JPH04196088A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH04196088A JPH04196088A JP2322355A JP32235590A JPH04196088A JP H04196088 A JPH04196088 A JP H04196088A JP 2322355 A JP2322355 A JP 2322355A JP 32235590 A JP32235590 A JP 32235590A JP H04196088 A JPH04196088 A JP H04196088A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- emitting layer
- light
- activated
- light emitting
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電圧を印加することによりＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）発光を呈するＥＬ発光層を有する薄膜ＥＬ
素子に関し、特に青色系の発光を有する平面デイスプレ
ィに好適なＥＬ素子に関する。
ミネセンス）発光を呈するＥＬ発光層を有する薄膜ＥＬ
素子に関し、特に青色系の発光を有する平面デイスプレ
ィに好適なＥＬ素子に関する。
［従来の技術］
薄膜ＥＬ素子は、全固体薄型でコントラストの高い高品
質の表示ができる等の優れた特徴を有する。このような
薄膜ＥＬ素子の有するＥＬ発光層の材料としては、一般
に黄橙色発光を呈するＭｎを付活したＺｎＳ薄膜が知ら
れており、これは既に実用化され、計測機器、各種情報
機器への応用が進んでいる。また、近年より多くの情報
を表示するために、多色表示の可能な薄膜ＥＬ素子が望
まれ、さかんに研究されている。薄膜ＥＬ素子で多色表
示をする方法としては、例えば複数の発光色の異なるＥ
Ｌ発光層を重ねる方法、同一平面内に複数の発光色の異
なるＥＬ発光層を並べる方法、幅広いスペクトルをもっ
た発光（特に白色）を呈する発光層を有する薄膜ＥＬ素
子の上にカラーフィルターを重ねる方法なとか提案され
ている。ところで、複数のＥＬ発光層を用いて多色表示
を実現するには赤色、緑色、青色の発光領域をそれらの
ＥＬ発光層で分担することか必要とされ、既に赤色、緑
色についてはＥｕを付活したＣａＳ薄膜（赤色）、Ｔｂ
を付活したＺｎＳ薄膜（緑色）。
質の表示ができる等の優れた特徴を有する。このような
薄膜ＥＬ素子の有するＥＬ発光層の材料としては、一般
に黄橙色発光を呈するＭｎを付活したＺｎＳ薄膜が知ら
れており、これは既に実用化され、計測機器、各種情報
機器への応用が進んでいる。また、近年より多くの情報
を表示するために、多色表示の可能な薄膜ＥＬ素子が望
まれ、さかんに研究されている。薄膜ＥＬ素子で多色表
示をする方法としては、例えば複数の発光色の異なるＥ
Ｌ発光層を重ねる方法、同一平面内に複数の発光色の異
なるＥＬ発光層を並べる方法、幅広いスペクトルをもっ
た発光（特に白色）を呈する発光層を有する薄膜ＥＬ素
子の上にカラーフィルターを重ねる方法なとか提案され
ている。ところで、複数のＥＬ発光層を用いて多色表示
を実現するには赤色、緑色、青色の発光領域をそれらの
ＥＬ発光層で分担することか必要とされ、既に赤色、緑
色についてはＥｕを付活したＣａＳ薄膜（赤色）、Ｔｂ
を付活したＺｎＳ薄膜（緑色）。
Ｍｎを付活したＺ ｎ Ｓ 薄膜（赤色及び緑色）から
なるＥＬ発光層等が輝度の点で実用レベルに達している
。ところが青色発光を呈するＥＬ発光層についてはＷ、
Ａ、 ＢａｒｒｏｗらによってＣｅを付活したＳｒＳ
薄膜が提案されているものの（Ｄｉｇｅｓｔ １９８４
ＳＩＤ Ｉｎｔ、 Ｓｙｍｐ、＋ １２８ （１９８４
）） 、実用レベルの約１／２の輝度しか得られていな
いという問題があった。
なるＥＬ発光層等が輝度の点で実用レベルに達している
。ところが青色発光を呈するＥＬ発光層についてはＷ、
Ａ、 ＢａｒｒｏｗらによってＣｅを付活したＳｒＳ
薄膜が提案されているものの（Ｄｉｇｅｓｔ １９８４
ＳＩＤ Ｉｎｔ、 Ｓｙｍｐ、＋ １２８ （１９８４
）） 、実用レベルの約１／２の輝度しか得られていな
いという問題があった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目的
は輝度の高い青色発光を呈するＥＬ発光層を有する薄膜
ＥＬ素子を提供することにある。
は輝度の高い青色発光を呈するＥＬ発光層を有する薄膜
ＥＬ素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行な
った結果、ＳｒＳを母体とし、これに少なくともＣｅ及
びＨｏ若しくはＣｅ及びＧｄをある濃度で付活した薄膜
からなるＥＬ発光層は優れた青色発光を呈することを見
出だし本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、
ＥＬ発光層及び該ＥＬ発光層に電圧を印加する手段を有
する薄膜ＥＬ素子において、上記ＥＬ発光層が、ＳｒＳ
母体中に少なくともＣｅ及びＨｏを付活した薄膜を含ん
でなりなり、該薄膜中のＣｅの濃度が０．０１〜０．２
５ａｔｍ％、Ｈｏの濃度が０．０１〜０．２０ａｔｍ％
であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子及びＥＬ発光層及
び該ＥＬ発光層に電圧を印加する手段を有する薄膜ＥＬ
素子において、上記ＥＬ発光層が、ＳｒＳ母体中に少な
くともＣｅ及びＧｄを付活した薄膜を含んでなり、該薄
膜中のＣｅの濃度が０．０３〜０．２５ａｔｍ％、Ｇｄ
の濃度が０，０３〜０．２５ａｔｍ％であることを特徴
とする薄膜ＥＬ素子である。本発明の薄膜ＥＬ素子はＥ
Ｌ発光層に特徴のあるものであり、少なくともＣｅ及び
Ｈｏ若しくはＣｅ及びＧｄを付活し、かつ付活される原
子の濃度が規定されたＳｒＳ薄膜を含むものである。こ
こで、上記により特定された薄膜を含むＥＬ発光層とは
、ＥＬ発光層が上記薄膜のみから構成されること、ＥＬ
発光層が上記薄膜を積ねであるいは並べて構成されるこ
となとを示す。また、本発明の薄膜ＥＬ素子において、
上記ＳｒＳを母体とする薄膜には少なくともＣｅ及びＨ
ｏ若しくはＣｅ及びＧｄが付活されているが、この他に
も更なる輝度の向上を図るためにＰなどの元素を付活し
ても差支えない。
った結果、ＳｒＳを母体とし、これに少なくともＣｅ及
びＨｏ若しくはＣｅ及びＧｄをある濃度で付活した薄膜
からなるＥＬ発光層は優れた青色発光を呈することを見
出だし本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、
ＥＬ発光層及び該ＥＬ発光層に電圧を印加する手段を有
する薄膜ＥＬ素子において、上記ＥＬ発光層が、ＳｒＳ
母体中に少なくともＣｅ及びＨｏを付活した薄膜を含ん
でなりなり、該薄膜中のＣｅの濃度が０．０１〜０．２
５ａｔｍ％、Ｈｏの濃度が０．０１〜０．２０ａｔｍ％
であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子及びＥＬ発光層及
び該ＥＬ発光層に電圧を印加する手段を有する薄膜ＥＬ
素子において、上記ＥＬ発光層が、ＳｒＳ母体中に少な
くともＣｅ及びＧｄを付活した薄膜を含んでなり、該薄
膜中のＣｅの濃度が０．０３〜０．２５ａｔｍ％、Ｇｄ
の濃度が０，０３〜０．２５ａｔｍ％であることを特徴
とする薄膜ＥＬ素子である。本発明の薄膜ＥＬ素子はＥ
Ｌ発光層に特徴のあるものであり、少なくともＣｅ及び
Ｈｏ若しくはＣｅ及びＧｄを付活し、かつ付活される原
子の濃度が規定されたＳｒＳ薄膜を含むものである。こ
こで、上記により特定された薄膜を含むＥＬ発光層とは
、ＥＬ発光層が上記薄膜のみから構成されること、ＥＬ
発光層が上記薄膜を積ねであるいは並べて構成されるこ
となとを示す。また、本発明の薄膜ＥＬ素子において、
上記ＳｒＳを母体とする薄膜には少なくともＣｅ及びＨ
ｏ若しくはＣｅ及びＧｄが付活されているが、この他に
も更なる輝度の向上を図るためにＰなどの元素を付活し
ても差支えない。
本発明の薄膜ＥＬ素子におけるＣｅ及びＨｏを付活した
ＳｒＳ薄膜は、Ｃｅ及びＨｏが上述の範囲で付活されて
いるため、該薄膜の呈する発光スペクｉ・ルの特に４８
０ ｎｍ付近の青色発光成分が増大され、このことによ
り高い輝度の青色発光を呈するものとなる。一方、Ｃｅ
及びＧｃｌを付活したＳｒＳ薄膜は、Ｃｅ及びＧｄが上
述の範囲で付活されているため、Ｇｄからの紫外発光が
Ｃｅの発光に対して増感作用を示し、このことにより高
い輝度の青色発光を呈するものとなると考えられる。
ＳｒＳ薄膜は、Ｃｅ及びＨｏが上述の範囲で付活されて
いるため、該薄膜の呈する発光スペクｉ・ルの特に４８
０ ｎｍ付近の青色発光成分が増大され、このことによ
り高い輝度の青色発光を呈するものとなる。一方、Ｃｅ
及びＧｃｌを付活したＳｒＳ薄膜は、Ｃｅ及びＧｄが上
述の範囲で付活されているため、Ｇｄからの紫外発光が
Ｃｅの発光に対して増感作用を示し、このことにより高
い輝度の青色発光を呈するものとなると考えられる。
本発明の薄膜ＥＬ素子はこれら薄膜をＥＬ発光層として
含むため、高い輝度の青色発光を呈するものとなり、更
に発光面に青色フィルターを装着することにより、実用
に供することが可能となる。
含むため、高い輝度の青色発光を呈するものとなり、更
に発光面に青色フィルターを装着することにより、実用
に供することが可能となる。
本発明の薄膜ＥＬ素子はＥＬ発光層及び該ＥＬ発光層に
電圧を印加する手段を有していれば特にその構造は限定
されず、第１図により示される断面構造を有するものな
どが例示される。第１図において、ＥＬ発光層４には透
明電極２及び背面電極６により電圧が印加される。また
、本発明の薄膜ＥＬ素子におけるＥＬ発光層４の厚みは
特に限定されないが、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧、明るさ
などを考慮して０．５〜２．５μｍとすることが好まし
い。更に、本発明の薄膜ＥＬ素子におけるＥＬ発光層は
例えばスパッタリング法、蒸着法など種々の薄膜形成技
術により形成することができる。
電圧を印加する手段を有していれば特にその構造は限定
されず、第１図により示される断面構造を有するものな
どが例示される。第１図において、ＥＬ発光層４には透
明電極２及び背面電極６により電圧が印加される。また
、本発明の薄膜ＥＬ素子におけるＥＬ発光層４の厚みは
特に限定されないが、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧、明るさ
などを考慮して０．５〜２．５μｍとすることが好まし
い。更に、本発明の薄膜ＥＬ素子におけるＥＬ発光層は
例えばスパッタリング法、蒸着法など種々の薄膜形成技
術により形成することができる。
［実施例コ
以下、本発明の実施例を述べるが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
定されるものではない。
実施例１
第１図に示す断面構造を有する薄膜ＥＬ素子を作製した
。はじめに、ガラスからなる透明基板１の上に、フォト
エツチングによりストライプ状にＩＴＯから構成される
透明電極２を形成し、更にこの上に第一絶縁層３を形成
した。この第一絶縁層３は、ＳｉＯ２を０．０３μｍ、
Ｓ ｉ３Ｎ、を０．１７μｍ５ＲＦスパツタリング法に
より積層して形成した。次にＥＬ発光層４として、Ｓｒ
Ｓに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２Ｓ３及び０．０５ａｔｍ
％のＨｏ２Ｓ３を添加したペレットを蒸発原料とし、電
子ビーム蒸着法により、Ｃｅ及びＨｏを付活したＳｒＳ
薄膜を約１．０μｍの厚みに形成した。
。はじめに、ガラスからなる透明基板１の上に、フォト
エツチングによりストライプ状にＩＴＯから構成される
透明電極２を形成し、更にこの上に第一絶縁層３を形成
した。この第一絶縁層３は、ＳｉＯ２を０．０３μｍ、
Ｓ ｉ３Ｎ、を０．１７μｍ５ＲＦスパツタリング法に
より積層して形成した。次にＥＬ発光層４として、Ｓｒ
Ｓに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２Ｓ３及び０．０５ａｔｍ
％のＨｏ２Ｓ３を添加したペレットを蒸発原料とし、電
子ビーム蒸着法により、Ｃｅ及びＨｏを付活したＳｒＳ
薄膜を約１．０μｍの厚みに形成した。
なお、ＥＬ発光層４の蒸着は、基板温度を５５０℃と一
定にして、到達真空度を３ Ｘ １０ ””Ｔｏｒｒ以
下とし、蒸着中は硫化水素を導入して雰囲気の制御を行
ない、堆積速度は５人／秒として行なった。
定にして、到達真空度を３ Ｘ １０ ””Ｔｏｒｒ以
下とし、蒸着中は硫化水素を導入して雰囲気の制御を行
ない、堆積速度は５人／秒として行なった。
次に、Ｅ、Ｌ発光層４の上にＲＦスパッタリング法によ
り第二絶縁層５を５ｔ３Ｎ４を０．１５μｍ。
り第二絶縁層５を５ｔ３Ｎ４を０．１５μｍ。
Ａｆ！２０３を０．０５μｍの厚みで積層することによ
り形成し、この上に背面電極６として金属Ａρを０．１
μｍの厚みで透明電極と直交するように形成した。
り形成し、この上に背面電極６として金属Ａρを０．１
μｍの厚みで透明電極と直交するように形成した。
その後、以上により得られた薄膜ＥＬ素子の発光表面に
青色フィルターを装着し、透明電極と背面電極との間に
Ｉ Ｋｌ（ｚ正弦波電圧を印加し輝度７１＋１１定を行
なった。第２図（３）に得られた薄膜ＥＬ素子の発光ス
ペクトルを示し、また第３図に得られた薄膜ＥＬ素子の
輝度−印加電圧特性を示すが、得られた薄膜ＥＬ素子の
発光スペクトルは４８０ｎＩＩｌ付近の青色発光成分が
増加しており、発光輝度は高いものであった。
青色フィルターを装着し、透明電極と背面電極との間に
Ｉ Ｋｌ（ｚ正弦波電圧を印加し輝度７１＋１１定を行
なった。第２図（３）に得られた薄膜ＥＬ素子の発光ス
ペクトルを示し、また第３図に得られた薄膜ＥＬ素子の
輝度−印加電圧特性を示すが、得られた薄膜ＥＬ素子の
発光スペクトルは４８０ｎＩＩｌ付近の青色発光成分が
増加しており、発光輝度は高いものであった。
実施例２
蒸発原料としてＳｒＳに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２Ｓ３
及び０．０５ａ１％のＧｄ２５３を添加したペレットを
用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と同様の
方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定した。得
られた薄膜ＥＬ素子の輝度−印加電圧特性を第３図に示
すが、得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈し、その輝
度は高いものであった。
及び０．０５ａ１％のＧｄ２５３を添加したペレットを
用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と同様の
方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定した。得
られた薄膜ＥＬ素子の輝度−印加電圧特性を第３図に示
すが、得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈し、その輝
度は高いものであった。
実施例３
蒸発原料としてＳｒＳに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２Ｓ３
及び０．１５ａｔＩ１１％のＨｏ２ Ｓ３を添加したペ
レットを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１
と同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定
した。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈し、その輝
度は実施例１で得られた素子よりやや高いものであった
。
及び０．１５ａｔＩ１１％のＨｏ２ Ｓ３を添加したペ
レットを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１
と同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定
した。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈し、その輝
度は実施例１で得られた素子よりやや高いものであった
。
実施例４
蒸発原料としてＳｒＳに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２Ｓ、
及び０．２０ａｔｍ％のＧｄ２ Ｓ３を添加したペレッ
トを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と同
様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定した
。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈し、その輝度は
実施例２で得られた素子とほぼ同等であった。
及び０．２０ａｔｍ％のＧｄ２ Ｓ３を添加したペレッ
トを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と同
様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定した
。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈し、その輝度は
実施例２で得られた素子とほぼ同等であった。
比較例１
蒸発原料としてＳｒＳに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２８３
を添加したペレットを用いてＥＬ発光層４を形成した以
外は実施例１と同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発
光輝度を測定した。得られた薄膜ＥＬ素子の発光スペク
トルを第２図（１）に、得られた薄膜ＥＬ素子の輝度−
印加電圧特性を第３図に示すが、得られた薄膜Ｅ Ｌ素
子は青色発光を呈したものの、その輝度は低いものであ
った。
を添加したペレットを用いてＥＬ発光層４を形成した以
外は実施例１と同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発
光輝度を測定した。得られた薄膜ＥＬ素子の発光スペク
トルを第２図（１）に、得られた薄膜ＥＬ素子の輝度−
印加電圧特性を第３図に示すが、得られた薄膜Ｅ Ｌ素
子は青色発光を呈したものの、その輝度は低いものであ
った。
比較例２
蒸発原料としてＳｒＳに０．０５ａｔｍ％のＨｏ２Ｓ３
を添加したペレットを用いてＥＬ発光層４を形成した以
外は実施例１と同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発
光輝度を測定した。得られた薄膜ＥＬ素子の発光スペク
トルを第２図（２）に示すが。得られた薄膜ＥＬ索子の
青色発光領域に対応する輝度は低いものであった。
を添加したペレットを用いてＥＬ発光層４を形成した以
外は実施例１と同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発
光輝度を測定した。得られた薄膜ＥＬ素子の発光スペク
トルを第２図（２）に示すが。得られた薄膜ＥＬ索子の
青色発光領域に対応する輝度は低いものであった。
比較例３
蒸発原料としてＳｒＳに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２Ｓ３
及び０．３０ａｔＩ１１％のＨｏ２Ｓ３を添加したペレ
ットを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と
同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定し
た。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈したものの、
その輝度は実施例１で得られた素子と比較して低いもの
であった。
及び０．３０ａｔＩ１１％のＨｏ２Ｓ３を添加したペレ
ットを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と
同様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定し
た。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈したものの、
その輝度は実施例１で得られた素子と比較して低いもの
であった。
比較例４
蒸発原料としてＳｒＳに０．１０ａｔｍ％のＣｅ２Ｓ、
及び０．３０ａｔｍ％のＧｄ２ Ｓ３を添加したペレッ
トを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と同
様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定した
。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈したが、その輝
度は実施例２で得られた素子より低下したものであった
。
及び０．３０ａｔｍ％のＧｄ２ Ｓ３を添加したペレッ
トを用いてＥＬ発光層４を形成した以外は実施例１と同
様の方法で薄膜ＥＬ素子を得、その発光輝度を測定した
。得られた薄膜ＥＬ素子は青色発光を呈したが、その輝
度は実施例２で得られた素子より低下したものであった
。
［発明の効果］
以上述べたとおり、本発明の薄膜ＥＬ素子は高い輝度で
青色発光を呈するものとなり、多色表示のために用いる
ことができるものとなる。
青色発光を呈するものとなり、多色表示のために用いる
ことができるものとなる。
第１図は、薄膜ＥＬ素子の断面構造の一例を示す図であ
る。 第２図は、本発明の実施例及び比較例により得られた薄
膜ＥＬ素子の発光スペクトルを示す図である。 第３図は、本発明の実施例及び比較例により得られた薄
膜ＥＬ素子の輝度−印加電圧特性を示す図である。
る。 第２図は、本発明の実施例及び比較例により得られた薄
膜ＥＬ素子の発光スペクトルを示す図である。 第３図は、本発明の実施例及び比較例により得られた薄
膜ＥＬ素子の輝度−印加電圧特性を示す図である。
Claims (2)
- （１）ＥＬ発光層及び該ＥＬ発光層に電圧を印加する手
段を有する薄膜ＥＬ素子において、上記ＥＬ発光層が、
ＳｒＳ母体中に少なくともＣｅ及びＨｏを付活した薄膜
を含んでなりなり、該薄膜中のＣｅの濃度が０．０１〜
０．２５ａｔｍ％、Ｈｏの濃度が０．０１〜０．２０ａ
ｔｍ％であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - （２）ＥＬ発光層及び該ＥＬ発光層に電圧を印加する手
段を有する薄膜ＥＬ素子において、上記ＥＬ発光層が、
ＳｒＳ母体中に少なくともＣｅ及びＧｄを付活した薄膜
を含んでなり、該薄膜中のＣｅの濃度が０．０３〜０．
２５ａｔｍ％、Ｇｄの濃度が０．０３〜０．２５ａｔｍ
％であることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322355A JPH04196088A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322355A JPH04196088A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196088A true JPH04196088A (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=18142719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2322355A Pending JPH04196088A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196088A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006077864A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | T. Chatani & Co., Ltd. | 発光体の製造方法、発光体、及び発光装置 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2322355A patent/JPH04196088A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006077864A1 (ja) * | 2005-01-19 | 2006-07-27 | T. Chatani & Co., Ltd. | 発光体の製造方法、発光体、及び発光装置 |
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