JPS5816488A - 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブル接続部の製造法 - Google Patents
架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブル接続部の製造法Info
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- JPS5816488A JPS5816488A JP56115612A JP11561281A JPS5816488A JP S5816488 A JPS5816488 A JP S5816488A JP 56115612 A JP56115612 A JP 56115612A JP 11561281 A JP11561281 A JP 11561281A JP S5816488 A JPS5816488 A JP S5816488A
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Landscapes
- Processing Of Terminals (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、押出注入方式による架橋ポリエチレン絶縁ケ
ーブル接続部の製造法に関する。
ーブル接続部の製造法に関する。
架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの接続部は従来一般には
絶縁テープを巻回していたが、近年の大サイズ化に伴い
、押出被覆することが検討されている。
絶縁テープを巻回していたが、近年の大サイズ化に伴い
、押出被覆することが検討されている。
押出被覆する場合には、図に示すようにケーブル導体接
続部1を囲繞して金型2を被せ、金型2内に押出機によ
抄絶縁体を注入する。金型2はヒータ乙によって加熱し
、絶縁体を架橋成形する。
続部1を囲繞して金型2を被せ、金型2内に押出機によ
抄絶縁体を注入する。金型2はヒータ乙によって加熱し
、絶縁体を架橋成形する。
このとき絶縁体は注入する必要上ある程度の流動性を有
している必要があり、ポリエチレンを基体とする場合9
0℃以上望ましくは120℃程度の温度であることが要
求される。(低温では注入できない。) ところが、従来用いられている絶縁体は架橋剤としてジ
クミルパーオキサイドを含有しており、この架橋剤の半
減期温度は117℃(10時間)、137°C(1時間
)である。
している必要があり、ポリエチレンを基体とする場合9
0℃以上望ましくは120℃程度の温度であることが要
求される。(低温では注入できない。) ところが、従来用いられている絶縁体は架橋剤としてジ
クミルパーオキサイドを含有しており、この架橋剤の半
減期温度は117℃(10時間)、137°C(1時間
)である。
従って、金型2に押出性大作業を行っている間に一方で
すでに架橋し、接続部が大サイズの場合には所定の形状
に注入及び成形することが容易ではなかった。
すでに架橋し、接続部が大サイズの場合には所定の形状
に注入及び成形することが容易ではなかった。
図において、4は絶縁体注入口を、5は脱気口を示す。
本発明は斯かる状況に鑑み、大サイズの架橋ポリエチレ
ン絶縁ケーブル接続部を正確かつ容易に得ることのでき
る製造法を提供することを目的とする。
ン絶縁ケーブル接続部を正確かつ容易に得ることのでき
る製造法を提供することを目的とする。
本発明の構成を、図面を参照して具体的に説明する。
まず、架橋ポリエチレンケーブルの導体を接続シ、適宜
内部導電層を施す。さらに絶縁テープをいくらか巻回す
るなどしてもよ゛く、ブロック絶縁体を被せてもよいが
、これらの補助絶縁体は何ら施さすともよい。
内部導電層を施す。さらに絶縁テープをいくらか巻回す
るなどしてもよ゛く、ブロック絶縁体を被せてもよいが
、これらの補助絶縁体は何ら施さすともよい。
この導体接続部1の上に金型2を被せ、絶縁体注入口4
から絶縁体を注入する。絶縁体はポリエチレンもしくは
エチレン酢酸ビニル共重合体とポリエチレンとの混合物
を基体とし、架橋剤として、2.5−ジメチル−2,5
−ジー(ターシャリブチルパーオキサイド)−ヘキシン
−3を基体100重量部に対して0.5〜3.5重量部
配合したものを用いる。
から絶縁体を注入する。絶縁体はポリエチレンもしくは
エチレン酢酸ビニル共重合体とポリエチレンとの混合物
を基体とし、架橋剤として、2.5−ジメチル−2,5
−ジー(ターシャリブチルパーオキサイド)−ヘキシン
−3を基体100重量部に対して0.5〜3.5重量部
配合したものを用いる。
また、さらに老化防止剤として、4.4′チオビス(6
−ターシャリブチル−3メチルフエノール)を0,05
〜0.5重量部配合してもよい。
−ターシャリブチル−3メチルフエノール)を0,05
〜0.5重量部配合してもよい。
このような絶縁体を注入した後、ヒータ3により温度を
高め、絶縁体を架橋成形口た後金型2を除去する。
高め、絶縁体を架橋成形口た後金型2を除去する。
もちろん適宜冷却は行うものとする。
架橋剤2.5−ジメチル−2,5−ジー(ターンヤリブ
チルパーオキサイド)−ヘキシン−3はその半減期温度
が127℃(10時間)、148℃(1時間)であり、
比較的高温でなければ架橋しない特性を有する。
チルパーオキサイド)−ヘキシン−3はその半減期温度
が127℃(10時間)、148℃(1時間)であり、
比較的高温でなければ架橋しない特性を有する。
まだ、前記老化防止剤は本来の老化防止の効果の他に架
橋を遅らせる効果を有するので、注入の過程で絶縁体が
架橋することを阻止することができる。
橋を遅らせる効果を有するので、注入の過程で絶縁体が
架橋することを阻止することができる。
以上説明したように本発明の製造法であれば、次のよう
な顕著な効果を奏する。
な顕著な効果を奏する。
(1)架橋剤として2.5−ジメチル−2,5−ジー(
ターシャリブチルパーオキサイド)−ヘキシン−6を配
合した絶縁体を用いているため、金型内に押出注入する
際に十分流動性のある温度にすることができ、注入作業
が容易である。
ターシャリブチルパーオキサイド)−ヘキシン−6を配
合した絶縁体を用いているため、金型内に押出注入する
際に十分流動性のある温度にすることができ、注入作業
が容易である。
(2)注入の過程ではあまり架橋が進行しないため、所
定の形状に正確に接続部を成形することができる。
定の形状に正確に接続部を成形することができる。
図は本発明を含む一般的な押出注入方式による架橋ポリ
エチレン絶縁ケーブル接続部の製造法を示す説明図であ
る。 1:導体接続部、2:金型、3:ヒータ、4:絶縁体注
入口、5:脱気口。
エチレン絶縁ケーブル接続部の製造法を示す説明図であ
る。 1:導体接続部、2:金型、3:ヒータ、4:絶縁体注
入口、5:脱気口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの導体接続部1に
金型2を被せ、ポリエチレンもしくはエチレン酢酸ビニ
ル共重合体とポリエチレンとの混合物を基体とし、該基
体に架橋剤として2.5ジメチル2.5−ジ(ターシャ
リブチルパーオキサイド)ヘキシン−3を配合した絶縁
体を金型2内に注入し、該絶縁体を架橋成形することを
特徴とする架橋ポリエチレン絶縁ケーブル接続部の製造
法。 2、基体100重量部に対し、2.5ジメチル2.5−
ジ(ターシャリブチルパーオキサイド)ヘキシン−6を
0.5〜6.5重量部配合した絶縁体を用いることを特
徴とする前項記載の架橋ポリエチレン絶縁ケーブル接続
部の製造法。 3、さらに老化防止剤として、4.4’チオビス(6−
ターシャリブチル−6メチルフエノール)を0.05〜
0.5重量部配合した絶縁体を用いることを特徴とする
前項記載の架橋ポリエチレン絶縁ケーブル接続部の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115612A JPS5816488A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブル接続部の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115612A JPS5816488A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブル接続部の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816488A true JPS5816488A (ja) | 1983-01-31 |
Family
ID=14666954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115612A Pending JPS5816488A (ja) | 1981-07-23 | 1981-07-23 | 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブル接続部の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816488A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6375823A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Toshiba Corp | 情報入力装置 |
| JPS6457124U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-10 |
-
1981
- 1981-07-23 JP JP56115612A patent/JPS5816488A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6375823A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Toshiba Corp | 情報入力装置 |
| JPS6457124U (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-10 |
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