JPS58197896A - 貫通孔を有した配線基板およびその製造法 - Google Patents
貫通孔を有した配線基板およびその製造法Info
- Publication number
- JPS58197896A JPS58197896A JP7996382A JP7996382A JPS58197896A JP S58197896 A JPS58197896 A JP S58197896A JP 7996382 A JP7996382 A JP 7996382A JP 7996382 A JP7996382 A JP 7996382A JP S58197896 A JPS58197896 A JP S58197896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- wiring board
- holes
- conductor
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、貫通孔を有した配線基板に関し、更に詳述す
れば、電子回路素子相互間あるいは外部との電気的接続
を効率よく行なうための配線基板に用いる絶縁体膜の貫
通孔およびその形成法に関する。
れば、電子回路素子相互間あるいは外部との電気的接続
を効率よく行なうための配線基板に用いる絶縁体膜の貫
通孔およびその形成法に関する。
従来、配線基板として使用されているプリント基板にお
いてはドリルによる貫通孔の孔あけおよび銅（Ｃｕ）の
無電解メッキによる孔内部への導体設置が一般的に行な
われてきた。このような形成方法ではドリルによる孔あ
け加工法の限界およびメッキ液の浸透能力の限界のため
に孔直径を２００μｍφ以下にするのは困難とされてい
る。
いてはドリルによる貫通孔の孔あけおよび銅（Ｃｕ）の
無電解メッキによる孔内部への導体設置が一般的に行な
われてきた。このような形成方法ではドリルによる孔あ
け加工法の限界およびメッキ液の浸透能力の限界のため
に孔直径を２００μｍφ以下にするのは困難とされてい
る。
ところが、近年コンピュータの大型化、高速化にともな
い、ＩＣの大容蓋化、高速化とともに配線基板の扁密度
化が必要になってきた。高密度の配線基板を実現するた
めには基板上の配線パターンの微細化とともに貫通孔の
直径の微細化を行なわなければならない。
い、ＩＣの大容蓋化、高速化とともに配線基板の扁密度
化が必要になってきた。高密度の配線基板を実現するた
めには基板上の配線パターンの微細化とともに貫通孔の
直径の微細化を行なわなければならない。
微細な孔の加工法として有用な方法の例とじては工Ｃ内
部の配Ｉ！Ａ（ｌｒ影形成る過程において数μｍ程度の
薄膜の絶縁体に直径数μｍの貫通孔をあける技術が知ら
れている。この場合には通常ホトリング２フイによって
微細加工したマスクを用いたエツチングによって孔を明
けている。ＩＣ内部の配線に用いられる場合のように孔
ｆｒあける対象の絶縁体膜の厚さが２〜３μｍ以下と薄
い場合には広く用いられている液体に溶解させる方式の
クエントエッチング法によっても直径数μｍφの孔を明
けることは容易である。すなわち、絶縁体膜厚が２〜３
μｍのときウェットエツチングによる貫通孔壁の傾き角
（第１図）は約４５°であるので貫通孔の直径は５〜６
μｍφとなり、しかも貫通孔壁に蒸着法で金−を設置す
ることは比較的容易であるからである。
部の配Ｉ！Ａ（ｌｒ影形成る過程において数μｍ程度の
薄膜の絶縁体に直径数μｍの貫通孔をあける技術が知ら
れている。この場合には通常ホトリング２フイによって
微細加工したマスクを用いたエツチングによって孔を明
けている。ＩＣ内部の配線に用いられる場合のように孔
ｆｒあける対象の絶縁体膜の厚さが２〜３μｍ以下と薄
い場合には広く用いられている液体に溶解させる方式の
クエントエッチング法によっても直径数μｍφの孔を明
けることは容易である。すなわち、絶縁体膜厚が２〜３
μｍのときウェットエツチングによる貫通孔壁の傾き角
（第１図）は約４５°であるので貫通孔の直径は５〜６
μｍφとなり、しかも貫通孔壁に蒸着法で金−を設置す
ることは比較的容易であるからである。
一方、配線基板においては強度および亀気的特性倉考慮
すると絶縁体の膜は少くとも４０μｍの膜厚が必歎であ
るので、このような絶縁体膜ではたとえ４５″の貫通孔
壁の傾き角が得られるとしても上目已のウェットエッチ
法では、８０μｍφより小さな直径の孔はめけられない
ことになる。しかも４０μｍｔの厚さの場合には実際の
結果、頗き角はざらに小さくなることがわかった。
すると絶縁体の膜は少くとも４０μｍの膜厚が必歎であ
るので、このような絶縁体膜ではたとえ４５″の貫通孔
壁の傾き角が得られるとしても上目已のウェットエッチ
法では、８０μｍφより小さな直径の孔はめけられない
ことになる。しかも４０μｍｔの厚さの場合には実際の
結果、頗き角はざらに小さくなることがわかった。
以上の結果はウェットエッチによって孔あけを行なった
場合であるが、反応性スパッタエッチによシ孔をあける
場合には、１頃き角がほぼ９０°のＸ通孔が侍らｎ；ｂ
ｏＬ、かしこの場合には蒸着による貫通孔壁への導体設
置は困難となシ、そのため絶縁体両面間の信頼性のああ
屯気的接続は困難となる。
場合であるが、反応性スパッタエッチによシ孔をあける
場合には、１頃き角がほぼ９０°のＸ通孔が侍らｎ；ｂ
ｏＬ、かしこの場合には蒸着による貫通孔壁への導体設
置は困難となシ、そのため絶縁体両面間の信頼性のああ
屯気的接続は困難となる。
本発明は上記の技術的困難を解決し、従来の半導体プロ
セスに比べ厚い絶に膜にできるだけ小さな直径の貫通孔
をあけ、かつ孔側壁への導体設置を容易ならしめる形状
およびこの貫通孔をその上うな形状に加工する方法を提
供することを目的とする。
セスに比べ厚い絶に膜にできるだけ小さな直径の貫通孔
をあけ、かつ孔側壁への導体設置を容易ならしめる形状
およびこの貫通孔をその上うな形状に加工する方法を提
供することを目的とする。
１目的を達成ｊ６ｆｃ″″′本発明ｌ成“・貫
１通孔を基＊＠に細くシたラッパ状にした配線基板に
することにある。以下膨面を用いて詳細に説明する。
１通孔を基＊＠に細くシたラッパ状にした配線基板に
することにある。以下膨面を用いて詳細に説明する。
本発明は一例として第２図にその概略断面形状を示すよ
うに、複合した形状をもつ貫通孔を有する。図のうち、
垂＠壁の部分はスパッタエツチングで、 上ｇのＩＪＦ
）部分はウエットエンテンク等ノ加工法で孔明けを行な
う。貫通孔倉このよ、うな形状にすると、孔の直径を絶
縁体の膜厚と同程度またはそれ以下にすることができる
。そして孔上部の傾斜部分を利用して、貫通孔部導体と
膜上ｌに設置する配線の題憔との電気的な接続を容易に
しかつ信頼性のめるものにすることができる。すなわち
、垂直壁をもつ孔の下部への導体設置はリフトオフ法に
よって行ない、この後に＃４＄Ｉした壁をもつ孔の上部
への導体設置を膜上面の配線導体設置と兼ねて行なえば
非常に信頼性のある貫通孔への嘔気的接続が行なえる。
うに、複合した形状をもつ貫通孔を有する。図のうち、
垂＠壁の部分はスパッタエツチングで、 上ｇのＩＪＦ
）部分はウエットエンテンク等ノ加工法で孔明けを行な
う。貫通孔倉このよ、うな形状にすると、孔の直径を絶
縁体の膜厚と同程度またはそれ以下にすることができる
。そして孔上部の傾斜部分を利用して、貫通孔部導体と
膜上ｌに設置する配線の題憔との電気的な接続を容易に
しかつ信頼性のめるものにすることができる。すなわち
、垂直壁をもつ孔の下部への導体設置はリフトオフ法に
よって行ない、この後に＃４＄Ｉした壁をもつ孔の上部
への導体設置を膜上面の配線導体設置と兼ねて行なえば
非常に信頼性のある貫通孔への嘔気的接続が行なえる。
この複合した形状の貫通孔は前記第１図のような傾斜し
た壁のみで構成された孔に比べ、（１）孔の＠婢會小ざ
くできる、 （２設置した導体は同程度の尚い缶転注をもつ、という
有利な特長をもち、他方、垂直壁のみで構成した貫通孔
に比べ、 （１） より信頼性の高い貫通孔への１気的接続かり
能である。
た壁のみで構成された孔に比べ、（１）孔の＠婢會小ざ
くできる、 （２設置した導体は同程度の尚い缶転注をもつ、という
有利な特長をもち、他方、垂直壁のみで構成した貫通孔
に比べ、 （１） より信頼性の高い貫通孔への１気的接続かり
能である。
という有利な特長をもつ。なぜなら、垂直壁のみで構成
した貫通孔の場合、孔の内部への導体設置はリフトオフ
法で可能であるが、この際、導体厚さ音孔の深さと０．
５μｍ以内の１差で一致させることができないとその後
に行なう孔部の導体と膜上■の配線導体との接続が段差
部分の導体細りおよび導体切れのために困難となるから
である。ちなみに、蒸着法による金＠膜の厚さには５〜
１０％の分布が発生する。全体の厚さが４０μｍのとき
には厚さのばらつきは２〜４μｍとなり、このために形
成される段差のために、孔部の導体と膜上面の配線導体
との接続はきわめて困難となる。
した貫通孔の場合、孔の内部への導体設置はリフトオフ
法で可能であるが、この際、導体厚さ音孔の深さと０．
５μｍ以内の１差で一致させることができないとその後
に行なう孔部の導体と膜上■の配線導体との接続が段差
部分の導体細りおよび導体切れのために困難となるから
である。ちなみに、蒸着法による金＠膜の厚さには５〜
１０％の分布が発生する。全体の厚さが４０μｍのとき
には厚さのばらつきは２〜４μｍとなり、このために形
成される段差のために、孔部の導体と膜上面の配線導体
との接続はきわめて困難となる。
また単に垂直な貫通孔を形成したのみでは、多数の孔を
有する大面積基板上に於て歩留良くリフトオフ倉行なう
ことは極めて困難でめった。このことからも本発明の有
効性が首肯されよう。
有する大面積基板上に於て歩留良くリフトオフ倉行なう
ことは極めて困難でめった。このことからも本発明の有
効性が首肯されよう。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
実施例 ｌ
第３図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施内を実現するた
めの概略工程図である０図において、アルミナなどの平
坦な基板３上に厚さ４０μｍのポリイミド膜２管形成し
た（第３図（ａ））。つぎに、上記ポリイミド膜２の上
部に厚さ０．５μｍのＭＯＯ４０スパッタ法によシ形成
しく同図ｂ）、通常のホトリソグラフィーの方法によシ
上記ＭＯ膜４に直径４０μｍφの孔５倉めけた（１Ｔｒ
１図ｃ）、りざＶＣポリイミドのエッチ液に浸して深さ
約２μｍの穴をあけた（同図ｄ）。つぎＩＣＩ Ｘ １
０−”Ｔｏｒｒ以下の圧力の酸素雰囲気中でポリイミド
倉スパッタエッチして第３図（ｅ）のような後付した形
状すなわちラッパ状の形状をもつ貫通孔を得た。
めの概略工程図である０図において、アルミナなどの平
坦な基板３上に厚さ４０μｍのポリイミド膜２管形成し
た（第３図（ａ））。つぎに、上記ポリイミド膜２の上
部に厚さ０．５μｍのＭＯＯ４０スパッタ法によシ形成
しく同図ｂ）、通常のホトリソグラフィーの方法によシ
上記ＭＯ膜４に直径４０μｍφの孔５倉めけた（１Ｔｒ
１図ｃ）、りざＶＣポリイミドのエッチ液に浸して深さ
約２μｍの穴をあけた（同図ｄ）。つぎＩＣＩ Ｘ １
０−”Ｔｏｒｒ以下の圧力の酸素雰囲気中でポリイミド
倉スパッタエッチして第３図（ｅ）のような後付した形
状すなわちラッパ状の形状をもつ貫通孔を得た。
次いでｔｐＪ３図（０に示すように配線金ａｉｉ６とし
てＡｔ倉約４０μｍ厚に真空蒸着法によって形成した。
てＡｔ倉約４０μｍ厚に真空蒸着法によって形成した。
基板上に於て、膜厚分布は３８〜４２μｍでめったが、
５Ａ、５Ｂとして示すようにすき間が存在するためにリ
フトオフが安達に行なわれた。
５Ａ、５Ｂとして示すようにすき間が存在するためにリ
フトオフが安達に行なわれた。
実施例 ２
前記実施例１の工程のうち第３凶（ｄ）に示す工程を約
５Ｘ１０”ｔｏｒｒの高圧酸素雰囲気中でのスパッタエ
ツチング工程に入換えた。実施例１では孔の側壁はほぼ
９０°であったが、本実施例では孔のｌ１ｌｌ壁は約７
０’１７）頑きとなシ、集積腿はやや低下するものの、
リフトオフや上部配線の段走被榎性は更に改善された。
５Ｘ１０”ｔｏｒｒの高圧酸素雰囲気中でのスパッタエ
ツチング工程に入換えた。実施例１では孔の側壁はほぼ
９０°であったが、本実施例では孔のｌ１ｌｌ壁は約７
０’１７）頑きとなシ、集積腿はやや低下するものの、
リフトオフや上部配線の段走被榎性は更に改善された。
、１１４１図は従来の貢通孔會有した配線基板の概略Ｔ
ＩｊＴ而図、面２図は本発明の一実施例としての概略断
面図、第３図は本発明の製造工程を示す概略断面図であ
る。 ３・・・基板、２・・・ポリイミド膜、４・・・ＭＯ膜
、５・・・第 １ 図 ￥Ｊ ｚ 図 案 ３ 図 ４Ｃ
ＩｊＴ而図、面２図は本発明の一実施例としての概略断
面図、第３図は本発明の製造工程を示す概略断面図であ
る。 ３・・・基板、２・・・ポリイミド膜、４・・・ＭＯ膜
、５・・・第 １ 図 ￥Ｊ ｚ 図 案 ３ 図 ４Ｃ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気的絶縁体よりなる配線板の上下両面に形成され
た電憔間會篭気的に接続する貫通孔を有した配線基板の
製造法において、貫通孔の深さのうち上面から５０％以
下の部分に、配線板の被加工面となす角の一方が６０°
以下でるる側壁からなる上面が広がった穴を形成し、か
つ下面から９９チ以下の部分に、側壁と被加工面とのな
す角が７０ｃ′〜９０°である側壁を有する上に広がる
孔あるいは垂直な孔を形成する工程を設けたことを特徴
とする貫通孔を有した配−基板の製造法。 ２ ｗＬ電気的絶縁体りなる配線板の上下両面に形成さ
れたｗＬ他極間電気的に接厨する貫通孔ケ有した配線基
板において、上６ピ負通孔はラッパ状の孔壁を持たせた
こと′を特徴とする貫通孔會有した配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7996382A JPS58197896A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 貫通孔を有した配線基板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7996382A JPS58197896A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 貫通孔を有した配線基板およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197896A true JPS58197896A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13704958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7996382A Pending JPS58197896A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 貫通孔を有した配線基板およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197896A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04154187A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Mitsubishi Materials Corp | スルーホール配線板の構造及びその製造方法 |
| CN102159033A (zh) * | 2011-03-28 | 2011-08-17 | 冠锋电子科技(梅州)有限公司 | 一种电路板上喇叭形孔的制作方法 |
| CN107900616A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-13 | 珠海市魅族科技有限公司 | 终端喇叭孔的加工方法及终端 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP7996382A patent/JPS58197896A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04154187A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Mitsubishi Materials Corp | スルーホール配線板の構造及びその製造方法 |
| CN102159033A (zh) * | 2011-03-28 | 2011-08-17 | 冠锋电子科技(梅州)有限公司 | 一种电路板上喇叭形孔的制作方法 |
| CN107900616A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-13 | 珠海市魅族科技有限公司 | 终端喇叭孔的加工方法及终端 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10765011B2 (en) | Multilayer wiring board | |
| US5745333A (en) | Laminar stackable circuit board structure with capacitor | |
| US5509200A (en) | Method of making laminar stackable circuit board structure | |
| US8196298B2 (en) | Method for manufacturing electroconductive material-filled throughhole substrate | |
| TWI246753B (en) | Package substrate for electrolytic leadless plating and manufacturing method thereof | |
| EP0424522A1 (en) | Interconnect device and method of manufacture thereof | |
| US5053921A (en) | Multilayer interconnect device and method of manufacture thereof | |
| JP3345529B2 (ja) | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 | |
| US5097393A (en) | Multilayer interconnect device and method of manufacture thereof | |
| US5049974A (en) | Interconnect device and method of manufacture thereof | |
| JP4488187B2 (ja) | ビアホールを有する基板の製造方法 | |
| JPS58197896A (ja) | 貫通孔を有した配線基板およびその製造法 | |
| EP0713358A2 (en) | Circuit board | |
| US6740222B2 (en) | Method of manufacturing a printed wiring board having a discontinuous plating layer | |
| CN211457534U (zh) | 微细层间线路结构 | |
| JP2002527906A (ja) | 電子モジュール、特に多層金属配線層を有するマルチチップ・モジュールおよびその製造方法 | |
| JPH0831976A (ja) | シリコン両面実装基板及びその製造方法 | |
| TWI849704B (zh) | 配線基板 | |
| JPH07297551A (ja) | 薄膜多層配線基板 | |
| JP2000208555A (ja) | ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法 | |
| JP2024013508A (ja) | プリント配線板 | |
| CN116669333A (zh) | 一种通孔分段导通式pcb板及其制作方法 | |
| JP2000286529A (ja) | プリント回路板の製造法 | |
| JPH04346495A (ja) | バイアホール連結法 | |
| JP2000031639A (ja) | 両面回路基板の製造方法と両面回路基板 |