JPS58209178A - ジヨセフソン集積回路 - Google Patents
ジヨセフソン集積回路Info
- Publication number
- JPS58209178A JPS58209178A JP57092803A JP9280382A JPS58209178A JP S58209178 A JPS58209178 A JP S58209178A JP 57092803 A JP57092803 A JP 57092803A JP 9280382 A JP9280382 A JP 9280382A JP S58209178 A JPS58209178 A JP S58209178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- josephson junction
- current ratio
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、ジョセフソン接合論理ゲートに係り、特に共
通の構造を有し、配線接続等の変更のみによυ異なる論
理動作が可能なジョセフソン−理ゲートと、これを用い
る論理回路に関する。
通の構造を有し、配線接続等の変更のみによυ異なる論
理動作が可能なジョセフソン−理ゲートと、これを用い
る論理回路に関する。
（２）従来技術と問題点
従来提案された可変しきい値特性型菫子干渉素子として
は、臨界電流比は共通で、バイアス・１ｇ号・オフセッ
ト−流等の配線接続のみの変更により、論理積・論理和
の製作を選択していた。ところで、論理積と論理和とで
は動作マージンが最大となる臨界電流比が異なるので、
一方の動作マージンが犠牲となっていた。
は、臨界電流比は共通で、バイアス・１ｇ号・オフセッ
ト−流等の配線接続のみの変更により、論理積・論理和
の製作を選択していた。ところで、論理積と論理和とで
は動作マージンが最大となる臨界電流比が異なるので、
一方の動作マージンが犠牲となっていた。
（３）発明の目的
本発明目的は、インダクタンスや電極等の大部分の構造
が共通であって、１を−〜２）―の変更のみ太 で、臨界１１哩比を容易に変更可能とするものである０ （４）発明の構成 本発明は、ジョセフソノ髪合形成のための絶縁層の窓開
は個数を変更するか、あるいは、配線接続の変更により
ジョセフソン接合の接続位置を変更することにより、
臨界電流比を変更し、異なる論理動作を各々に適した臨
界電流比で実現できるようにし、しかも、その変更が１
層〜２層のホトマスク変更のみで容易に行なえるように
したものである。
が共通であって、１を−〜２）―の変更のみ太 で、臨界１１哩比を容易に変更可能とするものである０ （４）発明の構成 本発明は、ジョセフソノ髪合形成のための絶縁層の窓開
は個数を変更するか、あるいは、配線接続の変更により
ジョセフソン接合の接続位置を変更することにより、
臨界電流比を変更し、異なる論理動作を各々に適した臨
界電流比で実現できるようにし、しかも、その変更が１
層〜２層のホトマスク変更のみで容易に行なえるように
したものである。
（５）発明の実抛例
第１図は、町変しきい値特性型童子干渉素子の等価回路
を示す。２つの接合Ｊ＋、Ｊｔの臨界電流比が、１：３
である時（第１図（ａ））動作マージンの大きな論理和
となる。ＩＧはバイアス′に流、ＩＨｌとＩ）ｉｔは信
号電流である。一方第１図（ｂ）にボす繊理積は、Ｊ８
．Ｊ４の臨界′直流比が１．１の場合に動作マージンが
大きい。なお、ＬＩｏ積は１．４Φ０（Φ０は磁束量子
２．０７ Ｘ １０−”Ｗｂ ）程度であって、第１図
（ｂ）のＩＨ，にはΦ、／２Ｌなるオフセシ）［流を流
す。
を示す。２つの接合Ｊ＋、Ｊｔの臨界電流比が、１：３
である時（第１図（ａ））動作マージンの大きな論理和
となる。ＩＧはバイアス′に流、ＩＨｌとＩ）ｉｔは信
号電流である。一方第１図（ｂ）にボす繊理積は、Ｊ８
．Ｊ４の臨界′直流比が１．１の場合に動作マージンが
大きい。なお、ＬＩｏ積は１．４Φ０（Φ０は磁束量子
２．０７ Ｘ １０−”Ｗｂ ）程度であって、第１図
（ｂ）のＩＨ，にはΦ、／２Ｌなるオフセシ）［流を流
す。
第２図は本発明の一実施例を示す図であり、１゜１′は
各々インダクタンスＴ”、τＬを構成する下部電極でち
ゃ、その上に図中省略した絶縁層５ｉＯＫより絶縁され
たコントロールｍ［、Ｌｒ配し、各々１．１′と磁界結
合している。＃絶縁層Ｖこは図中黒点２で示す窓開けを
行ない、この部分がジョセフソン接合となるが、第２図
（ａ）に示すようにその個数を１′側に３個、１１１１
に１個とすれば、臨が直流比を１：３とすることが出来
る。一方、＠２図（ｂ）に示すように２個ずつにする場
合は臨界’ｆｔ Ｍｔ比は１：１となる。３は下部電極
であって、Ｓｉ０層に開けた窓４を介して汝地される。
各々インダクタンスＴ”、τＬを構成する下部電極でち
ゃ、その上に図中省略した絶縁層５ｉＯＫより絶縁され
たコントロールｍ［、Ｌｒ配し、各々１．１′と磁界結
合している。＃絶縁層Ｖこは図中黒点２で示す窓開けを
行ない、この部分がジョセフソン接合となるが、第２図
（ａ）に示すようにその個数を１′側に３個、１１１１
に１個とすれば、臨が直流比を１：３とすることが出来
る。一方、＠２図（ｂ）に示すように２個ずつにする場
合は臨界’ｆｔ Ｍｔ比は１：１となる。３は下部電極
であって、Ｓｉ０層に開けた窓４を介して汝地される。
５はバイアス電流Ｉｃを流す端子であり、６，７は信号
電流注入端子である。
電流注入端子である。
第３図には他の実施例を示す。接合は１′側に２個、１
側に１個作り、さらに下ｆｆ：ｌ ’＋［、極１，１’
と分離された他の下部電極１１上に、さらｖｃ ｉ （
＋４の接合１０を作っておく。以上を共通構ゴ貨として
、第３図（＆）に示すように１′と１１を配線１２によ
り接続すると、１′側に３１固の接合が接続されたこと
になり、臨界直流比１′ｉ３ ： １となる。４３図（
ｂ）に示すように１：１１を配線１３により接続すれば
、臨界′直流比１：１が得られる。
側に１個作り、さらに下ｆｆ：ｌ ’＋［、極１，１’
と分離された他の下部電極１１上に、さらｖｃ ｉ （
＋４の接合１０を作っておく。以上を共通構ゴ貨として
、第３図（＆）に示すように１′と１１を配線１２によ
り接続すると、１′側に３１固の接合が接続されたこと
になり、臨界直流比１′ｉ３ ： １となる。４３図（
ｂ）に示すように１：１１を配線１３により接続すれば
、臨界′直流比１：１が得られる。
（６）発明の効果
本発明によれば可変しきいｌ’ｊｊｊ特性型曾特性型素
子干渉素子クタンスや電極等の構造が共通であって、１
１−〜２１−のホトマスクの変更のみで臨界電流比を容
易に変更可能とし、異なる＠埋動作に対してもそれぞれ
最大の１作マージンを得ることが出来る０ ４．１囲の貨幣なｄ明 第１図は可変しきい値付性型鍵子干渉素子の等価回路を
示す図、嬉２図は本発明の一夷Ｉ・１刈を示す図、第３
し［は本発明の他の実廁例を示す図である。１こ＼で１
，１′は童子干渉素子のループインダクタンス、２はジ
ョセフソン朕合、３ｉｄ上部旺極、４は接地面との接続
部分、５は論理オ１．Ｉ動作のだめのバイアス端子、６
．７は論理積動作のための１６号ＫＫ注入端子、８．９
は論理和動作のための１ｇ号用磁界結合線でありかつ論
理種動作のためのオフセット電流線、１０は分離された
下部ｒ１ｉ、惨上に形成されたジョセフソン接合、１１
はこの分離された下部電極、１２．１３は分離された下
部電極をルーズインダクタンス１あるいは１′と接続す
るための配線で、Ｊｌｌ Ｊ２− Ｊｓ、Ｊ４はジョセ
フソン接合、各１ ３ Ｉｎ Ｉ。
子干渉素子クタンスや電極等の構造が共通であって、１
１−〜２１−のホトマスクの変更のみで臨界電流比を容
易に変更可能とし、異なる＠埋動作に対してもそれぞれ
最大の１作マージンを得ることが出来る０ ４．１囲の貨幣なｄ明 第１図は可変しきい値付性型鍵子干渉素子の等価回路を
示す図、嬉２図は本発明の一夷Ｉ・１刈を示す図、第３
し［は本発明の他の実廁例を示す図である。１こ＼で１
，１′は童子干渉素子のループインダクタンス、２はジ
ョセフソン朕合、３ｉｄ上部旺極、４は接地面との接続
部分、５は論理オ１．Ｉ動作のだめのバイアス端子、６
．７は論理積動作のための１６号ＫＫ注入端子、８．９
は論理和動作のための１ｇ号用磁界結合線でありかつ論
理種動作のためのオフセット電流線、１０は分離された
下部ｒ１ｉ、惨上に形成されたジョセフソン接合、１１
はこの分離された下部電極、１２．１３は分離された下
部電極をルーズインダクタンス１あるいは１′と接続す
るための配線で、Ｊｌｌ Ｊ２− Ｊｓ、Ｊ４はジョセ
フソン接合、各１ ３ Ｉｎ Ｉ。
々の臨界′直流値はユｌ ＩＨｌ ２１．２ で
あり、４ Ｌは計子干渉累子のループインダクタンス＋Ｉ＋；はバ
イアス電流＋ ＩＨ，ｌ ＩＨ，ｌ ＩＡＩ ＩＢは
侶弓イ匝。
あり、４ Ｌは計子干渉累子のループインダクタンス＋Ｉ＋；はバ
イアス電流＋ ＩＨ，ｌ ＩＨ，ｌ ＩＡＩ ＩＢは
侶弓イ匝。
ＩＨ，はオフセット′を流。
Claims (1)
- 可変しきい値特性型量子干渉索子の異なる論理動作に対
し、ジョセフソン接合の窓開けの変更あるいは、ジョセ
フノン接合電極の接続の変更により、臨界電流比を変更
することを％徴とするジッセフソン東撰回路１・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092803A JPS58209178A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ジヨセフソン集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092803A JPS58209178A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ジヨセフソン集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209178A true JPS58209178A (ja) | 1983-12-06 |
Family
ID=14064567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57092803A Pending JPS58209178A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ジヨセフソン集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209178A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188576A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 薄膜ｓｑｕｉｄ |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57092803A patent/JPS58209178A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188576A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 薄膜ｓｑｕｉｄ |
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