JPS5823029A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5823029A JPS5823029A JP56121994A JP12199481A JPS5823029A JP S5823029 A JPS5823029 A JP S5823029A JP 56121994 A JP56121994 A JP 56121994A JP 12199481 A JP12199481 A JP 12199481A JP S5823029 A JPS5823029 A JP S5823029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive layer
- electrophotographic photoreceptor
- photosensitivity
- photoconductive
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
- G03G5/08228—Silicon-based comprising one or two silicon based layers at least one with varying composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体に関する。
従来より電子写真感光体に於ける光導電層材料としては
、既に様々な形態のものが提案され、実用化されている
。光導電層としては、高感度、高抵抗であり、さらに耐
熱性、耐摩耗性、無公害性。
、既に様々な形態のものが提案され、実用化されている
。光導電層としては、高感度、高抵抗であり、さらに耐
熱性、耐摩耗性、無公害性。
視感度に近いスペクトル特性を有することが重要である
が、従来の光導電層に用いられているセレンまたはセレ
ン合金、酸化亜鉛や硫化カドミウム等は、上記の諸条件
の総てを水準以上に必ずしも満足はしていない。
が、従来の光導電層に用いられているセレンまたはセレ
ン合金、酸化亜鉛や硫化カドミウム等は、上記の諸条件
の総てを水準以上に必ずしも満足はしていない。
例えば、分光感度領域を広げる為にＴｏやム一を加えた
Ｓｅ系導電層を有する電子写真用僧形成部材は、温度や
湿度による電気的特性の変化が大きく、又、光疲労が大
きくなる為に、複写画像の均一性や安定性等の欠ける欠
点を有している。
Ｓｅ系導電層を有する電子写真用僧形成部材は、温度や
湿度による電気的特性の変化が大きく、又、光疲労が大
きくなる為に、複写画像の均一性や安定性等の欠ける欠
点を有している。
而も、Ｓｓ、殊にＡｓ、Ｔｏは人体に対して極めて有害
であり、強度的にも弱いことがら一複写画像中に混入し
たり、［４機日に飛散したりして、人体に接触する原因
となる。
であり、強度的にも弱いことがら一複写画像中に混入し
たり、［４機日に飛散したりして、人体に接触する原因
となる。
又、Ｓｅ系光導電層は、光導電層として高暗抵抗を保有
する為に、アモルファス状＠ｌｆｃ形成されるが、８ｅ
の結晶化が６５℃と極めて低い温度で起る為に、使用中
に於ける画像形成プロセス中の他の部材との摩擦熱の影
響を受けて結晶化を起し、暗抵抗の低下を招皐易いとい
う耐熱性上にも欠点がある。
する為に、アモルファス状＠ｌｆｃ形成されるが、８ｅ
の結晶化が６５℃と極めて低い温度で起る為に、使用中
に於ける画像形成プロセス中の他の部材との摩擦熱の影
響を受けて結晶化を起し、暗抵抗の低下を招皐易いとい
う耐熱性上にも欠点がある。
一方、ＺｎＯ，０ｃ１８等を光導電層構成材料として所
謂、バインダー系光導電層を有する像形成部材は、光導
電層の電気的及び光導電的特性や物質的化学的特性を決
定するパラメーターが多く、再現性が悪く歩留り低下を
招き、又、湿ｆ依存性が著しく、電気的特性の劣化を来
たし、クリーニング性も良くない。
謂、バインダー系光導電層を有する像形成部材は、光導
電層の電気的及び光導電的特性や物質的化学的特性を決
定するパラメーターが多く、再現性が悪く歩留り低下を
招き、又、湿ｆ依存性が著しく、電気的特性の劣化を来
たし、クリーニング性も良くない。
本発明は、以上の事実に基づいて、従来の光導ＩＩ曖が
欠如していた無公害性、耐熱性、耐摩耗性に対し理想的
な特性を有し、光感度がすぐれ、光感度領穢の広いグロ
ー放電分解法により生成されるアモルファス炭素化シリ
コン（以下ａ−８１０と略す）′（ｒ光導電層とする電
子写真感光体を提供することを目的とする。
欠如していた無公害性、耐熱性、耐摩耗性に対し理想的
な特性を有し、光感度がすぐれ、光感度領穢の広いグロ
ー放電分解法により生成されるアモルファス炭素化シリ
コン（以下ａ−８１０と略す）′（ｒ光導電層とする電
子写真感光体を提供することを目的とする。
ａ−８ｉ０１に電子写真感光体光導電層として採用する
場合、可視光での光感度が高いことが要求される。さら
に単層構造としてカールソン方式等の感光体として使用
する場合、体積抵抗率が、約１０１２Ω・傷以上である
ことが要求される。ａ−ｓｉｃに含有される水素濃度及
び炭素濃度を調整する事により上記要求を満足し得る。
場合、可視光での光感度が高いことが要求される。さら
に単層構造としてカールソン方式等の感光体として使用
する場合、体積抵抗率が、約１０１２Ω・傷以上である
ことが要求される。ａ−ｓｉｃに含有される水素濃度及
び炭素濃度を調整する事により上記要求を満足し得る。
本発明ではさらに、該光導電層内で炭素濃度をを化させ
ることで、光感度領域の広い感光体となっている。
ることで、光感度領域の広い感光体となっている。
図１に、本発明のアモルファス炭素化シリコンの製造装
置の概略を示す、１は配管、２はバルブ、３はパイレッ
クスガラスまタハ石英ガラス製のチェンバー、４は高周
波コイル、５はアルミニウム（ｈｌ＊ ニクロム（Ｎｉ
Ｏｒ）、ニッケル、クロム、ステンレス、ガラス、石英
、透明電極を蒸着したガラス等のドラム基板で、適当な
方法によって加熱される。６は基板ホルダー、７に圧力
計、８は基板ホルダー支持棒で、適当な方法で回転する
。９は１ ＆５６ＭＩＨｇ ｉ７ｔは４ＭＨｚの高周波
電源、Ｇはガス、Ｐは排気である。アモルファス炭素化
ケイ素は、シラン（８１）ｉｎ）ｓメタン（ｏｕｉ）ｅ
、水素（Ｈｍ）、ジボラン（Ｂ＝ Ｈｓ ）ｅホスフィ
ン（Ｐｕｓ）等を、必要に応じてマスフローロントロー
ラ−により流量調整し、該チェンバー内を所定の内圧に
保ち、該高周波電源９より該高周波コイル４に高周波を
印加し、該チェンバー内にグロー放電を起こさしめ該ガ
ス群を分解し、所定の温度に保った該試料ドラム５上に
析出させ得られる。又、８１１１４゜ＯＲ’４ 、 Ｈ
，、ＢＩＨ・、ｐａ＝ 等は、あらかじめＨ鵞によっ
て適当に希釈し用いた。以下第１！！に製作条件を示す
。
置の概略を示す、１は配管、２はバルブ、３はパイレッ
クスガラスまタハ石英ガラス製のチェンバー、４は高周
波コイル、５はアルミニウム（ｈｌ＊ ニクロム（Ｎｉ
Ｏｒ）、ニッケル、クロム、ステンレス、ガラス、石英
、透明電極を蒸着したガラス等のドラム基板で、適当な
方法によって加熱される。６は基板ホルダー、７に圧力
計、８は基板ホルダー支持棒で、適当な方法で回転する
。９は１ ＆５６ＭＩＨｇ ｉ７ｔは４ＭＨｚの高周波
電源、Ｇはガス、Ｐは排気である。アモルファス炭素化
ケイ素は、シラン（８１）ｉｎ）ｓメタン（ｏｕｉ）ｅ
、水素（Ｈｍ）、ジボラン（Ｂ＝ Ｈｓ ）ｅホスフィ
ン（Ｐｕｓ）等を、必要に応じてマスフローロントロー
ラ−により流量調整し、該チェンバー内を所定の内圧に
保ち、該高周波電源９より該高周波コイル４に高周波を
印加し、該チェンバー内にグロー放電を起こさしめ該ガ
ス群を分解し、所定の温度に保った該試料ドラム５上に
析出させ得られる。又、８１１１４゜ＯＲ’４ 、 Ｈ
，、ＢＩＨ・、ｐａ＝ 等は、あらかじめＨ鵞によっ
て適当に希釈し用いた。以下第１！！に製作条件を示す
。
第 １ 表
以下、実施例に従って説明する。
実施例
上述の装置で流量１８１Ｈ４を５０５ｃｃｎ、 Ｈｌｆ
４５０ ｓｃｃｍで基板源９１２００℃に加熱後放電
を開始、ｏａ４を２時間毎に各々３，５．８８ＣＱＩｎ
ずつ増やして行き、全８時間放電分解し、最終段階でｈ
各ｋ ９ 、１５ 、２４ ａａａｒｎＦ）ＯＴｉａ流
量とした。各々の光感ｆｔ第２表に示す、光感度は、ガ
ラス基板上にａ−８１０を前記条件で析出、該薄膜上に
くし形のアルミニウム電極を蒸着して電圧を印加後光を
入射、該薄膜に流れる電流値より決定した。光感度Ａは
波長が（１５〜α７μ蟻近辺、光感度Ｂは波長が（１７
〜１９μ淋近辺での判定結果である。
４５０ ｓｃｃｍで基板源９１２００℃に加熱後放電
を開始、ｏａ４を２時間毎に各々３，５．８８ＣＱＩｎ
ずつ増やして行き、全８時間放電分解し、最終段階でｈ
各ｋ ９ 、１５ 、２４ ａａａｒｎＦ）ＯＴｉａ流
量とした。各々の光感ｆｔ第２表に示す、光感度は、ガ
ラス基板上にａ−８１０を前記条件で析出、該薄膜上に
くし形のアルミニウム電極を蒸着して電圧を印加後光を
入射、該薄膜に流れる電流値より決定した。光感度Ａは
波長が（１５〜α７μ蟻近辺、光感度Ｂは波長が（１７
〜１９μ淋近辺での判定結果である。
第 ２ 表
但し、いずれも良好なものに
Ｏを付けである。
この結果より、可秀光全般にわたる光感度は、Ｂ’ＬＨ
４とｃ′Ｈ４の比が光導電層内で０から２０〜４０チま
で変化させるのが望ましい。
４とｃ′Ｈ４の比が光導電層内で０から２０〜４０チま
で変化させるのが望ましい。
第１図は、本発明のアモルファス炭素化シリコンの製造
装置の概略図である。 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 最上 務 第１図
装置の概略図である。 以上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 代理人 最上 務 第１図
Claims (1)
- 支持体、光導電層を基本構成として有する電子写真感光
体において、光導電層がアモルファス炭素化シリコンか
らなり、核光導電層内で炭素含有率の変化していること
を特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121994A JPS5823029A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121994A JPS5823029A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823029A true JPS5823029A (ja) | 1983-02-10 |
Family
ID=14824927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121994A Pending JPS5823029A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823029A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57119357A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57119358A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57119356A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
-
1981
- 1981-08-04 JP JP56121994A patent/JPS5823029A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57119357A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57119358A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS57119356A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
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