JPS5832009A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子写真感光体の製造方法に関する。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する光導電制別
としては、８ｅ　、　ＣｔｌＲ、ＺｎＯ等の無機光導電
材料やポリーＮ−ビニルカルノζゾール（ＰＶＫ）、）
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機光導電材料（
ｏｐｃ）が一般的に使用されている。

百年ら、これ等ｆ）′ｙｔ、導へす、材料を（＝ｌｊ月
１する電子写真感光体に於いては、未だ＾ｎ々の解決さ
れ得る可き点があって、ある程度の条件綴和をして、個
々の状況に応じて各々適当な電子写真感光体が使用され
ているのが実状である。

例えば、　　Ｓｅを光導電層形成材料とする電子写真感
光体は、Ｓｅ単独では、その分光感度領域が狭いのでＴ
ｅやＡｓを添加して分光感度領域を拡げることが計られ
ている。

百年ら、この様な、ＴｅやＡｓを含むＳｅ糸先光導電層
有する電子写真感光体は、確かに分光感度領域は改良さ
れるが、光疲労が大きくなる為に、同一原稿を連続的に
繰返しコピーすると複写画像の画像濃度の低下やバック
グランドの汚れ（カプリ）を生じたり、又、引続き他の
原稿をコピーすると前の原稿の画像が残像として複写さ
れる（ゴースト現像）等の欠点を有している。

而も、Ｓｓ、殊にＡｓ　、　Ｔｅは人体に対して極めて
有害な物質であるので、製造時に於いて、人体への接触
が寿い様な製造装置を使用する工夫が必要であって、装
置への資本投下が著しく大きい。更には、製造後に於い
ても、光導電層が露呈していると、クリーニング等の処
理を受ける際、光導電層表面は直に摺擦される為に、そ
の一部が削り取られて、現像剤中に混入したり、複写機
内に飛散したり、複写画像中に混入したシして５人体に
接触する原因を与える結果を生む・・ 又、　　Ｓｅ系光導ｔｔｍは、その表面がコロナ放電に
、連続的に多数回繰返し晒されると、層の表面付近が結
晶化又は酸化を起して光導電層の電気的特性の劣化を招
く場合が少なくない。或いは又、光導電層表面が露呈し
ていると、静電潜像の可視化（現像）に際し、液体現像
剤を使用する場合、その溶剤と接触する為に耐溶剤性（
耐液現性）に優れていることが要求されるが、この点に
於いて、　　Ｓｅ系光導電層は必ずしも満足していると
は断言し離い。

これ等の点を改良する為に、Ｓｅ系光導電層の表面を、
所謂保護層や電気絶＠層等と称される表面被覆層で覆う
ことが提案されている。

百年ら、これ等の改良に関しても、先導ｔｈｙ＊面被覆
層に要求されるＭＬ電気的特性表面性の点に於いて充分
力る解決が成されるとは云い難いのが現状である。

父、別には、Ｆｉｅ系光導光導電層通常の場合真空蒸着
によって形成されるので、その為の装置への著しい資本
投下を必要とし且つ所望の光導電的特性を有する光導電
層を再現性曳く得る為には、蒸着温度、蒸着基板温度、
真空度、蒸着速度、冷却速度等の各種の制令パラメータ
ーを厳密に調整する必要がある。更に、表面被覆層は、
光導電層表面に、フィルム状のものを接着剤を介して貼
合するか、又は表面被覆層形成材料を塗布１７て形成さ
れる為に、光導電層を形成する装置とけ別の装置を設置
する必要がある為、設備投資の著しい増大があって、昨
今の様な減速経済成長期に於いては甚だ芳しくない〇又
、Ｓｅ系光導電層は、電子写真感光体の光導′ｔ１ｃｌ
’、ｉとしての高暗抵抗を保有する為に、アモルファス
状態に形成されるが、Ｓｅの結晶化が約６５℃と極めて
低い温度で起る為に、製造後の取扱い中に又は使用中罠
於ける周囲温度や画像形成プロセス中の他の部材との摺
擦による摩擦熱の影響を多分に受けて結晶化現像を起し
、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性上にも欠点があ
る。

一方、ＺｎＯ、ＣｄＳ等を光導電層構成材料として使用
する電子写真感光体は、その光導電層がＺｎＯやＣｄＳ
等の光導電材料粒子を適当な樹脂結着剤中に均一に分散
して形成されている。この所謂バインダー系光導電層を
有する電子写真感光体は、Ｓｅ系光導電層を有する電子
写真感光体に較べて製造上に於いて有利であって、比較
的へ造コストの低下を計ることが出来る。即ち。

バインダー系光導電層は、ＺｎＯや（７ｄ９の粒子と適
当力樹脂結着剤どを１渦な溶剤を用いて混練して調合し
た塗布液を適当な基板上に、ドクターブレード法、ディ
ッピング法等の塗布方法で塗布した後固化させるだけで
形成することが出来るので、Ｓｅ系″／を導電層を有す
る電子写真感光体に較べ製造装置にそれ程の資本投下を
する。必要がないばかりか、製造法自体も簡便且つ容易
である。。

百年ら、バインダー系光導電層は、基本的に構成材料が
光導電材料と樹脂結着剤の二成分系であるし、且つ光導
電材料粒子が樹脂結着剤中に均一に分散されて形成され
ている特殊性の為に、光導電層の電気的及び光導電的特
性や物理的化学的特性を決定するパラメーターが多く、
斯かるパラメーターを厳密に調整しなければ所望の特性
を有する光導電層を再現性良く形成することが出来ずに
歩留シの低下を招き量産性に欠けるという欠点がある。

又、バインダー系光導電層は分散系という特殊性故に、
層全体がポーラスになっておシ、その為に湿度依存性が
著しく、多湿雰囲気中で使用すると電気的特性の劣化を
来たし、高品質の複写画像が得られなく々る場合が少な
くない。

更には、光導電層のポーラス性は、現像の際の現像剤の
層中への侵入を招来し、離型性、クリ−ニング性が低下
するばかりか使用不能を招く原因ともなり、殊に、液体
現像剤を使用すると毛細管現象による促進をうけてその
キャリアー溶剤と共に現像剤が層中に侵透するので上記
の点は著しいものとなるのでＳ　　Ｒｅ系光導’ｆｌｆ
、層の場合と同様に光導電層表面を＄４　ｉｎ被覆層で
覆うことが必要となる。

百年ら、との表面被櫟層を設置＃）る改良も、光導電層
のポーラス性に起因する光導電層表面の凹凸性故に、そ
の界面が均一にならず、光導電層と表面被穆層との接着
性及び電気的接触性の良好な状態を得る事が仲々困難で
あるという欠点が存する。

又、ＣｄＳを使用する場合には、　ＣｄＳ自体の人体へ
の影響がある為に、製造時及び使用時に於いて、人体に
接触したり、或いは周囲ｆｊ７境下に飛散したりするこ
とのない様にする必要がある。

ＺｎＯを使用する場合には、人体に対する影響は殆んど
ないが、　ＺｎＯバインダー系光導電層ｔま光感度が低
く、分光感度領域が狭い、光疲労が著又、最近注目され
ているＰＶＫやＴＮＦ等の有機光導電材料を使用する電
子写真感光体に於いては、表面が導電処理されたポリエ
チレンテレフタレー）・等の適当な支持体上にＰＶＫや
ＴＮＦ等の有機光導電材料の塗膜を形成するだけで光導
電層を形成出来るという製造上に於ける利点及び可撓性
に長けた電子写真感光体が製造出来るという利点を有す
るものであるが、他方に於いて、耐湿性、閉コロナイオ
ン性、クリーニング性ニ欠け、又、光感度が低い、分光
感度領域が狭くｌ土つ短波長側に片寄っている等の欠点
を有し、極限定された範囲でしか使途に供されてい力い
。

然も、これ等の有機光導電材料の中には発癌性物質の疑
いがあるものもある等、人体に対して全く無害であると
いう保証がなされていない。

この様に、笥１子写真感光体の光導電層形成材料として
従来から指摘されている光導電材料を使用した電子写真
感光体は、利点と欠点を併せ持つ為に、ある程度、製造
条件及び使用条件を緩和して、各々の使途に合う適当な
１１￥、子写真感光体を各々に選択して実用に供してい
るのが現状である。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたもので製造時に於
いては、装置のクローズドシステム化が容易に出来るの
で、人体に対する悪影響を避は得ることが出来、父、一
端製造されたものは使用上に際し、人体ばかりかその（
１０の生物、更には自然環境に対して影響がなく無公害
であって、耐熱性、耐湿性に潰れ、電子′ｌＪ爽特４４
１が常時安定していて、殆んど使用埴境に限定を受けな
い全環境型であり、耐光疲労、耐コロナイオン性に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さない電子
写真感光体の製造法を提供することを主たる目的とする
。

本発明の他の目的は、濃度が高く、）・−７トーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る手が容易
に出来るＴｉｔ子写真感光体の製造法を提供することで
ある。

本発明のもう一つの目的は、光感度が高く且つ分光感度
領域が略々全可視光域を穏っでいて広範囲であって光応
答性も速く、且つ耐摩耗性。

クリーニング性、耐溶剤性に優れた電子写真感光体の製
造法を提供することでもある。

本発明の所期の目的は光導電層を主にアモルファスシリ
コン（以後ａ　−Ｓｉと略記する）で形成する際に、予
め光導電層を設ける支持体表面をグロー放′「Ｌに晒す
ことによって達成される。

ａ　−Ｓｉ膜は、開発初期のころは、その製造法や製造
条件によって、その構造が左右される為に種々の１７ｉ
ｔ気的特性・光学的特性を示し、再現性の、Ｑに大きな
問題を抱えていた。例えば、初ｊυ１に於いて、真空蒸
着法やスパッタリング法で形成されたａ　−Ｓｉ　ｌ換
は、ボイド等の欠陥を多量に菖−んでいて、その為に電
気的性質も光学的性質も大きく影響を受け、基礎物性の
研究材料と１７でもそれ程注目されてはいす、応用の為
の研究開発もなされなかった。百年ら、アモルファスで
はｐ、ｎ制御が不＝Ｔ能とされていたのが、３−８１に
於いて、１９７６年初頭にアモルファスとしては初めて
ｐ　−ｎ接合が実現しイひるという報告（Ａｐｐ７１ｉ
ｄ　Ｐｈｙｓｉｃ＋＋　Ｔ、ｅｔｔｅｒ　ｉ　Ｖｏｇ　
２８゜Ａ；２　、１５　Ｊａｎｕａｒｙ　１．９７６　
）が成されて以来。

大きな関心が集められ、以後上記の不純物のドーピング
によってｐ　−ｎ接合が得られることに加えて結晶性シ
リコン（ｃ　　Ｓｉと略記する）では非常に弱いルミネ
センスがａ　−８ｉでは高効率で観測されるという点か
ら、主として太陽電池への応用に研究開発力がｔＦ、か
れて米ている。

この様に、これ迄に報告されているｎ　−３ｉ　１１ｔ
Ａは、太陽電池用として開発されたものであるので、そ
の電気的特性・光学的特性の点に於いて、電子写真感光
体の光導電層としては使用し得えないのが実状である。

即ち、太ｌｖＪ′ｆ１″Ｌ池は、太陽エネルギーを電流
の形に変換［７て取り出すので８Ｎ比が良くて、効率良
く電流を取り出すには、ａ　−Ｓｉ　ｐの抵抗は小さく
なければならないが。

余り抵抗が少さ過ぎると光感度が低下し、ＳＮ比が悪く
なるので、その特性の一つとしての抵抗は１０’〜１０
８Ω・ｍ程度が要求される。

百年ら、この程度の抵抗（暗抵抗：暗所での抵抗）を有
するａ−８＋膜は、電子写真感光体の光導電層としては
、余シにも抵抗（暗抵抗）が低（過ぎて、現在、知られ
ている電子写真法を適用するのでは全く使用し得ない。

又、電子写真感光体の光導電層形成材料として←ｊ：、
明抵抗（光照射時の抵抗）が暗抵抗に較べて２〜４桁程
度小さいことが要求されるが、従来、報告されているａ
　−Ｓｉ膜では精々２桁程度であるので、この点に於い
ても従来のａ−８＋膜では、その特性を充分満足し得る
光導電層とけ成り得なかった。

又、別には、とれ迄のａＳ＋膜に関する報告では、暗抵
抗を増大させると光感度が低下し、例えば、暗抵抗が＝
　１ｏ１０Ω・ｍでの＠　−Ｓｉ膜では、光抵抗も同程
度の値を示すことが示されているが、この点に於いても
、従来のａ　　Ｓ１膜は電子写真感光体の光導電層とは
成り得々かった。

更１ｃ　ｂ電子写真感光体の光導電層として要求される
上記以外の他の要件、例えば、静電的特性。

耐コロナイオン性、耐溶剤性、面ｊ光疲労性、面１湿性
、耐熱性、ｌ１ｌｉ４塵耗性、クリーニング性等の点に
於いては、従来全く未知数であった。。

本発明は、ａ−８ｉに就て１ｂ；子′υ真真先光体光導
電層への応用という観点から総括的に鋭意研究検討を続
けた結果Ｂ−８ｔでもある特定の３−８】であれば、電
子写真感光体の光導市１層形成材料として充分使用し得
るばかりでなく、従来の電子写真感光体の光導電層形成
材料と較べてみても殆んどの点に於いて極めてＲＭ４し
ていることを見出した点に基いている。

／／′ ７／′ ｉ　、’−”” 、７′ ７、■ ％−、、７−Ｌ、゛ ／″ ／／ 、／ ７、／ 本発明の電子写真感光体の最も代表的な構成例が第１図
及び第２図に示される。第１図に示される電子写真感光
体１は、支持体２．主にａ−８ｔ　　から成る光導電層
３から構成され、光導電層３け像形成面となる自由表面
４を有している。

支持体２としては、導電性でも電気絶縁性であっても良
い。導電性支持体としては、例えば、ステンレス＋　Ａ
ｔｔ　Ｃｒ＋　Ｍｏ　、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、　Ｔａ、
、　ｙ　。

Ｔｉ　ｌ　Ｐｔ、　Ｐｄ　　等の金属又はこれ等の合金
が挙げられろ。電気絶縁性支持体としては、ポリエステ
ル、ボリエ、チレン、ポリカーボネート、セルローズト
リアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹
脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が
通常使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適に
は少なくともその一方の表面を導電処理されるのが望）
しい。

例えば、ガラスであればＩｎｔ　Ｏｓ　＋　　Ｓｎｏｗ
等でその表面が導電処理さ力、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂ライｌレムであれば、Ａｔ。

Ａｇ　＋　Ｐｂ　、Ｚｎ　ＨＮ＋　、Ａｕ等の金属で１
〔空蒸メ゛１処１’ｊｌし、又は前記金属でラミネート
処理し７て、その表面が導電処理される。支持１本の形
状としては、円筒伏、ベルト状、板状等、任；背の１１
４状と１２得、所望によって、その形状←ｌ決定さｌ′
１５るが、連続高速複写の場合には、無端ベルト伏又は
円筒状とするのが“イ！ましい。支持体の厚さＶｌ、所
望通りの電子写真感光体が形成される様に適宜決定され
るが、電子写真感光体として可ｆｆｐ性が要求される場
合には、支持体とし、ての機（ｉｌＦ’、が充分発揮さ
れる範囲内であれば、可能な限り薄くされる。百年ら、
この様な場合、支持体の製費上及び取１及い上、機械的
強１イ（・等の点かＣ）、通常は、１０μ以上とされる
。

ａ−８ｉ系光導’ｔｔｔ層３け、支持体２１−に、グロ
ー放電法、スパッタリング法、イオンインプランテーシ
ョン法等によって形成される。これ等の製造法は、製造
東件、設備資本投下の負荷稈望される電子写真特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する電
子写真特性を有する電子写真感光体を製造する為の制御
が１）、岐的゛谷易である、特性を制御する為にａ−３
ｉ層中に不純物を導入するのに、置換型で■族又けＶ族
の不純物を導入することが出来る等の利点からグロー放
電法が好適に採用される。更に、本発明に於いては、グ
ロー放電法とスパッタリング法とを同一系内で併用して
ａ−８ｉ層を形成すＡのけ極めて有効な方法であって効
果的であるＯ ８　８１系光導電層３は、その暗抵抗が、電子写真感光
体の光導電層に要求される値を満足す可く、例えば、■
■をドーピングして制御させる。

ａ　　Ｓ＋系先光導電層３のＨのドーピングは、光導電
層３を形成する際、装置系内に５ｉＴ（＜　、５ｉｔＨ
ａ等の化合物又はＴ（、の形で導入した後熱分解、グロ
ー放電分Ｍ等の方法によって、それ等の化合物又け１［
、を分Ｗｒ　して、ａ−Ｓｔ層中に、層の成長に併せて
ドーピングしてイ）］（いし、又は、イオンインプラン
テーション法でドーピングしても良い。

本発明者等の知見によねげ％　ａ　　Ｆｌ！糸尤糸車導
電層３中Ｈのドーピング）ｉｔ“け、ハク成されたａ−
８ｉ層が電子写真感光体の光導電層として適用され得る
か否かを左右する大へな要因の一つであって極Ｍ）で重
要であることが判明している。

本発明に於いて、形成さり、るａＳ＋層が電子写真感光
体の光導電層として充分適用させ得る為には、ａ　　８
１層中にドーピングされろＨのＮｌは通常の場合１０〜
４０ａｔｏｍｉｃチ、好適に０．１５〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが１ｍ−＋しい□　ａ−８１層中への
Ｈのドーピング骨が一ヒ妃の数値範囲に限定される理由
の理論的裏付１今の処、明確にされておらず推論の域を
出ない。百年ら、数多くの実験結果から、」−記数値範
囲外のＨのドーピング量では、例えば、電子写真感光体
の光導電層としては暗抵抗が低Ｉ過ぎる、光感度が極め
て低い又は場合によって幻、光感度が殆んど認められな
い、光照射によるキャリアーの増加が小さい等が認めら
れ、Ｈのドーピング量が上記の数値範囲内にあるのが必
要条件であることが裏付けられている。ａ−３ｉ層中に
■（をドーピングするには、例えば、グロー放電法によ
って、ｎＦ）１層を形成する場合には、ａ−８ｉを形成
する出発物質が５ｉＴＴ、　、　５ｉｔＨｅ等の水素化
物を使用すＺ、ので、５ｉＴＴ、　、　５ｉＪＴｓ等の
水素化物が分解してＢ、　　Ｓｉ層が形成される際、■
は自動的に層中にドーピングされるが、Ｈの層中へのド
ーピングを一層効率良く行なうには、ａ−８ｉ層を形成
する際に、グロー放電を行なう系内にＨ，ガスを導入し
てやれば良い。

スパッタリング法による場合にはＡｒ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガス雰囲気中でＳｉ
をターゲットとしてスパッタリングを行々う際にＨ，ガ
スを導入してやるか又はＳｌ　’Ｈ４＋　Ｓ　１　ｄｉ
ｎ等の水素化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも
兼ねて１３ｔＨ６，ＰＨｓ等のガス□を導入してやれば
良い。

ａ−８＋層中にドーピングする】［の叶をａ制御するに
は、蒸着基板温度又は／及Ｏ：’　Ｔ（をドーピングす
る為に使用される出光！Ｉｆ／〕１７↓の賃置糸内−１
導入する量分−市１］旬１１シでやれば１″、しい。四
に１．Ｊ：、ａ−８ｉｊ・ｈを形成した後に、該層を活
（）１化１〜プ（４水つ）４゛昏凹気中に晒しても良い
。又、この時Ｒ−８１層を結晶化温度以下で加熱するの
も一つのＪｌ法である。

ａ　　Ｓ＋層ｄ−１先（ＩＣも／ＩＩ１．ｌ！Ｊ］た２
１．ｋに、製造時の不純物のドーピングによってｉｔ：
　（ｌｌにしイ：１、又そ”の伝導型を制（１＋、ｌｌ
することが出・４６ろので、作成した電子写其感光（Ｊ
−に静電像を形成する除の帯Ｔｔｆｆの極性を■Ｏ任意
に選択し得るという利点４・有する。

この利点ｖ；１、従来の、例えば、８８糸’／（、、’
ｊノ、’ｔ’ｓ、層であると、層を形成する際の、例え
６１゛、基板温度、不純物の種類やそのドーピング方法
１等の製造条件の如Ｔｉｊ’によってもＰ型か又ケ、１
梢ｋｙ（外型（ｉ型）が出来る程度であり、而も■）型
を形成するにも基板温度の制御を厳密に行なう必費があ
るというのに較べて遥かにＦＩ８”゛ており好都合でａ
ＳＺ層中にドーピングされる不純物としてはｍ　ＦＩ　
　Ｓ１層をＰ型にするには、周期律表第■族Ａの元素、
例えば、Ｂ　＋　Ａ−１ｒ　Ｇａ　＋　　Ｉｎ、Ｔｔ等
がｉｊ（適かものとして必げられ、ｎバｌＩＫする場合
には、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｎ。

Ｐ　ＨＡｓ　ｌ　Ｓｂ　ＨＢｌ　＃　カ好適−ｔｒもの
とし−ｃ挙げらλ］る。とれ等の不純物はＳ　ＦＬ　　
Ｓ１層中に含有さＪｌろ−１１１がＴ）Ｉ）ｍオーダー
であるので、光導電層を構成する主物質程その公害性に
注意を払う必要Ｖ１ないが、出来る限り公害性のないも
のを使用するのが好ｔ　ｔ、い。この様な観点からすれ
ば、形成されるａ−８ｉ系先光導電の電気的・光学的特
に１を加味して、例えば、Ｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ等が１１
ｙ滴である。

ａｓｊｌｌ’ｊ中にドーピングされる不純物の量は、所
望さＪｌ、る電気的・光学的特性に応じて適宜決定され
るが、周期律表第１ＩＩ族Ａの不純物の場合にけ、１１
ｆ１常１０　’　〜］　Ｏ−３０−３ａｔｏ％　＋好適
には１０−５〜１０−４０−４ａｔｎ係９周期律表第■
族Ａの不純物の場合には、ｉ＋ＩＩ常１　（１−８〜１
　（１−５ａｔｏｍｉｃ％＋りｆ適に６１０　〜１　（
ｌ　　ａｔｏｍｉｃ’％　　どされるのが１１］＝まし
い。

これ等不純物のａＳ＋層中へのドーピング方法は、ａ　
　Ｓｉ層を形成する際にｌｉ′、川；ｆｆ　Ｊ）、る（
［、ｉ／ｌｊ法によって各々異なるものであって、其体
的には、以降の説明又は実施例に於いて詳述ざねる。

第１図に示さ第１．る甫、子’ｌ￥　ＩＧ感光体のｆｉ
ｌｌき、ａ−８＋系光４電層３が自由表面４４・有１７
、該自由表面４に、静電像形成の為の帯′７１ｆ、処■
１１！が施される電子写真感光体に於いてはｓ　ｆｌ　
　Ｓ　Ｉ系光導電層３と支持体２との間に、静１に像形
成の際の帯電処理時に支持体２側からのギヤリアーの注
入を阻止する働きのある障壁層分設けるのが一層好まし
いものである。この様な働きのある障壁層を形成する材
料としては、’ＡＪＩ＜されろ支持体の種類及び形成さ
ｔ］るａ−８＋系光導屯層の’＋ｌｆ、気的特性に応じ
て適宜選択されて１商当なものが使用される。その様な
障壁層形成材料とｌ〜で幻、例えば、Ａｕ、　Ｉｒ、　
Ｐｔ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ｍｏ等であり、支持体として
は、例えば、障壁層形成材料がＡｕの場合には、Ａｔ等
が好適なものとして挙げられる。

Ｒ，−８ｉ系先光導電の層厚としては、所望されるＦｒ
［Ｌ子写真特性及び使用条件、例えば、可撓性が要求さ
れるか否か等に応じて適宜決定される−て・・ もの〆あるが、通常の場合５〜８０μ、好適に乞１１０
〜７０μ、最適には１０〜５０μとされ為のが望才しい
。

第１図に示す如きＳ　ａ　　Ｓｌ系光導電層表面が露呈
１〜でいる層構成の電子写真感光体に於いては、ａ−３
ｉ膜の屈折率が約３．３５と比較的大きいので、従来の
光導電層と較べて、露光の際、光導電層表面で光反射が
起り易く、従って、光導ｆｌｉ層に吸収される光量の割
合が低下し、光損失率が大きくなる。この光損失率を出
来る限り減少させるには、ａ−８ｉ系先光導電上に反射
防止層を設けると良い。

反射防止層の形成材料としては、ａ−８ｉ系光導′Ｆｌ
ｆ層に悪影響を与えないこと及び反射防止特性に優れて
いるという条件の他に、更に電子写真的特性、例えば、
ある程度以上の抵抗を有すること、液体Ｉｔ’）、　ｉ
゛や法を採用寸Ｚ）　Ｊ５合に１１、耐清剤性に優ねて
いるとと、ｊＪｊ−にけ１ゾＨＩＩＨ＋１−１ｔ・ｉる
・・形成する条件内で、既に形成さジ１ているＱ−８Ｉ
系先光導電のＩｌ′￥性を低下さ−）トない事１ｑ＋７
）イ・件が要求される。

更に又、反射防１ヒを効ｑ１的にするに（ｒ、ｉ　％　
１７ｉ１Φな光学的計算から分かる様に反射防１１−８
層Ｉｔ’＜成材料を、その屈折率が、ａ　　Ｅ＞１層の
化１斤層と′空気の１ｆｉ（折率との間に在る様に〕ン
ク択す／、と白い。父、その層厚はλ／４ｖ’ｉ’Ｘは
、針のにγ数（１゛？とすると良いが、反射防止層自体
の）Ｌ吸収４ｒ考對るとλ／　４−ｊ−ｎとするのが最
適であ／）ｎ（但し、ｎはａ、　　Ｓｉ層の１１１（折
率、λｆｑｔ、　ｔＪ’ｌｒ　尤尤の波長である。） この様々光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚け
、露光光の波長が略々呵視尤の波長域にあるものとして
、５０〜１　ｎ　Ｏｍｌｌとさ、１１、るのが好適であ
７）。

本発明に於いて、反射防止層形成Ｈ月として有効に使用
されろものとり、ては、例えば、ＭｇＦ、。

５１０１　ＴａｔＯｖ　ｌ　ＡＩ−Ｆ３　・３ＮａＦ等
の無機弗化物や無機酸化物、或いはポリ塩化ビニル、ポ
リアミド樹脂、ポリイミド樹脂、弗化ビニリデン、メラ
ミン樹脂、エボギン樹脂、フェノール樹脂、酢酸セルロ
ース等の有機化合物が挙げられる。

第１図に示される電子写真感光体１は、ａ−８ｔ系先光
導電３が自由表面４を有する構成のものであるが、ａ　
　Ｓｓ系光導電層３表面上には従来のを）る欅の電子写
真感光体の様に、保護層や電気的絶縁層等の表面被覆層
を設けても良い。

その様な表面被覆層を有する電子写真感光体がすｆ５２
図に示される。

第２図に示される電子写真感光体５は、ａ−８ｉ系先光
導電５−ヒに表面被覆層８を有する点以外Ｖ）、構成」
−に於いて、第１図に示される電子写真感光体１と本質
的に異なるものではないが、表面″ｆ１り削屑８に要求
される特性は、適用する電子写真プロセスによって各々
異なる。即ち、例えば、特公昭４２−２３９１０号公報
、同４３−２４７４８号公報に記載さ−ね７ている様な
電子写真ブ１］土スを適用するのであれば、表面を皮１
′０層８は、電気的絶、練性であって、帯’Ｆｌ（処理
を受けた際の静′醒荷保持能が光分あって、ある程度以
上のＪＩＪ７みがあることが弗求されるが、例えばカー
ルソンプロセスの如き′直子写Ｍｆ、−プロセスを適用
１するのであれば、静電像形成後の四部の電位ｒ１非常
に小さいことが望−＋Ｌいのでと面被寺”０層８の厚さ
としては非常に薄いことが要求さ′ＩＬる。表面４１ν
覆層８け、その所望される市気菌！１￥件を満足するの
に加えて、　　ａ−３ｉｉ光導電層に化′を的・物理的
に悪影響を与え寿いこと、ａ　　Ｓｉ系光導′１１子層
との電気的絶縁層及び吸着性、μｆには耐ＩＷ性、耐摩
耗性、クリーニング性等を考慮し−Ｃ形ｂ１５される。

表向被覆層形成材料として有効に使用きれるものどして
、その代表的なの１１ポリエチレンテレフタレート、ポ
リカーボネ＝１・、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン。

ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、ポ
リ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化
ビニル、ポリ弗化ビニリデン。

六弗化プロピレン−四弗化エチレンコポリマー。

二弗化エチレンー弗化ビニリデンコポリマー。

ポリブテン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン等の
合成樹脂、ジアセテート、トリア七チー［・等のセルロ
ース誘導体等が添げられる。これ四の合成４６７脂又は
セルロース誘導体は、フィルム伏とされてａ−８ｉ系先
光導電上に貼合されても自−く、父、それ等の塗布液を
形成して、ａ−８ｔ糸光と１４′市層５」二に塗布し、
膜形成しても良い。

表面岐控層の層厚は、所望される特性に応じて、又、使
用される材質によって適宜決定されるが、・山常の場合
、０．５〜７０μ程度とされる。殊に表面被覆層が先述
した保護層としての機能が要求さＪする場合には、通常
の場合、１０μ以下とプれ、逆に電気的絶縁層としての
機能が要求さ）］ろ鳴合には、通常の場合１０μ以上と
される。

面乍ら、との保護層と電気絶縁層とを差別する層厚イ１
．！、：け、使用月別及び適用される電子写真プロセス
、　ＴＩｉ子写真感光体の構造によって、変動するもの
で、先の１０μという値１絶対的々ものではない。

又、この表面被覆層８は、先に述ベプこ如き反射防止層
としての役目も荷わせれシ１′、その機ス！１″４゜が
一層拡大されて効果的と々る。

次に本発明の７に子写真感光体を、グロー放４１ｉ法及
びスパッタリング法ＶＣよって製浩する場合に就で説明
する。

第３図は、ギャパンタンスタイプグロー放電法によって
、本発明の電子写真感光体を製造する為のグロー放電蒸
着装置の模式的説明図である。

１０はグロー放電蒸着槽であって、内部には、ａ−８ｔ
系先光導電を形成する為の基板１１が固定部材１２に固
定されており、ノに板１１の下部側には、基板１１を加
熱する為のヒーター１３が設置されている。蒸着槽１０
の−１一部には、高周波電源１４と接続されているキャ
パシタンスタイプ電極１５．１５’が巻かれており、前
記高に高周波が印加されて、蒸着槽１０内にグロー放電
が生起される様になっている。

蒸着槽１０の上端部には、ガス導入管が接続されており
、ガスボンベ１６，１７，１８．１：、！ｌ）各々のボ
ンベ内のガスが必要時に蒸着槽１０内に導入される様に
なっている。１９，２０．２１目各々フローメーターで
あってガスの流量を検知する為のメータであり、又、２
２，２３．２４は流量調節パルプ、２５，２６．２７は
パルプ。

２８は補助パルプである。

又、蒸着槽１０の下端部はメインパルプ２９を介して排
気装置（図示されていない）に接続されている。３０は
、蒸着槽１０内の真空を破る為のパルプである。

第３図のグロー放電装置を使用して、基板１１上に所望
！特性のａ−８ｉ系先光導電を形成するには、先ず、所
定の清浄化処理を施した基板１０を清浄化面を上面にし
て固定部材１２に固定する。

％板１１の表面を清浄化するにｒｌｌ　曲常、実施され
ている１法、例えば、アルカリ又は酸等による化学的処
理法が採用される。又、ある４７度清浄化した後恭ｑｔ
槽１０内の所定の位置に設置ｔ’ｔｌ、、そのＪ−にＡ
　　Ｓｉ系光導’ｌ’に層を旧成する前にグローノ〃軍
処理を行っても！４い。との腸合、基板１１の清浄化処
理からａ　　Ｓｔ系光導宙層形成迄同−系内で真空を破
ることなく行うことが出来るので、清浄化したｗ板面に
汚物や不純物が付着するのを避けることが出来る。基板
１１を固定部材１２に固定したら、メインパルプ２９を
全開し７て蒸着槽１０内の空気を排気［７て、真空度：
　１０−５ｔｏｒｒ程度にする。蒸着槽１０内が所定の
真空度に達した後、ヒーター１３を点火して基板］１を
加熱し所定温度に達したら、その温度に保つ。

次に補助パルプ２８を全開Ｌ　％←；いてガスボンベ１
６のパルプ２５及びガスボンベ１７のパルプ２６を全開
する。ガスボンベ１６ＵＡｒガス用であ匂、ガスボンベ
１７けａ　−８１を形成する為の原料ガス用であって、
例えば、５Ｈ−Ｌ　Ｉ　５ｔ２Ｉ（ａ　＋Ｓ　ｔ　４Ｈ
，。又は、それ等の混合物等が貯蔵されている。父、ボ
ンベ］８は必要に応じてａ−８ｉ系先光導電中に導入す
る不純物を生成する為の原料ガス用であって、Ｉ’Ｔ（
ｓ　−ＰｔＨ４，ＢｔＨａ等が貯蔵されている。

その後ガスボンベ１６及び１７の流量調節パルプ２２．
２３を、フローメータ１９及び２０を５１４乍ら、徐々
に開口し、蒸着槽１０内にＡｒガス及び例えば、５ｉＴ
（４ガス等のａ−８ｉ形成用の原料ガスを導入する。こ
の時Ａｒガスは必ずしも要するものではなく、前記原料
ガスのみ導入しても良い。Ａｒガスを５ｉＩ（、ガス等
のａ　　Ｓｉ形成用の原料ガスに混合して導入する場合
、その量的割合は、所望に従って決定されるが、通常の
場合、Ａｒガスに対して前記原料ガスが１０　ＶｏＬ　
４以上とされる。尚、Ａｒガスの代りにＨｅガスを使用
しても良い。

蒸着槽１０内に、ボンベ１６．１７よりガスが導入され
た時点に於いて、メインパルプ２９を調節１７て、所′
Ｉドの真空度、１山常の場合は、ａ−８ｔを形成する為
の原料ガス圧で１０−２〜３　ｔｏｒｒに保つ。次いで
、′７４／７′ｆ槽１０例に巻かれたキャパシタンスタ
イプの′「１を極１５，１５’に高固波′市原１４によ
り所定周波数、通常の場合（１，：！〜３０ＭＦｆｚの
高周波を１１１１えてグ１コー放′１１℃を蒸着槽１０
内に起すと、例對ば、ＳＱＬガスが分解し７て、）に板
１１上にＳ＋が蒸着さ−１１てａＳ＋層が１１４成され
るＯ 形成されるａ−８ｉｉ光導１１１層中に不純物を導入す
る際には、ボンベ１８より不紳物生成用のガスを、ａ　
−Ｓ　Ｉ系光導′１１丁、層＋１ｑ成時に蒸着槽１０内
に導入してやれば凹い。この場合、流セｉＷ、’ａ節パ
ルプ２４を適当に調節すると２二により、ボンベ１８よ
りの蒸着槽１０へのガスの導入１ｄを適切に制御するこ
とが出来るので、形成されるａ−３ｉ系赤光導電中に導
入さ１１る不純物の（ｉｔを任意に制ｉｌｌすることが
出来る他、更に％　Ｆｌ　　３１系光導電層の１１′１
み方向に不純物の１′、！′を変化させることも容易に
成し得る。

第３図に示されるグロー放電蒸着装置に於いては、ｎ　
Ｆ　（ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃ３’　）キャパシ
タンスタイプグロー放電法が採用されているが、この他
、ＲＦインダクタンスタイプ、ＤＣ二極タイプ等のグロ
ー放電法も本発明に於いて採用される。又、グロー放電
の為の電極は、蒸着槽１０の外に設けても良いし又蒸着
槽１０の内に設けても良い。

本発明に於いて、有効とされるグロー放電を得ろ為には
、電流密度を０．１〜１０　ｍＡ／ｒｄｌとしたＡＣ又
はＤＣ電流とするのが良く、又、充分なパワーをイＩＩ
る為には３００〜５０００Ｖの電圧に調整されるのが良
い。

形成されるａ−８ｉ系先光導電の特性は成長時の活版温
度に大きく依存するのでその制御は厳密に行うのが好ま
しい。本発明に於いては基板温１０を通常は５０〜３５
０℃、好適には１００〜２００℃の範囲とすることによ
って、電子写真用光入り１ｉｔ層として有効な特性を有
するａ−８ｉ系先光導電が形成される。又、ａ−８ｉ層
の成長速度も、ａ−８ｉ層の物性をｊ・°きく左右する
１１７因であって、本発明の目的を達成するにＩ／：Ｉ
’、　；ｉ６常の場合０．５〜１００人／ｓｅｃ　、好
適にＮ’、　１〜５　（Ｉ　Ａ／ｓｅｃとさり、るのが
好捷しい。

第４図は、スパッタリング法に、１ニー７）で、本発明
の電子写真感光体を製造する為の装置ｉｉＶの一つを示
す模式的説明図である。

３１は蒸着槽であって、内部にＶｊ、ｎ　　Ｆ）１系光
導電層を形成する為のＭ檎３２が市気畿、縁付の固定部
材３３に固定さｈてＦす［定位置１ｆ設置されている。

基板３２の下方には、基板３２を加熱する為のヒーター
３４が配ｆビｔされ、上方には、所定間隔を設けて活版
３２と対向する位置に多結晶又は単結晶シリコンターゲ
ット３５が配置されている。

基板３２とシリコンターゲット３５間には、高周波電源
３６によって、高周波が印１１１１さｈる様になってい
る。父、＃若僧３１（ｌこけ、ボンベ３７．３８が各々
、バルブ：３９．４０、フローメータ４１，４２、流＋
ＡＪ７Ｊ節パルプ４ニー１．４４、補助パルプ４５を介
して接続されており、ボンベ３７．３８より必要時に蒸
着槽３１内にガスが導入される様になっている。

今、第４図の装置を用いて、基板３２上にａ　　Ｓｔ系
先光導電層形成するには、先ず、蒸着槽３１内の空気を
矢印Ｂで示す様に、適当な排気装置をイ！ｌｌｆ用して
排気して所定の真空度にする。

次に、ヒーター３４を点火して基板３２を所定の温度ま
で加熱する。スパッタリング法によってａ−８ｉ系先光
導電を形成する場合、この基板３２の加熱温度は、通常
５０〜３５０℃、好適には１００〜２００℃とされる。

この基板温度は、ａ−８ｉ層の成長速度、層の構造、ボ
イドの存否等を左右し、形成されだａ−８ｉ層の物性を
決定する一要素であるので充分なる制御が必要である。

又、基板温度は、ａ−８ｉ層の形成時に、一定に保持し
ても良いし、又ａ−８ｔ層め成長と共に上昇又は下降又
は上下させても良い。例えば、ａ−８ｉ層の形成初期に
於いては、比較的低い温度Ｔ、に基板温度を保ち、ａ−
８ｉ層がある程度成長したらＴ、よりも高い温度Ｔ１Ｆ
でＪ、ｌｉｉ温度を上昇させなからａ−８ｉ層を形ｔｊ
ｖＬ、ＲＳ！層形成終期には＋４びＴ２より低い搗＋＋
’、）ｉ　ＴｓにＪｌ（板温度を下げる等して、ａ−８
ｉ系光導？ｌｉ層を形成することが出来る。この様に−
ｊるｄとに、１−って、ａ−８ｉ系先光導電の電気的・
光学的性質を層厚方向に連続的に変化させることが出ｑ
６る。

又、ａ−８１け、そのｔｌ￥１成４　’ｙ１ｇ度が、他
の、例えば、Ｓｅ等に較べて遅いので、形成する層厚が
厚くなると層形成初１ｔｌｌ　ｉＦ骸成さ、＃−１，＊
ａ−８ｉ　（〕、（板側に斤いａ−８ｉ　）は、層形成
終了迄の間に、層形成初期の特性を変移きせる恐れが充
分考えられるので、層の厚み方向に一４’！；　ｔｒ　
／時性を有するａＳ＋層を形成する為にけ層１ヒ成開始
から層形成終了時に渡って基板温度を１−屓さ１ト乍ら
層形成するのが望ましい。

次に、裁板３２が所定の湛）νに加熱さねたことを検知
した後、メインパルプ４６、補助パルプ４５、パルプ３
９．４０を全開する。

次いでメインパルプ４６及び流１ハ調節パルプ蒸着槽３
１内に所定の真空度に下がる捷で導入１７、その真空度
に保つ。

続いて、流量調節パルプ４３を開いて、ボンベ３７」、
すＡｒガスを蒸着槽３１内に所定の真空度に下がる脣で
導入し、その真空度に保つ。この１１層合の、■■、ガ
ス及びＡｒガスの蒸着槽３１内への流子ｄは所望する物
性のａ−８ｉ系先光導電が形成される様に適宜決定され
る。例えば、蒸着槽；（１内のＡｒとＨ７の混合ガスの
圧力は真空度で、通常ｆ’ｊ看０−３〜１０−’　ｔｏ
ｒｒ、好適にけ５Ｘ１０−”〜３Ｘ　］　Ｏ’ｔｏｒｒ
とされる□　Ａｒガスは、Ｈｅガス等に代えることも出
来る。

Ｚへ若僧３１内に、ボンベ３７．３８より所定の真空度
になるまで、Ａｒガス及びＨ，ガスが導入された後、高
周波電源３６により、所定の周波数及び電圧で、基板３
２とシリコンターゲット：３５間に高周波を印加して放
電、させ、生じたＡｒイオンでシリコンターゲットのＳ
ｔをスパッタリングし、基板３２上にａ、−８ｉ層を形
成する。

第４図の酸１明に於いてｔｌ、高周波ｊ（’Ｉ　１１３
−に上るスパッタリング法であるが、別に的流放電によ
るスパッタリング法を採用しても良い。高周波印加（で
よるスパッタリング法に於いて＆１’　、その周波数は
本発明の場合、通常０２〜３（Ｉ　ＩＩ／１ｌＴｚ　１
好適には５〜２０ｒＶ■ｆｚとさη、父、放′市Ｔｌ￥
、　ｌ１ｉｉｒ、密度は通常０．１〜１０　ｍＡ／ｃ！
　、好適Ｖ（は］　〜５７ＦＩＡ／１１とされるのが望
ましい。又、充分なパワーを得る為には３（１０〜５　
ｎ　００　Ｖ　（Ｄ　？ｌＣｆＥ　Ｉ／Ｃｆ＋周節’Ｊ
ｔＬＸのが良い。

スパッタリング法に、１つで、本発明の電子写真感光体
を製造する際のａｓｉ層の成長連用け、主に基板搗Ｉθ
°及び放電条件Ｖｃよって決定さ〕１．るものであって
、形成さねた層の′吻ｔ１を左右する大きな要因の一つ
である。本発明の目的を達成する為のａ　　８１層の成
長速用け、１ｌＴｌ常の場合０．５〜１００ス／ｓｅｃ
　、好適には１〜５０人／３ｃｃとされるのが望捷１，
７い。

スパッタリング法に於いてもグロー放１１ｉ　ｒ）ミと
同様に不純物のドーピングによってＩＹａ成される＋＋
−８ｉ系光導電周光導電或いはｐ型に調整することが出
来る。不純物の導入法は、スパッタリング法に於いても
グロー放電法と同様であって、例えば、ＰＩ（＝　、Ｐ
ＪＴ、＋　、ＢｔＨａ等の如きガス状態でａ　　Ｓｔ層
層形待時蒸着槽３１内に導入して、ａ−８ｉ層中にＰ又
けＢを不純物としてドーピングする。

この他、又、形成されだａ−８ｉ層に不純物をイオンイ
ンプランテーション法によって導入しても良い。この場
合、ａ−３ｉ層の極薄い一表面層を１１！ｆ定の伝導型
に容易に制御することが出来るので、例えば、特公昭４
９−６２２３号公報に記載されている如き電子写真感光
体の電荷保持層の形成が極めて容易に出来、又、その特
性を任官に制御出来るので好都合である。

以下、実施例によって本発明の詳細な説明実施例１ 第３図に示す装置ｒｅを用い、以下の様に１．て本発明
の電子写真感光体を作成し、画像形成処理を施して画イ
９出しを行った。

■優のＮａ０Ｉ−Ｉなる溶液を用いて表面処Ｊ１１１を
行い、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１ｍ
ｒｎ、大きさＩ　ＱＣ＋ｎｘ　］　０ＣＩｎの７　ｆｉ
ｖミニウム基板を用意して、グロー放’＋Ｉｆ：蒸着槽
１０内の所定位置にある固定部材１２の所定位置にヒー
ター１３とは約ｌ　Ｑ　Ｃｍ程度離して堅固に固定した
。

次いで、メインパルプ２９を全開して蒸着槽１０内の空
気を排気し、約５ＸＩＯｔｏｒｒの真空度にした。その
後ヒーター１３を点火Ｉ７てアルミニウム基板を均一に
加熱して１５０”Ｃに」：昇させ、この温度に保った。

その後、補助パルプ２８を全開し、引続いてボンベ】６
のパルプ２５、ボンベ１７のパルプ２６を全開した後、
流量調節パルプ２２及び２：３を徐々に開いて、ボンベ
１６よりＡｒガスを、ボンベ１７より５ＩＩＩ。

ガスを蒸着槽１０内に導入した。この時、メインパルプ
２９を調節して蒸着槽１０内の真空度が約０．７５　ｔ
ｏｒｒに保持される様にした。

続いて、高周波電源１４のスイッチをＯＮにして、’ｒ
ｊｉ極１５　、　ｌ　５層間に１３．５６　Ｍｌｌｚの
高周波を印加してグロー放電を起し、アルミニウム基イ
シ上にａ−８ｔ層を形成した。この時のグロー放電々流
Ｖ１約５ｍＡ／ａｄで電圧は２０００Ｖであった３、又
、この時のａ−８ｔ層の成長速度は、約４λ／　ｓｅｃ
であって、１５時間蒸着を行い、アルミニウム基板上に
２０μ厚のａ−８ｔ膜を形成した。

この様にして作成した電子写真感光体を、蒸着終了後、
メインパルプ２９、バ／ｌ／７’２５，２６、流、Ｍ′
調節バルブ２２．２３を閉じ、代りにパルプ３０を開い
て蒸着槽１０内の真空を破シ、外部に取り出した。この
電子写真感光体に、暗中に於いて電源電圧５５００Ｖで
ｅコロナ放電をａ−８ｔ系先光導電表面に行い、次いで
１５　ｅｕｘ・ｓｅｃの露光量で画像露光を行って、静
電像を形成し、該静電像をカスケード法により■荷電さ
れたトナーで現像して転写紙上に転写・定着したところ
解像力が高く極めて鮮明なηすｉ像が得られた。

この様な画像形成処！１！を繰返し２、前記電子写真感
光体に施しこの１１イ子写真／１＜＜光体の耐久性に就
て試験したところ、１万枚Ｌ１の転写紙上にイ）Ｉられ
た画像も極めて良質であって、一枚１’Ｊの転写紙上の
画像と較べても何等差違はなく、この電子写真感光体が
耐コ「１ナイオン性、耐摩耗性。

クリーニング性等に優れ著しく耐久性に富んでいること
が実り止された０尚、クリーニング法としてはブレード
クリーニングを採用シ、ブレードはウレタンゴムで成型
したもの６＝ｊ＋ｊｆ用した。

次に上記のＭＩ電子写真感光体）目：て、暗中で電源電
圧６０００Ｖで■コ「Ｊす放′ｉ１【全施し、次いで１
５　ｅｕｘ　ｓｅｃの光量で１ＩＩｊ　隊Ｗ光を行い、
前記のＯコロナ放電を施して画像出しをした時と同様の
条件で画像出しを行ったところ、ｆｉｌ　ｃ）れた転写
紙上の画像は０コ「１す帝１１ｔの場合より低下してい
た。

この実数から、本実施例で得た電子写、ｄ（感光体には
帯電極性の依存性が認められた。

実施例２ 実施例１と同様な条件及び千Ｊ世によって、アルミニウ
ム基板」二に２０μ厚のａ　−Ｓ　１層を形成した後蒸
着槽１０外に取シ出し、ａ−８Ｉ層上にポリカーボネイ
ト樹脂を乾燥後の厚さが１５μとなる様に塗布して、電
気的絶縁層を形成して、？］イ子写真感光体とした。こ
の感光体の絶縁層表向に一次帯電として、電源電圧６０
００Ｖで０）コロナ放電を０．２　ｓｅｃ間行ったとこ
ろ、■２０００Ｖに帯電した。次に、二次帯電として電
源電圧５５００Ｖでｅコロナ放電を行うと同時に露光量
１５　ｅｕｘ−ｓｅｃで画像露光を行い、次いで感光体
表面を一様に全面照射して静電像を形成した。この静電
像をカスケード法によってθに荷電されたトナーで現像
し、転写紙上に転写定着したところ極めて良品質の画像
が得られた３、 実施例３ 実施例１と同（２）Ｋ１第３図に示す装置を用い、以下
の様にして本発明の電子写真感光体を作成し、画像形成
処理を施して画像出しを行った。

１チのＮａＯＨなる溶液を用い一〇表面処理を行い、充
分水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さｌ　ｒ７１１
ｎ　、大きさｌ　Ｑ　０７７１　Ｘ　Ｉ　Ｑ　（、’＃
Ｌのアルミニウム基板を用意して、グロー放電蒸着槽１
０内の所定位置にある固定部材１２の所定位置にヒータ
ー１３とは約１０（１ｍ程度＃＃して堅固に固定］７た
１、次いで、メインパルプ２９を全開して蒸着槽１０内
の空気を排気（７、約５Ｘ１０ｔｎｒｒの真空度にした
。その後ヒーター■３を点火して、アルミニウム基板を
均一に加熱（７て１５０°Ｃに上昇させ、この温度に保
った。その後、補助バルブ２８を全開し、引続いてボン
ベ１Ｇのバルブ２５、ボンベ１７のバルブ２６を全開し
た後、流量調節バルブ２２及び２３を徐々に開いて、ボ
ンベ１６よすＡｒガスを、ボンベ１７よりＳ　ｉ）Ｉ。

ガスを蒸着槽１０内に導入した。この時、メインバルブ
２９を調節して蒸着槽１０内の真空度が約０．７５　ｔ
ｏｒｒに保持される様にした。又、この場合、フローメ
ータ１９及び２０を注視し乍ら、流量調節バルブ２２及
び２３を調節して、ｓｔ■ｒ、ガスの流量がＡｒガスの
流量−の１０　ｖｏｌ＄となる様にした。

次に、ボンベ１Ｂのバルブ２７を全開し、その後、流量
調節バルブ２４を徐々に開いて、その流量が５ｊ）Ｉ４
ガスの流量の５Ｘ１０ｖｏ／チ　となる様に制御し乍ら
蒸着槽１０内にＢ２Ｈ１ｌガスを導入した。この時もメ
インパルプ２９を調節して蒸着槽１０内の真空度を０．
７５　ｔｏｒｒに保持した。

続いて、高周波電源１４のスイッチをＯＮにして、電極
１５　、１５’間に１３．５６１１１１ｚＯ高周波を印
加してグロー放電を起し、アルミニウム基板」；にａ　
−Ｓ　ｉ膜を形成した。この時のグロー放電々流は約３
ｍＡ／屋で電圧は１５００Ｖであった。又、この場合の
ａ−８ｊ層の成長速度は、約４　Ａ　／　ｓｅｅにし、
１５時間蒸着を行って、アルミニウム基板上に２０μ厚
のａ　−Ｓ　ｉ層を形成した。この様にして作成した電
子写真感光体を、蒸着終了後、メインパルプ２９．６１
ｒ、　４辻…、１４節パルプ２２　、２３．２４、バル
ブ２５　、２６　、２７を閉じ、イ０りにバルブ３０を
開いて蒸着４ｖＩ　ｌ　Ｏ内の真空を破り、外部に取り
出した１、この電子写真感光体に、暗中に於いて電源電
圧ｅ５５００Ｖでθコロナ放電をａｓｌ糸先導電層人面
に行い、次いで２０　／ｕｘ−ｓｅｃの露光量で画像ｔ
）光を行って、静電像を形成し、該静電像をカスケード
法により■荷電されたトナーで現像して転写紙上に転写
・定着（７たところ極め−Ｃ鮮明な画像がイυられた。

この様な画像形成処理を繰返（７、前記電子写真感光体
に施しこの電子′ｆＪ貞感光感光体久性に就で試験した
ところ、１ｊ枚［，１の転写紙−にに得られた画像も極
めて１竹であって、一枚１１の転写紙上の画像と較べて
も何等差違はなく、この電子写真感光体が著しく耐久性
に市んでいることが実証された。尚、クリーニング法と
してはブレードクリーニングを採用し、ブレードはウレ
タンゴムで成型したものを使用した。

次に、上記電子写真感光体に就で、暗中で、′α源電圧
６０００Ｖの■コロナ放電を施し、次いで２０　ｅｕｘ
・ｓｅｅの露光量で画像露光を行ってｍ電像を形成した
。この静電像をカスケード法によりＯ荷電されたトナー
を用いて現像し、次に転写紙上に転写・定着したところ
、極めて鮮明な画像が得られた。

この結果と先の結果から本実施例で得られたｔｔ３：子
写真感光体は、帯電極性に対する依存性がなく両極性感
光体の特性を具備していることが判った。

実施例４ 実施例３に於いて、Ｂ、Ｉ（ｌＩガスの流量をＳｉ＆ガ
スの流量の５Ｘ１．Ｏｖａ／チになる様に調整した他は
、実施例３と同様にしてアルミニウム基板」二に厚さ２
０μのａ−８ｉ系先光導電を形成して？６子写真感光体
とした。

この電子写真感光体に就て、実施例３と同様の条件及び
手順で転写紙上に画像を形成したところ（０コロナ放電
を行って画像形成した方がｅコ【フナ放１１゛ｔを行っ
て画像形成１〜たよりも、その画質が優れており、停め
て＃＋１′明であった。

この結果より、本実施例で（！Ｊ　Ｃ）れた′［ＩＬ電
子写真感光体は、帯屯極件の依存性がｊｊ２められだ。

而し、その沙性依存性は実施シ［３で７）Ｉられたｔｉ
ｃ子写真感光体とけ逆であった。

実施例５ 実施例４と同トヌな条件及び手順によって、アルミニウ
ム基板」−に２０μ厚のａ　−Ｓ　を層を形成した後、
蒸オ’ｆｌｉｌ　ｌ　Ｏ外シこ取り出【７、ａ−８ｉ層
上にポリカーボネイト樹脂を乾燥で多の厚さが１５μと
なる（枳に塗布して、１１Ｌ気的絶縁１−全形成して、
電子写真感光体を得た。この感光体の絶縁層表面に一次
帯電として、′ｒ１イ源１１（圧（ｉ　０　（１０Ｖで
Ｏコロナ放′１１工を０．２　ｓｅｅ間行−’−）ｆｃ
とコロ、（１）２０００Ｖに帯電した。次に、二次帯電
とし−Ｃ電源′市重圧５００Ｖで■コロナ放′ｒにを行
うと同時に露光計１５　ｅｕｘ・８ｅｅで画像ムズ光を
行い、次いで感光体表面を一様に全面照射し、て静′１
１も像を形成した。この静電像をカスケード法によって
写定着したところ極めて良質の画像が得られた。

実施例６ 実施例１に於いて、基板温度を下記の第１表に示す様に
種々変化さすた以外は、実施例１と全く同様の条件及び
手順によって試料屋■〜■で示される電子写真感光体を
作成し、実施例３と全く同様の画像形成条件によって、
転写紙上に画像形成を行ったところ下記の第１表に示す
如き結果を得た。

第１表に示される結果からも判る様に、本発明の目的を
達成するＫは、基板温度が５０〜３５０°Ｃの範囲でａ
　　Ｓｔ層を形成する必要がある。

第１表 ◎：優　○：良　△：実用上使用し得る　×：不可実施
例７ 実施例３に於いて、；’＋１；板温１！、１全ド１；【
シの第２表に示す様に押ｌ・変化させた以り１（Ｔ、、
実施例；１と全く同様の条件及び手順にＪ：つてト・（
旧ｙＦｘ　（！ｉ）〜Ｏで示される電子写真感光体を作
す、Ｉｉ　Ｌ、実施例３と全く同（マρの画像形成条件
によ−って、転写紙上に画像形成を行ったところ下ＮＬ
の第２衣に示す如き結果を得た。

第２表に示されろ結果かＣ）も判かる様に、本実施例の
場合に於い−Ｃも本ゝ竜明の１．１的を達成するには、
基板温度が５０〜：ｌ　５　（１“０の範囲でａ−８ｉ
層を形成する必要がある。

◎：優　○：良　△：実用」１使用し２得る　×：不可
実施例８ 実施例４に於いて、基板温度を下記の第３表に示す様に
種々変化させた以外は、実施例４と全く同様の条件及び
手順によって試別ｙ％　＠　−＠で示される電子写真／
Ｒ光体を作成し、実施例４と全く同様の画像形成条件に
よって、転写紙上に画像形成を行ったところ下記の第３
表に示す如き結果を得た。

第３表に示される結果からも判かる様に、本実施例の場
合に於いても本発明の目的を達成するに１ま、基板温度
が５０〜３５０°Ｃの範囲でａ−Ｓｔ層を形成する必要
がある。

第３表 ◎：優　○：良　△：実用上使用し得る　×：不可実Ｍ
ｔｉ例９ 第３図に示されるグロー放１江蒸着装（１゛を内に、肉
厚２Ｉｒｔｎで大きさ１５０ｚ朋Ｘ　３００朋のアルミ
ニウム製シリンダーを回転自在に設置ｄシ、ｄｋシリン
ダー内より、該シリンダーを加熱＋、　ｒｒする様にヒ
ーターを取り付けた。

次いで、メインバルブ２９を全開して蒸着イ￥！１１０
内の空気を排気し、約５　Ｘ　］　０−５１．ｏｒ＋−
の真空度にしだ。その後ヒーター１３を点火（７ぞれと
同時にシリンダーを１Ｕ分３回転の速度で回転させて該
シリンダーを均一に加熱し、てｌ　５０　’（Ｊに上昇
させこの温度に保った。その後、補助バルブ２８を全開
し、引続いてボンベ１６のバルブ２５、ボンベ１７のバ
ルブ２６を全開した後、流ｉ調節バルブ２２及び２３を
徐々に開いて、ボンベ１６よりＡｔガスを、ボンベ１７
よす５ｉｌ（。

ガスを蒸着ｍｌＯ内に導入した。この時、メインパルプ
２９を調節して蒸着槽１（〕内の真空度が約０．７５　
ｔｏｒｒに保持される様にした０又、５ＩＩＬガスの流
量がＡｒガスの流量の１０　ｖｏｅ％になる次に、ボン
ベ１８のバルブ２７を全開した後、フローメータ２１を
注視し乍ら流量調整バルブ２４を徐々に開き、その流量
がＳＮ（、ガスの流ｈ１の１０　ｖｏｅ％になる様にし
て蒸着槽１０内にＴｌ、ＩＩ、ガスを導入した。

この時にも、メインパルプ２９を調整して蒸着槽ｌＯ内
の真空度が約０．７５　ｔｏｒｒに保持される様に１２
だ。

続いて、高周波電源１４のスイッチをＯＮにして、’ｔ
ＷＡＪｉ　１５　、１５’間に１３．５６　Ｍｌｌｚの
高周波を印加してグロー放電を起し、シリンダー基板上
にａ−８ｔ層を形成した。この時のグロー放電々流は約
３　ｒｎＡ　／ｃゴで電圧は１５００Ｖであった。

又、この場合のａ−Ｓｉ層の成長速度は、約２．５λ／
ｓｅｅにし、２３時間蒸着を行って、シリンダー基板上
に２０μ厚のａ−Ｓｉ層を形成した。この様にして作成
した電子写真感光体を、蒸着終了後、メインパルプ２９
、流量調節バルブ２２゜２３．２４、バルブ２５，２６
．２７を閉じ、代りにバルブ３０を開いて蒸着イｔ’ｙ
　ｉ　ｏ内の〕！（空を破り、夕１部に取り出し、た。

この１１（子１１．ｊ貢１ａ光体に、暗中に於いてＴｉ
ｔ源電月費−）　５５１’ｌ　ＯＶでＣ）コロナ放電を
ａ−３ｉ系光導電層表面に行い、次いで２０ｅｕｘ−８
ｅｃの露光ｈ１“で画像露光を行って、静電像を形成し
、該静電像をカスタード法により■帯電されたトナーで
現像［７て転写紙上に転写・定着Ｌ７たところ極めて鮮
明な画像がイＵられた。

この様な画像形成処理を繰返し２、前記電子写真感光体
に施（−この電子′ｌＪ真感光感光体久性に就て試験し
たところ、１万枚目の転写紙上にイ（Ｉられた画像も極
めて良質であって、一枚目の転写紙上の画像と較べても
何等差違はなく、この電子写真感光体が著しく耐久性に
富Ｘ７でいることが実証された。尚、クリーニング法と
１〜てけブレードクリーニングを採用し、ブレードはウ
レタンゴムで成型したものを使用した。

次に」１記の電子写真感光体に就て、暗中で電源電圧６
０００Ｖで（リコロナ放電を施し、次いで２０　ｅｕｘ
・ｓｅｃの光量で画像露光を行い、前記のＯコロナ放電
を施して画像出しをした時と同１美の条件で画像出しを
行ったところ、得られた転写紙上の画像はｅコロナ帯電
の場合より低下していた。

この実験から、本実施例でイ０た電子写真感光体には帯
電極性の依存性が認められた。

実施例１Ｏ 実施例３に於いてＢ２ルガスの流量をＳｉｎ、ガスの流
Ｉ７Ｌに対して種々変化させて、形成されるａＳｒ層中
にドーピングされるＢの量を下記の第４表に示す様に種
々の値に制御した以外は、実施例３と同様の条件及び試
料Ａ＠−＠で示される電子写真感光体を作成した。

これ等を使用して実施例３と同様の画像形成条件によっ
て転写紙上に画像形成を行ったところ第４表に示す如き
の結果を得た。これ等の結果からも明白に判る様に、実
用的にも供される電子写真感光体としてはａ−８ｔ層中
にＢが１０′〜１０　　ａｔｏｒｎｉｃ％の範囲の量で
ドーピングされることか望オし、い。

（）：　　俊　　　　　Ｏ：　良　　　　　　×　：　
イζ　ロＦ実施例１１ 第４図に示す装置濯を用い、以−１の様にして本発明の
電子写真感光体を作成し、両得！ノ［り酸処理を施して
画像出しを行った。

１チのＮａＯＨなる溶液を用いて表面処理を行い、充分
水洗し乾燥させて表面を清浄化した厚さ１ｍｍ、大きさ
ｌ　ＯｃｍＸ　］、　□ｃｒｎのアルミニウム基板上に
予め約１０００ＡｌにＭｏを蒸着１−だ基板を用意して
蒸着槽３１内の所定６１置にある固定部材３３の所定位
置にヒーター、３４とは約１０Ｃ１ｒＬ程度離して￥１
−４に固定した。

又、純度５ｎｉｎｅの多結晶／リコンターゲット３５か
らは約８．５ＣＩ７１離した。次いで、蒸着槽３１内の
空気を排気し、約ｌＸ１０ｔｏｒｒの真空度にしだ。そ
の後ヒーター３４を点火して基板を均一に加熱して１５
０“０に上昇させ、この温度に保った。その後補助バル
ブ４５を全開り１、引続いてボンベ３Ｂのバルブ４９を
全開した後、流量調節バルブ４４を徐々に開いてメイン
ノ（ルブ４６で調節しながらボンベ３８よシ迅ガスを、
蒸着槽３１内の真空度が５．５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒ
になる様にして蒸着槽３１内に導入した０ 続いで、バルブ３９を全開した後、流量調節バルブ４３
を７０−メータ４１を注視し乍ら徐々に開き蒸着槽３１
内の真空度が５　Ｘ　１０’ｔｏｒｒになる様にしてＡ
ｒガスを蒸着槽３１内に導入した３、 その後、高周波電源３６のスイッチをＯＮにして、アル
ミニウム基板と多結晶シリコンターゲット間に１３．５
６ＭＩＩｚ、　Ｉ　ＫＶの高周波を加えて放電を起させ
、アルミニウム基板上にａ　−Ｓ　１層の形成を開始し
た。この時のａ−８層層の成長速度は約２１　／　ｓｅ
ｅに制御し、３０時間連続的に行った。

その結果形成されたａ　　Ｓ１層の厚さけ２０　ｔｔで
あった。

この暖にして作成した本発明の電子写真感光体に対して
暗中で電源電圧５５０　（ｌ　Ｖで０コロナ放電を行い
、次いで１５　／ＩＩＸ”８ｅｅの充積で画像露光を行
って静電像を形成した。この静電像をカスケード法によ
り■に荷Ｍイされたトナーを用いて現像を行い、次いで
転写紙上ＶＣ転写定着を行ったところ、極めて鮮明で良
質の画像が得られた。

実施例２０ 実施例１１に於いてＪｆ、ガスの流量をＡｒガスの流量
に対して種々変化させて、形成されるａ−８層層中にド
ーピングされるＨの蕾を下記の第５表に示す様に種々の
値に制御した以外は、実施例１１と同様のφ件及び試料
〕ＫＯ〜０で示される電子写真感光体を作成した。

これ等を使用して実施例１１と同様の画像形成条Ｆ’ｌ
：によって転写紙上に画像形成を行ったところ第５表に
示す如きの結果を得た。これ等の結果からも明白に判る
様に、実用的にも供される′電子写真感光体としてはａ
−８層層中にＨが１０〜４０　ａｔｏｍｉｃ％の範囲の
量でドーピングされることが望才しい。

Ｏ：侵　○：良　△：実用上使用し得る　×：不可実施
例２１ 実施例１．３及び４で作成した電子写真感光体を、各々
、温度４０°Ｃ１湿度９０ＲＨチの高温多湿雰囲気中に
放置した。９６時間経過後、温度２３°０、湿度５０Ｒ
Ｈ％の雰囲気中に取υ出してすぐに、各々の感光体に就
て各々の実施例で行った条件及び手順で転写紙上に画像
形成を行ったところ、鮮明で良品質の画像が得られた。

この結果から本発明の？ｌＬ子写真感光体が耐湿性の点
に於いても極めて優１］、ていることが実証された。

実施例２２ 実施例１と全く同様にＩ７て作成１．だ？に子写貞感光
体に対し−Ｃ１暗中に於いて電源ｔｒｉ　Ｆ「６０　（
１０Ｖでｅコロナ放電を行い、次いで２０　ｅｕｘ−ｓ
ａｃの露光量で画像露光を行って静′屯像を形成し、該
靜ｖｔ像を、イソパラフィン系炭化水木溶剤に荷電性ト
ナーを分散させた液体現像剤を使用して現像して、転写
紙上に転写定オ“１した。、この様にして得られた転写
紙上の画像Ｕ」１、極めて解像度が高く鮮明であって、
高品質であった。

更に−に配電子写真感光体の耐溶剤性（耐液現性）を試
験する為に上記の画像形成ブｊｆｆセスを繰返し施し、
先の転写紙上の画像Ｊ：１万枚目の転写紙上の画像とを
比較したところ、差違は全く見られず本発明の電子写真
感光体が耐溶剤性に長けているのが実証された。尚感光
体のクリーニング法としては、ブレードクリーニング法
を適用し、ウレタンゴムを成型したブレードを使用した
。

【図面の簡単な説明】

２１１１図及び第２図は、各々本発明の電子写真感光体
の好適ガ実施態様の一例を示す模式的構成断面図、 第３図及び第４図は各々本発明の電子写真感光体を製造
する為の装置の一例を示す模式的説明図である。 ■、５・・・電子写真感光体、２．６・・・支持体、；
３，７・・・光導電層、８・・・表面被覆層、４，９・
・自由表面、１０．３１・・・蒸着槽、１４．３６・・
高周波電源 出願人　　キャノン株式会社 Ｉｔτユ辿（５

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体と、アモルファスシリコンで構成されている光導
   電層とを有する電子写真感光体の製造法に於いて、支持
   体の層形成面をグロー放電に晒す事を特徴とする電子写
   真感光体の製造方法。