JPS581984A - 架橋ポリエチレンケ−ブル接続部における補強絶縁層の形成方法 - Google Patents
架橋ポリエチレンケ−ブル接続部における補強絶縁層の形成方法Info
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- JPS581984A JPS581984A JP56099438A JP9943881A JPS581984A JP S581984 A JPS581984 A JP S581984A JP 56099438 A JP56099438 A JP 56099438A JP 9943881 A JP9943881 A JP 9943881A JP S581984 A JPS581984 A JP S581984A
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- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 title claims description 29
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 title claims description 29
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 14
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- OIGWAXDAPKFNCQ-UHFFFAOYSA-N 4-isopropylbenzyl alcohol Chemical compound CC(C)C1=CC=C(CO)C=C1 OIGWAXDAPKFNCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Processing Of Terminals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、架橋ポリエチレンケーブル接続部における補
強絶縁層の形成方法に関するものである。
強絶縁層の形成方法に関するものである。
架橋ポリエチレンケーブルの接続部を形成するに当って
、ケーブル部分を含む接続部を高温加熱して補強絶縁層
をモールド（成形）する場合がある。例えば直線接続部
を形成するとき、導体接続部の外方に、互に接続される
べきケーブルの絶縁層に跨がってゴム或はプラスチック
テープを巻いて補強絶縁層を設けた後、加熱モールドす
ることによってケーブル絶縁層と該補強絶縁層を融着さ
せることがなされる。また上記テープの代りに、溶融さ
せたゴム或はプラスチックを金型に押出、射出して補強
絶縁層を設け、加熱モールドする場合もある。更に、ケ
ーブル接続部両端のケーブルとの接合部分に油や水が侵
入するのをシールするために、ケーブルに金具や高分子
材料をモールド融着することによって接着固定すること
もある。
、ケーブル部分を含む接続部を高温加熱して補強絶縁層
をモールド（成形）する場合がある。例えば直線接続部
を形成するとき、導体接続部の外方に、互に接続される
べきケーブルの絶縁層に跨がってゴム或はプラスチック
テープを巻いて補強絶縁層を設けた後、加熱モールドす
ることによってケーブル絶縁層と該補強絶縁層を融着さ
せることがなされる。また上記テープの代りに、溶融さ
せたゴム或はプラスチックを金型に押出、射出して補強
絶縁層を設け、加熱モールドする場合もある。更に、ケ
ーブル接続部両端のケーブルとの接合部分に油や水が侵
入するのをシールするために、ケーブルに金具や高分子
材料をモールド融着することによって接着固定すること
もある。
従来は、この種のモールド作業に於て、ケーブルの架橋
ポリエチレン絶縁層に残留する架、橋剤の分解生成ガス
によって該絶縁体に微小なボイドを生成することがある
ため、外部から２〜８Ｋｆ／、２以上の圧力をかけるこ
とによってボイドの発生を防止してきた。従って、圧力
が全体に均一に充分加えられていれば架橋ポリエチレン
絶縁体中或は外部電極との界面にはボイドの生成はない
と考えられている。しかし乍ら、圧力が不均一であった
、す、圧力のかからない部分があると、加熱によりガス
が発生し絶縁体中にボイドが生成して、ケーブル接続部
の絶縁性能を著しく低下させる原因となる。
ポリエチレン絶縁層に残留する架、橋剤の分解生成ガス
によって該絶縁体に微小なボイドを生成することがある
ため、外部から２〜８Ｋｆ／、２以上の圧力をかけるこ
とによってボイドの発生を防止してきた。従って、圧力
が全体に均一に充分加えられていれば架橋ポリエチレン
絶縁体中或は外部電極との界面にはボイドの生成はない
と考えられている。しかし乍ら、圧力が不均一であった
、す、圧力のかからない部分があると、加熱によりガス
が発生し絶縁体中にボイドが生成して、ケーブル接続部
の絶縁性能を著しく低下させる原因となる。
本発明は、架橋ポリエチレンケーブル接続部ニおける補
強絶縁層をモールドする際の上記の問題を根本的に解決
するために成されたもので、その要旨とするところは、
互に接続される架橋ポリエチレンケーブルの架橋ポリエ
チレン絶縁層に残留する架橋剤の分解生成ガス量が、架
橋ポリエチレン、口当り、標準状−態で０．１’Ｆ＋／
以下に減少した後、補強絶縁層を１９０℃以下の温度で
加熱して形成することを特徴とする架橋ポリエチレンケ
ーブル接続部における補強ｉ線層の形成方法にある。−
架橋ポリエチレンは通常ポリエチレン１００ 部にジク
ミルパーオキサイド（ＤＣＰ’）２〜３部を配合してつ
くる。この反応は次のようなものである。
強絶縁層をモールドする際の上記の問題を根本的に解決
するために成されたもので、その要旨とするところは、
互に接続される架橋ポリエチレンケーブルの架橋ポリエ
チレン絶縁層に残留する架橋剤の分解生成ガス量が、架
橋ポリエチレン、口当り、標準状−態で０．１’Ｆ＋／
以下に減少した後、補強絶縁層を１９０℃以下の温度で
加熱して形成することを特徴とする架橋ポリエチレンケ
ーブル接続部における補強ｉ線層の形成方法にある。−
架橋ポリエチレンは通常ポリエチレン１００ 部にジク
ミルパーオキサイド（ＤＣＰ’）２〜３部を配合してつ
くる。この反応は次のようなものである。
ジクミルパーオキサイド
クミロキシラジカル
クミルアルコール
・・・・・・・（３）
−ＣＨｇ−ＣＨｇ −ＣＨｇ−＋ＣＨｓ−−−◆−ＣＨ
５−ＣＨ−ＣＨ２−＋ＣＨ４・・・・・・・（４）メタ
ン □ ２ ＣＨｍ ＣＨ−ＣＨｓ −−中５− このようにポリエチレンにジクミルパー・オキサイドを
配合して加熱し、架橋される際に生成する架橋ポリエチ
レン中°の分解残渣は、ア七トフェノンクミルア省コー
ル、メタン、αメチルスチレン、水などである。このう
ちメタンは沸点が低く、常温ではガス状である。
５−ＣＨ−ＣＨ２−＋ＣＨ４・・・・・・・（４）メタ
ン □ ２ ＣＨｍ ＣＨ−ＣＨｓ −−中５− このようにポリエチレンにジクミルパー・オキサイドを
配合して加熱し、架橋される際に生成する架橋ポリエチ
レン中°の分解残渣は、ア七トフェノンクミルア省コー
ル、メタン、αメチルスチレン、水などである。このう
ちメタンは沸点が低く、常温ではガス状である。
ジエチレン１００ＰＫ対して約２Ｊｌ程度であ゛るので
ポリエチレン１００Ｊ’中よりＤＣＰが分解して発生す
るメタンガス量は次のようになる。
ポリエチレン１００Ｊ’中よりＤＣＰが分解して発生す
るメタンガス量は次のようになる。
ＤＣＰ ｌ ｍｏｌ （２７０Ｊ’ ）→ＣＨ４１ｍｏ
ｌ（１６／、 ２２．４１）分解 故にメタンガスは架橋ポリエチレンｌＰ当り、標準状態
で約１．７ ｍ１発生する。
ｌ（１６／、 ２２．４１）分解 故にメタンガスは架橋ポリエチレンｌＰ当り、標準状態
で約１．７ ｍ１発生する。
６一
架橋ポリエチレン材料は温度によってその飽和溶解量が
異る。第１図に架橋ポリエチレンの飽和溶解ガス量の実
験データを示すと、温度とともに溶解量は減少し、１９
０℃ではｏ、１ｍ１７’ダラム、となっている。すなわ
ち、この飽和溶解量以下のガス量であれば架橋剤の分解
生成ガスはすべて溶解されて架橋ポリエチレンにボイド
が生成するようなことはない。従って、１９０℃以下で
加熱モールドする場合は、架橋ポリエチレン中のガス量
をｏ、１ｍＩ！／グラム以下にしておく必要がある。同
様に１８０℃以下ではＯＵｍｌ／グラム、１７０℃以下
では０．２７ｍ１／グラム、１６０℃以下では０．８８
ｍ１／グラＡ１５０℃以下では０．４８ｍ１／グラム、
１４０℃以下では０．４２ｍ１！／グラム以下のガス量
にしておけばモールド加熱時にボイドが発生しないこと
がわかる。
異る。第１図に架橋ポリエチレンの飽和溶解ガス量の実
験データを示すと、温度とともに溶解量は減少し、１９
０℃ではｏ、１ｍ１７’ダラム、となっている。すなわ
ち、この飽和溶解量以下のガス量であれば架橋剤の分解
生成ガスはすべて溶解されて架橋ポリエチレンにボイド
が生成するようなことはない。従って、１９０℃以下で
加熱モールドする場合は、架橋ポリエチレン中のガス量
をｏ、１ｍＩ！／グラム以下にしておく必要がある。同
様に１８０℃以下ではＯＵｍｌ／グラム、１７０℃以下
では０．２７ｍ１／グラム、１６０℃以下では０．８８
ｍ１／グラＡ１５０℃以下では０．４８ｍ１／グラム、
１４０℃以下では０．４２ｍ１！／グラム以下のガス量
にしておけばモールド加熱時にボイドが発生しないこと
がわかる。
一方モールド作業は加熱温度が高い方が効率が良いので
、高温でモールドする方が望ましいが、架橋ポリエチレ
ン中のガス量が多いとボイドが生成する危険性がある。
、高温でモールドする方が望ましいが、架橋ポリエチレ
ン中のガス量が多いとボイドが生成する危険性がある。
そこで架橋ポリエチレン中のガスを抜く方法としては、
種々の方法があるが、実施方法として以下の２つを示す
。ひとつはケーブルを常温に放置しておいてガスが自然
に抜けるのを待つ方法である。
種々の方法があるが、実施方法として以下の２つを示す
。ひとつはケーブルを常温に放置しておいてガスが自然
に抜けるのを待つ方法である。
高分子材料の拡散に関するＦｉｃｋｓの拡散方程式より
ケーブル絶縁体中の初期ガス量ＱＯと何日か放置後の絶
縁体中のガス量Ｑとの関係は近似的に次式で表わされる
。
ケーブル絶縁体中の初期ガス量ＱＯと何日か放置後の絶
縁体中のガス量Ｑとの関係は近似的に次式で表わされる
。
Ｄ；拡散係数（常温実験値でｉ２４＋ａ＋”／ｄ ａ
ｙ ）２；試料の厚さくｆｌ） ｔ；放置日数 （’ｄａｙ） ここで初期ガス量ＱＯを１．７ ’Ｉ’ｇとすると放置
日数と絶縁体のガス量は厚さ８０１１１のケーブルを例
にとると第２図のとおりとなる。
ｙ ）２；試料の厚さくｆｌ） ｔ；放置日数 （’ｄａｙ） ここで初期ガス量ＱＯを１．７ ’Ｉ’ｇとすると放置
日数と絶縁体のガス量は厚さ８０１１１のケーブルを例
にとると第２図のとおりとなる。
厚さ１Ｏｆｌでは１２日、２０鱈では４８日、３０１で
は１００日となる。故に１９０℃以下でモールドを実施
する場合には、これだけの日数と放置したケーブルを用
いれば良いことになる。
は１００日となる。故に１９０℃以下でモールドを実施
する場合には、これだけの日数と放置したケーブルを用
いれば良いことになる。
次に常温で放置すると日数がかかり、充分その日数を確
保できない場合、強制的に乾燥させる方法がある。第８
図に８０℃での乾燥と発生ガス量φノ の測定データを示す。この測定結果から０．１ｍ／グラ
ム以下のガス量にするには８０℃で３日間乾燥が必要な
ことがわかる。
保できない場合、強制的に乾燥させる方法がある。第８
図に８０℃での乾燥と発生ガス量φノ の測定データを示す。この測定結果から０．１ｍ／グラ
ム以下のガス量にするには８０℃で３日間乾燥が必要な
ことがわかる。
８０℃の温度は架橋ポリエチレンが乾燥中に軟かくなっ
て変形しないための限界温庫で決めている。
て変形しないための限界温庫で決めている。
実施例２７５ＫＶ架橋ポリエチレン絶縁ケーブル（２７
Ｂ厚さ）で１００日常温で放置してモールド作業を実施
し問題ないことを確認した。また６６１１橋ポリエチレ
ンケーブルで８０℃８日間乾燥し、モールド作業を実施
してボイドの発生のないことが確認された。
Ｂ厚さ）で１００日常温で放置してモールド作業を実施
し問題ないことを確認した。また６６１１橋ポリエチレ
ンケーブルで８０℃８日間乾燥し、モールド作業を実施
してボイドの発生のないことが確認された。
この発明によれば、モールド作業ミスなどによりモール
ド部に圧力がかからなくなった場合でもボイドが発生す
ることなく、モールド温度の最高点だけを管理すれば良
く安心して接続作業を実施することができる。
ド部に圧力がかからなくなった場合でもボイドが発生す
ることなく、モールド温度の最高点だけを管理すれば良
く安心して接続作業を実施することができる。
一〇−
第１図は架橋ポリエチレンの飽和溶解ガス量の温度特性
である。 第２′図は絶縁厚３０ｍの架橋ポリエチレン絶縁ケーブ
ルの放置日数と含有ガス量の減少特性を示す。 第８図は架′橋ポリエチレンケーブルの乾燥日数と発生
ガス量の関係を示す。 一１〇− 芳２図 芳３図 軌欠東日数（８００Ｃ）
である。 第２′図は絶縁厚３０ｍの架橋ポリエチレン絶縁ケーブ
ルの放置日数と含有ガス量の減少特性を示す。 第８図は架′橋ポリエチレンケーブルの乾燥日数と発生
ガス量の関係を示す。 一１〇− 芳２図 芳３図 軌欠東日数（８００Ｃ）
Claims (3)
- （１）互に接続される架橋ポリエチレンケーブルの架橋
ポリエチレン絶縁層に残留する架橋剤の分解生成ガス量
が、架橋ポリエチレン１を当り、標準状態で０．１ ｍ
ｌ以下に減少した後、補強絶縁層を１９０℃以下の温
度で加熱して形成することを特徴とする架橋ポリエチレ
ンケーブル接続部における補強絶縁層の形成方法。 - （２）架橋−ポリエチレン絶縁層に残留する架橋剤の分
解生成ガス量の減少が、その架橋ポリエチレンケーブル
の製造時における架橋反応工程終了後、そのケーブルを
上記架橋ポリエチレン絶縁層の厚さがｌ０ＵＬ以下のと
き１２日以上、２０ｊＩｊＬのとき４８日以上、２０ａ
ｍから８０ｊＩｊＬのとき１００日以上常温の状態で放
置することによってなされる特許請求の範囲第（１）項
記載の架橋被りエチレンケーブル接続部における補強絶
縁層の形成方法。 - （３）架橋ポリエチレン絶縁層に残留する架橋剤の分解
生成ガス量の減少が、その架橋ポリエチレンケーブルの
製造時における架橋反応工程終了後、そのケーブルを８
０℃の温度で８日以上乾燥することによってなされる特
許請求の範囲第（１）項記載の架橋ポリエチレンケーブ
ル接続部における補強絶縁層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099438A JPS581984A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 架橋ポリエチレンケ−ブル接続部における補強絶縁層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099438A JPS581984A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 架橋ポリエチレンケ−ブル接続部における補強絶縁層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581984A true JPS581984A (ja) | 1983-01-07 |
| JPH02836B2 JPH02836B2 (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=14247413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56099438A Granted JPS581984A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 架橋ポリエチレンケ−ブル接続部における補強絶縁層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581984A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453161A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 静電気保護回路 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP56099438A patent/JPS581984A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02836B2 (ja) | 1990-01-09 |
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