において、反応ガ
スとして０２とＮ２ との混合ガスを用いることによ
り、塗布−焼成法で形成したＳ １０ ２膜のエツチン
グ速度を急激に減少することができ、その塗布−焼成方
法で形成したＳ ｉＯ ２膜全前記レジスト膜のドライ
エツチンギ方法におけるマスク材料とじて用いることが
できる。
５６ ＭＨｚ）である。以上のように本実施例によれば
、レジスト膜のドライエツチング方法において、反応ガ
スとして０２とＮ２ との混合ガスを用いることによ
り、塗布−焼成法で形成したＳ １０ ２膜のエツチン
グ速度を急激に減少することができ、その塗布−焼成方
法で形成したＳ ｉＯ ２膜全前記レジスト膜のドライ
エツチンギ方法におけるマスク材料とじて用いることが
できる。
以下本発明の第２の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。エツチング試料は第１の実施例と同様であ
る。第２図及び第３図は本発明の第２の実施例を示すレ
ジスト膜のドライエツチング方法のエツチング特性を示
すものである。第１の実施例の構成と異なるのはレジス
ト膜のドライエツチングにおいて、反応ガスとして、０
２とＮ２と弗素系化合物（ＣＦ あるいはＳＦ６）と
の混合ガスを用いた点である。エツチング条件は０２と
１０係Ｎ２と弗素系化合物（ＣＦ４あるいはＳＦ６）と
の混合ガス流量：１００Ｓ（１ＩＣＭ，反応圧カニ８
０ ｍＴｏｒｒ 、 Ｒ． Ｆパフ − ： ２ ｏ
ｏＷ （１ ３．５６ ＭＴ（ｚ）である。第２図はレ
ジスト膜のドライエツチングにおいて、０２と１膜％
Ｎ２との混合ガスにＣＦ４を添加した場合のエツチング
速度であり、第３図は上記と同様のエツチングにおいて
０２と１０％Ｎ２との混合ガスにＳＦ６−ｉ添加した場
合のエツチング速度である。第２図，第３図からあきら
かなように、反応ガスとして０２と１０係Ｎ２との９、
、、−。
ら説明する。エツチング試料は第１の実施例と同様であ
る。第２図及び第３図は本発明の第２の実施例を示すレ
ジスト膜のドライエツチング方法のエツチング特性を示
すものである。第１の実施例の構成と異なるのはレジス
ト膜のドライエツチングにおいて、反応ガスとして、０
２とＮ２と弗素系化合物（ＣＦ あるいはＳＦ６）と
の混合ガスを用いた点である。エツチング条件は０２と
１０係Ｎ２と弗素系化合物（ＣＦ４あるいはＳＦ６）と
の混合ガス流量：１００Ｓ（１ＩＣＭ，反応圧カニ８
０ ｍＴｏｒｒ 、 Ｒ． Ｆパフ − ： ２ ｏ
ｏＷ （１ ３．５６ ＭＴ（ｚ）である。第２図はレ
ジスト膜のドライエツチングにおいて、０２と１膜％
Ｎ２との混合ガスにＣＦ４を添加した場合のエツチング
速度であり、第３図は上記と同様のエツチングにおいて
０２と１０％Ｎ２との混合ガスにＳＦ６−ｉ添加した場
合のエツチング速度である。第２図，第３図からあきら
かなように、反応ガスとして０２と１０係Ｎ２との９、
、、−。
混合ガス（で弗素系化合物（ＣＦ４あるいはＳＦ６）を
添加することに」：す、レジスト膜のエツチング速度全
向上することができると共に、塗布−焼成法で形成した
Ｓ １０２膜も十分にマスク材料としての役割を果すこ
とができる。
添加することに」：す、レジスト膜のエツチング速度全
向上することができると共に、塗布−焼成法で形成した
Ｓ １０２膜も十分にマスク材料としての役割を果すこ
とができる。
ナオ、第１，第２の実施例において、レジスト膜のドラ
イエツチングに際して、その上のマスク材料３は塗布−
焼成法で形成したＳ ｉＯ ２膜としたが、マスク材料
３は塗布−焼成法以外で形成したＳｔ○２膜でも良いし
、その他の膜質でも良い。
イエツチングに際して、その上のマスク材料３は塗布−
焼成法で形成したＳ ｉＯ ２膜としたが、マスク材料
３は塗布−焼成法以外で形成したＳｔ○２膜でも良いし
、その他の膜質でも良い。
発明の効果
以上のように本発明は、塗布−焼成法で形成したＳｉ○
２膜全マスク材料とするレジスト膜のドライエ、チング
において、反応ガスとして０２とＮ２の混合ガスを用い
ることにより、Ｎ２のプラズマ成分がＳｉｏ２膜と０２
のプラズマ成分とのプラズマ反応全抑制するため、レジ
スト膜のエツチング速度を維持した−１１でＳＩＯ２膜
のエツチング速度全低減することができ、Ｓ １０ ２
膜が十分にマスク材料としての役割を果たすだけの耐エ
ツチング性１０７、−７ を得ることができる。また、反応ガスとしてＮ２と０２
と弗素系化合物（ＣＦ４あるいはＳＦ６）の混合ガスを
用いることにより、ＳＩＯ２膜の耐エツチング性を保つ
とともに、レジスト膜のエツチング速度をさらに速くす
ることができる。
２膜全マスク材料とするレジスト膜のドライエ、チング
において、反応ガスとして０２とＮ２の混合ガスを用い
ることにより、Ｎ２のプラズマ成分がＳｉｏ２膜と０２
のプラズマ成分とのプラズマ反応全抑制するため、レジ
スト膜のエツチング速度を維持した−１１でＳＩＯ２膜
のエツチング速度全低減することができ、Ｓ １０ ２
膜が十分にマスク材料としての役割を果たすだけの耐エ
ツチング性１０７、−７ を得ることができる。また、反応ガスとしてＮ２と０２
と弗素系化合物（ＣＦ４あるいはＳＦ６）の混合ガスを
用いることにより、ＳＩＯ２膜の耐エツチング性を保つ
とともに、レジスト膜のエツチング速度をさらに速くす
ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例にふシヒるレジスト膜の
ドライエツチング方法のエンチング特性を示すグラフ、
第２図は第２の実施例におけるＣＦ４を添加した場合の
レジスト膜のドライエツチング方法のエツチング特性を
示すグラフ、第３図は第２の実施例におけるＳＦ６ ｆ
，１添加した場合のレジスト膜のドライエツチング方法
のエツチング特性を示すグラフ、第４図は従来の多層レ
ジスト構造によるアスペクト比の高いレジスト膜のパタ
ーン形成法全説明する概略図である。 ２・・・レジスト膜、３・・・・Ｓ１０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｎ２う応ｊＪＤ量（鉋 第２図 ＣＦ ｂ ＠ ｉ ｔ ％６１ 第３図 ごｒｆ（♂ ミータ１シズ７（：ｌＬ 効第４図
ドライエツチング方法のエンチング特性を示すグラフ、
第２図は第２の実施例におけるＣＦ４を添加した場合の
レジスト膜のドライエツチング方法のエツチング特性を
示すグラフ、第３図は第２の実施例におけるＳＦ６ ｆ
，１添加した場合のレジスト膜のドライエツチング方法
のエツチング特性を示すグラフ、第４図は従来の多層レ
ジスト構造によるアスペクト比の高いレジスト膜のパタ
ーン形成法全説明する概略図である。 ２・・・レジスト膜、３・・・・Ｓ１０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｎ２う応ｊＪＤ量（鉋 第２図 ＣＦ ｂ ＠ ｉ ｔ ％６１ 第３図 ごｒｆ（♂ ミータ１シズ７（：ｌＬ 効第４図
Claims (3)
- （１）ＳｉＯ＿２膜をマスク材料にしてレジスト膜をエ
ッチングするドライエッチングにおいて、反応ガスとし
て酸素と窒素との混合ガスを用いることを特徴とするレ
ジスト膜のドライエッチング方法。 - （２）ＳｉＯ＿２膜をマスク材料にしてレジスト膜をエ
ッチングするドライエッチングにおいて、反応ガスとし
て酸素と窒素と弗素化合物との混合ガスを用いることを
特徴とするレジスト膜のドライエッチング方法。 - （３）弗素化合物がＣＦ＿４あるいはＳＦ＿６であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のレジスト膜
のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199778A JP2760426B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | レジスト膜のドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199778A JP2760426B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | レジスト膜のドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260224A true JPS6260224A (ja) | 1987-03-16 |
| JP2760426B2 JP2760426B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=16413456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60199778A Expired - Lifetime JP2760426B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | レジスト膜のドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2760426B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014069298A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細構造体の製造方法 |
| CN112225171A (zh) * | 2019-06-27 | 2021-01-15 | 柯尼卡美能达株式会社 | 薄膜的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225639A (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | Toshiba Corp | 有機物エツチング方法 |
| JPS59163826A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP60199778A patent/JP2760426B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225639A (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | Toshiba Corp | 有機物エツチング方法 |
| JPS59163826A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014069298A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細構造体の製造方法 |
| CN112225171A (zh) * | 2019-06-27 | 2021-01-15 | 柯尼卡美能达株式会社 | 薄膜的制造方法 |
| JP2021006841A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-21 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜の製造方法 |
| US11780728B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-10-10 | Konica Minolta, Inc. | Forming method of thin layer |
| CN112225171B (zh) * | 2019-06-27 | 2023-12-12 | 柯尼卡美能达株式会社 | 薄膜的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2760426B2 (ja) | 1998-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |