JPS582032A - 有機薄膜形成法 - Google Patents
有機薄膜形成法Info
- Publication number
- JPS582032A JPS582032A JP56099764A JP9976481A JPS582032A JP S582032 A JPS582032 A JP S582032A JP 56099764 A JP56099764 A JP 56099764A JP 9976481 A JP9976481 A JP 9976481A JP S582032 A JPS582032 A JP S582032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- reactor
- organic thin
- plasma polymerization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/68—Organic materials, e.g. photoresists
- H10P14/683—Organic materials, e.g. photoresists carbon-based polymeric organic materials, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は有機薄膜形成法に関′シ、さらに詳しく述べる
と、形成される有機薄膜の基板に対する密着力がすぐれ
て良好な、プラズマ重合法による有機薄膜形成法に関す
る。
と、形成される有機薄膜の基板に対する密着力がすぐれ
て良好な、プラズマ重合法による有機薄膜形成法に関す
る。
各抛電子デバイス、光学部品等の製造において、基板上
への有機薄膜の形成方法のひとつとしてプラズマ重合法
が用いられていることは周知の通シである。プラズマ重
合法は、一般に１有機薄膜形成のための追歯なモノマー
のガスをグロー放電によシ励起し、よって、その七ツマ
−を重合させることからなっている。しかしながら、こ
のようにしてポリマーの有機薄膜を基板上に被着せしめ
た場合、従来の方法では基板に対する有機薄膜の密着力
が悪い場合が生ずることが判明している。かかる密着力
低下の原因としては、先ず、プラズマ重合工程に先がけ
て行なわれる基板表面の洗浄工が考えられる。なぜなら
、基板の表面に付着している各糧の汚染、たとえば、油
膜、塵埃、手垢ガどを除去するために例えばアセトンな
どのような有機溶剤による洗浄又は例えば界面活性剤な
どのような洗剤による洗浄が行なわれているけれども、
このような洗浄では付着した汚染を完全に除去し難いか
らである。基板の密着力低下は、すなわち、歩留りの低
下をも意味している。
への有機薄膜の形成方法のひとつとしてプラズマ重合法
が用いられていることは周知の通シである。プラズマ重
合法は、一般に１有機薄膜形成のための追歯なモノマー
のガスをグロー放電によシ励起し、よって、その七ツマ
−を重合させることからなっている。しかしながら、こ
のようにしてポリマーの有機薄膜を基板上に被着せしめ
た場合、従来の方法では基板に対する有機薄膜の密着力
が悪い場合が生ずることが判明している。かかる密着力
低下の原因としては、先ず、プラズマ重合工程に先がけ
て行なわれる基板表面の洗浄工が考えられる。なぜなら
、基板の表面に付着している各糧の汚染、たとえば、油
膜、塵埃、手垢ガどを除去するために例えばアセトンな
どのような有機溶剤による洗浄又は例えば界面活性剤な
どのような洗剤による洗浄が行なわれているけれども、
このような洗浄では付着した汚染を完全に除去し難いか
らである。基板の密着力低下は、すなわち、歩留りの低
下をも意味している。
本発明者らは、上述のような欠点を伴なう従来の洗浄法
に代るかもしく癲それを補完し得る新しい前処理方法を
開発すべく研究金行なった結果、引き続くプラズマ重合
工程と同一の装置内で実施することのできる新しい夛イ
グの前処理方法を見い出した。この本発明による方法は
、基板上に有機薄膜を形成するためにプラズマ重合を行
なう場合、その重合工程に先がけて、但し、それと同一
の装置内で、前記基板の表ｔｈｌを非薄膜形成性のガー
スのプラズマにさらすことからなっている。ζこで、′
非薄膜形成性”とは、その用語を本龜明細書において用
いた場合、基板の表面に薄膜を形成し得ないかもしくは
むしろその表面をエツチングし得ることを指してｉる。
に代るかもしく癲それを補完し得る新しい前処理方法を
開発すべく研究金行なった結果、引き続くプラズマ重合
工程と同一の装置内で実施することのできる新しい夛イ
グの前処理方法を見い出した。この本発明による方法は
、基板上に有機薄膜を形成するためにプラズマ重合を行
なう場合、その重合工程に先がけて、但し、それと同一
の装置内で、前記基板の表ｔｈｌを非薄膜形成性のガー
スのプラズマにさらすことからなっている。ζこで、′
非薄膜形成性”とは、その用語を本龜明細書において用
いた場合、基板の表面に薄膜を形成し得ないかもしくは
むしろその表面をエツチングし得ることを指してｉる。
本発明を実施する場合、グッズマ化するガスとしてプラ
ズマエツチング又はヌパッタエッｔ ン／に常用されて
いるエッチングガーｘｔ−有利に利用することができる
（本発明による前処理工程は洗浄工程のなかに従来のグ
ッズマエッチング又＃ｉヌパッタエッチングの思想を導
入したものであるから）。
ズマエツチング又はヌパッタエッｔ ン／に常用されて
いるエッチングガーｘｔ−有利に利用することができる
（本発明による前処理工程は洗浄工程のなかに従来のグ
ッズマエッチング又＃ｉヌパッタエッチングの思想を導
入したものであるから）。
具体的には、非薄膜形成性のガスとして、ｃｒ４ 。
ＣＦＡ 十 ０２ ｍ ０２ １ Ｆ２ ｅ
ＣｘＷｂ ｒ ＣｌＦ５ ｅ Ｃ１１Ｆ１
゜ＣＣｌＦ５ −’ ＣＣｌ２Ｆ３ 、 ＣＣ
ｌ３ ａ ＢＣｌ２ ｅ ＰＣｔｉ ＠Ａ
ｒ などｔ−あげることができる。このよりなガスは
、使用する基板の性質及び引き続いて実施するｆラズＴ
重合工程の詳細などを考慮して、適宜選択して使用する
ことができる。例えば、ＣＦ４ガスの場合、シリコン基
板では、次のような反応が進行してシリコン基板表面の
清浄化とその表面の軽度の二ッ−チングとが同時に達成
されるものと考えられる。
ＣｘＷｂ ｒ ＣｌＦ５ ｅ Ｃ１１Ｆ１
゜ＣＣｌＦ５ −’ ＣＣｌ２Ｆ３ 、 ＣＣ
ｌ３ ａ ＢＣｌ２ ｅ ＰＣｔｉ ＠Ａ
ｒ などｔ−あげることができる。このよりなガスは
、使用する基板の性質及び引き続いて実施するｆラズＴ
重合工程の詳細などを考慮して、適宜選択して使用する
ことができる。例えば、ＣＦ４ガスの場合、シリコン基
板では、次のような反応が進行してシリコン基板表面の
清浄化とその表面の軽度の二ッ−チングとが同時に達成
されるものと考えられる。
ＣＦ４→ＣＦｙ、 十Ｆ
８１ ＋ ４Ｆ−＋ ＳｉＦ４ ↑さらに１
本発明において、基板の種類は少しも問題ではない。し
たがって、例えばｇｌ ｅ ８１０２ ＊Ａｔ ＋ Ｃ
ｒ ｔ Ａｕ ＊ Ｔｉ 、 Ｗ ＊ ＧａＡｓ 、
各種ガラスなどのような各種の基板に本発明を適用する
ことができる。なお、基板の表面を非薄膜形成性のがス
のプラズマにさらす際の条件であるが、先に述べたよう
なグラズマエッチング又は２ノ量ツタエツチングの条件
に準じて、但し、過度のエツチングが行なわれないよう
に考慮して、決定することができる。
本発明において、基板の種類は少しも問題ではない。し
たがって、例えばｇｌ ｅ ８１０２ ＊Ａｔ ＋ Ｃ
ｒ ｔ Ａｕ ＊ Ｔｉ 、 Ｗ ＊ ＧａＡｓ 、
各種ガラスなどのような各種の基板に本発明を適用する
ことができる。なお、基板の表面を非薄膜形成性のがス
のプラズマにさらす際の条件であるが、先に述べたよう
なグラズマエッチング又は２ノ量ツタエツチングの条件
に準じて、但し、過度のエツチングが行なわれないよう
に考慮して、決定することができる。
本発明に従うと、基板上に付着してい友汚染物をプラズ
マ重合工程に先がけて完全に除去することができるので
基板表面上への有機薄膜の密着力を著しく改良すること
ができ、また、このような汚染除去のための装置として
引き続いて実施するプラズマ重合のためのそれを利用す
ることができるのでかかる前処理工程を簡便化すること
ができる。結果として、得られる製品の信頼性及び生産
性を大幅に高めることができる。
マ重合工程に先がけて完全に除去することができるので
基板表面上への有機薄膜の密着力を著しく改良すること
ができ、また、このような汚染除去のための装置として
引き続いて実施するプラズマ重合のためのそれを利用す
ることができるのでかかる前処理工程を簡便化すること
ができる。結果として、得られる製品の信頼性及び生産
性を大幅に高めることができる。
次に、下記の実施例によって本発明をさらに峰しく説明
する。
する。
例１：
本例ではＳｔ基板の洗浄について説明する。
準備したＳｔ基板をトリクロロエチレンにより１０分間
にわたって超音波洗浄した後、引き続くグッズマ重合用
の反応器に収容した。反応器内の真空度が１０”’ Ｔ
ｏｒｒになるまで排気し、そして次にこの反応器にＣＦ
４ガスを導入して器内圧を０．５Ｔｏｒｒ とした。引
き続いて、反応器内のＲＦ電極に１３．５６ ＭＨｚの
高周波を印加電力１００Ｗで２０分間にわたって印加し
た。その後、反応器内の真空度が１０−’ Ｔｏｒｒ
Ｉｃなるように再び排気し、そして次に常法に従いプラ
ズマ重合を実施した。本例では、薄膜形成のためのモノ
マーとしてスチレンを使用し、器内圧が０．４Ｔｏｒｒ
になるまでこれを導入し、そしてＲＦ電極に再び１３．
５６ＭＨｚの高周波を印加電力３０Ｗで３０分間にわた
って印加した。プラズマ１：合の完了後、膜厚１μｌｎ
のポリメチレンの！膜が形成された。
にわたって超音波洗浄した後、引き続くグッズマ重合用
の反応器に収容した。反応器内の真空度が１０”’ Ｔ
ｏｒｒになるまで排気し、そして次にこの反応器にＣＦ
４ガスを導入して器内圧を０．５Ｔｏｒｒ とした。引
き続いて、反応器内のＲＦ電極に１３．５６ ＭＨｚの
高周波を印加電力１００Ｗで２０分間にわたって印加し
た。その後、反応器内の真空度が１０−’ Ｔｏｒｒ
Ｉｃなるように再び排気し、そして次に常法に従いプラ
ズマ重合を実施した。本例では、薄膜形成のためのモノ
マーとしてスチレンを使用し、器内圧が０．４Ｔｏｒｒ
になるまでこれを導入し、そしてＲＦ電極に再び１３．
５６ＭＨｚの高周波を印加電力３０Ｗで３０分間にわた
って印加した。プラズマ１：合の完了後、膜厚１μｌｎ
のポリメチレンの！膜が形成された。
比較のため、８１基板の表面をＣＦ４ガスのプラズマに
さらすことなく上述の手法を繰り返した。このようにし
て得られたＩリスチレンの薄膜の密着性を上述の本発明
方法による薄膜のそれと比較した。にとで、密着性の評
価のため、薄膜の剥離の程度と剥離に使用した、荷重と
の関係からそれを求めるいわゆる引剥し法を使用した。
さらすことなく上述の手法を繰り返した。このようにし
て得られたＩリスチレンの薄膜の密着性を上述の本発明
方法による薄膜のそれと比較した。にとで、密着性の評
価のため、薄膜の剥離の程度と剥離に使用した、荷重と
の関係からそれを求めるいわゆる引剥し法を使用した。
比較試験の結果、本発明方法による薄膜の密着性は上述
の従来技術によるそれのほぼ２倍であることが判明した
。
の従来技術によるそれのほぼ２倍であることが判明した
。
例２：
本例では膜厚１μｍｏ８３０２膜を有するＳｔ基板の洗
浄について説明する。
浄について説明する。
警備した５ｓｏ２膜付の８１基板をトリクロロエチレン
によシ１０分間にわたって超音波洗浄した後、引き続く
グラズマ重合用の反応器に収容した。反応器内の６２度
が１０−’Ｔｏｒｒ になるまで排気し、そして次に
この反応器にＣＦ４及び０２の混合ガス（混合比９０：
１０）を導入して器内圧を０．４Ｔｏｒｒ とした。引
き続いて、反応器内のＲＦ［極に１３、５６ ＭＨＸの
高周波を印加電力１５０Ｗで３０分間にわたって印加し
た。その後、反応器内の真空度が１０−’Ｔｏｒｒ
となるように再び器内を排気し、そして次に常法に従っ
てプラズマ重合を実りした。本例でケよ、薄膜形成のた
めの七ツマ−としてメタクリル酸メチルを使用し、器内
圧が０．２Ｔｏｒｒになるまでこれを導入し、そしてＲ
Ｆ電極に再び１３．５６ ｋｎ（ｚＯ高周波を印加電力
２０Ｗで３０分間にわたって印加した。プラズマ重合の
完了後、膜厚１μｍのポリメタクリル酸メチルの薄膜が
形成された。
によシ１０分間にわたって超音波洗浄した後、引き続く
グラズマ重合用の反応器に収容した。反応器内の６２度
が１０−’Ｔｏｒｒ になるまで排気し、そして次に
この反応器にＣＦ４及び０２の混合ガス（混合比９０：
１０）を導入して器内圧を０．４Ｔｏｒｒ とした。引
き続いて、反応器内のＲＦ［極に１３、５６ ＭＨＸの
高周波を印加電力１５０Ｗで３０分間にわたって印加し
た。その後、反応器内の真空度が１０−’Ｔｏｒｒ
となるように再び器内を排気し、そして次に常法に従っ
てプラズマ重合を実りした。本例でケよ、薄膜形成のた
めの七ツマ−としてメタクリル酸メチルを使用し、器内
圧が０．２Ｔｏｒｒになるまでこれを導入し、そしてＲ
Ｆ電極に再び１３．５６ ｋｎ（ｚＯ高周波を印加電力
２０Ｗで３０分間にわたって印加した。プラズマ重合の
完了後、膜厚１μｍのポリメタクリル酸メチルの薄膜が
形成された。
比較のため、５ｉ０２に付の１基藁の表面をＣＦ４ ＋
０２の混合ガスにさらすことなく上述の手法を繰シ返
した。得られたポリメタクリル酸メチルの薄膜の密層性
試験から、本発明方法による薄膜の密着性はこの従来法
によるそれのほぼ２，５＠であることが判明した。
０２の混合ガスにさらすことなく上述の手法を繰シ返
した。得られたポリメタクリル酸メチルの薄膜の密層性
試験から、本発明方法による薄膜の密着性はこの従来法
によるそれのほぼ２，５＠であることが判明した。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 富 木 朗
弁理士 西 罐 和 之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 餡 之
Claims (1)
- １、プラズマ重合法によシ基板上に有機薄膜を形成する
に当り、プラズマ重合工程の前、その工程に用いられる
ものと同一の装置内において前記基板の表面を非薄膜形
成性のガスのｆラズマにさらすことを特徴とする有機薄
膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099764A JPS582032A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 有機薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56099764A JPS582032A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 有機薄膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582032A true JPS582032A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14256037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56099764A Pending JPS582032A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 有機薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582032A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169761A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-25 | Koyo Seiko Co Ltd | 玉軸受軌道面の超仕上げ装置 |
| JPS60211073A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-23 | アメリカン・サイアナミド・カンパニー | プラズマ増進化学蒸着で被覆された基体、その製造のための装置と方法 |
| JPH0749419A (ja) * | 1993-01-28 | 1995-02-21 | Gold Star Co Ltd | ホログラム光学素子の製造方法 |
| WO2004075279A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56099764A patent/JPS582032A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169761A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-25 | Koyo Seiko Co Ltd | 玉軸受軌道面の超仕上げ装置 |
| JPS60211073A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-23 | アメリカン・サイアナミド・カンパニー | プラズマ増進化学蒸着で被覆された基体、その製造のための装置と方法 |
| JPH0749419A (ja) * | 1993-01-28 | 1995-02-21 | Gold Star Co Ltd | ホログラム光学素子の製造方法 |
| WO2004075279A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法 |
| JPWO2004075279A1 (ja) * | 2003-02-18 | 2006-06-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法 |
| US7645630B2 (en) | 2003-02-18 | 2010-01-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Manufacturing method for thin-film transistor |
| JP4892973B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2012-03-07 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2674488B2 (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
| JP3923097B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2004513515A (ja) | ホトレジストの改良形接着用アモルファス炭素層 | |
| CN111900071A (zh) | 半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法 | |
| JPH04286117A (ja) | 金層内にパターンをエッチングする方法 | |
| JPS582032A (ja) | 有機薄膜形成法 | |
| JP4398091B2 (ja) | 半導体処理装置の部品の洗浄液及び洗浄方法 | |
| JP2837087B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3801366B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置のクリーニング方法 | |
| JPH0936089A (ja) | アッシング方法及びその装置 | |
| CN115020193A (zh) | 碳化硅外延片的处理方法 | |
| WO2001071790A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS63271938A (ja) | 硬表面の洗浄方法 | |
| JP7304557B2 (ja) | プラズマエッチング方法および素子チップの製造方法 | |
| JP3250240B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03170678A (ja) | 反応容器のクリーニング方法 | |
| JP3256082B2 (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| RU2406785C2 (ru) | Способ удаления органических остатков с пьезоэлектрических подложек | |
| JPH01306582A (ja) | 堆積膜形成装置の洗浄方法 | |
| JP2002184698A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH05319986A (ja) | ダイヤモンドの選択形成方法 | |
| CN1347013A (zh) | 光电及半导体制造过程中聚亚醯胺膜层的剥除方法 | |
| JPH0277579A (ja) | 堆積膜形成装置の洗浄方法 | |
| JPS6243331B2 (ja) | ||
| JPS6191930A (ja) | 半導体基板の清浄方法 |