JPS5820004A - ストリツプラインの製造方法 - Google Patents
ストリツプラインの製造方法Info
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- JPS5820004A JPS5820004A JP11986581A JP11986581A JPS5820004A JP S5820004 A JPS5820004 A JP S5820004A JP 11986581 A JP11986581 A JP 11986581A JP 11986581 A JP11986581 A JP 11986581A JP S5820004 A JPS5820004 A JP S5820004A
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- dielectric
- strip line
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/085—Triplate lines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仁の発明は、特性がすぐれたストリップラインの製造方
法に関する。゛ 第１図は通常のストリップラインｌを示し、アルミナも
ベリリアからなる誘電体基板２の一方主表面に中心電極
２が形成され、他方主表面に全面電極３が形成されたも
のである。
法に関する。゛ 第１図は通常のストリップラインｌを示し、アルミナも
ベリリアからなる誘電体基板２の一方主表面に中心電極
２が形成され、他方主表面に全面電極３が形成されたも
のである。
このような構造では、中心電極２の上方に誘電体基板２
のそれと異なるｌｌ竜率をもつたとえば空気が存在する
ため、■実効ｉｔが基板２のｇｒの騒〜騒に小さくなる
、■放射損失が生じる、■完全なＴＢＭモードにならず
準ＴＢＭモードになる、などの欠点がみる。
のそれと異なるｌｌ竜率をもつたとえば空気が存在する
ため、■実効ｉｔが基板２のｇｒの騒〜騒に小さくなる
、■放射損失が生じる、■完全なＴＢＭモードにならず
準ＴＢＭモードになる、などの欠点がみる。
そξで、■実効誘電率を大キくシてストリップラインを
小形にする、■放射損失をなくする、■完全な７１Ｍモ
ードにし、外界の影響を受けないようにして、設計が容
易になるようにする、などを目的として、片面に全面電
極を設けた一対の−電体基褌の他面間に中心電極を存在
さゼてなる構造のストリップラインが提案されている。
小形にする、■放射損失をなくする、■完全な７１Ｍモ
ードにし、外界の影響を受けないようにして、設計が容
易になるようにする、などを目的として、片面に全面電
極を設けた一対の−電体基褌の他面間に中心電極を存在
さゼてなる構造のストリップラインが提案されている。
とζろで、ストリップラインの損失α′は一般に次のよ
うに表される。
うに表される。
ａ＝卓ｄ＋αｃ＋ａｒ
Ｃξで、ａｄは誘電体基板の誘電損失、ａＣは電極の電
気抵抗による損失（銅損）、ａｒは放射損失である。零
発・明の実施例で用いる材料の−１は通常１Ｇ−’のオ
ーダーなので、ａに占めるａｄの大ｈ８はａＣやａｆに
比べて一般に小さい。また、ａｒは上述したような誘電
体基板間Ｇζ中心電極が存在する構造だと０″ｃＳある
。したがって銅損をでき、るだけ小さくすることがスト
リップラインの損失を小さくするξとにつながる。
気抵抗による損失（銅損）、ａｒは放射損失である。零
発・明の実施例で用いる材料の−１は通常１Ｇ−’のオ
ーダーなので、ａに占めるａｄの大ｈ８はａＣやａｆに
比べて一般に小さい。また、ａｒは上述したような誘電
体基板間Ｇζ中心電極が存在する構造だと０″ｃＳある
。したがって銅損をでき、るだけ小さくすることがスト
リップラインの損失を小さくするξとにつながる。
それゆえにこの発明の目的は、損失を小さくしたストリ
ップラインを提供することである。
ップラインを提供することである。
この発明の要旨は、片面に銀のような低械抗の材料から
なる全面電極を設けた一対の誘電体基板の他面間に銀の
ような低抵抗のｉ料からな虐會極を存在さゼて他面同士
をガラスグレーズで貼りつけることである。
なる全面電極を設けた一対の誘電体基板の他面間に銀の
ような低抵抗のｉ料からな虐會極を存在さゼて他面同士
をガラスグレーズで貼りつけることである。
この発明のその他の目的と特徴は以下にのべる実施例か
らもあきらかになる。
らもあきらかになる。
第２図はこの発明の一実施例で得られたものであり、１
１はストリップラインを用いるような高周波域で高いＱ
と高いｄｒｓ（ｙ：とえば５ｒ＝２０〜１００］をもつ
材料、たとえばＭｇＴｉ０３−ＣａＴｉＯ系ＺｒＯ，−
８ｎＯ，−ＴｉＯ２系、ＢａＴｉ４０．系、Ｎｄ、Ｔｉ
、Ｏ，−（ＢａＰｂ）Ｔｉｅ、−Ｔｉｅ２系誘電系材電
体材料る第１の誘電体、１２は、第１の誘１体１１と同
゛様の第２の誘電体、１３は銀を主成分とする中心電極
で、第１、第２の誘電体間に存在する。１４．１５は鎖
を主成分とする全面電極で、それぞれ第１１第２の誘電
体を介して中心電極１３と対となるよう第１１第２の誘
電体の表面に存在する。
１はストリップラインを用いるような高周波域で高いＱ
と高いｄｒｓ（ｙ：とえば５ｒ＝２０〜１００］をもつ
材料、たとえばＭｇＴｉ０３−ＣａＴｉＯ系ＺｒＯ，−
８ｎＯ，−ＴｉＯ２系、ＢａＴｉ４０．系、Ｎｄ、Ｔｉ
、Ｏ，−（ＢａＰｂ）Ｔｉｅ、−Ｔｉｅ２系誘電系材電
体材料る第１の誘電体、１２は、第１の誘１体１１と同
゛様の第２の誘電体、１３は銀を主成分とする中心電極
で、第１、第２の誘電体間に存在する。１４．１５は鎖
を主成分とする全面電極で、それぞれ第１１第２の誘電
体を介して中心電極１３と対となるよう第１１第２の誘
電体の表面に存在する。
つぎに、第３図にし１こがって製造方法を説明する。
上述しにような材料を用いて第１の誘電体１１の一方面
に中心電極膜１３を印刷、蒸着などの方法で形成する。
に中心電極膜１３を印刷、蒸着などの方法で形成する。
第１の誘電体１１の他方面には全面電極膜１４を印刷、
蒸着などの方法で形成する。！２の誘電体１２の一方面
に全面電極膜１５を印刷、蒸着などの方法で形成する。
蒸着などの方法で形成する。！２の誘電体１２の一方面
に全面電極膜１５を印刷、蒸着などの方法で形成する。
第２の誘電体１２の他方面と第１の誘電体１１の一方面
、すなわち中心電極膜１３が設けである面とをガラスグ
レーズを用い８００℃程度の温度で貼りつける。中心電
極１１１３は第４図に示すように複数個設けてもよいＶ
１第２〜３図や第４図のものをたとえば第５図に示すよ
うに複数層重ねて構成してもよい。
、すなわち中心電極膜１３が設けである面とをガラスグ
レーズを用い８００℃程度の温度で貼りつける。中心電
極１１１３は第４図に示すように複数個設けてもよいＶ
１第２〜３図や第４図のものをたとえば第５図に示すよ
うに複数層重ねて構成してもよい。
以上の実施例からもあきらかなように、この発明による
と、片面に全面電極を設けた一対の誘電体基板の他面間
に中心電極を存在させて他面同士をガラスグレーズで貼
りつけたので、放射損失のない構造において、銅損の少
ないｔことえば銀のような電極を用いることができ、さ
らに特性を向上さゼることができる。
と、片面に全面電極を設けた一対の誘電体基板の他面間
に中心電極を存在させて他面同士をガラスグレーズで貼
りつけたので、放射損失のない構造において、銅損の少
ないｔことえば銀のような電極を用いることができ、さ
らに特性を向上さゼることができる。
このような効果があるので、本発明は、たとえば分岐器
やフィルタに応用できるなど有益な発明である。
やフィルタに応用できるなど有益な発明である。
第１図は、従来例の側面図、第２図は、本発明一実施例
の側面図、第３図は、同、分解斜視図、第４図は、同、
変形例の側面図、第５図は、同、変形例の側面図である
。 １１は第１の誘電体、１２は第２の誘電体、１３は中心
電極、１４．１５は全面電極。 特許出願人 株式会社村田製作所 射／ＩＢ ゲｚｍ ４ ／４ ｈ４４−ｍ ５ 茅５ｍ
の側面図、第３図は、同、分解斜視図、第４図は、同、
変形例の側面図、第５図は、同、変形例の側面図である
。 １１は第１の誘電体、１２は第２の誘電体、１３は中心
電極、１４．１５は全面電極。 特許出願人 株式会社村田製作所 射／ＩＢ ゲｚｍ ４ ／４ ｈ４４−ｍ ５ 茅５ｍ
Claims (1)
- 片面に全面電極を設けた一対の誘電体基板の他面間に中
心電極を存在８Ｊ＃１て他面同士をガラスグレーズで貼
りつけたξとを特徴とする、ストリップラインの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11986581A JPS5820004A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ストリツプラインの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11986581A JPS5820004A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ストリツプラインの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820004A true JPS5820004A (ja) | 1983-02-05 |
| JPS6332282B2 JPS6332282B2 (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=14772178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11986581A Granted JPS5820004A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ストリツプラインの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820004A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609302U (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-22 | 株式会社東芝 | マイクロ波集積回路 |
| JPS6053302A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共振器 |
| JPS60248005A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-07 | Fujitsu Ltd | トリプレ−ト型回路の製造方法 |
| JPH0414302A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Res Dev Corp Of Japan | 超電導マイクロストリップ線路の作製方法 |
| JPH05299916A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ストリップライン共振器 |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP11986581A patent/JPS5820004A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609302U (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-22 | 株式会社東芝 | マイクロ波集積回路 |
| JPS6053302A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共振器 |
| JPS60248005A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-07 | Fujitsu Ltd | トリプレ−ト型回路の製造方法 |
| JPH0414302A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Res Dev Corp Of Japan | 超電導マイクロストリップ線路の作製方法 |
| JPH05299916A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ストリップライン共振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332282B2 (ja) | 1988-06-29 |
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