JPS58201325A - セラミツクパツケ−ジの封止方法 - Google Patents
セラミツクパツケ−ジの封止方法Info
- Publication number
- JPS58201325A JPS58201325A JP57086118A JP8611882A JPS58201325A JP S58201325 A JPS58201325 A JP S58201325A JP 57086118 A JP57086118 A JP 57086118A JP 8611882 A JP8611882 A JP 8611882A JP S58201325 A JPS58201325 A JP S58201325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- film
- substrate
- soft error
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の技術分野
本発明はＩＣなどの半導体装置の製造方法に関し、特に
セフミツクバッグ−ジの封止方法に関する。
セフミツクバッグ−ジの封止方法に関する。
（ロ）従来枝素と間趙点
従来より、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置には色々のバ
ッグージ（容ａ）が用いられているが、バツｒ−ｓ７材
料としてはセフミックとプラスチックとに大別される。
ッグージ（容ａ）が用いられているが、バツｒ−ｓ７材
料としてはセフミックとプラスチックとに大別される。
そのうち、セフミックはプラスチックに比べて高−であ
るが、高温度でも耐湿性が良くて絶縁性が高いため通値
機器の中枢部は殆んどセフミック製が用いられる。
るが、高温度でも耐湿性が良くて絶縁性が高いため通値
機器の中枢部は殆んどセフミック製が用いられる。
このようなセフミックバッグージにおいて、半導体チッ
プが取）付けられたセフミック晶体にキャップを！＃着
する封止方法は、対土帯域にｆ−田。
プが取）付けられたセフミック晶体にキャップを！＃着
する封止方法は、対土帯域にｆ−田。
金シリコン共晶合金あるいは低一点ガフスを塗布し、こ
れを溶融して融着させ、気密封止にしているが、七の融
着にはＩ４温熱魅場炉が使用される。
れを溶融して融着させ、気密封止にしているが、七の融
着にはＩ４温熱魅場炉が使用される。
即ち、半導体チップを含むパッグーシ全体が８８０〜４
００℃の高温度に加熱されて融着される。そのため、４
０Ｄ１ｃ１２）温度より低い溶融点をもつ材料又はその
温度以上で灰質する材料を半導体装置内に含ませること
ができない。
００℃の高温度に加熱されて融着される。そのため、４
０Ｄ１ｃ１２）温度より低い溶融点をもつ材料又はその
温度以上で灰質する材料を半導体装置内に含ませること
ができない。
一方、セブミツクバツｒ−νは上記のようＩＩｃ非常に
＠餉性の高いバッグ−νではあるが、セラ１ツク中に含
有するａｍの放射性元素の丸め、ａ線が照射されてメモ
リ機能を狂わせるいわゆるソフトエフ−が発生すること
が知られている。したがって、近年はそのソフトエフ−
防止のために、半導体チップ表面にプラスチック（有機
樹脂＞ｙａが塗布されるか、上記のようにＳ＆温熱処場
炉−Ｌ融着しなければならないため、このようなソフト
エフ−防止膜としては４００℃の高ａ！度にも充分に耐
えて変質しないポリイミド膜に限定される。
＠餉性の高いバッグ−νではあるが、セラ１ツク中に含
有するａｍの放射性元素の丸め、ａ線が照射されてメモ
リ機能を狂わせるいわゆるソフトエフ−が発生すること
が知られている。したがって、近年はそのソフトエフ−
防止のために、半導体チップ表面にプラスチック（有機
樹脂＞ｙａが塗布されるか、上記のようにＳ＆温熱処場
炉−Ｌ融着しなければならないため、このようなソフト
エフ−防止膜としては４００℃の高ａ！度にも充分に耐
えて変質しないポリイミド膜に限定される。
しかしながら、ポリイミドを塗布すれば、そのキュアの
ために同程度の温度に加熱する必要があシ、再三の高温
度熱処理は高密度ダイナミックＲＡＭのような半導体素
子の特性に決して良い影響を与えるものではない。また
、その処理工数も多く、更にポリイミドは特に高価であ
る。一般に絶縁性の良いプラスチック膜にエポキシ系あ
るいはシリコーン系があり、プラスチツブ刺止に汎く利
用されている。
ために同程度の温度に加熱する必要があシ、再三の高温
度熱処理は高密度ダイナミックＲＡＭのような半導体素
子の特性に決して良い影響を与えるものではない。また
、その処理工数も多く、更にポリイミドは特に高価であ
る。一般に絶縁性の良いプラスチック膜にエポキシ系あ
るいはシリコーン系があり、プラスチツブ刺止に汎く利
用されている。
（Ｑ） 発明の目的
本発明はこのような問題点を解消させるため、ソフトエ
ラー防止膜展として、低温度でキュアする一般の絶縁性
１ｉ１１１ｉｄをも用いることができる封止方法を提案
するものである。
ラー防止膜展として、低温度でキュアする一般の絶縁性
１ｉ１１１ｉｄをも用いることができる封止方法を提案
するものである。
■ 発明ＯＷ４成
その目的は、セラミック基体とキャップとの封止帯をレ
ーザビーム等のエネルギー線で走査し、封着材を溶融し
封着する封止方法によって達成される。
ーザビーム等のエネルギー線で走査し、封着材を溶融し
封着する封止方法によって達成される。
（６）発明の実施例
以下、実施例によって詳細に説明する。第１図はＢＩＴ
！１多層セフミツクパッグーνの断面図を示しており、
半導体チップ１がセフミック基体２に取シ付けられ配線
されてお〕、このようなセフミック基体２にセフミック
キャンプ８を低融点ガラス礁を溶融して封着する。その
際、パック−ジ全体を熱処理することなく、レーザビー
ふを封止帯に照射し走査して、一時に低融点ガフス４を
溶解し封止させる０例えばＣＷ形廣酸ガスレーサを用い
て、ビーム径をｌＯＯμ篩、出力５０Ｗとして１１の速
度で走査する。第２図は第１図のセツ電ツクパッｒ−シ
０ＸＦ−面図であるが、ビーム走査は図示の矢印方向に
行なう、そうすると、半導体チップ表面のンフトエフー
防止ＩＩＩＩｓｏ温度が６０℃以上に上昇することはな
くなる。
！１多層セフミツクパッグーνの断面図を示しており、
半導体チップ１がセフミック基体２に取シ付けられ配線
されてお〕、このようなセフミック基体２にセフミック
キャンプ８を低融点ガラス礁を溶融して封着する。その
際、パック−ジ全体を熱処理することなく、レーザビー
ふを封止帯に照射し走査して、一時に低融点ガフス４を
溶解し封止させる０例えばＣＷ形廣酸ガスレーサを用い
て、ビーム径をｌＯＯμ篩、出力５０Ｗとして１１の速
度で走査する。第２図は第１図のセツ電ツクパッｒ−シ
０ＸＦ−面図であるが、ビーム走査は図示の矢印方向に
行なう、そうすると、半導体チップ表面のンフトエフー
防止ＩＩＩＩｓｏ温度が６０℃以上に上昇することはな
くなる。
したがって、ソフトエラー防止膜６として約２００℃で
キュアするエポキシ系わるいはシリコーン系の有機樹脂
を用いることが可能となる これらの樹脂は約２５０℃
の温度までは変質することなく、また絶縁性は極めて良
好な材料である。
キュアするエポキシ系わるいはシリコーン系の有機樹脂
を用いることが可能となる これらの樹脂は約２５０℃
の温度までは変質することなく、また絶縁性は極めて良
好な材料である。
且つ、従来のポリイミド族は粘性が大きく塗布し、キュ
アする時に配線ワイヤを断線させる量線があう九が、エ
ポキＶｉＡあるいはシリコーン系樹脂はプラスチック封
止法で公知のようにキュアする時に断線の事故は皆無で
ある。
アする時に配線ワイヤを断線させる量線があう九が、エ
ポキＶｉＡあるいはシリコーン系樹脂はプラスチック封
止法で公知のようにキュアする時に断線の事故は皆無で
ある。
上記実施例は封着材を低融点ガラスとした例であるが、
金シリコン共晶合金その他の金属線材を用いても両様に
レーザ光、電子ビーム、イオンビーム、又は集光された
赤外線ランプなどのエネルギー線を用いて封止すること
ができる。
金シリコン共晶合金その他の金属線材を用いても両様に
レーザ光、電子ビーム、イオンビーム、又は集光された
赤外線ランプなどのエネルギー線を用いて封止すること
ができる。
の 発明の効果
以上の説明から判るように１１本発明によれば半導体チ
ップのｆＭ面保護貞が限定されることがなくなるため、
製厘コストが低下して、更にｔＭＭ性も教養される極め
て自効な封止方法と貫える。
ップのｆＭ面保護貞が限定されることがなくなるため、
製厘コストが低下して、更にｔＭＭ性も教養される極め
て自効な封止方法と貫える。
第１図はセラミックパッグージの断面図、第２図はそｏ
ＸＦｍ図である。図中、ｌは半導体チップ。 雪はセフミック基体、ｌはセフミックキャップ。 鴫は低融点Ｉラス、Ｓはソフトエフ−防止膜を示す。
ＸＦｍ図である。図中、ｌは半導体チップ。 雪はセフミック基体、ｌはセフミックキャップ。 鴫は低融点Ｉラス、Ｓはソフトエフ−防止膜を示す。
Claims (1)
- セフミック基体とキャップとの封止＃をエネルギー線で
走査し、封着材を溶融し封着する工程が含まれてなるこ
とを特徴とするセフミックバッグージの封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086118A JPS58201325A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | セラミツクパツケ−ジの封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57086118A JPS58201325A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | セラミツクパツケ−ジの封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201325A true JPS58201325A (ja) | 1983-11-24 |
| JPH0419708B2 JPH0419708B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=13877775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57086118A Granted JPS58201325A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | セラミツクパツケ−ジの封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201325A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216168A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-07 | Hitachi Ltd | Sealing method of semiconductor device |
| JPS5639188A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Toshiba Corp | Welding methos of vessel |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP57086118A patent/JPS58201325A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216168A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-07 | Hitachi Ltd | Sealing method of semiconductor device |
| JPS5639188A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Toshiba Corp | Welding methos of vessel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0419708B2 (ja) | 1992-03-31 |
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