JPS58204577A - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子

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Publication number
JPS58204577A
JPS58204577A JP57087797A JP8779782A JPS58204577A JP S58204577 A JPS58204577 A JP S58204577A JP 57087797 A JP57087797 A JP 57087797A JP 8779782 A JP8779782 A JP 8779782A JP S58204577 A JPS58204577 A JP S58204577A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
light emitting
optical fiber
fiber
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57087797A
Other languages
English (en)
Inventor
Masataka Imoto
井元　昌隆
Hideaki Ito
英昭 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Rayon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Rayon Co Ltd
Priority to JP57087797A priority Critical patent/JPS58204577A/ja
Publication of JPS58204577A publication Critical patent/JPS58204577A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
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  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光ファイバーに効率良く光？入射することがで
きる半導体発光素子の構造に関するものである。
半導体発光素子の光は広い範囲に放射されるので、この
光を光ファイバーに入射させたとぎ。
その光の利用率は極めて低く、大部分の光は外部に放射
されていた。そのため光ファイバーを発光チップ上に垂
直に配置し、樹脂などで一体成型して光ファイバーへの
入射効率を改善しょつとする方法はすでに知られている
。しかしながらこの方法では発光チップへ通電するため
の導線がチップ面上にあり、この導線のためファイバ一
端とチップを完全接触に至るまで近づけることはできず
、従ってかなりの光が外部へ放射される結果となってい
た。
本発明は、この様な光フアイバー付半導体発光素子の光
ファイバーへの光入射効率を改善せんとするものである
。
以下本発明の発光素子暑図面に従って説明する。
（１）は半導体発光素子の発光チップ、（２）は反射凹
面ｍ、　（３）、　（４１は電極、（５）は導線であり
、これらは透明な樹脂（６）により封じ込まれている。
（７）は光ファイバーであり１発光チップと同等ないし
やや太い断面積を有しており２　その発光チップ側の端
は斜めに切断され、その短辺側が導線の側になるよう配
置されているため長辺側か発光チップ面に接触するまで
近づけろことができる。従って発光チップからの元は２
発光チップ側光ファイバーの端面が発光チップに平行に
なるようにと９つけらｎｌこ光ファイバー可半導体発光
素子に比べ光ファイバーへの光入射効率が改善される。
ここで元ファイバーの長さは・甜Ａ旨外壁と同じ面まで
とすることが望ましいが、特Ｖここｎに限定されるもの
ではな（、これより長短のいずｎヶ用いても艮い。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施９１Ｊ　ｆｙ示す半導体発光素子
の断面図であり９図面中の符号＋１１は発光チップ、（
６）は甜脂、（７）は元ファイバーである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 底面の一部又は全部を斜めに切断した光ファイバーを発
    光チップ面に垂直に配置し９発光チップと樹脂にて一体
    異型したことを特徴とする半導体発光素子。
JP57087797A 1982-05-24 1982-05-24 半導体発光素子 Pending JPS58204577A (ja)

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JP57087797A JPS58204577A (ja) 1982-05-24 1982-05-24 半導体発光素子

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JP57087797A JPS58204577A (ja) 1982-05-24 1982-05-24 半導体発光素子

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JPS58204577A true JPS58204577A (ja) 1983-11-29

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6181163U (ja) * 1984-10-31 1986-05-29

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