JPS586941B2 - フオト マスク ノ セイゾウホウホウ - Google Patents
フオト マスク ノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS586941B2 JPS586941B2 JP48126897A JP12689773A JPS586941B2 JP S586941 B2 JPS586941 B2 JP S586941B2 JP 48126897 A JP48126897 A JP 48126897A JP 12689773 A JP12689773 A JP 12689773A JP S586941 B2 JPS586941 B2 JP S586941B2
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- Japan
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- mask
- chromium
- oxide
- material layer
- mask material
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスク・パターニング精度の良いフォト・マス
クの製造方法に関するものである。
クの製造方法に関するものである。
従来、半導体装置の製造工程で多用されるフオト・マス
クの製造方法はたとえば第１図ａに示すようにガラス基
板１上に厚さ約２０００〔Ａ〕のクロム（Ｃｒ）酸化物
のようなマスク材料層２とフォトレジスト層３を被着し
、これに所望のパターンを写真焼付した後、通常の液相
エッチング法によりフォト・マスクにおける窓となる部
分４のマスク材料層をエッチング除去する。
クの製造方法はたとえば第１図ａに示すようにガラス基
板１上に厚さ約２０００〔Ａ〕のクロム（Ｃｒ）酸化物
のようなマスク材料層２とフォトレジスト層３を被着し
、これに所望のパターンを写真焼付した後、通常の液相
エッチング法によりフォト・マスクにおける窓となる部
分４のマスク材料層をエッチング除去する。
この方法では、液相エッチングによるため、パターニン
グされたマスク材料の縁端部５でアンダーカットあるい
はサイドエッチングを生じ、マスク材料層２のその部分
が傾斜面となることが多い。
グされたマスク材料の縁端部５でアンダーカットあるい
はサイドエッチングを生じ、マスク材料層２のその部分
が傾斜面となることが多い。
従ってフォトレジスト層３を除去して完成されたフォト
・マスクとし、同図ｂのようにフオトレジスト７を被着
した半導体基板６上に前記パターニングされたマスク材
料層２を下側にして重ねガラス基板１を通して光（紫外
線）１０を照射して半導体基板上のフォトレジストに写
真焼付をする場合、前述のアンダーカット部５において
はマスク効果が不十分で光１０１の１部は透過し、さら
に光１０２のような近傍の入射光とともにアンダーカッ
ト５の近傍のマスク材料層２とフオトレジスト層３の間
隙部で多重反射を生じマスク縁端部が不明瞭となる現象
（所謂ボケ）が発生しパターニング精度が劣化する。
・マスクとし、同図ｂのようにフオトレジスト７を被着
した半導体基板６上に前記パターニングされたマスク材
料層２を下側にして重ねガラス基板１を通して光（紫外
線）１０を照射して半導体基板上のフォトレジストに写
真焼付をする場合、前述のアンダーカット部５において
はマスク効果が不十分で光１０１の１部は透過し、さら
に光１０２のような近傍の入射光とともにアンダーカッ
ト５の近傍のマスク材料層２とフオトレジスト層３の間
隙部で多重反射を生じマスク縁端部が不明瞭となる現象
（所謂ボケ）が発生しパターニング精度が劣化する。
本発明は叙上の欠点を除去するもので、その目的はマス
クパターニング精度の良いフォト・マスクの製造方法を
提供することである。
クパターニング精度の良いフォト・マスクの製造方法を
提供することである。
前記目的を達成するため、本発明の製造方法はガラス基
板上にクロム、クロム酸化物、チタン酸化物あるいはバ
ナジウム酸化物よりなるマスク材料層を形成し、その上
に所望のパターンを有するマスクを形成した後、有機ハ
ロゲン化物のプラズマ中で該パターンに従い前記マスク
材料層の表出面をエッチングすることを特徴とするもの
である。
板上にクロム、クロム酸化物、チタン酸化物あるいはバ
ナジウム酸化物よりなるマスク材料層を形成し、その上
に所望のパターンを有するマスクを形成した後、有機ハ
ロゲン化物のプラズマ中で該パターンに従い前記マスク
材料層の表出面をエッチングすることを特徴とするもの
である。
以下本発明を実施例につき詳述する。
第２図ａ〜ｆは本発明の製造方法の工程説明図である。
まず同図ａに示すガラス基板１１上に、化学気相成長法
（ＣＶＤ）、蒸着法、スパッタリング法等を用いて同図
ｂに示すように、クロム（Ｃｒ）、クロム酸化物、チタ
ン（Ｔｉ）酸化物あるいはバナジウム（Ｖ）酸化物の一
つよりなるマスク材料層１２を被着させる。
（ＣＶＤ）、蒸着法、スパッタリング法等を用いて同図
ｂに示すように、クロム（Ｃｒ）、クロム酸化物、チタ
ン（Ｔｉ）酸化物あるいはバナジウム（Ｖ）酸化物の一
つよりなるマスク材料層１２を被着させる。
たとえばクロム酸化物においてはＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３
，Ｃｒ３Ｏ４、チタン酸化物ではＴｉＯ２、バナジウム
酸化物ではＶ２Ｏ５等が用いられる。
，Ｃｒ３Ｏ４、チタン酸化物ではＴｉＯ２、バナジウム
酸化物ではＶ２Ｏ５等が用いられる。
次にその上にフォトレジスト層１３を被せ、それに所望
のパターンに写真焼付を施し、同図ｃに示すようなマス
ク材料層１２の上にパターニングされたフォトレジスト
で被覆されたガラス基板を得る。
のパターンに写真焼付を施し、同図ｃに示すようなマス
ク材料層１２の上にパターニングされたフォトレジスト
で被覆されたガラス基板を得る。
次いで、このようにして得られた基板を同図ｄに示す工
程においてプラズマエッチング装置の炉内に入れ、高周
波電磁界を印加しつつ有機ハロゲン化物のガスたとえば
弗化物ＣＦ４、塩化物ＣＨ２Ｃｌ２，ＣＣｌ４等のガス
１４を注入して前記マスク材料層１２の表出面と反応さ
せ昇華点の低いハロゲン化合物に変化させて、炉内温度
をこの昇華点よりやや高く保つことによりエッチングを
行なう。
程においてプラズマエッチング装置の炉内に入れ、高周
波電磁界を印加しつつ有機ハロゲン化物のガスたとえば
弗化物ＣＦ４、塩化物ＣＨ２Ｃｌ２，ＣＣｌ４等のガス
１４を注入して前記マスク材料層１２の表出面と反応さ
せ昇華点の低いハロゲン化合物に変化させて、炉内温度
をこの昇華点よりやや高く保つことによりエッチングを
行なう。
以下クロム、クロム酸化物、チタン酸化物、バナジウム
酸化物薄膜のそれぞれのプラズマエッチング処理の適用
例を示す。
酸化物薄膜のそれぞれのプラズマエッチング処理の適用
例を示す。
（１）クロム（Ｃｒ）
この場合には、該クロムを一旦酸化物ＣｒＯ３に変換し
、これをたとえば弗化メチル（ＣＨ２Ｆ２）のプラズマ
と接触させてエッチングする。
、これをたとえば弗化メチル（ＣＨ２Ｆ２）のプラズマ
と接触させてエッチングする。
従ってエッチング反応炉内へは、酸素を含む物質例えば
ＮＯ２と前記ＣＨ２Ｆ２を導入する。
ＮＯ２と前記ＣＨ２Ｆ２を導入する。
この結果２Ｃｒ＋３ＮＯ２→２ＣｒＯ３＋Ｎ２↑および
ＣｒＯ３＋２ＨＦ→ＣｒＯ２Ｆ２＋Ｈ２Ｏの反応が生
じ、Ｃｒは除去される。
ＣｒＯ３＋２ＨＦ→ＣｒＯ２Ｆ２＋Ｈ２Ｏの反応が生
じ、Ｃｒは除去される。
生成された弗化クロミル（ＣｒＯ２Ｆ２）はその昇華点
が３０〔Ｃ〕であって容易に除去される。
が３０〔Ｃ〕であって容易に除去される。
（２）クロム酸化物（ＣｒＯ３）
この場合にはエッチングガスとして弗化メチル（ＣＨ２
Ｆ２）を用い、 ＣｒＯ３＋２ＨＦ→ＣｒＯ２Ｆ２＋Ｈ２Ｏの反応により
弗化クロミル（ＣｒＯ２Ｆ２）ができ、その昇華点は前
記のとと（３０〔℃〕であるからクロム酸化物ＣｒＯ３
は容易にエッチング除去される。
Ｆ２）を用い、 ＣｒＯ３＋２ＨＦ→ＣｒＯ２Ｆ２＋Ｈ２Ｏの反応により
弗化クロミル（ＣｒＯ２Ｆ２）ができ、その昇華点は前
記のとと（３０〔℃〕であるからクロム酸化物ＣｒＯ３
は容易にエッチング除去される。
（３）チタン酸化物
この場合にはエッチングガスとして有機塩化物ガスたと
えば塩化メチル（ＣＨ２Ｃｌ２）が用い，られる。
えば塩化メチル（ＣＨ２Ｃｌ２）が用い，られる。
ＴｉＯ＋４ＨＣｌ→ＴｉＣｌ４＋２Ｈ２Ｏ反応生成物の
塩化チタン（ＴｉＣｌ４）の弗点は１３６〔℃〕である
。
塩化チタン（ＴｉＣｌ４）の弗点は１３６〔℃〕である
。
（４）バナジウム酸化物
この場合にはエッチングガスとして有機塩化物ガスたと
えばＣＣｌ４が用いられる。
えばＣＣｌ４が用いられる。
Ｖ２Ｏ５＋ＣＣｌ→ＶＣｌ４＋ＣＯ２
反応生成物の塩化バナジウム（ＶＣｌ４）の弗点は１５
４℃であるのでチタン酸化物と同様にプラズマエッチン
グされる。
４℃であるのでチタン酸化物と同様にプラズマエッチン
グされる。
このようなプラズマ・エッチングにより、マスク材料層
１２に対しアンダーカット、サイドエッチングを生ずる
ことなく第２図ｅのように所望のパターンを実現するこ
とができる。
１２に対しアンダーカット、サイドエッチングを生ずる
ことなく第２図ｅのように所望のパターンを実現するこ
とができる。
次にプラズマエッチングガスを停止し、炉内のガスを排
出した後炉内温度をたとえば２００〔℃〕として酸素を
注入しマスク層１２上のフォトレジスト層１３を酸化除
去する。
出した後炉内温度をたとえば２００〔℃〕として酸素を
注入しマスク層１２上のフォトレジスト層１３を酸化除
去する。
この結果同図ｆに示すようなフォト・マスクを得る。
以上説明したように、本発明によれば基板上に被着され
たマスク材料に対し有機ハロゲン化物のプラズマエッチ
ングすることにより、アンダーカットあるいはサイドエ
ッチングを生ずることなくマスクパターニング精度の良
いフォト・マスクを得ることができる。
たマスク材料に対し有機ハロゲン化物のプラズマエッチ
ングすることにより、アンダーカットあるいはサイドエ
ッチングを生ずることなくマスクパターニング精度の良
いフォト・マスクを得ることができる。
また本発明によれば、ガラス基板上に被着されたマスク
材料におけるパターニング精度を１〔μ〕とすることが
可能となり、前記従来の方法においては２〜３（μ）の
精度であったものを大幅に改善することができた。
材料におけるパターニング精度を１〔μ〕とすることが
可能となり、前記従来の方法においては２〜３（μ）の
精度であったものを大幅に改善することができた。
このパターニング精度１〔μ〕は、マスク材料であるク
ロム、クロム酸化物、チタン酸化物あるいはバナジウム
酸化物において同様に得ることができた。
ロム、クロム酸化物、チタン酸化物あるいはバナジウム
酸化物において同様に得ることができた。
第１図は従来例の説明図、第２図は本発明の実施例の製
造方法の工程説明図であり、１１はガラス基板、１２は
マスク材料層、１３はフォトレジスト層、１４はプラズ
マエッチングガスを示す。
造方法の工程説明図であり、１１はガラス基板、１２は
マスク材料層、１３はフォトレジスト層、１４はプラズ
マエッチングガスを示す。
Claims (1)
- １ ガラス基板上にクロム、クロム酸化物、チタン酸化
物あるいはバナジウム酸化物よりなるマスク材料層を形
成し、その上に所望のパターンを有するマスクを形成し
た後、有機ハロゲン化物のプラズマ中で該パターンに従
い前記マスク材料層の表出面をエッチングすることを特
徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48126897A JPS586941B2 (ja) | 1973-11-12 | 1973-11-12 | フオト マスク ノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48126897A JPS586941B2 (ja) | 1973-11-12 | 1973-11-12 | フオト マスク ノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5080082A JPS5080082A (ja) | 1975-06-28 |
| JPS586941B2 true JPS586941B2 (ja) | 1983-02-07 |
Family
ID=14946569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48126897A Expired JPS586941B2 (ja) | 1973-11-12 | 1973-11-12 | フオト マスク ノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586941B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063053U (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-02 | 高尾 武 | ピストン・クラウン |
| JPS626456U (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-16 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5190274A (en) * | 1975-02-05 | 1976-08-07 | Fuotomasukuno seizohoho | |
| JPS6033555A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ドライエッチング用マスク素材 |
-
1973
- 1973-11-12 JP JP48126897A patent/JPS586941B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063053U (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-02 | 高尾 武 | ピストン・クラウン |
| JPS626456U (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-16 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5080082A (ja) | 1975-06-28 |
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