JPS58209093A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
- Publication number
- JPS58209093A JPS58209093A JP57091594A JP9159482A JPS58209093A JP S58209093 A JPS58209093 A JP S58209093A JP 57091594 A JP57091594 A JP 57091594A JP 9159482 A JP9159482 A JP 9159482A JP S58209093 A JPS58209093 A JP S58209093A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- dielectric
- film layer
- film light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電場発光をする薄膜発光素子に関する。
交流電界の印加により発光する薄膜ｇＬ（ニレ２ ・
−゛ りｌ−ａルミネセンス）素子は螢光体薄膜層の片面ない
し両面に誘電体薄膜層を設け、これを２つの電極層では
さむ構造で高輝度が得られている。誘電体薄膜層が１層
の素子は、構造が簡単で駆動型Ｕ１：、が低いという特
徴がある。誘電体薄膜層が２層の素子化Ｌ、絶縁破壊を
起こしにぐぐ輝度が特に旨いという特徴がある。ここに
用いる螢光体（Ａ料ｄ活物質を添加したＺｎＳ、Ｚｎ５
ｅ、ＺｎＦ２等が知られており、詩にＺｎＳを母体とし
ｍｎを発光中心として添加した素子では、最高３，５０
０〜５，０００ ｃ ｄ／ｍ’の輝度が達成されている
。誘電体材料はＹ２Ｏ３，Ｓ１０，５ｉ３Ｎ４ＩＡｔ２
０３．Ｔａ２０５等が代表的なものである。ＺｎＳは厚
さ５０ Ｑ ｎｍ〜７００ｎｍ、比誘電率が約９で、誘
電体薄膜は厚さ４００ｎｍ〜８００ ｎｍ 、比誘電率
が４〜２６である。
−゛ りｌ−ａルミネセンス）素子は螢光体薄膜層の片面ない
し両面に誘電体薄膜層を設け、これを２つの電極層では
さむ構造で高輝度が得られている。誘電体薄膜層が１層
の素子は、構造が簡単で駆動型Ｕ１：、が低いという特
徴がある。誘電体薄膜層が２層の素子化Ｌ、絶縁破壊を
起こしにぐぐ輝度が特に旨いという特徴がある。ここに
用いる螢光体（Ａ料ｄ活物質を添加したＺｎＳ、Ｚｎ５
ｅ、ＺｎＦ２等が知られており、詩にＺｎＳを母体とし
ｍｎを発光中心として添加した素子では、最高３，５０
０〜５，０００ ｃ ｄ／ｍ’の輝度が達成されている
。誘電体材料はＹ２Ｏ３，Ｓ１０，５ｉ３Ｎ４ＩＡｔ２
０３．Ｔａ２０５等が代表的なものである。ＺｎＳは厚
さ５０ Ｑ ｎｍ〜７００ｎｍ、比誘電率が約９で、誘
電体薄膜は厚さ４００ｎｍ〜８００ ｎｍ 、比誘電率
が４〜２６である。
交流駆動する場合、素子に印加をれた電圧はＺｎＳ層と
誘電体薄膜層に分圧され、前者には４〜６割程度しかか
からない。発光に必要な電圧は見掛は上高くなついる。
誘電体薄膜層に分圧され、前者には４〜６割程度しかか
からない。発光に必要な電圧は見掛は上高くなついる。
ＺｎＳ層の両面に誘電体薄膜層を設けた素子においては
、数Ｋｆ（ｚのパルス駆動で３ ベー：′ ２００■以−にの電圧がかけられているのが現状である
。この高電圧Ｃ１、駆動回路Ｖ（多大な負担をおわせで
おり、特別な商＋１ｉ１Ｊ「ｒ Ｃが必°〃となり、コ
ストアップにもつながるものである。
、数Ｋｆ（ｚのパルス駆動で３ ベー：′ ２００■以−にの電圧がかけられているのが現状である
。この高電圧Ｃ１、駆動回路Ｖ（多大な負担をおわせで
おり、特別な商＋１ｉ１Ｊ「ｒ Ｃが必°〃となり、コ
ストアップにもつながるものである。
一方駆動′ｔに圧をＦげる／ζめに、高誘電率をもつＰ
ｂＴｌＯ３やＰｂＣｒ１ｌ−ｘＺｒｘ）０３ 等を主成
分とした？ｔ１７膜を誘電体薄膜層に用いる事が提案き
れている。こｔｌらの薄膜ｉＪ、比誘電率（以下ε、と
記す）が１５０以上ある反面、絶縁破壊電界強度（以下
Ｅｂと記す）が０．５〜０．６ ｍＶ ／ａｎと小さい
ので、従来用いられて来た誘電体層ｖ１にくらべ、膜厚
を大幅に厚くする必要がある。高輝度の素子の場合、Ｚ
ｎＳ層の厚さが０．６μｍ程度は必要で、素Ｐの信頼？
／１゛の而から上記誘電体薄膜層の厚さは１．５１ｔｍ
以」−必要となる。膜厚を厚くすると、基板温度が高い
ために、）膜中の粒子が成長する。この／こめｊ模が白
濁して光の透過率が下る。この様な白濁膜を用いたＥＬ
素子ＣＩ１、Ｘ−Ｙマトリノクスクを生じるという難点
がある。
ｂＴｌＯ３やＰｂＣｒ１ｌ−ｘＺｒｘ）０３ 等を主成
分とした？ｔ１７膜を誘電体薄膜層に用いる事が提案き
れている。こｔｌらの薄膜ｉＪ、比誘電率（以下ε、と
記す）が１５０以上ある反面、絶縁破壊電界強度（以下
Ｅｂと記す）が０．５〜０．６ ｍＶ ／ａｎと小さい
ので、従来用いられて来た誘電体層ｖ１にくらべ、膜厚
を大幅に厚くする必要がある。高輝度の素子の場合、Ｚ
ｎＳ層の厚さが０．６μｍ程度は必要で、素Ｐの信頼？
／１゛の而から上記誘電体薄膜層の厚さは１．５１ｔｍ
以」−必要となる。膜厚を厚くすると、基板温度が高い
ために、）膜中の粒子が成長する。この／こめｊ模が白
濁して光の透過率が下る。この様な白濁膜を用いたＥＬ
素子ＣＩ１、Ｘ−Ｙマトリノクスクを生じるという難点
がある。
本発明は以上の点を鑑みなされたものであって、誘電体
層にＯ１とＥｂが大きなタングステンブロンズ型の化合
物を主成分とする誘電体層を用いることｒ（より、従来
の薄膜ＥＬ素子の輝度を低下−させずに駆動電圧を下げ
ることができたものである。
層にＯ１とＥｂが大きなタングステンブロンズ型の化合
物を主成分とする誘電体層を用いることｒ（より、従来
の薄膜ＥＬ素子の輝度を低下−させずに駆動電圧を下げ
ることができたものである。
交流駆動薄膜ＥＬ素子において、誘電体層にかかる市川
は、誘電体薄膜層における膜厚ｔ・ と、電界強度も
との積ｔ０・Ｅ□である。ｔｏ・Ｅｉが小さいほど螢光
体薄膜層に有効に電圧が印加されている。素子が絶縁破
壊を起こさずに安定に動作するには、ｔｉは誘電体薄膜
層のＥｂに反比例すると考えて」：い。Ｅ、は螢光体薄
膜層における電界強度Ｉ！：、２と比誘電率ε２と誘電
体薄膜層のＯ１よりＥにＥ２・ε２／ε１という関係に
ある。Ｏ２お９１、びＯ２は一定とすれば、Ｅｌはε、
に反比例する。従ってｔ、・Ｅ、はおお１かにＥｂとε
、の積Ｅｂ・Ｏ１に反比例すると言える。Ｅｂ・εｒ７
：）工大キないほど誘電体薄膜層としてすぐれているわ
けである。
は、誘電体薄膜層における膜厚ｔ・ と、電界強度も
との積ｔ０・Ｅ□である。ｔｏ・Ｅｉが小さいほど螢光
体薄膜層に有効に電圧が印加されている。素子が絶縁破
壊を起こさずに安定に動作するには、ｔｉは誘電体薄膜
層のＥｂに反比例すると考えて」：い。Ｅ、は螢光体薄
膜層における電界強度Ｉ！：、２と比誘電率ε２と誘電
体薄膜層のＯ１よりＥにＥ２・ε２／ε１という関係に
ある。Ｏ２お９１、びＯ２は一定とすれば、Ｅｌはε、
に反比例する。従ってｔ、・Ｅ、はおお１かにＥｂとε
、の積Ｅｂ・Ｏ１に反比例すると言える。Ｅｂ・εｒ７
：）工大キないほど誘電体薄膜層としてすぐれているわ
けである。
５ページ
本発明において用いら１１、るタングステンブロンズ型
化合物薄膜ば１Ｃｂ・Ｅｉが従来の材料より太き（ＥＬ
用用型電体薄膜してすぐれたものである。
化合物薄膜ば１Ｃｂ・Ｅｉが従来の材料より太き（ＥＬ
用用型電体薄膜してすぐれたものである。
タングステンブロンズ型化合物は基本的な化学式として
Ａｓ２Ｏ３の形をとっている。ここでＡはＰｂ、 Ｃｄ
、 Ｂａ、 Ｓｒ、 Ｃａ等の２価金属元素、ＢはＴａ
、Ｎｂである。これらの化合物のバルクのＯ１は犬きく
、例えばＰｂＮｂ２０６ｄ： ３００ 。
Ａｓ２Ｏ３の形をとっている。ここでＡはＰｂ、 Ｃｄ
、 Ｂａ、 Ｓｒ、 Ｃａ等の２価金属元素、ＢはＴａ
、Ｎｂである。これらの化合物のバルクのＯ１は犬きく
、例えばＰｂＮｂ２０６ｄ： ３００ 。
ＰｂＴａ２０６も３００ ｒ （Ｐ ｂ ｏ、 ５．
Ｓ ｒ ｏ、 ４．）Ｎｂ２０６は１６００の値が・１
１（告されている。薄膜にし／ζ場合Ｉｒ０１、バルク
と四じＯ１を得ることは困難であるが、４０以上のεｒ
ｒｔスパッタリングにより容易に得られる。父、れり膜
のＥｂは２×１０６■／ｍ以」−と高い。これらの薄１
１αのＥｂ・Ｏ１は８０Ｘ１ｏ６ｖ／ｒｍ以−１−の値
となる。従来用いられてきた材ネさ１のＥｂ・ε、 ｉ
（＋、１り１１えばＹ２Ｏ３では約５０×１０６Ｖ／
ｏｒ＋、Ａｔ２０３ では３０ Ｘ １０ ’Ｖ ／
ｃｍ。
Ｓ ｒ ｏ、 ４．）Ｎｂ２０６は１６００の値が・１
１（告されている。薄膜にし／ζ場合Ｉｒ０１、バルク
と四じＯ１を得ることは困難であるが、４０以上のεｒ
ｒｔスパッタリングにより容易に得られる。父、れり膜
のＥｂは２×１０６■／ｍ以」−と高い。これらの薄１
１αのＥｂ・Ｏ１は８０Ｘ１ｏ６ｖ／ｒｍ以−１−の値
となる。従来用いられてきた材ネさ１のＥｂ・ε、 ｉ
（＋、１り１１えばＹ２Ｏ３では約５０×１０６Ｖ／
ｏｒ＋、Ａｔ２０３ では３０ Ｘ １０ ’Ｖ ／
ｃｍ。
ｂ１３Ｎ４でｄ、７０Ｘ１０ Ｖ／釧であるのと比較
して本発明において用いら力るタングステンブロンズ型
の化合物薄膜がすぐ７１１ていることがわかる。
して本発明において用いら力るタングステンブロンズ型
の化合物薄膜がすぐ７１１ていることがわかる。
６ べ−″
なかでもＡｓ２Ｏ３のＡ元素がＰｂであるところのＰｂ
Ｔａ２０６とＰｂＮｂ２Ｏ６はＥｂ・Ｏ１が１６０×１
０６Ｖ／ｌｙｎ、 １２０Ｘ １０”Ｖ／ｃｎｎあり
非常にすぐれたＥＬ用用膜膜材料ある。これらの薄膜は
、セラミックスをターゲットとし、ＲＦスハノタリング
により形成する。基板温度は高ければ高いほどＯ１の高
い薄膜が得られる。Ｅｂは基板温度が約４００℃以下で
はほぼ一定の値であり、それ以上に加熱すると少しずつ
減少してゆく。Ｅｂ・Ｏ１が最も大きくなるのは、基板
温度が４００’Ｃ前後である。この温度域ならば、螢光
体薄膜層に悪影響も及ぼさないし、ガラス基板も熱的な
変形等の問題もなしに使用できる。また、タングステン
ブロンズ薄膜層も粒成長による白濁化はまったく起らな
い。
Ｔａ２０６とＰｂＮｂ２Ｏ６はＥｂ・Ｏ１が１６０×１
０６Ｖ／ｌｙｎ、 １２０Ｘ １０”Ｖ／ｃｎｎあり
非常にすぐれたＥＬ用用膜膜材料ある。これらの薄膜は
、セラミックスをターゲットとし、ＲＦスハノタリング
により形成する。基板温度は高ければ高いほどＯ１の高
い薄膜が得られる。Ｅｂは基板温度が約４００℃以下で
はほぼ一定の値であり、それ以上に加熱すると少しずつ
減少してゆく。Ｅｂ・Ｏ１が最も大きくなるのは、基板
温度が４００’Ｃ前後である。この温度域ならば、螢光
体薄膜層に悪影響も及ぼさないし、ガラス基板も熱的な
変形等の問題もなしに使用できる。また、タングステン
ブロンズ薄膜層も粒成長による白濁化はまったく起らな
い。
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
なおここでは比較のために従来例も併せて説明する。
従来列を第１図に、また本発明の一実施例を第２図にそ
れぞれ示すように、ＩＴＯ（インジウムたガラス塙板→
１ 、 １１ｉ、厚さ４０膜ｍのＹ２Ｏ３膜３，１３を
電ｒ・ビーム蒸着した。この上にＺｎＳとＭｎを同時蒸
着しＺｎＳ：Ｍｎの螢光体層４．１４を形成した。膜厚
は６００膜ｍである。
れぞれ示すように、ＩＴＯ（インジウムたガラス塙板→
１ 、 １１ｉ、厚さ４０膜ｍのＹ２Ｏ３膜３，１３を
電ｒ・ビーム蒸着した。この上にＺｎＳとＭｎを同時蒸
着しＺｎＳ：Ｍｎの螢光体層４．１４を形成した。膜厚
は６００膜ｍである。
熱溶１■ｌｊ ｉｊ：真空中６８０℃で１時間行なった
。この素子を３分割し、そのうちの素子１は比較用の従
来例として、第１図に示すように、４００ ｎｍの厚さ
のＹ２Ｏ３膜５（ｒ−形成した。−力木発明の一実施例
と（〜で素子２にｄｌ、第２図に示すように、Ｚｎ５Ｉ
Ｖ１ｎの保護用に厚式３０ ｎｍの゛ｒａ２０６膜１５
を電？−ビー ム蒸着（〜、その−ににＰｂＮｂ２Ｏ６
の士うミックスをターゲットに用いてマグネトロンＲＩ
Ｉ“スパッタリングに」、すＰｂＮｂ２Ｏ６膜１６を形
成し／こ。スパッタリング）メ囲気は、０２ 、’ Ａ
ｒ＝１＝４で圧力Ｃ１，６Ｐａである。基板温度は４
２０℃、膜ｒ＝ ｉ：Ｉ、７００膜ｍである。捷た本発
明の他の実施例として素子３にニ」：、ターゲットとし
てＰｂＮｂ２Ｏ６のかわりにＰｂＴａ２０６を用い、他
は素子２の用台と同一の子１’ｌ’にし、ＰｂＴａ２０
６膜を形成した。Ｊン十の栄件で洋食したＰｂＮｂ２Ｏ
６膜吉Ｐ ｂ Ｔ ａ ２０６膜の特性は、Ｅｂがそれ
ぞれ２．２×１０６Ｖ／ｃｍ、 ２．６ Ｘ １０６
Ｖ／ｌｙｎ、 Ｅ、 ｌ）：それぞれ７０．４８であ
る。又、Ｘ線回折の結果、それぞれの膜においてＰｂＮ
ｂ０ ＰｂＴａ２０６のビー ６７ りと非晶質を示すハローピークとの重なった回折パター
ンが得られた。一方膜の白濁はみられなかった。
。この素子を３分割し、そのうちの素子１は比較用の従
来例として、第１図に示すように、４００ ｎｍの厚さ
のＹ２Ｏ３膜５（ｒ−形成した。−力木発明の一実施例
と（〜で素子２にｄｌ、第２図に示すように、Ｚｎ５Ｉ
Ｖ１ｎの保護用に厚式３０ ｎｍの゛ｒａ２０６膜１５
を電？−ビー ム蒸着（〜、その−ににＰｂＮｂ２Ｏ６
の士うミックスをターゲットに用いてマグネトロンＲＩ
Ｉ“スパッタリングに」、すＰｂＮｂ２Ｏ６膜１６を形
成し／こ。スパッタリング）メ囲気は、０２ 、’ Ａ
ｒ＝１＝４で圧力Ｃ１，６Ｐａである。基板温度は４
２０℃、膜ｒ＝ ｉ：Ｉ、７００膜ｍである。捷た本発
明の他の実施例として素子３にニ」：、ターゲットとし
てＰｂＮｂ２Ｏ６のかわりにＰｂＴａ２０６を用い、他
は素子２の用台と同一の子１’ｌ’にし、ＰｂＴａ２０
６膜を形成した。Ｊン十の栄件で洋食したＰｂＮｂ２Ｏ
６膜吉Ｐ ｂ Ｔ ａ ２０６膜の特性は、Ｅｂがそれ
ぞれ２．２×１０６Ｖ／ｃｍ、 ２．６ Ｘ １０６
Ｖ／ｌｙｎ、 Ｅ、 ｌ）：それぞれ７０．４８であ
る。又、Ｘ線回折の結果、それぞれの膜においてＰｂＮ
ｂ０ ＰｂＴａ２０６のビー ６７ りと非晶質を示すハローピークとの重なった回折パター
ンが得られた。一方膜の白濁はみられなかった。
なお第１図、第２図に示すように、光反射Ａｔ電極６．
１７としてＡｔの薄膜を蒸着した。
１７としてＡｔの薄膜を蒸着した。
以」二の様にして作製きれたＥＬ素子は５ＫＨｚの正弦
波駆動をしたところ、素子１では約１５０ｖで輝度がほ
ぼ飽和し、素子２では１ｏｏ’Ｖで、素子３では１１ｏ
■で輝度がほぼ飽和し安定に発光した。飽和輝度ば３素
子ともに約３０００ ｃ ｄ ／ ｃｒｌであった。
波駆動をしたところ、素子１では約１５０ｖで輝度がほ
ぼ飽和し、素子２では１ｏｏ’Ｖで、素子３では１１ｏ
■で輝度がほぼ飽和し安定に発光した。飽和輝度ば３素
子ともに約３０００ ｃ ｄ ／ ｃｒｌであった。
以上説明した様に、本発明の薄膜発光素子は、従来素子
にくらべ駆動電圧が低く、安定に動作するものである。
にくらべ駆動電圧が低く、安定に動作するものである。
９ ページ
第１図Ｃ１、？、Ｙ−来の薄膜つ己光素子の断面図、第
２図ｄ１本発明の一実施例である薄膜発光素子の断面図
である。 １１１・・・・・・ガラス基板、２．１２・・・・・・
透明電極、３，１３・・・・・・Ｙ２Ｏ３膜、４，１４
・・・・ＺｎＳ：ＭｎＪｌ莫、 ５ −−−−− ・
Ｙ２Ｏ３刀１％、 １ ５ − 山−−Ｔａ２０
５膜、１ｅ ・−・−−−ＰｂＮｂ２Ｏ６膜、１６．１
７・・・・・−Ａｔ電俸。 代１′Ｉ１１人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか
１名第１図 第２図
２図ｄ１本発明の一実施例である薄膜発光素子の断面図
である。 １１１・・・・・・ガラス基板、２．１２・・・・・・
透明電極、３，１３・・・・・・Ｙ２Ｏ３膜、４，１４
・・・・ＺｎＳ：ＭｎＪｌ莫、 ５ −−−−− ・
Ｙ２Ｏ３刀１％、 １ ５ − 山−−Ｔａ２０
５膜、１ｅ ・−・−−−ＰｂＮｂ２Ｏ６膜、１６．１
７・・・・・−Ａｔ電俸。 代１′Ｉ１１人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか
１名第１図 第２図
Claims (2)
- （１）螢光体薄膜層の少くとも一方の面上に誘電体薄膜
層が設けられるとともに、少くとも一方が光透過性を有
する２つの電極・−により上記薄膜層に電圧が印加され
るよう構成きれ、上記誘電体薄膜層がタングステンブロ
ンズ形の化合物を主成分とする誘電体からなることを特
徴とする薄膜発光素子。 - （２） タングステンブロンズ形の化合物が一般式Ａ
Ｂ２０６で表わされ、上記一般式中のＡがＰｂ。 Ｃａ、 Ｓｒ、 ＢａおよびＣｄよりなるグループのな
かから選ばれた少くとも一種からなり、同ＢがＴａ。 ｒｉｂの内少くとも一種からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の薄膜発光素子０
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091594A JPS58209093A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 薄膜発光素子 |
| EP83901629A EP0111568B1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electric field light-emitting device |
| DE8383901629T DE3367039D1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electric field light-emitting device |
| PCT/JP1983/000164 WO1983004339A1 (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electric field light-emitting device |
| US06/576,394 US4547703A (en) | 1982-05-28 | 1983-05-26 | Thin film electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091594A JPS58209093A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 薄膜発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209093A true JPS58209093A (ja) | 1983-12-05 |
| JPH0439200B2 JPH0439200B2 (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=14030874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57091594A Granted JPS58209093A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209093A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111502A (en) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Senkyokusochi |
| JPS5111503A (ja) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Nippon Electric Co | |
| JPS53116499A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-11 | Sharp Corp | Preparing high dielectric thin film |
| JPS53118390A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-16 | Sharp Corp | Thin film luminous element |
| JPS5426712A (en) * | 1977-07-30 | 1979-02-28 | Otani Denki Kk | Magnetic head core holder |
| JPS57105994A (en) * | 1980-12-22 | 1982-07-01 | Fujitsu Ltd | Method of producing el display element |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57091594A patent/JPS58209093A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111502A (en) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Senkyokusochi |
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| JPS53116499A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-11 | Sharp Corp | Preparing high dielectric thin film |
| JPS53118390A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-16 | Sharp Corp | Thin film luminous element |
| JPS5426712A (en) * | 1977-07-30 | 1979-02-28 | Otani Denki Kk | Magnetic head core holder |
| JPS57105994A (en) * | 1980-12-22 | 1982-07-01 | Fujitsu Ltd | Method of producing el display element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439200B2 (ja) | 1992-06-26 |
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