JPS58204566A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS58204566A JPS58204566A JP57087316A JP8731682A JPS58204566A JP S58204566 A JPS58204566 A JP S58204566A JP 57087316 A JP57087316 A JP 57087316A JP 8731682 A JP8731682 A JP 8731682A JP S58204566 A JPS58204566 A JP S58204566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- ceramic substrate
- substrate
- wirings
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は画像を光学的に読み取るイメージセンサに関す
る。
る。
従来のイメージセンサでは、Ｃｄ−８ｅ、Ｏｄ Ａｓ
等を生成外とする感光半導体を用いた光伝導型の受光素
子を周辺回路に接続し、光電に応じて変化する感光物質
の抵抗変化を電気的ＩＣｄｔ、み出すものが知られてい
る〇 し７かしながらこの様なイメージセンサでは、受光部と
周辺回路を分離して構成している為に、受光部からの喝
気偏号が微小域流の場合、漏洩する瀘が多く、又配−の
容量が大きくなシ高速応答が困難ＶＣなるという欠点が
あった。
等を生成外とする感光半導体を用いた光伝導型の受光素
子を周辺回路に接続し、光電に応じて変化する感光物質
の抵抗変化を電気的ＩＣｄｔ、み出すものが知られてい
る〇 し７かしながらこの様なイメージセンサでは、受光部と
周辺回路を分離して構成している為に、受光部からの喝
気偏号が微小域流の場合、漏洩する瀘が多く、又配−の
容量が大きくなシ高速応答が困難ＶＣなるという欠点が
あった。
さらにＣｄ −Ｓｅ 、Ｏｄ −Ａｓ等のカヤコゲナイ
ドを生成外とする感光半導体を用いた場合には温度変化
に対して比較的不安定でお９、応答連層が比較的に遅く
、また公害物質でおる為、実用と好ましいものではなか
った。
ドを生成外とする感光半導体を用いた場合には温度変化
に対して比較的不安定でお９、応答連層が比較的に遅く
、また公害物質でおる為、実用と好ましいものではなか
った。
また近年では感光半導体として、高速応答性と有するア
モヤファスミリコンが注目されているが、ごのアモヤフ
ァスミリコンは前述のカヤコゲナイドと比較して光伝導
性が２桁〜３桁低い為、受光Ｖこより発生する微小域流
を効率よく検出する必要があった。
モヤファスミリコンが注目されているが、ごのアモヤフ
ァスミリコンは前述のカヤコゲナイドと比較して光伝導
性が２桁〜３桁低い為、受光Ｖこより発生する微小域流
を効率よく検出する必要があった。
本発明はに、ｄピの点ＶＣ謹み、出力電流が微小でも漏
洩が少なく、又配線の容重が小さい為に効率よく出力電
流を読み取る事のできると共に高速応答のイメージセン
サヲ提供する事を目的とする。
洩が少なく、又配線の容重が小さい為に効率よく出力電
流を読み取る事のできると共に高速応答のイメージセン
サヲ提供する事を目的とする。
〔Ａ明の概要〕
４１：発明はセラミック基板と、前記セラミック基板丘
のグレーズｌ−表面に下部電極、非晶質感光中□ 導体膜及び透明電極を順次積層してなる受光ｈｐと、＋
ｊＵ ｃｉｉｔラミック基板とに設けられたスイッチ機
能素子と、このスイッチ模ｍｌ素子および前記受光部の
Ｆ都４ｔｔ間を接続する配線するイメージセンサであり
、特に非晶質感光半導体膜をＧｅ、Ｓｉの水素化物 炭
化物、フッ化物の少なくとも一櫨で４１１成し、下部゛
電極をＣｒｄ 、Ｏｒ 、Ｔｉ 、Ｔａ 、Ｖ、Ｚｎ
がら選ばれた少なくとも１種からなる金属層で構成し
、かつ配線パターンを前ｈピ下部−極の金属層ヒにＮｉ
、、Ａｕ。
のグレーズｌ−表面に下部電極、非晶質感光中□ 導体膜及び透明電極を順次積層してなる受光ｈｐと、＋
ｊＵ ｃｉｉｔラミック基板とに設けられたスイッチ機
能素子と、このスイッチ模ｍｌ素子および前記受光部の
Ｆ都４ｔｔ間を接続する配線するイメージセンサであり
、特に非晶質感光半導体膜をＧｅ、Ｓｉの水素化物 炭
化物、フッ化物の少なくとも一櫨で４１１成し、下部゛
電極をＣｒｄ 、Ｏｒ 、Ｔｉ 、Ｔａ 、Ｖ、Ｚｎ
がら選ばれた少なくとも１種からなる金属層で構成し
、かつ配線パターンを前ｈピ下部−極の金属層ヒにＮｉ
、、Ａｕ。
Ａｇ 、Ｃｕから選ばれた少なくとも１櫨を積１−する
事により優れたイメージセンサが得られるというもので
ある。
事により優れたイメージセンサが得られるというもので
ある。
以下本発明を第１図ａ（平面図）、ｂ（断面図）に示す
クロき実施例を用いて説明する１゜まｊ’ Ａ ｅ２０
ｓ踵からなるセラミック基体（１） ｈに第１＋−４［
ＣｒＭＪ （ｉ’ｉ／Ｎｉ／Ａｕ 等からなる配線パ
ター ７ （７）、Ｏｒ ／Ｐ ｄ／Ａ ｕ 吾から
なる配線パｌ −ｙ （９１會＃Ｌｍ又は薄Ａ４体とし
て、また杷一体（８）がＩｎ漢、９体又はボリイｉド等
の有く漬物等にょ多形成さノし′Ｃいる。なお、前記配
線パターン（９）はセラミック基体（１１１：に設けら
れたスイッチ機！＠素子αＧに廣続Ｊれている。
クロき実施例を用いて説明する１゜まｊ’ Ａ ｅ２０
ｓ踵からなるセラミック基体（１） ｈに第１＋−４［
ＣｒＭＪ （ｉ’ｉ／Ｎｉ／Ａｕ 等からなる配線パ
ター ７ （７）、Ｏｒ ／Ｐ ｄ／Ａ ｕ 吾から
なる配線パｌ −ｙ （９１會＃Ｌｍ又は薄Ａ４体とし
て、また杷一体（８）がＩｎ漢、９体又はボリイｉド等
の有く漬物等にょ多形成さノし′Ｃいる。なお、前記配
線パターン（９）はセラミック基体（１１１：に設けら
れたスイッチ機！＠素子αＧに廣続Ｊれている。
以ｉｔよｄＯＵ°Ｃ福度のいわゆる高−プロセスにより
製造される為、後述の受光部形成に先立ち設けておく事
が好ましい。
製造される為、後述の受光部形成に先立ち設けておく事
が好ましい。
次て受光部はセラミック基体（Ｉｎ、の低温焼成ガラス
等からなるグレーズ層（２）表面にＯｒ、Ｔｉ製等の下
部４寓（３）、非晶質感光半導体膜（４）およびＴｉｅ
。
等からなるグレーズ層（２）表面にＯｒ、Ｔｉ製等の下
部４寓（３）、非晶質感光半導体膜（４）およびＴｉｅ
。
等の透明電極（６）をｊ償次１責層し構成されている。
なお透明１極（６）は−匝（５）Ｐこ接ｄされている。
また非晶質、盛光半導本膜（４）としては、Ｇｅ、Ｓｉ
、Ｓｅ の氷菓化′吻、灰化物、ハロゲン化物、Ｃｄ
Ｓ、０ｄＳｅ、０ｄＴｅ。
、Ｓｅ の氷菓化′吻、灰化物、ハロゲン化物、Ｃｄ
Ｓ、０ｄＳｅ、０ｄＴｅ。
ＰｂＳ、Ｐｂ５ｃ 、Ｐｂ’ｒｅ 、５ｂ２ＳＪ、 Ｐ
ｂＯ，ＺｎＯ，ＧｒｉＡｓ ’＝９も用いる事ができる
が、実用と（咳Ｓｉ、Ｇｅの水素化物、灰化物、フッ化
物を用いる事が好ましい。
ｂＯ，ＺｎＯ，ＧｒｉＡｓ ’＝９も用いる事ができる
が、実用と（咳Ｓｉ、Ｇｅの水素化物、灰化物、フッ化
物を用いる事が好ましい。
なおＬ記のりηき本発明に係るイメージセ／すを裏漬す
る際の配りは、−まずセラミック基体上に配線パター７
（７）ｔ−形成した後、泊は体（８）金、さらＶこグ
レーズ＋＊ （２）を形成する。次に配線パターン（９
）及び下部４極（３）を同時に形成し、後に下部１極り
のＰｄ、Ａｕ等全エツチング等により除去する事が好ま
しい。つまり白己線バター７（９）と下部Ｔ４極（３）
はＧｒＪｆｉ （Ｏｄ ｅ ’ｌ ｔ ｒ ｉ’ａ ＋
Ｖ ！ Ｚ ｒ ”７２ ）とＰｄ／ Ａｕ ４ （
Ａｇ、Ｎｉ 。
る際の配りは、−まずセラミック基体上に配線パター７
（７）ｔ−形成した後、泊は体（８）金、さらＶこグ
レーズ＋＊ （２）を形成する。次に配線パターン（９
）及び下部４極（３）を同時に形成し、後に下部１極り
のＰｄ、Ａｕ等全エツチング等により除去する事が好ま
しい。つまり白己線バター７（９）と下部Ｔ４極（３）
はＧｒＪｆｉ （Ｏｄ ｅ ’ｌ ｔ ｒ ｉ’ａ ＋
Ｖ ！ Ｚ ｒ ”７２ ）とＰｄ／ Ａｕ ４ （
Ａｇ、Ｎｉ 。
Ｇｕ等）との積層体として予じめ同時に形成し、後に下
部電極（３）ｔのＰｄ／Ａｕ層（Ａｇ、Ｎｉ、Ｏｕ等）
のみ全エツチング等により除去し、０１層として０１層
等からなる一Ｆ部ｗＥ極（３）を得る事が実用と好まし
い。
部電極（３）ｔのＰｄ／Ａｕ層（Ａｇ、Ｎｉ、Ｏｕ等）
のみ全エツチング等により除去し、０１層として０１層
等からなる一Ｆ部ｗＥ極（３）を得る事が実用と好まし
い。
Ｅ記の如く構成されたイメージセンナにおいては、下部
４極（３）と透明電極（６）との間に挾まれた非晶質感
光半導体膜（４）に蓄積又は放出される延荷をスイッチ
機１＠素子が絖み出す事によシ光電を読み取る事がＣき
る。
４極（３）と透明電極（６）との間に挾まれた非晶質感
光半導体膜（４）に蓄積又は放出される延荷をスイッチ
機１＠素子が絖み出す事によシ光電を読み取る事がＣき
る。
次にＪ：、記名１図の如き本発明に係るイメージセフ＋
ｊの等両回路を第２図に示し、その動作′ｔ−説明する
。ここでＱ 、−１１、−ト部１を極（３）と透明１極
（６）により挾まれた非晶質感光半導体（４）をＩｖｊ
電体とした容這Ｃあり、ｉｔ、は非晶Ｘ感光半導体（４
） ＶＣ発生する光Ｊｌｔを関数とした抵抗である。こ
の抵抗は、起域流として置き変えても、本発明の動作の
基本には影響を与えない。また０１〜０４ｔよ例えば第
１図にボサしたスイッチ機能軍子（１Ｇに内蔵されるも
のである。第２図の動作を説明すれば、先ずＣ１１か（
ＪＮＬＣ＠にはＥの延圧が印加される為、輸・ＥＯ−荷
が蓄イ★きれる。次いでＧ、がＯＦＦすると、０１は光
量により変化するＲ８により光量に応じた電荷量が失わ
れる為、嵯荷が減シ、従って４圧も下る。次に直み出し
の時、Ｇ１を再びＯＮ Ｋすると、Ｃ１の一圧Ｖこ応し
て、（＋、に流れる電流が決まる為、ＺＩＶこ磁圧が発
生する。従って光ｉ （ｉ−Ｚ、の゛磁圧で読む事がで
きる。
ｊの等両回路を第２図に示し、その動作′ｔ−説明する
。ここでＱ 、−１１、−ト部１を極（３）と透明１極
（６）により挾まれた非晶質感光半導体（４）をＩｖｊ
電体とした容這Ｃあり、ｉｔ、は非晶Ｘ感光半導体（４
） ＶＣ発生する光Ｊｌｔを関数とした抵抗である。こ
の抵抗は、起域流として置き変えても、本発明の動作の
基本には影響を与えない。また０１〜０４ｔよ例えば第
１図にボサしたスイッチ機能軍子（１Ｇに内蔵されるも
のである。第２図の動作を説明すれば、先ずＣ１１か（
ＪＮＬＣ＠にはＥの延圧が印加される為、輸・ＥＯ−荷
が蓄イ★きれる。次いでＧ、がＯＦＦすると、０１は光
量により変化するＲ８により光量に応じた電荷量が失わ
れる為、嵯荷が減シ、従って４圧も下る。次に直み出し
の時、Ｇ１を再びＯＮ Ｋすると、Ｃ１の一圧Ｖこ応し
て、（＋、に流れる電流が決まる為、ＺＩＶこ磁圧が発
生する。従って光ｉ （ｉ−Ｚ、の゛磁圧で読む事がで
きる。
以りの結果から明らかな如く本発明に於てば、感光部と
スイッチ部が同一基板Ｊ：に形成されている為、１吸小
電流であっても、リークする量が少く父、配線の６童が
少いという利点がちり、特ＶこＳＩ ＴＧｅ等の４族元
累半導体金用いた場合ば＾速のイメージセンナが実現で
きる。
スイッチ部が同一基板Ｊ：に形成されている為、１吸小
電流であっても、リークする量が少く父、配線の６童が
少いという利点がちり、特ＶこＳＩ ＴＧｅ等の４族元
累半導体金用いた場合ば＾速のイメージセンナが実現で
きる。
第１図は本発明に係るイメージセンサの一部切欠平面図
及び断面図、第２図は第１図に示すイメージセンサの等
画回路。 ｌ・・セラミック基体 ２・・・グレーズ ３・・下部電極 ４・・・非晶質感光半導体 ６・・透明電極 ８．９・・・配線パターン １０ ・・・スイッチ＠能素子 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 （ｂン 第２図
及び断面図、第２図は第１図に示すイメージセンサの等
画回路。 ｌ・・セラミック基体 ２・・・グレーズ ３・・下部電極 ４・・・非晶質感光半導体 ６・・透明電極 ８．９・・・配線パターン １０ ・・・スイッチ＠能素子 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第１図 （ｂン 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）セラミック基体と、 前記セラミック基体とのグレーズ層表面に下部ｄｔ極、
非晶實感光牛導体膜および透明電極ｔ−旭次績）−シて
なる受光部と、 ＡｉＪ記セラミック基板七に設けられたスイッチ機能素
子と、このスイッチ機能素子および前記受光部の下部域
極間を接続する配線ノくターフとを具備した事ｔｈ徴と
するイメージセンサ。 （２、特許請求の範囲第１項において、非晶質半導体と
してＧｅ、８ｉの氷菓化物、炭化物、フッ素化物の少な
くともｌ檜を用いた事を特徴とするイメージセンサ。 （３） 特許請求の範囲第１項または第２項において
、’Ｆｌｌｆｌ［極力Ｏｒ 、Ｃｄ 、’ｌ’ｉ 、’
Ｉ’ａ 、Ｖ、Ｚｒ から選ばれた少なくとも１糧か
らなる金属層で構成され、かつ配線バター／は前記下部
電極の金属層上にＮｉ、Ｐｄ。 Ａｕ、Ａｇ、Ｏｕ から選ばれた少なくとも１ｍ′ｔ
″槓層されている事を特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087316A JPS58204566A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087316A JPS58204566A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204566A true JPS58204566A (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=13911431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57087316A Pending JPS58204566A (ja) | 1982-05-25 | 1982-05-25 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204566A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862342A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-13 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
| JPS58172444A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
-
1982
- 1982-05-25 JP JP57087316A patent/JPS58204566A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862342A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-13 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
| JPS58172444A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-11 | Nissan Motor Co Ltd | 機関の冷却水温度推定方法 |
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