JPS58205148A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPS58205148A JPS58205148A JP57089281A JP8928182A JPS58205148A JP S58205148 A JPS58205148 A JP S58205148A JP 57089281 A JP57089281 A JP 57089281A JP 8928182 A JP8928182 A JP 8928182A JP S58205148 A JPS58205148 A JP S58205148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- resist
- resist film
- substrate
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発８Ａ轢レジスト塗布方法、竹に牛尋体集槓回路製造
用マスクを作成する際にブランクマスクにレジストを塗
布するのに好適なレジスト塗布方法に関する。
用マスクを作成する際にブランクマスクにレジストを塗
布するのに好適なレジスト塗布方法に関する。
半導体集積回路を製造する際には基板となるクエハに対
しホトリソグラフィー技術によりバターニングを行なう
ためにｉスフを用いる。このマスクを製造するためには
通常クロムなどの１１膜をイ、田１に有するガラス基板
にレジストを塗布し感光−を構成する。これに回路設計
に基づくパターンを電子ビームや九の露光装置により露
光し１感党部・。
しホトリソグラフィー技術によりバターニングを行なう
ためにｉスフを用いる。このマスクを製造するためには
通常クロムなどの１１膜をイ、田１に有するガラス基板
にレジストを塗布し感光−を構成する。これに回路設計
に基づくパターンを電子ビームや九の露光装置により露
光し１感党部・。
未感光ｈμをつくり現揮手段により一万を除去しエツチ
ング用レジスト層をつくる。エツチングにより一力を除
去しマスクパターンを作成する。本発明はこの５ち前記
レジストを塗布する方法に関する。レジストの塗布方法
にはディッピング法、スフレ−法、スピンナー法などが
実用に供されているが、本究明は特にスピンナー法に適
用されるものである。
ング用レジスト層をつくる。エツチングにより一力を除
去しマスクパターンを作成する。本発明はこの５ち前記
レジストを塗布する方法に関する。レジストの塗布方法
にはディッピング法、スフレ−法、スピンナー法などが
実用に供されているが、本究明は特にスピンナー法に適
用されるものである。
このスピンナー法は回転する基板保持台に真空チャック
でガラス基板を載置し該保持台を５００〜板 ７００ ｒ、ｐ、ｔｎ、で高速回転させることにより、
基−Ｆに繰下されたレジストを一様に展開塗布するもの
である。この結米祷られるレジスト薄膜厚は１μ以下で
あり微細パターンのエツチングに有効である。このよう
にスピンナー法はレジストの膜厚って均一に保つことＦ
ｉｍｍである。膜厚の不均一の結束は干渉縞として観察
され、パターン１１尤に除しては均一な光吸収が行なわ
れずひいてはし７ストパターンの不均一となりパターン
の鞘良が低下してしま５゜このこと社パターンが微細に
なればなるはど影響が大きくなる。妹にマスク作成のよ
うに後工程に影臀を及ぼす１柱においては大きな間亀と
なる。
でガラス基板を載置し該保持台を５００〜板 ７００ ｒ、ｐ、ｔｎ、で高速回転させることにより、
基−Ｆに繰下されたレジストを一様に展開塗布するもの
である。この結米祷られるレジスト薄膜厚は１μ以下で
あり微細パターンのエツチングに有効である。このよう
にスピンナー法はレジストの膜厚って均一に保つことＦ
ｉｍｍである。膜厚の不均一の結束は干渉縞として観察
され、パターン１１尤に除しては均一な光吸収が行なわ
れずひいてはし７ストパターンの不均一となりパターン
の鞘良が低下してしま５゜このこと社パターンが微細に
なればなるはど影響が大きくなる。妹にマスク作成のよ
うに後工程に影臀を及ぼす１柱においては大きな間亀と
なる。
従って本発明の目的は、上述の欠点を牌次田米る。すな
わち膜厚を基板全面に亘って均一に保つことのできるレ
ジストの塗布方法を提供することにある。
わち膜厚を基板全面に亘って均一に保つことのできるレ
ジストの塗布方法を提供することにある。
本発明は基板上にレジスト溶液を滴下し、基板を＾速回
転させることによりレジスト薄膜展を形成する塗布方法
において、不活性ガスｆｔ該基板の上方から該基板面に
流出させることを特急とするレジスＩｎ布方法である。
転させることによりレジスト薄膜展を形成する塗布方法
において、不活性ガスｆｔ該基板の上方から該基板面に
流出させることを特急とするレジスＩｎ布方法である。
本発明は前述の膜厚の不均一が、回転する品也土のレジ
スト溶液から揮発するｉ″媒蒸気およびこ７Ｌの排気に
伴なう不均−ｒ４１％ならびに乱気１１１１．に起因す
ることに着目し、これを解決したものであり、スピンナ
一槽内の溶媒蒸気の発生とその併気に伴５不均−揮発な
らびに乱気流の影響を軽減するためにＭＡ＆に対し上方
から、不活性ガスを流出することによって不均一揮発等
を解消することができたものである。
スト溶液から揮発するｉ″媒蒸気およびこ７Ｌの排気に
伴なう不均−ｒ４１％ならびに乱気１１１１．に起因す
ることに着目し、これを解決したものであり、スピンナ
一槽内の溶媒蒸気の発生とその併気に伴５不均−揮発な
らびに乱気流の影響を軽減するためにＭＡ＆に対し上方
から、不活性ガスを流出することによって不均一揮発等
を解消することができたものである。
以下１面に恢って本発明を説明する。
先ず第１図にスピンナー法による一般的なレジメ）ｃｔ
ｉ布力法方法島する従来の装置例を＠面図で小す０ １１は基板であり、この基板１１はヘッド１２に＾仝チ
ャック（図示せず）によって固定される。
ｉ布力法方法島する従来の装置例を＠面図で小す０ １１は基板であり、この基板１１はヘッド１２に＾仝チ
ャック（図示せず）によって固定される。
このヘッドと基板はモーターにより回転せしめられる。
１４ｉｉレジストで基板の略中心に適当量滴下され基板
１１が高速で回転されると赤面張力および遠心力の作用
を受けて、基板１１上に極めて薄い腋となって拡がり残
液社排液醐１６に集まる。
１１が高速で回転されると赤面張力および遠心力の作用
を受けて、基板１１上に極めて薄い腋となって拡がり残
液社排液醐１６に集まる。
このようなスピンナー塗布装置で発生しがちな膜厚ムラ
を防止するための本発明に用いる塗布装置の一例は第２
図に示される。本図において１１゜１２Ｊ６よび１３Ｆ
ｉ既に述べた基板、ヘッドおよび耕ｌｋ！Ｌ闇である。
を防止するための本発明に用いる塗布装置の一例は第２
図に示される。本図において１１゜１２Ｊ６よび１３Ｆ
ｉ既に述べた基板、ヘッドおよび耕ｌｋ！Ｌ闇である。
不活性ガス流を得るための高圧源（図示せず）例えば窒
素ガスボンベより鼠本カスが矢印の方向からパイプ２１
に導入される。こσノ窒素ガスはバルブ２２を通してノ
くイブ２６に入りさらにダクト２５に入りレジストをａ
ｈ中の回転基板上にほぼ垂直方向から噴射される。２２
と２５の間に不活性ガスを加温するためのヒーター２４
を設ける。ダクト２５は基板上方に位諏しＡ板上のレジ
スト薄膜１４′に不活性ガスｍ２６ｔ−与える。
素ガスボンベより鼠本カスが矢印の方向からパイプ２１
に導入される。こσノ窒素ガスはバルブ２２を通してノ
くイブ２６に入りさらにダクト２５に入りレジストをａ
ｈ中の回転基板上にほぼ垂直方向から噴射される。２２
と２５の間に不活性ガスを加温するためのヒーター２４
を設ける。ダクト２５は基板上方に位諏しＡ板上のレジ
スト薄膜１４′に不活性ガスｍ２６ｔ−与える。
この不活性ガス流２６がスピンナ一槽内の溶媒蒸気の発
生とその排気に伴う不均一揮発ならびに乱気流の発生な
＠減し均一なレジスト膜を形成することに効果的に作用
する。
生とその排気に伴う不均一揮発ならびに乱気流の発生な
＠減し均一なレジスト膜を形成することに効果的に作用
する。
ある。
実施例１
紀２図に示される塗布装置を用いて基板１１として１２
．５ｃｍ角のクロム＃着ガラス板を用い）このガラス板
の中央にポリグリシジルメタアクリレート糸レジスト（
商品名： ＯＷＢルー１００、束足応化製）を５ｍｊ（
粘ｆ１３０ｃＰ）を滴下した後に、ガラス＆ ｔ４００
０ ｒ、ｐ、ｍ、の速度で回転させると共０ に、ダクト２５（牛中ｌ径）から、Ｎｓの３５℃の不活
性ガスＱ、４ ｊ／ｍｉｎをガラス板の表面に向けて流
出させた（スピンナ一槽内のガス流出前の温度は２６℃
）。約２分間回転させてホトレジストの４０００に厚の
薄膜を形成することができた。この薄膜の均一性を調べ
た結果正方形基板の四隅を除い゛Ｃ族厚は４０００±１
２ＯＡの範囲内にあった。目視的には干渉縞もみられな
かった。
．５ｃｍ角のクロム＃着ガラス板を用い）このガラス板
の中央にポリグリシジルメタアクリレート糸レジスト（
商品名： ＯＷＢルー１００、束足応化製）を５ｍｊ（
粘ｆ１３０ｃＰ）を滴下した後に、ガラス＆ ｔ４００
０ ｒ、ｐ、ｍ、の速度で回転させると共０ に、ダクト２５（牛中ｌ径）から、Ｎｓの３５℃の不活
性ガスＱ、４ ｊ／ｍｉｎをガラス板の表面に向けて流
出させた（スピンナ一槽内のガス流出前の温度は２６℃
）。約２分間回転させてホトレジストの４０００に厚の
薄膜を形成することができた。この薄膜の均一性を調べ
た結果正方形基板の四隅を除い゛Ｃ族厚は４０００±１
２ＯＡの範囲内にあった。目視的には干渉縞もみられな
かった。
なお、比較として、本実施例において、ダクトから不活
性ガスを流出しないで形成した薄膜の均・−性をま、急
＜ ４０００±５００Ａ であり目視的にも干渉−が
みられた。
性ガスを流出しないで形成した薄膜の均・−性をま、急
＜ ４０００±５００Ａ であり目視的にも干渉−が
みられた。
第１図Ｉｆｉ健米のスピンナー塗布に用いる装置のｄ四
回である。 第２図は本発明の塗布方法に用いる装置の説明図である
。 １１・・・・・基板、１２・・・・−ヘッド、１４’・
・・・のレジスト薄ａｌ、２１・・・響・パイプ、２２
・・・・・バルブ、２３ ＠＠＠１１１１ バイブ、２
４＠・ｅ・・ヒーター、２５・・・・−ダクト、２６・
・・・・不活性ガス流。 出願人 キャノン株式会社 ど ＋ 争 代理人 丸 島 甑 − 第１冴 活〆Ｚ
回である。 第２図は本発明の塗布方法に用いる装置の説明図である
。 １１・・・・・基板、１２・・・・−ヘッド、１４’・
・・・のレジスト薄ａｌ、２１・・・響・パイプ、２２
・・・・・バルブ、２３ ＠＠＠１１１１ バイブ、２
４＠・ｅ・・ヒーター、２５・・・・−ダクト、２６・
・・・・不活性ガス流。 出願人 キャノン株式会社 ど ＋ 争 代理人 丸 島 甑 − 第１冴 活〆Ｚ
Claims (1)
- １、基板上にレジスト泌液を渦下し、基板を高速回転さ
せることによりレジスト薄膜を形成する塗布方法におい
て、不活性ガスを該基板の上刃から該基板向に流出させ
ることを％黴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089281A JPS58205148A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089281A JPS58205148A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | レジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58205148A true JPS58205148A (ja) | 1983-11-30 |
Family
ID=13966326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089281A Pending JPS58205148A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58205148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171115A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-04 | Toray Ind Inc | 薄膜の形成方法 |
-
1982
- 1982-05-26 JP JP57089281A patent/JPS58205148A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171115A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-04 | Toray Ind Inc | 薄膜の形成方法 |
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