JPS58210613A - 熱処理炉用石英管 - Google Patents
熱処理炉用石英管Info
- Publication number
- JPS58210613A JPS58210613A JP57093115A JP9311582A JPS58210613A JP S58210613 A JPS58210613 A JP S58210613A JP 57093115 A JP57093115 A JP 57093115A JP 9311582 A JP9311582 A JP 9311582A JP S58210613 A JPS58210613 A JP S58210613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- tube
- heat treatment
- connector
- quartz tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製品の熱処理炉用石英管に関するもので
ある。
ある。
従来、半導体製品の製造過程において半導体基板(ウェ
ハ)に拡散処理を施こ丁場台、熱処理炉(拡散炉)の中
にH2、O!の如@複数揮のガスを導入して炉内で混合
し、ウェハの表面にgXt生成ざぜている。
ハ)に拡散処理を施こ丁場台、熱処理炉(拡散炉)の中
にH2、O!の如@複数揮のガスを導入して炉内で混合
し、ウェハの表面にgXt生成ざぜている。
ところが、従来の熱処理炉においては、第1図に示す如
く熱処理炉1の端部に設けられるガス導管2.3および
熱電対挿入用の管4が互いに別々に分離した構造となっ
ている。そのため、省エネルギーのために炉端會封止す
る場合に封止が困難で、加工も面倒である。1友、熱処
理炉として石英管を用いる場合にも、高温による変形を
防止するためには管を回転させることが望ましいが、前
記従来構造では管會回転させることができず、管の変形
を防止することができなくなってしまう。
く熱処理炉1の端部に設けられるガス導管2.3および
熱電対挿入用の管4が互いに別々に分離した構造となっ
ている。そのため、省エネルギーのために炉端會封止す
る場合に封止が困難で、加工も面倒である。1友、熱処
理炉として石英管を用いる場合にも、高温による変形を
防止するためには管を回転させることが望ましいが、前
記従来構造では管會回転させることができず、管の変形
を防止することができなくなってしまう。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、ガス
導入部の構造が簡単で、確実な封止を行なえることにエ
フ鳴エネルギー會図ることのできる熱処理炉用石英′#
葡提供することにある。
導入部の構造が簡単で、確実な封止を行なえることにエ
フ鳴エネルギー會図ることのできる熱処理炉用石英′#
葡提供することにある。
この目的を達成するため、本発明は、複数種のガスr4
人するためのガス導入口t、石英管の端部に逍結したコ
ネクタ管の端壁と周壁に設けたものである。
人するためのガス導入口t、石英管の端部に逍結したコ
ネクタ管の端壁と周壁に設けたものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって祥細に説
明する。
明する。
第2図は本発明による熱処理炉用石英管の一実施例を示
す斜視図、第3図はその要部の拡大断面図、第4図は枝
管部の横断面図である。
す斜視図、第3図はその要部の拡大断面図、第4図は枝
管部の横断面図である。
本実施例において、熱処理炉用石英管は管本体である熱
処理部10とそのガス導入端側に形成された枝管m11
とからなる。熱処理部lOは、拡散処1!’に施こ式れ
る半導体ウニ・・(図示せず)の直径に見合った内径會
有している。枝管部11は熱処理部lO内への燃焼用ガ
スの導入部を構成するものである。
処理部10とそのガス導入端側に形成された枝管m11
とからなる。熱処理部lOは、拡散処1!’に施こ式れ
る半導体ウニ・・(図示せず)の直径に見合った内径會
有している。枝管部11は熱処理部lO内への燃焼用ガ
スの導入部を構成するものである。
この枝管部11は細管状で、その人口端側はテーパ部1
2となっており、このテーパ部12にはコネクタ管13
のテーパs14が丁り合せにより挿入、連粕されている
。
2となっており、このテーパ部12にはコネクタ管13
のテーパs14が丁り合せにより挿入、連粕されている
。
コネクタ管13は罰配枝営部11へのガス導入用コネク
タ管でめジ、テーパ部14の反対端には封止および放熱
防止用の端壁15が形成されている。
タ管でめジ、テーパ部14の反対端には封止および放熱
防止用の端壁15が形成されている。
この端壁15の中心部には、燃焼用の水素(H2)ガス
會供給するためのH,ガス導管16(長手方向ガス導管
)が挿通され、このH,ガス導管16の先端は石英管の
熱処理部10の中1で延び、後端は(9)示しないH!
ガス源に接続されている。
會供給するためのH,ガス導管16(長手方向ガス導管
)が挿通され、このH,ガス導管16の先端は石英管の
熱処理部10の中1で延び、後端は(9)示しないH!
ガス源に接続されている。
一方、前記コネクタ管13の周壁17の一部には、燃焼
用のm8(Ox)ガスを供給するための0!ガス導管(
半径方向ガス専管)會連結する02ガス導管用コネクタ
18が取り付けられている。
用のm8(Ox)ガスを供給するための0!ガス導管(
半径方向ガス専管)會連結する02ガス導管用コネクタ
18が取り付けられている。
このOlガス4を用コネクタ18はH,ガス導管16に
対して直角となるようコネクタ管13の半径方向に設け
られ、03ガス導管からの03ガスtコネクタ管13の
中から枝管部11の内周面とH2ガス導管16の外周面
との間のドーナツ状の03ガス流路19を通って石英管
の熱処E1部lOの中に供給し、Hlガス導管16から
のH11ガスと熱処理部IO内で混合し、燃焼させる。
対して直角となるようコネクタ管13の半径方向に設け
られ、03ガス導管からの03ガスtコネクタ管13の
中から枝管部11の内周面とH2ガス導管16の外周面
との間のドーナツ状の03ガス流路19を通って石英管
の熱処E1部lOの中に供給し、Hlガス導管16から
のH11ガスと熱処理部IO内で混合し、燃焼させる。
本実施例においては、石英管の熱処理部lOの入口端側
に枝管部11が一体形成され、この枝管部11にコネク
タ管13會連結し、該コネクタ管13の端壁15の中心
部にH2ガス導管11−回軸的に挿通し、このH2ガス
導管16i通ってH2ガスr熱処理部lOの中に、導入
する一方、該コネンタ管13の周壁17に設けた0、ガ
ス導管用コネクタ18から該コネクタ管13の中に半径
方向に導入したO!ガスを枝管部1】のドーナツ状のO
Rガス流路19會通って熱処理部10の中に導入するの
で、H3ガスと02ガスは熱処理部10内で混合され、
燃焼ガスとして用いられる。
に枝管部11が一体形成され、この枝管部11にコネク
タ管13會連結し、該コネクタ管13の端壁15の中心
部にH2ガス導管11−回軸的に挿通し、このH2ガス
導管16i通ってH2ガスr熱処理部lOの中に、導入
する一方、該コネンタ管13の周壁17に設けた0、ガ
ス導管用コネクタ18から該コネクタ管13の中に半径
方向に導入したO!ガスを枝管部1】のドーナツ状のO
Rガス流路19會通って熱処理部10の中に導入するの
で、H3ガスと02ガスは熱処理部10内で混合され、
燃焼ガスとして用いられる。
したがって、本実施例の場合には、石英管の晦壁kll
l成するコネクタ管13の端壁15は1本のH2ガス導
管16が挿通されているだけであるので、端壁15の構
造および加工ならびに封止が簡単になシ、省エネルギー
に有利である。勿論、ガス導入IIl造自体か簡単にな
り、また石英管がガス導入部とは分離されているので、
石英管自体の構造も簡単である。しかも、本実施例では
、石英管を回転させることが可能であるので、熱による
石英管の変形を防止することができる。きらに、本実施
例によれば、ガス導入部の端壁後部に取り付けられる放
熱防止板の構造が簡単になるという利廃が得られる。
l成するコネクタ管13の端壁15は1本のH2ガス導
管16が挿通されているだけであるので、端壁15の構
造および加工ならびに封止が簡単になシ、省エネルギー
に有利である。勿論、ガス導入IIl造自体か簡単にな
り、また石英管がガス導入部とは分離されているので、
石英管自体の構造も簡単である。しかも、本実施例では
、石英管を回転させることが可能であるので、熱による
石英管の変形を防止することができる。きらに、本実施
例によれば、ガス導入部の端壁後部に取り付けられる放
熱防止板の構造が簡単になるという利廃が得られる。
第5図は本発明による熱処理炉用石英管の他の1つの実
施例を示す斜視図、第6図はその要部の拡大断面図、第
7図は枝管部の横断面図である。
施例を示す斜視図、第6図はその要部の拡大断面図、第
7図は枝管部の横断面図である。
本実m鉤では、B2ガス導′f16と平行かつ密着的に
熱電対挿入用の管20が設けられ、両管16と20は互
いに溶接等で一体的に固定されている。
熱電対挿入用の管20が設けられ、両管16と20は互
いに溶接等で一体的に固定されている。
この熱電対挿入用の管20はH,ガスとolガスの点火
位置の淵度検出用熱電対會挿入するためのもので、その
先y#AはH2ガス導管16よりも短かくなっている志
この管20が設けられたことにより、H1ガス導管16
は石英管と同軸ではなくなっており、たとえば枝管s1
1では第7図に示す如き横断面構造である。したがって
、02ガス導管用コネクタ18からコネクタ管13内に
供給される02ガスは枝管部11の内周と管16および
20の外周との間の02ガス流路19ai通って熱処理
部10の中に供給され、H!ガス導管16からのH8ガ
スと混合されて燃焼させられる。
位置の淵度検出用熱電対會挿入するためのもので、その
先y#AはH2ガス導管16よりも短かくなっている志
この管20が設けられたことにより、H1ガス導管16
は石英管と同軸ではなくなっており、たとえば枝管s1
1では第7図に示す如き横断面構造である。したがって
、02ガス導管用コネクタ18からコネクタ管13内に
供給される02ガスは枝管部11の内周と管16および
20の外周との間の02ガス流路19ai通って熱処理
部10の中に供給され、H!ガス導管16からのH8ガ
スと混合されて燃焼させられる。
以上説明したように、本発明によれば、石英管内へのガ
ス導入部の構造が簡単になり、その加工や封止が容易で
、省エネルギー7図ることができる。
ス導入部の構造が簡単になり、その加工や封止が容易で
、省エネルギー7図ることができる。
第1図は従来の石英管の部分正面図、
第2図は本発明による熱処理炉用石英管の一実施例の斜
視図、 第3図はその要部の拡大断面図、 第4園は枝管部の横断面図、 第5図は本発明の他の1つの実施例の斜視図、第6図は
その要部の拡大断面図、 第7図は枝を部の横断面図である。 10・・・熱処理部、11・・・枝管部、12・・・テ
ーパ部、13・・・コネクタ管、14・・・テーパ部、
15・・・端壁、16・・・H2ガス導管、17・・・
周壁、18・・・02 ガス導管用コネクタ、19.1
9a・・・02ガス流路、20・・・熱電対御入用の管
。 代理人 弁理士 薄 1)利 辛 ゛)。 (7) 1.□19 59−
視図、 第3図はその要部の拡大断面図、 第4園は枝管部の横断面図、 第5図は本発明の他の1つの実施例の斜視図、第6図は
その要部の拡大断面図、 第7図は枝を部の横断面図である。 10・・・熱処理部、11・・・枝管部、12・・・テ
ーパ部、13・・・コネクタ管、14・・・テーパ部、
15・・・端壁、16・・・H2ガス導管、17・・・
周壁、18・・・02 ガス導管用コネクタ、19.1
9a・・・02ガス流路、20・・・熱電対御入用の管
。 代理人 弁理士 薄 1)利 辛 ゛)。 (7) 1.□19 59−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、石英管内に複数種のガスを導入し、熱処理部内の半
導体基板上に膜を生成させる熱処理炉用石英管において
、石英管の端部にコネクタ管全連結し、このコネクタ管
の端壁と周壁にガス導入ロケ形成したものであって、石
英管の端部が枝管およびこの枝管に連結されるコネクタ
管で形成され、コネクタ管の端壁のほぼ中心に長手方向
ガス導管を挿通すると共に、このガス導管に対して直角
方向における前記コネクタ管に第2のガス導管を設けた
ことt特徴とする熱処理炉用石英管。 2、長手方向ガス導管が熱電対挿入用の管と平行かつ一
体的に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の熱処理炉用石英管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093115A JPS58210613A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 熱処理炉用石英管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093115A JPS58210613A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 熱処理炉用石英管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210613A true JPS58210613A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14073516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093115A Pending JPS58210613A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 熱処理炉用石英管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210613A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252809A (ja) * | 1987-09-01 | 1989-10-09 | Tel Sagami Ltd | 縦型酸化装置 |
| JPH0228928A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH04299828A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
| CN112283481A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-29 | 北京凯德石英股份有限公司 | 一种石英管结构及其加工方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141568A (en) * | 1977-05-13 | 1977-11-25 | Hitachi Ltd | Oxidizing semiconductor |
| JPS5747027B2 (ja) * | 1979-07-26 | 1982-10-06 |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP57093115A patent/JPS58210613A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52141568A (en) * | 1977-05-13 | 1977-11-25 | Hitachi Ltd | Oxidizing semiconductor |
| JPS5747027B2 (ja) * | 1979-07-26 | 1982-10-06 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252809A (ja) * | 1987-09-01 | 1989-10-09 | Tel Sagami Ltd | 縦型酸化装置 |
| JPH0228928A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH04299828A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
| CN112283481A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-29 | 北京凯德石英股份有限公司 | 一种石英管结构及其加工方法 |
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