JPS5821748A - 電子写真用像形成部材 - Google Patents
電子写真用像形成部材Info
- Publication number
- JPS5821748A JPS5821748A JP56121121A JP12112181A JPS5821748A JP S5821748 A JPS5821748 A JP S5821748A JP 56121121 A JP56121121 A JP 56121121A JP 12112181 A JP12112181 A JP 12112181A JP S5821748 A JPS5821748 A JP S5821748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image forming
- photoconductive layer
- forming member
- electrophotography
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、広義の意味の光（紫外光線、可視光線、赤外
光線、Ｘ線、Ｔ線等）に感受性があり、静電像形成処理
を施されて、像形成され得る電子写真用像形成部材に関
する。
光線、Ｘ線、Ｔ線等）に感受性があり、静電像形成処理
を施されて、像形成され得る電子写真用像形成部材に関
する。
電子写真用像形成部材に於ける光導電層を構成する光導
電材料としては、使用時に於いて、電気的特性が安定で
あること及び耐熱性を有すること、更に人体に対して無
公害である事、高感度、高抵抗を有し、視感度に出来る
限り近いスペクトル特性を有することが重要な点である
。面乍ら、従来の電子写真用像形成部材の光導電層を構
成する材料の８ｅ、ＣＡＢ、ｚｒＯ，アモルファス水素
化シリコン（以後ａ −８１１Ｈと略記する）等の無機
光導電材料やｌリ−ｙどろ？カルバソール（１？ＶＫ）
、）リニ）０フルオレン（ＴＭＩＦ）等の有機光導電材
料（０？ Ｏ） ｓｔ、上記の諸条件ａｌｌてを水準以
上に必ずしも満足しているとは断言し難い。
電材料としては、使用時に於いて、電気的特性が安定で
あること及び耐熱性を有すること、更に人体に対して無
公害である事、高感度、高抵抗を有し、視感度に出来る
限り近いスペクトル特性を有することが重要な点である
。面乍ら、従来の電子写真用像形成部材の光導電層を構
成する材料の８ｅ、ＣＡＢ、ｚｒＯ，アモルファス水素
化シリコン（以後ａ −８１１Ｈと略記する）等の無機
光導電材料やｌリ−ｙどろ？カルバソール（１？ＶＫ）
、）リニ）０フルオレン（ＴＭＩＦ）等の有機光導電材
料（０？ Ｏ） ｓｔ、上記の諸条件ａｌｌてを水準以
上に必ずしも満足しているとは断言し難い。
例えば、分光感度領域を広げる為にＴ・やム１を加えた
８・系光導電層を有する電子写真用像形成部材は、温度
や湿度による電気的特性の変化が大きく、又光疲労が大
きくなる為に複写画像の均質性や安定性等の欠ける欠点
を有している。
８・系光導電層を有する電子写真用像形成部材は、温度
や湿度による電気的特性の変化が大きく、又光疲労が大
きくなる為に複写画像の均質性や安定性等の欠ける欠点
を有している。
而も、Ｓ・、殊にム■、！・は人体に対して極めて有害
であり、強度的にも弱いことから、複写画像中に混入し
たり、複写機内に飛散したりして、人体に接触する原因
となる。
であり、強度的にも弱いことから、複写画像中に混入し
たり、複写機内に飛散したりして、人体に接触する原因
となる。
又、Ｓ・系光導電層は、光導電層として高暗抵抗を保有
する為にアモルファス状態に形成されるが８・の結晶化
が６５℃と極めて低い温度で起る為に、使用中に於ける
画像形成プロセス中の他の部材との庫擦熱Ｏ影響を受け
て結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性
上にも欠点がある。
する為にアモルファス状態に形成されるが８・の結晶化
が６５℃と極めて低い温度で起る為に、使用中に於ける
画像形成プロセス中の他の部材との庫擦熱Ｏ影響を受け
て結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性
上にも欠点がある。
一方、Ｚ！１０，０１１８等を光導電層構成材料として
所謂バインダー系光導電層を有する像形成部材は、光導
電層の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決
定するパラメーターが多く再現性が悪く歩留りの低下を
招き、又湿度依存性が着しく、電気的特性の劣化を来た
し、クリーニング性も良くない。
所謂バインダー系光導電層を有する像形成部材は、光導
電層の電気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決
定するパラメーターが多く再現性が悪く歩留りの低下を
招き、又湿度依存性が着しく、電気的特性の劣化を来た
し、クリーニング性も良くない。
又、ａ−８１！１１は、８１とＨの結合力があまり強い
ものでない為に水素が離脱し、膜質が劣化してａ −８
１１Ｈの寿命を著しく短縮する。
ものでない為に水素が離脱し、膜質が劣化してａ −８
１１Ｈの寿命を著しく短縮する。
更に画像形成時の光照射による光構造変化を起こし、電
気的特性の劣化の原因となり、湿度や周囲の雰囲気から
も影響を受け、帯電性、電荷保持力が劣化する。
気的特性の劣化の原因となり、湿度や周囲の雰囲気から
も影響を受け、帯電性、電荷保持力が劣化する。
これに対してａ −８１ｇ Ｈ表面に電子受容性又は供
与性の分子を吸着層を形成させた場合は、帯電性、電荷
保持力は、向上するが＊−８ｉ：Ｈの寿命及び電気的特
性を決定する水素離脱、光構造変化に何の効果もなく、
膜質の向上はない。
与性の分子を吸着層を形成させた場合は、帯電性、電荷
保持力は、向上するが＊−８ｉ：Ｈの寿命及び電気的特
性を決定する水素離脱、光構造変化に何の効果もなく、
膜質の向上はない。
又、ｐｖｘやＴＮ７等の有機光導電材料を使用する電子
写真用像形成部材に於いては、耐湿性、耐コロナイオン
性、クリーニング性に欠け、又光感度に欠け、光感度が
低く、可視光領域に於ける分光感度領域が狭く且つ短波
長側に片寄っている等の欠点を有し、極限定された範闘
でしか使途されていない。
写真用像形成部材に於いては、耐湿性、耐コロナイオン
性、クリーニング性に欠け、又光感度に欠け、光感度が
低く、可視光領域に於ける分光感度領域が狭く且つ短波
長側に片寄っている等の欠点を有し、極限定された範闘
でしか使途されていない。
本発明は、かかる欠点を除失したもので、その目的は、
耐熱性、耐光構変化、表面電気特性の向上にあり、特定
の表面状態を有するアモルファス弗素化シリコン（以後
ａ−８１３Ｆ：Ｈと記す）が、電子写真用像形成部材の
光導電層として極めて優れていることを見出した点に基
づいて成されている。
耐熱性、耐光構変化、表面電気特性の向上にあり、特定
の表面状態を有するアモルファス弗素化シリコン（以後
ａ−８１３Ｆ：Ｈと記す）が、電子写真用像形成部材の
光導電層として極めて優れていることを見出した点に基
づいて成されている。
本発明の電子写真用像形成部材は、支持体、＆ −８１
＄ ７２ Ｈからなる光導電層、該光導電層表面にａ−
８１１１１Ｈに対して電子受容性の分子又は電子供与性
の分子の吸着層を有することを特徴とする。
＄ ７２ Ｈからなる光導電層、該光導電層表面にａ−
８１１１１Ｈに対して電子受容性の分子又は電子供与性
の分子の吸着層を有することを特徴とする。
この様に構成されるところの、本発明の電子写真用像形
成部材は、シリコンと水素よりはるかに結合力が強いシ
リコンと弗素結合を用いる為、６′ｏＯ℃の熱処理後も
組成及び電気的特性は変化せず７００℃の熱処理後でも
光学的特性は、変化せず、結合力に起因する光構造変化
も強結合力により生じない、則ち、耐熱性、耐・光構造
変化も着しく優れている。又ａ−８１！ Ｆ ！ Ｈ表
面に脱着の起き難い新たな分子を吸着させることで表面
電気特性の向上を計っている。更に周囲の雰囲気、例え
ば湿度に対しても、電気的特性は変化せず、゛疲労の面
からも耐疲労性を有している。
成部材は、シリコンと水素よりはるかに結合力が強いシ
リコンと弗素結合を用いる為、６′ｏＯ℃の熱処理後も
組成及び電気的特性は変化せず７００℃の熱処理後でも
光学的特性は、変化せず、結合力に起因する光構造変化
も強結合力により生じない、則ち、耐熱性、耐・光構造
変化も着しく優れている。又ａ−８１！ Ｆ ！ Ｈ表
面に脱着の起き難い新たな分子を吸着させることで表面
電気特性の向上を計っている。更に周囲の雰囲気、例え
ば湿度に対しても、電気的特性は変化せず、゛疲労の面
からも耐疲労性を有している。
又、Ｐ、ｎ型制御については、ドーピング効率が高く、
ドーパシトであるボロン・リンが新たな欠陥となって電
気的特性の劣化を招くことも１−８ｉ：Ｈより少ない。
ドーパシトであるボロン・リンが新たな欠陥となって電
気的特性の劣化を招くことも１−８ｉ：Ｈより少ない。
本発明に於いては、ａ−８１！ｆｆ！Ｈ層の表面に吸着
分子層を設ける際の吸着分子としては、電子供与性分子
として、例えばＩｌ、：Ｈ！ＯＳす７タレン；ビフェニ
ル；フルオレン；アントラセン；フェナントレン；アセ
ナフトレン；ア七す７チルン、クリセン；ピレン；１．
４−ジメトキシベンゼン；ジフェニルアミン； ２ 、
２ ／−シナ７チルア之ン；１．５−ジェトキシナフタ
レン；２−フェニルインドール；カルバゾール；フェノ
′チアジン；２．４−ビス（４′−ジエチルアミノフェ
ニル）−１，３，４−オキシジアゾール；２゜４−ビス
（４′−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−）す
ｔゾール等とこれらと類似の多数の化合物が有効なもの
として挙げられ電子受容性吸着分子としては、０３．オ
ゾン１．５−ジ旦トロナフタレン； １，８−シエ）ロ
ナ７タレン；１．４．５−）リニトロナフタレン；２ｅ
４ｍ５＊７−テシラ・ニトロフルオレノン；１，５−ジ
クロロナフタレン；１，４−ジブロモナフタレン；９、
１０−ジブロモアントラセン；無水フタル酸；テトラク
ロロ無水フタル酸；Ｐ−クロラニル；１．２−ベンゾア
ントラキノン；ベンジル；ピレン−５アルデヒド；９−
アセチルアントラセン等とこれらと類似の多数の化学物
が有効なものとして挙げられる。
分子層を設ける際の吸着分子としては、電子供与性分子
として、例えばＩｌ、：Ｈ！ＯＳす７タレン；ビフェニ
ル；フルオレン；アントラセン；フェナントレン；アセ
ナフトレン；ア七す７チルン、クリセン；ピレン；１．
４−ジメトキシベンゼン；ジフェニルアミン； ２ 、
２ ／−シナ７チルア之ン；１．５−ジェトキシナフタ
レン；２−フェニルインドール；カルバゾール；フェノ
′チアジン；２．４−ビス（４′−ジエチルアミノフェ
ニル）−１，３，４−オキシジアゾール；２゜４−ビス
（４′−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−）す
ｔゾール等とこれらと類似の多数の化合物が有効なもの
として挙げられ電子受容性吸着分子としては、０３．オ
ゾン１．５−ジ旦トロナフタレン； １，８−シエ）ロ
ナ７タレン；１．４．５−）リニトロナフタレン；２ｅ
４ｍ５＊７−テシラ・ニトロフルオレノン；１，５−ジ
クロロナフタレン；１，４−ジブロモナフタレン；９、
１０−ジブロモアントラセン；無水フタル酸；テトラク
ロロ無水フタル酸；Ｐ−クロラニル；１．２−ベンゾア
ントラキノン；ベンジル；ピレン−５アルデヒド；９−
アセチルアントラセン等とこれらと類似の多数の化学物
が有効なものとして挙げられる。
これらの有効な吸着分子は、気体状又は液体状で、更に
は、それらをプラズマ化、イオン化又はラジカル化等の
活性化して、形成直後のａ −８１−１８Ｈ表面に接触
させ、吸着層を形成する。同様の特性を与えるもの同志
を混合して使用することもできる。
は、それらをプラズマ化、イオン化又はラジカル化等の
活性化して、形成直後のａ −８１−１８Ｈ表面に接触
させ、吸着層を形成する。同様の特性を与えるもの同志
を混合して使用することもできる。
本発明に於いて、支持体は、例えば、ステンレス、ムｔ
、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、工ｒ、Ｗｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｉ’ｄ等の合金又はこれらの合金等の導電性支持体
、又はこれらの金属が蒸着された導電性支持体、耐熱性
を示す合成ｉ＃脂のフィルム、シート、ガラス、セラミ
ック等の絶縁性支持体が有効なものとして挙げられる。
、Ｏｒ、Ｍｏ、Ａｕ、工ｒ、Ｗｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｉ’ｄ等の合金又はこれらの合金等の導電性支持体
、又はこれらの金属が蒸着された導電性支持体、耐熱性
を示す合成ｉ＃脂のフィルム、シート、ガラス、セラミ
ック等の絶縁性支持体が有効なものとして挙げられる。
又必要に応じて電気絶縁性支持体の表面を導電処理をす
る。
る。
例えば、ガラスならば、工ｎ＠Ｏ＠ 、Ｓ ｎ Ｏ＠
等で、ポリイミドフィルム等の合成樹脂フィルムで
あれば、ムｔ、 Ａ ｇ 、 Ｐ ＩＩ、 Ｚ ！Ｌ
、 Ｎ ｉ 、ムＵ。
等で、ポリイミドフィルム等の合成樹脂フィルムで
あれば、ムｔ、 Ａ ｇ 、 Ｐ ＩＩ、 Ｚ ！Ｌ
、 Ｎ ｉ 、ムＵ。
Ｑｒ、Ｎｏ＠工ｒ、Ｗｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金
属を以って真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
等で処理し、その表面が導電処理される。支持体の形状
としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とす
るが、電子写真に適用する場合には、無端ベルト状又は
円筒状とするのが望ましい。
属を以って真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング
等で処理し、その表面が導電処理される。支持体の形状
としては、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とす
るが、電子写真に適用する場合には、無端ベルト状又は
円筒状とするのが望ましい。
支持体の厚さは、可能な限り薄くされ、通常１０μ以上
とされる。
とされる。
本発明に於ける光導電層は、下記のタイプの１−８１２
Ｎ ： Ｈの中の一種類で形成するか、又は少くとも
二種類で構成する多層接合にするかによって得られる。
Ｎ ： Ｈの中の一種類で形成するか、又は少くとも
二種類で構成する多層接合にするかによって得られる。
（１） ｎ ｍ−・・・ドナーをのみ含むか、ドナーと
アクセプターを共に含むがドナー淡度が高いもの０１１
Ｐ型・・・アクセプターのみを含むか、ドナーとアク
セプターを共に含むがアクセプター濃度が高いもの （１） ｉ 型・・・アクセプター、ドナー共に含まな
いか、アクセプター濃度とドナー濃度が等しいもの。
アクセプターを共に含むがドナー淡度が高いもの０１１
Ｐ型・・・アクセプターのみを含むか、ドナーとアク
セプターを共に含むがアクセプター濃度が高いもの （１） ｉ 型・・・アクセプター、ドナー共に含まな
いか、アクセプター濃度とドナー濃度が等しいもの。
本発明に於ける光導電層は、グロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンインプランテーシ雪ン法、イオンブレー
ティング法等によって形成され、その際に、ｎ型、Ｐ型
不純物をドーピングして制御する。使用ガスは、５１１
４と５１Ｈ４ｓＳ１１４と”！、或いは不活性ガスを混
合したものを用い、水素がシリコン中に取り込まれるが
、（の量は、僅かで膜質にはほとんど影響はない。
ング法、イオンインプランテーシ雪ン法、イオンブレー
ティング法等によって形成され、その際に、ｎ型、Ｐ型
不純物をドーピングして制御する。使用ガスは、５１１
４と５１Ｈ４ｓＳ１１４と”！、或いは不活性ガスを混
合したものを用い、水素がシリコン中に取り込まれるが
、（の量は、僅かで膜質にはほとんど影響はない。
基板温度は、１００℃〜５００℃、高周波電力は、１〜
３００１．ガス圧力は１０−” 〜５ ｔｏｒｒで＆
Ｓ ｉ ： Ｆ ！ １１製作を行ない、例えば、使
用ガスが８１１４とＥｉｉＨ４でグロー放電法の場合高
周波電力は２０〜１００Ｗ、ガス圧力は１０″″１〜１
０−”ｔｏｒｒ、基板温度は３００〜″′３５０℃が望
ましい電気的特性のａ−８１ニアｔＨ膜が得られる。
３００１．ガス圧力は１０−” 〜５ ｔｏｒｒで＆
Ｓ ｉ ： Ｆ ！ １１製作を行ない、例えば、使
用ガスが８１１４とＥｉｉＨ４でグロー放電法の場合高
周波電力は２０〜１００Ｗ、ガス圧力は１０″″１〜１
０−”ｔｏｒｒ、基板温度は３００〜″′３５０℃が望
ましい電気的特性のａ−８１ニアｔＨ膜が得られる。
以下、実施例に従って、本発明の顕著なる効果を説明す
る。
る。
実施例１
清浄にされた３×７ａ１１アル之ニウム基板をグロー放
電堆積槽内の基板ホルダーに固定し、槽内を１×１０−
・ｔｏｒｒの真空度にし、基＆Ｉ！度５２０℃に保ち８
１７４と５ｉｎ４を毎分８０ ｍ ｌ一槽内に流入させ
て、槽内を１０−’ｔｏｒｒに保持する。その後電極間
に、１１５”ｔＳ￥ＨｍのＲＦ電力を投入してグロー放
電を起こし、 ｓＳＷの電力が入力されるようにマツチ
ング回路ｔ＊整した。こうして６時間放電を継続して５
μ厚のａ −Ｓ ｉ ｇ ？１Ｈ膜を形成したのち放電
を中止させ、基板温度が１５０℃になるようにし吸着ガ
スの脱着を計った。これを室温にした後Ｏ，ガラス導入
し１時間放置した。こうして得られたａ −Ｓ ｉ Ｉ
Ｆ ｔ Ｈ膜を直ちにｅ６ＫＶのコロナ帯電器で帯電
した後２０Ｌａ工・紅の露光量で画像露光を行い、この
操作を５万回繰返した後、■荷電粉体トナーで現像した
所、良質な画像が得られた。一方ｅ７３６ＫＮのコロナ
帯電とｅ荷電粉体トナーの組合せでは、画像淡度、鮮明
度共に低い画像しか得られなかった。
電堆積槽内の基板ホルダーに固定し、槽内を１×１０−
・ｔｏｒｒの真空度にし、基＆Ｉ！度５２０℃に保ち８
１７４と５ｉｎ４を毎分８０ ｍ ｌ一槽内に流入させ
て、槽内を１０−’ｔｏｒｒに保持する。その後電極間
に、１１５”ｔＳ￥ＨｍのＲＦ電力を投入してグロー放
電を起こし、 ｓＳＷの電力が入力されるようにマツチ
ング回路ｔ＊整した。こうして６時間放電を継続して５
μ厚のａ −Ｓ ｉ ｇ ？１Ｈ膜を形成したのち放電
を中止させ、基板温度が１５０℃になるようにし吸着ガ
スの脱着を計った。これを室温にした後Ｏ，ガラス導入
し１時間放置した。こうして得られたａ −Ｓ ｉ Ｉ
Ｆ ｔ Ｈ膜を直ちにｅ６ＫＶのコロナ帯電器で帯電
した後２０Ｌａ工・紅の露光量で画像露光を行い、この
操作を５万回繰返した後、■荷電粉体トナーで現像した
所、良質な画像が得られた。一方ｅ７３６ＫＮのコロナ
帯電とｅ荷電粉体トナーの組合せでは、画像淡度、鮮明
度共に低い画像しか得られなかった。
同様な操作をａ−９ｉ！Ｈについても行なった結果を表
１に示す。
１に示す。
表 １
画像評価 ○高品質画像
Δ低品質画像
ｘ像が殆んど形成されず
実施例２
実施例１と同様にして作られたａ−８１膜を０゜のかわ
りにＮＨ，ガスを用いた場合を表２に示す表 ２ 実施例３ 実施例１と同様にしてＳ１ν、及び８１Ｈ４に１１、ガ
スを１００１ｐ膳混合したガスでグロー放電を行ってＰ
型膜を積層した後、ＥｌｉＦ４と８１Ｈ，で１層を積層
し、０．ガスの吸着層を作成し、実施例１と同様に５万
回の画像露光を行なった。
りにＮＨ，ガスを用いた場合を表２に示す表 ２ 実施例３ 実施例１と同様にしてＳ１ν、及び８１Ｈ４に１１、ガ
スを１００１ｐ膳混合したガスでグロー放電を行ってＰ
型膜を積層した後、ＥｌｉＦ４と８１Ｈ，で１層を積層
し、０．ガスの吸着層を作成し、実施例１と同様に５万
回の画像露光を行なった。
同様な操作をａ ｌｉｔ ｉ ： Ｈについても行な
った結果を表３に示す。
った結果を表３に示す。
表 ３
実施例４
実施例５で積層したＢ、ＨＯ１００１００ｐｐかわりに
、ＰＨ，１００１）Ｐ■を混合した５１１４と８１１１
．を用いて積層を行なった後同様の試験を行った結果を
表４に示す。
、ＰＨ，１００１）Ｐ■を混合した５１１４と８１１１
．を用いて積層を行なった後同様の試験を行った結果を
表４に示す。
表 ４
Claims (1)
- 支持体、アモルファス弗素化シリコンから成る光導電層
、該光導電層表面に、アモルファス弗素化シリコンに対
して電子受容性の分子又は電子供与性の分子の吸着層と
を有する事を特徴とする電子写真用像形成部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121121A JPS5821748A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 電子写真用像形成部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121121A JPS5821748A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 電子写真用像形成部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821748A true JPS5821748A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14803396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121121A Pending JPS5821748A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 電子写真用像形成部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821748A (ja) |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56121121A patent/JPS5821748A/ja active Pending
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