JPS58200513A - 磁気記憶媒体 - Google Patents
磁気記憶媒体Info
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- JPS58200513A JPS58200513A JP57083483A JP8348382A JPS58200513A JP S58200513 A JPS58200513 A JP S58200513A JP 57083483 A JP57083483 A JP 57083483A JP 8348382 A JP8348382 A JP 8348382A JP S58200513 A JPS58200513 A JP S58200513A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶媒体に関し、東に詳しくは金属薄膜か
らなる磁性合金に関する。
らなる磁性合金に関する。
現在実用化されている磁気記憶媒体は不連続媒体のもの
が主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、ａ−
Ｆｅ、０３． Ｃｒｙ、、 Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ等の磁性
体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散して、基
体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁気記憶媒
体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続である。
が主流である。この不連続媒体の磁気記憶媒体は、ａ−
Ｆｅ、０３． Ｃｒｙ、、 Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ等の磁性
体粒子を有機樹脂からなる結合剤中に混合分散して、基
体上に塗布・乾燥・焼成して製造するため、磁気記憶媒
体は磁性体粒子の大きさのレベルで不連続である。
しかし、近年磁気記憶媒体の高記録密度化の要ｒＩＩＫ
よ如、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研究開発が
盛んに行なわれている。この連続薄膜媒体は主にメッキ
、真空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法
により作られる金鵬薄嘆からなるものと、真空蒸着、ス
パッタ、イオンブレーティング等の手法により作られる
Ｆｅ、０．又はα−Ｆｅ、Ｏ，等の金属酸化物薄膜から
なるものが知られている。金属酸化物薄膜は残留磁束密
度が小さい丸め大きな再生出力が得られず高記録密度の
面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記憶媒体
（以下金属薄膜媒体と称する＞ｔ−Ｘ残留磁束密度が大
きく有望であるが、高温、高湿下の様な劣悪な雰囲気で
は腐食し易く、十分耐食性のある金属薄膜媒体はまだ知
られていない。
よ如、連続薄膜媒体からなる磁気記憶媒体の研究開発が
盛んに行なわれている。この連続薄膜媒体は主にメッキ
、真空蒸着、スパッタ、イオンブレーティング等の手法
により作られる金鵬薄嘆からなるものと、真空蒸着、ス
パッタ、イオンブレーティング等の手法により作られる
Ｆｅ、０．又はα−Ｆｅ、Ｏ，等の金属酸化物薄膜から
なるものが知られている。金属酸化物薄膜は残留磁束密
度が小さい丸め大きな再生出力が得られず高記録密度の
面で制約を受ける。他方金属薄膜からなる磁気記憶媒体
（以下金属薄膜媒体と称する＞ｔ−Ｘ残留磁束密度が大
きく有望であるが、高温、高湿下の様な劣悪な雰囲気で
は腐食し易く、十分耐食性のある金属薄膜媒体はまだ知
られていない。
本発明の目的は上述の現況に鑑み、大きな残留磁束密度
を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を提供
するものである。
を有しかつ耐食性がきわめて優れた金属薄膜媒体を提供
するものである。
すなわち本発明の金属薄膜媒体は白金を７〜４０原子パ
ーセント含むコバルトの合金からなっている。
ーセント含むコバルトの合金からなっている。
本発明の金属薄膜媒体は抗磁力（Ｈｅ）３００〜２００
０ ｃｅ （工ｐｙテッド）、飽和磁束密度（Ｂｓ ）
８．５００〜１４，０００ Ｇ （ガウス）、角形比（
Ｂｒ／Ｂｓ）０．７〜０．９．保磁力角形比（Ｓ”）０
．７〜０．９の範囲の磁気記録媒体として優れたとステ
リシス特性を示す。
０ ｃｅ （工ｐｙテッド）、飽和磁束密度（Ｂｓ ）
８．５００〜１４，０００ Ｇ （ガウス）、角形比（
Ｂｒ／Ｂｓ）０．７〜０．９．保磁力角形比（Ｓ”）０
．７〜０．９の範囲の磁気記録媒体として優れたとステ
リシス特性を示す。
上記特性はコバルト中の白金の量及び膜厚に大きく依存
する。
する。
第１図は抗磁力のコバルト中の白金の原子パーセントに
よる変化を示した毛ので白金７〜４０原子パーセントの
範囲で高記録密度可能な磁気記憶媒体として使用出来る
。
よる変化を示した毛ので白金７〜４０原子パーセントの
範囲で高記録密度可能な磁気記憶媒体として使用出来る
。
第２図は飽和磁束密度のコバルト中の白金の原子パーセ
ントによる変化を示したもので白金７〜４０原子パーセ
ントの範囲で９８００〜１４０００ Ｇ（ガウス）と大
きな値が得られている。
ントによる変化を示したもので白金７〜４０原子パーセ
ントの範囲で９８００〜１４０００ Ｇ（ガウス）と大
きな値が得られている。
第３図は抗磁力の膜厚による変化を示した奄ので膜厚が
薄い程Ｈｃが高くなっており、より高配録密ｆＫ適した
特性が得られる。
薄い程Ｈｃが高くなっており、より高配録密ｆＫ適した
特性が得られる。
以上の様に本発明の白金７〜４０原子パ一セント含有コ
バルト合金からなる金属薄膜が磁気記録媒体として優れ
ていることが分った。
バルト合金からなる金属薄膜が磁気記録媒体として優れ
ていることが分った。
一般に永久磁石に使われている白金コバルト磁石の組成
がコバルト中の白金が４２〜７３原子パーセント（一般
には５０原子囁）であることから、白金７〜４０原子パ
ーセントの領域で優れた金属薄膜媒体が得られ九ことは
罵〈べきことである。
がコバルト中の白金が４２〜７３原子パーセント（一般
には５０原子囁）であることから、白金７〜４０原子パ
ーセントの領域で優れた金属薄膜媒体が得られ九ことは
罵〈べきことである。
次にいくつかの例をあげて本発明を説明する。
実施例１
直径１００ｕ厚さ１■のＣｏターゲット上に５ｍｘ４ｓ
ｍ厚さ０．１ ｗｘ−ｆ） Ｐｔ素片を面積比Ｃｏ／Ｐ
ｉ＝４．５となる様に配置し、スパッタ装置内に設置さ
れる。次ｃｄ基板をターゲットから４．５１隔離して設
置した後、２×１０−ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で陽
極電圧２．２ＫＶ％町電圧３００Ｗにてスパッタ時間各
１０秒、１分、３分、６分、１０分の間室温にてスパッ
タを行ない白金を２０原子パーセント含むコバルト合金
薄膜−ｖｔＪ基板上に付着させてサンプルを作っ九。そ
れぞれのサンプルの膜厚はｓｏｕ、’ａｏｏλ、ｔａｏ
ｏＡ、ｔｓｏｏｕ、ａｏｏｏ大でありヒステリシス特性
は抗磁率それぞれ２０００ａｅ、１７００ａｅ、 １１
１０ｏｅ、 ８５０ａｅ、 ７００ ａｅであシ、角形
比（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．９から０．７、飽和磁束密
ｆは１１４００Ｇａｕｓｓであッｆｔ、。
ｍ厚さ０．１ ｗｘ−ｆ） Ｐｔ素片を面積比Ｃｏ／Ｐ
ｉ＝４．５となる様に配置し、スパッタ装置内に設置さ
れる。次ｃｄ基板をターゲットから４．５１隔離して設
置した後、２×１０−ｔｏｒｒのアルゴン雰囲気中で陽
極電圧２．２ＫＶ％町電圧３００Ｗにてスパッタ時間各
１０秒、１分、３分、６分、１０分の間室温にてスパッ
タを行ない白金を２０原子パーセント含むコバルト合金
薄膜−ｖｔＪ基板上に付着させてサンプルを作っ九。そ
れぞれのサンプルの膜厚はｓｏｕ、’ａｏｏλ、ｔａｏ
ｏＡ、ｔｓｏｏｕ、ａｏｏｏ大でありヒステリシス特性
は抗磁率それぞれ２０００ａｅ、１７００ａｅ、 １１
１０ｏｅ、 ８５０ａｅ、 ７００ ａｅであシ、角形
比（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．９から０．７、飽和磁束密
ｆは１１４００Ｇａｕｓｓであッｆｔ、。
実施例２
実施例１と同様にして但しＣｏとＰｔの面積比Ｃｏ／Ｐ
ｉ ＝ ２．６８として白金を３０ｓ含むコバルト合金
薄膜を５０＾、３００Ａ、９０ＧＡ、１８００Ａ、３０
００Ａの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作り九。
ｉ ＝ ２．６８として白金を３０ｓ含むコバルト合金
薄膜を５０＾、３００Ａ、９０ＧＡ、１８００Ａ、３０
００Ａの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作り九。
各サンプルのヒステリシス特性は抗磁率１４００Ｇ！。
１１００ａｅ、 ７００ｃｅ、 ５５０＠、 ５５０ｏ
ｅであり角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ ） １１０．９から０
．７飽和磁束密ｆは９９００Ｇａｕｓｓであった・ 実施例３ 実施例１と同様圧して但しＣｏとＰｉの面積比αゾＰＩ
−１，７２として白金を４０饅含むコバルト合金薄膜
を５０＾、３００大、９００λ、 １ｓｏｏｆ、 ３ｏ
ｏｏＡの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。
ｅであり角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ ） １１０．９から０
．７飽和磁束密ｆは９９００Ｇａｕｓｓであった・ 実施例３ 実施例１と同様圧して但しＣｏとＰｉの面積比αゾＰＩ
−１，７２として白金を４０饅含むコバルト合金薄膜
を５０＾、３００大、９００λ、 １ｓｏｏｆ、 ３ｏ
ｏｏＡの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。
各サンプルのヒステリシス特性は抗磁率５５０Ｑ！。
４５Ｇ＠、４５０ｏｅ、３４０ａｅ、３００ｏｅ、２８
０ｏｅであり角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．８から０
．６飽和磁束密度は＄５００Ｇａｕａｓであり九。
０ｏｅであり角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．８から０
．６飽和磁束密度は＄５００Ｇａｕａｓであり九。
実施例４
実施例１と同様にして但しＣＯとＰｔの面積比Ｃｏ／Ｐ
ｉ −ＩＱ、３３として白金を１〇−含むコバルト合金
薄膜をｓｏｕ、３００ム、９００＾、１８００λ、３０
００Ａの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。
ｉ −ＩＱ、３３として白金を１〇−含むコバルト合金
薄膜をｓｏｕ、３００ム、９００＾、１８００λ、３０
００Ａの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。
各サンプルのヒステリシス特性は抗磁率１０００ｏｅ。
８５０＠、（ｉＱＱｏｅ、５５０ｃ＊、５２０ｏｅであ
り角形比（Ｂｒ／ ａｓ ）は０．９から０．７であっ
た。飽和磁束密度は１３５００Ｇａｕｓｓであツタ。
り角形比（Ｂｒ／ ａｓ ）は０．９から０．７であっ
た。飽和磁束密度は１３５００Ｇａｕｓｓであツタ。
実施例５
実施ｆｉ１１と同様にして但しＣＯとＰｔの面積比Ｃｏ
／Ｐｔ＝１５．２４として白金を７％含むコバルト合金
薄膜を５ｏＬ３ｏｏ大、９００大、１８００又、３００
０Ａの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。各
サンプルのヒステリシス特性は抗磁車５００ｏｅ。
／Ｐｔ＝１５．２４として白金を７％含むコバルト合金
薄膜を５ｏＬ３ｏｏ大、９００大、１８００又、３００
０Ａの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。各
サンプルのヒステリシス特性は抗磁車５００ｏｅ。
４００ｗ、３２０ａｅ、３００ｏｅ、３００ｏｅであ）
角形化（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．８から０．６であった
。飽和磁束密［は１４０００ Ｇａｕｓｓであった。
角形化（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．８から０．６であった
。飽和磁束密［は１４０００ Ｇａｕｓｓであった。
比較例１
実施例１と同様にして但しＣｏとＰｔの面積比ＣＯ／Ｐ
ｉ−２１，７９として白金を５９１含むコバルト合金薄
膜を５０１．３００に、５ｏｏｉ、ｘｓｏｏＡ、３００
０大の膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。各
サンプルのヒステリシス特性は尻出率２００ａｅ。
ｉ−２１，７９として白金を５９１含むコバルト合金薄
膜を５０１．３００に、５ｏｏｉ、ｘｓｏｏＡ、３００
０大の膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。各
サンプルのヒステリシス特性は尻出率２００ａｅ。
１５０■、１２０ω、１２０毫、１２０■であり角形比
（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．６から０．゛５飽和磁束密度
は１４２００ Ｇａｕｓｓ テ４ツタ。
（Ｂｒ／ Ｂｓ ）は０．６から０．゛５飽和磁束密度
は１４２００ Ｇａｕｓｓ テ４ツタ。
比較例２
実施例１と同様にして但しＣＯとＰｔの面積比Ｃｏ／Ｐ
ｔ＝１．１５として白金を５０憾含むコバルト合金薄膜
を５０！、３００大、９００Ｘ、ｔｓｏｏ大、３０００
にのの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。
ｔ＝１．１５として白金を５０憾含むコバルト合金薄膜
を５０！、３００大、９００Ｘ、ｔｓｏｏ大、３０００
にのの膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。
各サンプルのヒステリシス、：特性は尻出車２００艶。
１５０ ａｅ 、 １２０ ｏｅ、 １２０ ｃｅ、
１２０ ａｅであり飽和磁束密度は７５００ Ｇａｕｓ
ｓであった。
１２０ ａｅであり飽和磁束密度は７５００ Ｇａｕｓ
ｓであった。
比較例３
実施例１と同様にして但しＣＯとｐｔの面積比Ｃｏ／Ｐ
ｔ＝０．７６として白金を６０チ含むコバルト合金薄膜
を５０に、３００に、９００！、１８００大、３０００
＾の膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。各サ
ンプルのヒステリシス特性は尻出″＊２００ｏｅ。
ｔ＝０．７６として白金を６０チ含むコバルト合金薄膜
を５０に、３００に、９００！、１８００大、３０００
＾の膜厚でそれぞれ付着させてサンプルを作った。各サ
ンプルのヒステリシス特性は尻出″＊２００ｏｅ。
１５０偲、１２０軸、１２０■、１２０第であり飽和磁
束密度は６３００ Ｇａｕｓｓであった。
束密度は６３００ Ｇａｕｓｓであった。
以上の結果から磁気記憶媒体として使用出来るのは白金
が７から４０原子パーセントを含むコバルト合金薄膜で
あることが分った。又、実施例１から５及び比較例１か
ら３のサンプルを２３℃のイオン交換水に侵潰し腐食状
態を調べた。第４図に飽和磁束密度の浸漬時間による変
化率を示した。
が７から４０原子パーセントを含むコバルト合金薄膜で
あることが分った。又、実施例１から５及び比較例１か
ら３のサンプルを２３℃のイオン交換水に侵潰し腐食状
態を調べた。第４図に飽和磁束密度の浸漬時間による変
化率を示した。
白金含有率７原子パ一セント以上のサンプルで耐食性の
向上が見られ始め、１０原子パーセントから２０原子パ
ーセントでかなりの耐食性の向上が見られる。２５原子
パ一セント以上では全く鵜食が生じないことが分った。
向上が見られ始め、１０原子パーセントから２０原子パ
ーセントでかなりの耐食性の向上が見られる。２５原子
パ一セント以上では全く鵜食が生じないことが分った。
以上の様に白金を７から４０）ｊｊＬ子パーセント含む
コバルト合金薄膜は、磁気記憶媒体として優れた磁気特
性と耐食性を有していることが分った。
コバルト合金薄膜は、磁気記憶媒体として優れた磁気特
性と耐食性を有していることが分った。
なお前記のサンプルＸＭＡにて組成分析した結果、ター
ゲットの面積比から計算し九組成と全く一致し、組成の
均一性も十分に有ることが分った。
ゲットの面積比から計算し九組成と全く一致し、組成の
均一性も十分に有ることが分った。
第１図は磁気記憶媒体におけるコバルト中の白金の原子
パーセントによる抗磁力の変化を示した説明図である。 第２図は磁気記憶媒体におけるコバルト中の白金の原子
パーセントによる飽和磁束密度の変化を示した説明図で
ある。 第３図は磁気配憶媒体におけるコバルト−白金合金の膜
厚による抗磁力の変化を示した説明図である。 第４図はコバルト−白金合金からなる磁気記憶媒体の水
浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した説明図で
ある。 垢 ｌ 口 Ｐｔ 鉦ｔｒ ％） 誓 ｙｇ褪照り一ン幕
パーセントによる抗磁力の変化を示した説明図である。 第２図は磁気記憶媒体におけるコバルト中の白金の原子
パーセントによる飽和磁束密度の変化を示した説明図で
ある。 第３図は磁気配憶媒体におけるコバルト−白金合金の膜
厚による抗磁力の変化を示した説明図である。 第４図はコバルト−白金合金からなる磁気記憶媒体の水
浸漬時間による飽和磁束密度の変化率を示した説明図で
ある。 垢 ｌ 口 Ｐｔ 鉦ｔｒ ％） 誓 ｙｇ褪照り一ン幕
Claims (1)
- １、 金属薄膜からなる磁気記憶媒体において、上記
金属薄膜が白金を７原子パーセントから４０原子パーセ
ント含み残りがコバルトからなることを特徴とする磁気
記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083483A JPS58200513A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 磁気記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57083483A JPS58200513A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 磁気記憶媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58200513A true JPS58200513A (ja) | 1983-11-22 |
Family
ID=13803712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57083483A Pending JPS58200513A (ja) | 1982-05-18 | 1982-05-18 | 磁気記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58200513A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137720A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体 |
| US5180640A (en) * | 1990-10-01 | 1993-01-19 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium comprising a magnetic alloy layer of cobalt nickel, platinum and chromium formed directly on a nickel alloy amorphous underlayer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50140899A (ja) * | 1974-05-01 | 1975-11-12 | ||
| JPS58147540A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Hitachi Ltd | 薄膜永久磁石の製造方法 |
-
1982
- 1982-05-18 JP JP57083483A patent/JPS58200513A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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