JPS58214844A - ウエフアの欠落又は破損を検出する装置 - Google Patents
ウエフアの欠落又は破損を検出する装置Info
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- JPS58214844A JPS58214844A JP58079474A JP7947483A JPS58214844A JP S58214844 A JPS58214844 A JP S58214844A JP 58079474 A JP58079474 A JP 58079474A JP 7947483 A JP7947483 A JP 7947483A JP S58214844 A JPS58214844 A JP S58214844A
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0616—Monitoring of warpages, curvatures, damages, defects or the like
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0606—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は、カセット型ウェファホルダーとウェファ処理
室との間の半導体ウェファの自動移送に関する。よシ詳
細には、ウェファ移送機構内のウェファの欠落又は破損
を感知するだめの装置に関する。
室との間の半導体ウェファの自動移送に関する。よシ詳
細には、ウェファ移送機構内のウェファの欠落又は破損
を感知するだめの装置に関する。
イオン注入は、半導体ウェファ中に制御された急速な方
法で不純物を導入するための技術として、標準的なもの
になっている。イオ箋源で発生されたイオンビームは、
種々の加速度をもっ゛て半導体ウェファへと方向づけら
れる。イオンの運動量を用いることによシ、半導体ウェ
ファのバルク中へ不純物が導入され、それらが半導体材
料の結晶格子中へと打ち込まれる。
法で不純物を導入するための技術として、標準的なもの
になっている。イオ箋源で発生されたイオンビームは、
種々の加速度をもっ゛て半導体ウェファへと方向づけら
れる。イオンの運動量を用いることによシ、半導体ウェ
ファのバルク中へ不純物が導入され、それらが半導体材
料の結晶格子中へと打ち込まれる。
産業上の半導体処理における主要目的の1つに、単位時
間当シに処理するウェファの処理量を上げることがある
。高い処理量を達成するための1っの要因は、処理チェ
ンバに出入するウェファの移動速度を急速にすることで
ある。しかしながら半導体ウェファは、とても脆く、容
易に損傷し易い。
間当シに処理するウェファの処理量を上げることがある
。高い処理量を達成するための1っの要因は、処理チェ
ンバに出入するウェファの移動速度を急速にすることで
ある。しかしながら半導体ウェファは、とても脆く、容
易に損傷し易い。
その理由は、その薄さく10〜2oミルの程度)(1ミ
ル=千分の1インチ)及び大きな直径(2〜5インチ)
にある。そしてさらに表面が非常に良く磨かれていて、
どんな種類の汚染、摩耗又は損傷があっても使いものに
ならなくなる。かくして、極めて注意深い操作が必要と
され、手によるウェファ操作は望ましくない。
ル=千分の1インチ)及び大きな直径(2〜5インチ)
にある。そしてさらに表面が非常に良く磨かれていて、
どんな種類の汚染、摩耗又は損傷があっても使いものに
ならなくなる。かくして、極めて注意深い操作が必要と
され、手によるウェファ操作は望ましくない。
シリアルイオン注入装置においては、1時に1つのウェ
ファが処理され、ウェファ表面上にイオンビームが静電
的に走査され、所望の不純物注入量が達成される。そう
いう装置は、・ぐツチ処理装置よシも通常小型で安価で
ある。しかしながら、ウェファ移送時間は、ウェファ処
理毎に起こるので、処理量にとって重要である。
ファが処理され、ウェファ表面上にイオンビームが静電
的に走査され、所望の不純物注入量が達成される。そう
いう装置は、・ぐツチ処理装置よシも通常小型で安価で
ある。しかしながら、ウェファ移送時間は、ウェファ処
理毎に起こるので、処理量にとって重要である。
高い処理量を達成するのを助けるために、自動ウェファ
移送装置が開発された。これらの装置は代表的に、ウニ
7アキヤリア又はウェファカセットからウェファ処理チ
ェンバへ゛とウェファを移送し、そしてカセットへと戻
す。一連の動作には、操作者は介在しない。ある型の自
動装置においては、カセットが鉛直に取付けられ、ウェ
ファが水平に配向される。真空ピツクス、エアトランク
。
移送装置が開発された。これらの装置は代表的に、ウニ
7アキヤリア又はウェファカセットからウェファ処理チ
ェンバへ゛とウェファを移送し、そしてカセットへと戻
す。一連の動作には、操作者は介在しない。ある型の自
動装置においては、カセットが鉛直に取付けられ、ウェ
ファが水平に配向される。真空ピツクス、エアトランク
。
可動ベルト及び重力などの組合せによって、ウェファは
処理チェンバへと又はそこから移送される。
処理チェンバへと又はそこから移送される。
そういう装置は大体満足のいく動作をするが、水平方向
のウェファ上に粒子が降ちて、汚染を引起す傾向がある
。
のウェファ上に粒子が降ちて、汚染を引起す傾向がある
。
処理室に対する移送中にカセット内のウェファが鉛直方
向に維持されている自動ウェファ移送装置が、米国特許
出願第1381,085号及び米国特許第4,311,
427号に開示されている。昇降グレードの縁部が下方
からウェファをカセットの外へと持ち上げ、処理室のド
アに位置された真空チャックへとウェファを上昇させる
。鉛直ウェファ操作装置は、粒子の汚染を減少し、又ウ
ェファの緑を扱うので摩耗や損傷を減少する。
向に維持されている自動ウェファ移送装置が、米国特許
出願第1381,085号及び米国特許第4,311,
427号に開示されている。昇降グレードの縁部が下方
からウェファをカセットの外へと持ち上げ、処理室のド
アに位置された真空チャックへとウェファを上昇させる
。鉛直ウェファ操作装置は、粒子の汚染を減少し、又ウ
ェファの緑を扱うので摩耗や損傷を減少する。
ウェファの先の段階での破損又は操作者のミスによって
、時々、カセット内のスロットが1つ又はそれ以上窓に
なっていてウェファが入っていないことがある。さらに
、カセットがウェファ移送装置へと進行してきたときに
、1枚又はそれ以上のウェファが破損していることがあ
る。他にも、ウェファ操作を注意深くしたとしても、ウ
ェファ移送装置自身によってウェファの偶発的破損が起
こシうる。そういう状況においては、装置を停止して破
損ウェファを取り除くか、或いは欠落ウェファ部位を飛
び越してその処理をしないようにするかの何れかの方策
をとらねばならない。欠落又は破損したウェファを処理
する装置動作は、貴重な運転時間を浪費するだけでなく
、機械又は他のウェファへの損傷の危険をも生み出す。
、時々、カセット内のスロットが1つ又はそれ以上窓に
なっていてウェファが入っていないことがある。さらに
、カセットがウェファ移送装置へと進行してきたときに
、1枚又はそれ以上のウェファが破損していることがあ
る。他にも、ウェファ操作を注意深くしたとしても、ウ
ェファ移送装置自身によってウェファの偶発的破損が起
こシうる。そういう状況においては、装置を停止して破
損ウェファを取り除くか、或いは欠落ウェファ部位を飛
び越してその処理をしないようにするかの何れかの方策
をとらねばならない。欠落又は破損したウェファを処理
する装置動作は、貴重な運転時間を浪費するだけでなく
、機械又は他のウェファへの損傷の危険をも生み出す。
ウェファなしでイオン注入装置が稼動されるものとする
と、イオンビームは金属プラテン又は熱伝導ラバーパッ
ドを衝撃して損傷を与え、金属プラテンの場合にはそれ
をス/4′ツタしてしまう。故に、ウェファ移送装置に
おけるウェファの欠落又は破損を検出するために、セン
サ装置が望まれる。
と、イオンビームは金属プラテン又は熱伝導ラバーパッ
ドを衝撃して損傷を与え、金属プラテンの場合にはそれ
をス/4′ツタしてしまう。故に、ウェファ移送装置に
おけるウェファの欠落又は破損を検出するために、セン
サ装置が望まれる。
本発明の目的は、以下の通りである。
ウェファ移送装置においてウェファの欠落又は破損を検
出する新規な装置を提供すること。
出する新規な装置を提供すること。
ウェファ移送装置において、機械的接触なしにウェファ
の欠落又は破損を検出する装置を提供すること。
の欠落又は破損を検出する装置を提供すること。
ウェファ移送装置において、種々の寸法のウェファの欠
落又は破損を検出する、グロダラム可能な装置を提供す
ること。
落又は破損を検出する、グロダラム可能な装置を提供す
ること。
ウェファ移送装置においてウェファの欠落又は破損を検
出する、本発明に従りた装置によって、上記目的が達成
される。
出する、本発明に従りた装置によって、上記目的が達成
される。
本発明に係る装置は、ウェファ移送機構を第1の位置か
ら所定の径路に沿って移動させるための移動手段、第1
の感知手段及び第2の感知手段を含る。本装置はさらr
、発振器手段、及び該発振器手段の出力に接続したカウ
ント入力を有するカウンタ手段を含む。第1の感知手段
は、第10位置からのウェファ移送機構の移動を感知し
て、カウンタ手段の動作を可能にするよう動作する。第
2の感知手段は、前記所定の径路に沿った第2の位置に
おいてウェファの存在を感知して、カウンタ手段の動作
を禁止するよう動作する。本装置はさらに、ウェファ移
送機構による正常ウェファの第2の位置への移動紀要す
る時間に相当する所定カウントと、カウンタ手段内の実
際のカウントとの比較をするよう動作する比較器手段を
含む。比較器手段は、実際カウントと所定カウントとが
等しいときには1の状態にあり、それらが等しくないと
きには他の状態にあるような出力信号をもたらす。他の
状態というのは、ウェファの欠落又は破損を示している
。
ら所定の径路に沿って移動させるための移動手段、第1
の感知手段及び第2の感知手段を含る。本装置はさらr
、発振器手段、及び該発振器手段の出力に接続したカウ
ント入力を有するカウンタ手段を含む。第1の感知手段
は、第10位置からのウェファ移送機構の移動を感知し
て、カウンタ手段の動作を可能にするよう動作する。第
2の感知手段は、前記所定の径路に沿った第2の位置に
おいてウェファの存在を感知して、カウンタ手段の動作
を禁止するよう動作する。本装置はさらに、ウェファ移
送機構による正常ウェファの第2の位置への移動紀要す
る時間に相当する所定カウントと、カウンタ手段内の実
際のカウントとの比較をするよう動作する比較器手段を
含む。比較器手段は、実際カウントと所定カウントとが
等しいときには1の状態にあり、それらが等しくないと
きには他の状態にあるような出力信号をもたらす。他の
状態というのは、ウェファの欠落又は破損を示している
。
本発明のセンサ装置は、代表的にはイオン注入装置にお
いて用いられる。イオン注入装置の一例を第1図に示す
。高電圧ターミナル2が、高電圧電源(図示せず)によ
ってアース電位に比して高電位に支持されている。ター
ミナル2は、所望のイオン種のビームを形成する装置を
包囲する。普通、所望イオン種の気体供給ストックが使
用される。ガス操作系6から生成された原ガスが、イオ
ン源8へと方向づけられる。イオン源8は、電源10に
より電力供給され、高電流イオンビーム18をもたらす
。イオン源の技術は、当技術分野において良く知られて
いる。イオン源8から波射したイオンビーム18は、分
析磁石20によって質量分析され収束される。分析され
たビームは、分解開口22及び可変スリット24を通過
し、次に加速管26を通過する。加速管26においてイ
オンビームは、ターミナル2の高電圧からアース電位へ
と慎重に設計された電場勾配に出会う。4重極レンズ2
8などの光学素子が動作して、ターダット平面上に空間
エネルギの収束をもたらす。Y偏向プレート40及びX
偏向ブレ−ト42が静電偏向をもたらし、ビーム18を
ターダット平面領域に方向づける。走査系44によって
、各偏向グレートに電圧波形が印加され、所望の走査パ
ターンが形成される。
いて用いられる。イオン注入装置の一例を第1図に示す
。高電圧ターミナル2が、高電圧電源(図示せず)によ
ってアース電位に比して高電位に支持されている。ター
ミナル2は、所望のイオン種のビームを形成する装置を
包囲する。普通、所望イオン種の気体供給ストックが使
用される。ガス操作系6から生成された原ガスが、イオ
ン源8へと方向づけられる。イオン源8は、電源10に
より電力供給され、高電流イオンビーム18をもたらす
。イオン源の技術は、当技術分野において良く知られて
いる。イオン源8から波射したイオンビーム18は、分
析磁石20によって質量分析され収束される。分析され
たビームは、分解開口22及び可変スリット24を通過
し、次に加速管26を通過する。加速管26においてイ
オンビームは、ターミナル2の高電圧からアース電位へ
と慎重に設計された電場勾配に出会う。4重極レンズ2
8などの光学素子が動作して、ターダット平面上に空間
エネルギの収束をもたらす。Y偏向プレート40及びX
偏向ブレ−ト42が静電偏向をもたらし、ビーム18を
ターダット平面領域に方向づける。走査系44によって
、各偏向グレートに電圧波形が印加され、所望の走査パ
ターンが形成される。
2 重ター1’ット室46が、ハウジング、ビーム画成
マスク48.49及びビーム監視のためのファラデーケ
ージ50,51を含む。自動ウェファ移送装置52.5
4が、それぞれ真空系内のターグツト位置56.58へ
と、半導体ウェファを1つずつ導入する。自動ウェファ
移送装置52.54はさらに、ターグツト平面に対して
ウェファをアラインさせ、注入中のウェファの冷却をも
たらし、そして注入完了後に真空系からウェファを取出
す。
マスク48.49及びビーム監視のためのファラデーケ
ージ50,51を含む。自動ウェファ移送装置52.5
4が、それぞれ真空系内のターグツト位置56.58へ
と、半導体ウェファを1つずつ導入する。自動ウェファ
移送装置52.54はさらに、ターグツト平面に対して
ウェファをアラインさせ、注入中のウェファの冷却をも
たらし、そして注入完了後に真空系からウェファを取出
す。
ターグツト位置56.58は代表的には、以下に述べる
ように、エアロツク内部に配置され、非偏向ビーム18
の縦方向軸線6oの水平両側に配置される。そのため、
ビーム走査のためには、軸線から約±7°のビーム偏向
を要する。ターゲツト室46内の軸線60上にビームダ
ンプ(aump)62が配置され、イオンビーム18の
うちの中性部分を遮断する。
ように、エアロツク内部に配置され、非偏向ビーム18
の縦方向軸線6oの水平両側に配置される。そのため、
ビーム走査のためには、軸線から約±7°のビーム偏向
を要する。ターゲツト室46内の軸線60上にビームダ
ンプ(aump)62が配置され、イオンビーム18の
うちの中性部分を遮断する。
第1図の移送装置52.54に対応する自動ウェファ移
送装置を、第2図に簡略的に示す。その装置は、はぼ円
形の複数の半導体ウェファ112を保持するカセッ)1
10,111とウェファ処理室114との間でウェファ
を1つずつ自動的に移送する。カセット110,111
はそれぞれ、各ウェファ112を直立・平行位置に保持
するための複数の平行スロットを含み、ウェファ112
を輸送して一時的にストアするために使用される。
送装置を、第2図に簡略的に示す。その装置は、はぼ円
形の複数の半導体ウェファ112を保持するカセッ)1
10,111とウェファ処理室114との間でウェファ
を1つずつ自動的に移送する。カセット110,111
はそれぞれ、各ウェファ112を直立・平行位置に保持
するための複数の平行スロットを含み、ウェファ112
を輸送して一時的にストアするために使用される。
カセット110.111は代表的には、グラスチック材
料である。第2図の装置のカセットの場合には、下方か
らのウェファ112へのアクセスを可能にするために底
が開いていなければならない。
料である。第2図の装置のカセットの場合には、下方か
らのウェファ112へのアクセスを可能にするために底
が開いていなければならない。
ウェファ処理室114は、真空室であり、本実施例の場
合にはウェファの直列イオン注入のための端部ステーシ
ョンである。
合にはウェファの直列イオン注入のための端部ステーシ
ョンである。
第2図に示すウェファ移送装置は、処理室114への入
口に設けられたウェファ操作手段120を含む。操作手
段120は、ウェファを受は取り、処理室114へとウ
ェファを移動させる。ウェファ移送装置はさらに、移送
手段124及びカセット搬送手段126を含む。移送手
段124は、カセット110.111とウェファ処理手
段120との間で、ウェファを輸送する。カセット搬送
手段126は、カセット110.111を移送手段12
4に対して位置づける。ウェファ移送装置はさらに、カ
セッ)110,111内の複数のウェファ112の各々
にあるガイドフラットを予備的に整合させるだめの手段
128を含む。
口に設けられたウェファ操作手段120を含む。操作手
段120は、ウェファを受は取り、処理室114へとウ
ェファを移動させる。ウェファ移送装置はさらに、移送
手段124及びカセット搬送手段126を含む。移送手
段124は、カセット110.111とウェファ処理手
段120との間で、ウェファを輸送する。カセット搬送
手段126は、カセット110.111を移送手段12
4に対して位置づける。ウェファ移送装置はさらに、カ
セッ)110,111内の複数のウェファ112の各々
にあるガイドフラットを予備的に整合させるだめの手段
128を含む。
ウェファ操作手段120は、チェンバドア134、ドア
移動手段136、及びウェファ係合手段を含む。ドア移
動手段136は、第2図に示す開いた位置と密閉位置と
の間でチェンバドア134を移動させる。ウェファ係合
手段は、ウェファに係合して、所定の角度変位だけ回転
させる。ウェファ係合手段は、回転可能な真空チャック
138、真空チャック移動手段及び真空チャック回転手
段を含む。真空チャック移動手段は、・・ウノング14
0内部に包囲され、真空チャック138をウェファ受取
位置(第2図の破線で指示したような位置)と後退位置
との間で移動させる。真空チャック回転手段は、所定の
角度変位だけ真空チャック138を回転させる。チェン
バドア134は代表的には、ウェファ受取表面又は、グ
ラテン146.及びプラテン冷却手段(図示せず)を含
む。処理中のウェファはプラテンに対して支持される。
移動手段136、及びウェファ係合手段を含む。ドア移
動手段136は、第2図に示す開いた位置と密閉位置と
の間でチェンバドア134を移動させる。ウェファ係合
手段は、ウェファに係合して、所定の角度変位だけ回転
させる。ウェファ係合手段は、回転可能な真空チャック
138、真空チャック移動手段及び真空チャック回転手
段を含む。真空チャック移動手段は、・・ウノング14
0内部に包囲され、真空チャック138をウェファ受取
位置(第2図の破線で指示したような位置)と後退位置
との間で移動させる。真空チャック回転手段は、所定の
角度変位だけ真空チャック138を回転させる。チェン
バドア134は代表的には、ウェファ受取表面又は、グ
ラテン146.及びプラテン冷却手段(図示せず)を含
む。処理中のウェファはプラテンに対して支持される。
移送手段124は、昇降ブレード150、駆動手段15
2及びクランク手段154を含む。クランク手段154
は、駆動手段152を昇降ブレード150へと連結し、
駆動手段1520回転運動をブレード150の直線運動
へと変換する。駆動手段152は、代表的にはモータ及
び機械的ステラ・り−ヲ含む。昇降ブレード150は、
ウェファの縁に係合するような溝を設けた弧状の前縁(
leading edge )を有する。弧状前縁はカ
セット110.111内のウェファの縁に保合して、ウ
ェファをウェファ操作手段120へと上昇させる。
2及びクランク手段154を含む。クランク手段154
は、駆動手段152を昇降ブレード150へと連結し、
駆動手段1520回転運動をブレード150の直線運動
へと変換する。駆動手段152は、代表的にはモータ及
び機械的ステラ・り−ヲ含む。昇降ブレード150は、
ウェファの縁に係合するような溝を設けた弧状の前縁(
leading edge )を有する。弧状前縁はカ
セット110.111内のウェファの縁に保合して、ウ
ェファをウェファ操作手段120へと上昇させる。
カセット搬送手段126は、カセットホルダー160を
含む。カセットホルダー160は、一方の側に位置した
ゴールリバーサ(ball rever、5er)1
62及びホルダーの他方の側に位置したがイドシャフト
163へと連結している。搬送手段126はさらK、駆
動手段164を含む。駆動手段164は、ざ−ルリパー
サ162を作動させ、ホルダー160を直線経路に沿っ
て連続的に又はステップごとに移動させる。駆動手段1
64は代表的に、モータ、スリラグクラッチ及び機械的
ステッパーを含む。
含む。カセットホルダー160は、一方の側に位置した
ゴールリバーサ(ball rever、5er)1
62及びホルダーの他方の側に位置したがイドシャフト
163へと連結している。搬送手段126はさらK、駆
動手段164を含む。駆動手段164は、ざ−ルリパー
サ162を作動させ、ホルダー160を直線経路に沿っ
て連続的に又はステップごとに移動させる。駆動手段1
64は代表的に、モータ、スリラグクラッチ及び機械的
ステッパーを含む。
昇降ブレード150の経路に沿った位置にあるカセット
搬送手段126の上方には、センサ220が取付けられ
ている。センサ220は、昇降ブレード150の経路を
横切ってビーム222を放射する。センサ220からの
ビーム222は代表的には、赤外放射又は可視光である
。センサ220はさらに、通過するウェファ又は昇降ブ
レード150からのビーム222の反射を受信するよう
動作し、その反射ビーム222に応答して出力信号を生
成する。センサ220は、何れの方法で取付けても良く
、本実施例においては処理室114の下側に取付けてい
る。昇降ブレード150の下方位置の下側には、スイッ
チ224が取付けられているっスイッチ224は、昇降
ブレード150の下方位置からの移動を感知するよう動
作するウスイッチ224は、昇降ブレードが下方位置に
あるときに1の状態になっていて、昇降ブレード150
が下方位置から移動したときに他の状態へと作動される
、ように取付けられる。
搬送手段126の上方には、センサ220が取付けられ
ている。センサ220は、昇降ブレード150の経路を
横切ってビーム222を放射する。センサ220からの
ビーム222は代表的には、赤外放射又は可視光である
。センサ220はさらに、通過するウェファ又は昇降ブ
レード150からのビーム222の反射を受信するよう
動作し、その反射ビーム222に応答して出力信号を生
成する。センサ220は、何れの方法で取付けても良く
、本実施例においては処理室114の下側に取付けてい
る。昇降ブレード150の下方位置の下側には、スイッ
チ224が取付けられているっスイッチ224は、昇降
ブレード150の下方位置からの移動を感知するよう動
作するウスイッチ224は、昇降ブレードが下方位置に
あるときに1の状態になっていて、昇降ブレード150
が下方位置から移動したときに他の状態へと作動される
、ように取付けられる。
第2図のウェファ移送機構において半導体ウェファの欠
落又は破損を検出するだめの装置を第3図に概略図で示
す。昇降ブレード150は、ウェファ2′26の縁部に
係合し、ウェファを鉛直に上昇させる。センサ220及
びスイッチ224は、センサ回路228に接続した出力
を有する。さらにセンサ回路228は、「所定カウント
」を受取る。「所定カウント」は、以下に述べるように
処理されるウェファの寸法に従い変化する。センサ回路
228の「ウェファ存在」出力が、昇降ブレード150
内に破損のないウェファが存在していることを示す。
落又は破損を検出するだめの装置を第3図に概略図で示
す。昇降ブレード150は、ウェファ2′26の縁部に
係合し、ウェファを鉛直に上昇させる。センサ220及
びスイッチ224は、センサ回路228に接続した出力
を有する。さらにセンサ回路228は、「所定カウント
」を受取る。「所定カウント」は、以下に述べるように
処理されるウェファの寸法に従い変化する。センサ回路
228の「ウェファ存在」出力が、昇降ブレード150
内に破損のないウェファが存在していることを示す。
糧々の条件下におけるセンサ220の動作を第4a〜4
d図に示す。第4a図において、昇降ブレード150に
係合するウェファ226が下方位置にあるところを示す
。センサ220はウェファ226の頂部上方の距離dの
ところにあって、ビーム222は反射されない。以下に
述べるように、センサ回路228は、昇降ブレード15
0の上昇中所定の時刻に反射ビームを表す信号を受信す
るべく待機している。第4b図は、昇降ブレード150
によってウェファ226が上昇するところの正常な装置
動作を示す。ここでは、ウェファ226の頂部がセンサ
220に近接している。ウェファ226によってビーム
222が反射され、センサ220が出力信号をもたらす
。そしてその出力信号は、センサ回路228によって処
理される。第4c図は、ウェファが欠落している場合を
表す。昇降ブレード150は、普通なら反射が起こるべ
き位置まで上昇している。しかし、ウェファが存在しな
いために反射が起こらず、センサ220は出力信号を生
じさせない。第4d図は、破損ウェファ230の場合を
示す。ウェア 7230の上方部分が破損しているとす
る。昇降グレード150は、普通なら反射が起こるべき
位置まで上昇している。しかし、ウェファ230に破損
した箇所があるために反射が起こらず、センサ220は
センサ回路228へと出力信号を供給しない。
d図に示す。第4a図において、昇降ブレード150に
係合するウェファ226が下方位置にあるところを示す
。センサ220はウェファ226の頂部上方の距離dの
ところにあって、ビーム222は反射されない。以下に
述べるように、センサ回路228は、昇降ブレード15
0の上昇中所定の時刻に反射ビームを表す信号を受信す
るべく待機している。第4b図は、昇降ブレード150
によってウェファ226が上昇するところの正常な装置
動作を示す。ここでは、ウェファ226の頂部がセンサ
220に近接している。ウェファ226によってビーム
222が反射され、センサ220が出力信号をもたらす
。そしてその出力信号は、センサ回路228によって処
理される。第4c図は、ウェファが欠落している場合を
表す。昇降ブレード150は、普通なら反射が起こるべ
き位置まで上昇している。しかし、ウェファが存在しな
いために反射が起こらず、センサ220は出力信号を生
じさせない。第4d図は、破損ウェファ230の場合を
示す。ウェア 7230の上方部分が破損しているとす
る。昇降グレード150は、普通なら反射が起こるべき
位置まで上昇している。しかし、ウェファ230に破損
した箇所があるために反射が起こらず、センサ220は
センサ回路228へと出力信号を供給しない。
第5図に、センサ回路228、センサ220及びスイッ
チ224のブロック図を示す。センサ220は代表的に
は、電流制限用の抵抗器242を通じて電圧源+Vに接
続した発光ダイオード(LED)240、及びセンサ回
路228にコレクタ接続したフォトトランジスタ244
を含む。1つの好適なセンサは、Skan−A−Mat
ic Corp、で製造されている813224型のも
のである。ダイオード240により発射された光がウェ
ファによって反射され、フォトトランジスタ244に受
信されて、出力電流がもたらされる。センサ回路228
は、増幅器248を含む。増幅器248は、フォトトラ
ンジスタ244の出力を受信して、それを論理比較可能
な信号へと変換する。そういう増幅器は当分野で良く知
られている。増幅器248の出力は、ディ・ゾタルカウ
ンタ250の「禁止」入力に接続される。このカウンタ
は、1又は2以上の74161型の2進法カウンタであ
って良い。上に述べた、昇降ブレード150の移動を感
知するスイッチ224は、カウンタ250の「可能」人
力及び「リセット」入力へと接続されている。周波数F
で動作する自走発振器252が、カウンタ250の「カ
ウント」又は「クロック」入力に接続する出力を有する
。カウンタ250はこうして、可能状態のときに周波a
Fで前進する。カウンタ250の出力は、ディジタル比
較器254の1組の入力に接続されている。この比較器
254は、例えばl又は2以上の7485型比較器であ
って良い。「所定カウント」信号が、比較器254の他
の組の入力に接続されている。比較器254は、2組の
入力を比較して、等しい殊或いは何れが大きいかを決定
する。
チ224のブロック図を示す。センサ220は代表的に
は、電流制限用の抵抗器242を通じて電圧源+Vに接
続した発光ダイオード(LED)240、及びセンサ回
路228にコレクタ接続したフォトトランジスタ244
を含む。1つの好適なセンサは、Skan−A−Mat
ic Corp、で製造されている813224型のも
のである。ダイオード240により発射された光がウェ
ファによって反射され、フォトトランジスタ244に受
信されて、出力電流がもたらされる。センサ回路228
は、増幅器248を含む。増幅器248は、フォトトラ
ンジスタ244の出力を受信して、それを論理比較可能
な信号へと変換する。そういう増幅器は当分野で良く知
られている。増幅器248の出力は、ディ・ゾタルカウ
ンタ250の「禁止」入力に接続される。このカウンタ
は、1又は2以上の74161型の2進法カウンタであ
って良い。上に述べた、昇降ブレード150の移動を感
知するスイッチ224は、カウンタ250の「可能」人
力及び「リセット」入力へと接続されている。周波数F
で動作する自走発振器252が、カウンタ250の「カ
ウント」又は「クロック」入力に接続する出力を有する
。カウンタ250はこうして、可能状態のときに周波a
Fで前進する。カウンタ250の出力は、ディジタル比
較器254の1組の入力に接続されている。この比較器
254は、例えばl又は2以上の7485型比較器であ
って良い。「所定カウント」信号が、比較器254の他
の組の入力に接続されている。比較器254は、2組の
入力を比較して、等しい殊或いは何れが大きいかを決定
する。
ここで述べたウェファ移送装置の自動動作艇、システム
コントローラ(図示せず)により制御される。コントロ
ーラは、所定の時刻に所定の時間間隔だけ各機構を作動
させる―コントローラは、専用電子コントローラであっ
て良く、或いは適切なインターフェース回路を通じて動
作する計算機であって良い。
コントローラ(図示せず)により制御される。コントロ
ーラは、所定の時刻に所定の時間間隔だけ各機構を作動
させる―コントローラは、専用電子コントローラであっ
て良く、或いは適切なインターフェース回路を通じて動
作する計算機であって良い。
先ず最初に操作者i、カセット搬送手段126の右端に
位置したカセットホルダー160内にカセット110.
111を置き、そして装置の動作を開始する。デールリ
パーサ162及び駆動手段164によりホルダー160
が移動する。先ず予備的アラインメントのための手段1
28の上方に位置し、次にホルダーは、昇降ブレード1
50の真上にウェファの1つがくるような位置へと動く
。
位置したカセットホルダー160内にカセット110.
111を置き、そして装置の動作を開始する。デールリ
パーサ162及び駆動手段164によりホルダー160
が移動する。先ず予備的アラインメントのための手段1
28の上方に位置し、次にホルダーは、昇降ブレード1
50の真上にウェファの1つがくるような位置へと動く
。
駆動手段152及びクランク手段154の動作によって
、ブレード150が上昇して、ウェファの下方に接触す
る。ブレード150は、カセット110を貫いて上方に
移動し、開、いたチェンバドア134に隣接した位置へ
ウェファを上昇させる。
、ブレード150が上昇して、ウェファの下方に接触す
る。ブレード150は、カセット110を貫いて上方に
移動し、開、いたチェンバドア134に隣接した位置へ
ウェファを上昇させる。
真空チャック138は、チェンバドア134からウェフ
ァ受取位置へと外方に伸び、ウェファ後面に真空吸引力
を作用させてウェファを保持する。
ァ受取位置へと外方に伸び、ウェファ後面に真空吸引力
を作用させてウェファを保持する。
その後に、昇降プ゛レード150が下降する。ウェファ
は所望の向きへと回転され、ドア134がウェファ処理
のため閉じられる。ウェファの処理が完了すると、チェ
ンバドア134が開けられ、真空チャックが伸び、昇降
ブレード150がウェファに係合するように上昇する。
は所望の向きへと回転され、ドア134がウェファ処理
のため閉じられる。ウェファの処理が完了すると、チェ
ンバドア134が開けられ、真空チャックが伸び、昇降
ブレード150がウェファに係合するように上昇する。
そして、真空チャック138がウェファを開放して、゛
昇降ブレード150がウェファを降下させてカセットへ
と戻す。
昇降ブレード150がウェファを降下させてカセットへ
と戻す。
この操作が、カセット110.111内のウェファの各
々に対して反復される。
々に対して反復される。
昇降ブレード150が下方位置にある場合においては、
スイッチ224は閉鎖状態にあってカウンタ250を禁
止している。そして、センサ220に受信される反射ビ
ームはない。昇降ブレード150が上昇を始めると、ス
イッチ224が作動されて開位置になシ、同時にカウン
タ250をリセットし「可能」にする。発振器252は
、その周波数Fの速度でカウンタ250の状態を前進さ
せる。昇降ブレード150及びウェファが上昇する間に
、カウンタは前進を続ける。このカウンタ前進は、第4
b図に示すようにウェファの上方縁部がビーム222を
遮断するまで、続く。このときに、フォトトランジスタ
224がウェファ226からの反射ビーム222を受信
し、増幅器248への出力を生ずる。次に増幅器248
は、カウンタ250のカウンティング(前進)を禁止す
る信 □号を生ずる。このようにして、昇降ブレー
ド150の移動開始からウェファ226のビーム222
の遮断までの間に、カウンタが前進する。カウンタ25
0のカウントの数Nは、N=FTで与えられる。ここに
Tは、ウェファがセンサ220の高さにまで上昇するの
に要する時間間隔でおる。もし゛ウェファが存在しない
(第4C図参照)とすると、昇14ブレード150自身
がセンサ220の高さにまで上昇してビーム222を遮
断するまで、センサ220は反射ビーム222を受信し
ない。もしウェファが破損(第4d図参照)していると
すると、破損ウェファ230の残っている部分がセンサ
220の高さにまで上昇して初めて、反射ビーム222
が受信される。何れの場合も、カウンタ250が禁止さ
れるまでに多くの時間を費し、カウンタ内のカウント数
は大きくなる。
スイッチ224は閉鎖状態にあってカウンタ250を禁
止している。そして、センサ220に受信される反射ビ
ームはない。昇降ブレード150が上昇を始めると、ス
イッチ224が作動されて開位置になシ、同時にカウン
タ250をリセットし「可能」にする。発振器252は
、その周波数Fの速度でカウンタ250の状態を前進さ
せる。昇降ブレード150及びウェファが上昇する間に
、カウンタは前進を続ける。このカウンタ前進は、第4
b図に示すようにウェファの上方縁部がビーム222を
遮断するまで、続く。このときに、フォトトランジスタ
224がウェファ226からの反射ビーム222を受信
し、増幅器248への出力を生ずる。次に増幅器248
は、カウンタ250のカウンティング(前進)を禁止す
る信 □号を生ずる。このようにして、昇降ブレー
ド150の移動開始からウェファ226のビーム222
の遮断までの間に、カウンタが前進する。カウンタ25
0のカウントの数Nは、N=FTで与えられる。ここに
Tは、ウェファがセンサ220の高さにまで上昇するの
に要する時間間隔でおる。もし゛ウェファが存在しない
(第4C図参照)とすると、昇14ブレード150自身
がセンサ220の高さにまで上昇してビーム222を遮
断するまで、センサ220は反射ビーム222を受信し
ない。もしウェファが破損(第4d図参照)していると
すると、破損ウェファ230の残っている部分がセンサ
220の高さにまで上昇して初めて、反射ビーム222
が受信される。何れの場合も、カウンタ250が禁止さ
れるまでに多くの時間を費し、カウンタ内のカウント数
は大きくなる。
カウンタ250が増゛幅器248によシ禁止された後、
カウンタ250内のカウントNが比較器254によって
評価され、カウントNがウェファの欠落又は破損を示し
ているか否かを決定する。
カウンタ250内のカウントNが比較器254によって
評価され、カウントNがウェファの欠落又は破損を示し
ているか否かを決定する。
昇降ブレード150の速度v1ウェファ226とセンサ
220との距離d、及び発振器252の周波数Fが知れ
ている。それにより所定の(期待される)カウンタPC
を決定でき、それが比較器254に供給される。カウン
タ250内の実際のカウントNが所定カウントPCに二
数するときに、比較器254は、1の状態にある「ウェ
ファ存在」信号を生ずる。このような論理信号「1」は
、破損していないウェファの存在を表す。実際のカウン
トNと所定カウントPCとが等しくないときには、「ウ
ェファ存在」信号は他の状態になる。すなわち、論理信
号「0」が発せられ、ウェファの欠落又は破損を表す。
220との距離d、及び発振器252の周波数Fが知れ
ている。それにより所定の(期待される)カウンタPC
を決定でき、それが比較器254に供給される。カウン
タ250内の実際のカウントNが所定カウントPCに二
数するときに、比較器254は、1の状態にある「ウェ
ファ存在」信号を生ずる。このような論理信号「1」は
、破損していないウェファの存在を表す。実際のカウン
トNと所定カウントPCとが等しくないときには、「ウ
ェファ存在」信号は他の状態になる。すなわち、論理信
号「0」が発せられ、ウェファの欠落又は破損を表す。
そして適切な補償作動が採られる。センサ回路228は
、所定カウント人力を変化させることによってプログラ
ム可能である。
、所定カウント人力を変化させることによってプログラ
ム可能である。
それにより、速度v1距離d1周波数Fの変化に対応で
きる。ウェファ226の頂部とビーム222との間の距
離dがウェファ寸法に従って異なるので、それに対応し
て所定カラン)PCが変化し得ることを理解されたい。
きる。ウェファ226の頂部とビーム222との間の距
離dがウェファ寸法に従って異なるので、それに対応し
て所定カラン)PCが変化し得ることを理解されたい。
パネルスイッチから又はコンピュータから、所定カウン
ト信号を供給可能である。
ト信号を供給可能である。
カウンタ250の開始点及び停止点が任意に選択可能で
あることを理解されたい。例えば、ウェファ226の上
方の任意の都合良い距離dのところにセンサ220を設
定可能でsb、またスイッチ224は昇降ブレード15
0の中間位置を感知しても良い。発振器2520周波数
Fは、破損ウェファを検出するに要する分解能をもたら
すのに十分なほど高くなければならない。また、昇降ブ
レード150及びウェファにおける寸法偏差に応答して
誤った「ウェファ存在」信号を生ずることのないように
、あまシ高くてもいけない。本発明の一実施例において
は、周波数Fは約100flzである。第2図のウェフ
ァ移送装置で用いるクランク手段154は、昇降ブレー
ド1500種々の昇降速度Vをもたらす。昇降ブレード
150を距離dだけ上昇させるのに要する時間Tは、以
下の式により決定される。
あることを理解されたい。例えば、ウェファ226の上
方の任意の都合良い距離dのところにセンサ220を設
定可能でsb、またスイッチ224は昇降ブレード15
0の中間位置を感知しても良い。発振器2520周波数
Fは、破損ウェファを検出するに要する分解能をもたら
すのに十分なほど高くなければならない。また、昇降ブ
レード150及びウェファにおける寸法偏差に応答して
誤った「ウェファ存在」信号を生ずることのないように
、あまシ高くてもいけない。本発明の一実施例において
は、周波数Fは約100flzである。第2図のウェフ
ァ移送装置で用いるクランク手段154は、昇降ブレー
ド1500種々の昇降速度Vをもたらす。昇降ブレード
150を距離dだけ上昇させるのに要する時間Tは、以
下の式により決定される。
V=昇降ブレード150の瞬間速度
y=昇降ブレード150の鉛直位置
(y=0で最下位置)
/
そして所定カラン)PCは以下の式で与えられる。
速度Vが一定の場合には、PCは以下のようになる。
d
pc=−
■
ウェファが破損している場合に、本装置はそれを検出す
るけれども、ウェファの中央上方部分の破損のみを検出
する。こうして例えば、ウェファの左側又は右側が破」
している場合には、そのことは中央に配置された単一の
センサ220のみでは検出されない。第3図に示すよう
にウェファに関して種々の位置に補足的センサ256を
追加することによって、検出装置の有用性を改良するこ
とができる。補足的センサ256の各々は、ウェファ上
の点の上方に位置され、別々のセンサ回路に接続されて
いる。何れか1つの「ウェファ存在」信号が欠けていれ
ば、ウェファが欠落又は破損していることになる。セン
サ256の各々が距離dだけウェファの上方に位置して
いるとすると、破損していないウェファによって全セン
サ256が同時に反応する。
るけれども、ウェファの中央上方部分の破損のみを検出
する。こうして例えば、ウェファの左側又は右側が破」
している場合には、そのことは中央に配置された単一の
センサ220のみでは検出されない。第3図に示すよう
にウェファに関して種々の位置に補足的センサ256を
追加することによって、検出装置の有用性を改良するこ
とができる。補足的センサ256の各々は、ウェファ上
の点の上方に位置され、別々のセンサ回路に接続されて
いる。何れか1つの「ウェファ存在」信号が欠けていれ
ば、ウェファが欠落又は破損していることになる。セン
サ256の各々が距離dだけウェファの上方に位置して
いるとすると、破損していないウェファによって全セン
サ256が同時に反応する。
本発明に従ったセンサ装置としてウェファ反射方式のセ
ンサを説明してきたけれども、ウェファの両側に放射器
とセンサとを位置しても良いと七は明白である。その場
合に、放射器からのビームは通常、センナに受信される
。ウェファが放射器とセンサとの間を通過すると、ビー
ムが遮られて、センサ回路へと信号が供給される。この
型のセンサは、半透明のSOSウェファに対しては、信
頼性が悪い。
ンサを説明してきたけれども、ウェファの両側に放射器
とセンサとを位置しても良いと七は明白である。その場
合に、放射器からのビームは通常、センナに受信される
。ウェファが放射器とセンサとの間を通過すると、ビー
ムが遮られて、センサ回路へと信号が供給される。この
型のセンサは、半透明のSOSウェファに対しては、信
頼性が悪い。
上述のように、ウェファ移送装置におけるウェファの欠
落又は破損を感知するための装置が本発明によってもた
らされ、それは簡単で低費用であり、且つ種々のウェフ
ァ寸法及び種々のウェファ移送速度に対応できるようプ
ログラム可能である。
落又は破損を感知するための装置が本発明によってもた
らされ、それは簡単で低費用であり、且つ種々のウェフ
ァ寸法及び種々のウェファ移送速度に対応できるようプ
ログラム可能である。
これまで、本発明の実施例について説明してきたけれど
も、種々の変化が可能であることは当業者には明白であ
ろう。
も、種々の変化が可能であることは当業者には明白であ
ろう。
第1図は、イオン注入装置を上から見た概略図である。
第2図は、自動ウェファ移送装置の簡略側面図であり、
昇降ブレードは下方位置にある。 第3図は、本発明に従ったセンサ装置のブロック図であ
る。 第4a〜4d図は、ウェファ移送機構内のウェファの存
在を検出するセンサの動作を示しているう第5図は、本
発明に従ったセンサ装置のブロック図である。 〔主要符号の説明〕 2・・・ターミナル 6・・・ガス操作系8・
・・イオン源 10・・・電源18・・・イ
オンビーム 20・・・分析磁石22・・・分解開
口 24・−・可変スリット26・・・加速管
28・・・4電極レンズ40・・・Y偏向
プレート 42・・・X偏向プレート44・・・走査
系 46・・・2重ターrット室48.49
・・・ビーム画成マスク 50.51・・・ファラデーケージ 52.54・・・自動ウェファ移送装置56、.58・
・・ターダット位置 60・・・ビーム軸線 62・・・ビームダンプ
110.111・・・カセット 112・・・ウェファ 114・・・ウェファ処
理室120・・・ウェファ操作手段 124・・・移送手段 126・・・カセット搬
送手段134・・・チェンバドア 136・・・ドア
移動手段138・・・真空チャック 140・・・ハ
ウジング150・・・昇降ブレード 152・・・駆
動手段154・・・クランク手段 160・・・カセ
ットホルダー162・・・?−ルリパーサ 163・・
・ガイドシャフト220・・・センサ 222
・・・ビーム224・・・スイッチ 226・・
・ウェファ228・・・センサ回路 230・・・
破損ウェファ240・・・発光ダイオード 242・・
・抵抗器244・・・フォトトランジスタ 248・・・増幅器 250・・・デイノタル
ヵウンタ252・・・発振器 254・・・比
較器特許出願人 ・々リアン・アソシェイッ・インコ
ーポレイテッド 手続補正書(方側 昭和58年 6月>0日 特許庁長官 若 杉和 夫 殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第79474号2
、発明の名称 ウェファ欽1虐請洟村硼3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所(居所) 氏 名(名称) パリアン・アソシエイツーインコ
ーポレイテッド4、代理人 6、補正の対象 図面(企図)
昇降ブレードは下方位置にある。 第3図は、本発明に従ったセンサ装置のブロック図であ
る。 第4a〜4d図は、ウェファ移送機構内のウェファの存
在を検出するセンサの動作を示しているう第5図は、本
発明に従ったセンサ装置のブロック図である。 〔主要符号の説明〕 2・・・ターミナル 6・・・ガス操作系8・
・・イオン源 10・・・電源18・・・イ
オンビーム 20・・・分析磁石22・・・分解開
口 24・−・可変スリット26・・・加速管
28・・・4電極レンズ40・・・Y偏向
プレート 42・・・X偏向プレート44・・・走査
系 46・・・2重ターrット室48.49
・・・ビーム画成マスク 50.51・・・ファラデーケージ 52.54・・・自動ウェファ移送装置56、.58・
・・ターダット位置 60・・・ビーム軸線 62・・・ビームダンプ
110.111・・・カセット 112・・・ウェファ 114・・・ウェファ処
理室120・・・ウェファ操作手段 124・・・移送手段 126・・・カセット搬
送手段134・・・チェンバドア 136・・・ドア
移動手段138・・・真空チャック 140・・・ハ
ウジング150・・・昇降ブレード 152・・・駆
動手段154・・・クランク手段 160・・・カセ
ットホルダー162・・・?−ルリパーサ 163・・
・ガイドシャフト220・・・センサ 222
・・・ビーム224・・・スイッチ 226・・
・ウェファ228・・・センサ回路 230・・・
破損ウェファ240・・・発光ダイオード 242・・
・抵抗器244・・・フォトトランジスタ 248・・・増幅器 250・・・デイノタル
ヵウンタ252・・・発振器 254・・・比
較器特許出願人 ・々リアン・アソシェイッ・インコ
ーポレイテッド 手続補正書(方側 昭和58年 6月>0日 特許庁長官 若 杉和 夫 殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第79474号2
、発明の名称 ウェファ欽1虐請洟村硼3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所(居所) 氏 名(名称) パリアン・アソシエイツーインコ
ーポレイテッド4、代理人 6、補正の対象 図面(企図)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 ウェファ移送機構における半導体ウェファの欠落
又は破損を検出するための装置であって、以下の手段a
)〜f)から構成され、g)の特徴を有する装置: &)前記ウェファ移送機構を第1の位置から所定の径路
に沿って移動させるだめの移動手段: b)発振器手段; C)該発振器の出力に接続したカウント入力を有するカ
ウンタ手段: d)前記第1の位置からの前記ウェファ移送機構の移動
を感知して、前記カウンタ手段の動作を可能にするよう
動作する第1の感知手段; e)前記径路に沿った第2の位置においてウェファの存
在を感知して、−前記カウンタ手段の動作を禁止するよ
う動作する第2の感知手段: f)前記カウンタ手段内の実際のカウントと、破損して
いないウェファの前記第2の位置への移動に要する時間
に対応する所定のカウントとを比較するよう動作する比
較器手段であって、実際のカウントと所定カウントとが
等しいときには1の状態の出力信号をもたらし、それら
が等しくないときには他の状態の出力信号をもたらすと
ころの比較器手段;並びに g)前記他の状態の出力信号がウェファ移送機構内のウ
ェファの欠落又は破損を表すこと。 2、特許請求の範囲第1項に記載された装置であって: 前記移動手段が、 ウェファの縁に係合するだめの溝を設けた弧状前縁を有
する昇降ブレード、及び 該昇降グレードを上昇下降させるための昇降手段、 を含むところの装置。 3、特許請求の範囲第2項に記載された装置であって 前記第1の感知手段が、 前記第1の位置からの前記昇降ブレードの移動時に作動
するよう位置されたスイッチ、を含むところの装置。 4、特許請求の範囲第1項に記載された装置であって: 前記第2の感知手段が、 方向性ビームをもたらす発光ダイオード、及び 前記ビームを感知するよう動作するフォトトランジスタ
、 を含むところの装置。 5、特許請求の範囲第4項に記載された装置であって 前記フォトトランジスタが前記ウェファで反射されたビ
ームを受信するべく位置づけられている、ところの装置
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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