JPS5826004B2 - 液晶挾持基板 - Google Patents
液晶挾持基板Info
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- JPS5826004B2 JPS5826004B2 JP55110918A JP11091880A JPS5826004B2 JP S5826004 B2 JPS5826004 B2 JP S5826004B2 JP 55110918 A JP55110918 A JP 55110918A JP 11091880 A JP11091880 A JP 11091880A JP S5826004 B2 JPS5826004 B2 JP S5826004B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶分子を初期状態（未励起状態）でホモジ
ニアス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に
使用可能な、初期のホモジニアス配向を良質にする手段
を施した液晶挾持基板に関するものである。
ニアス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に
使用可能な、初期のホモジニアス配向を良質にする手段
を施した液晶挾持基板に関するものである。
従来このような液晶分子の初期状態におけるホモジニア
ス配向を良好にする手段として、基板上に酸化珪素等の
斜方蒸着膜を形成する方法や、各種表面処理剤、有機高
分子等の膜を形成し、その膜をラビング処理する方法等
が知られている。
ス配向を良好にする手段として、基板上に酸化珪素等の
斜方蒸着膜を形成する方法や、各種表面処理剤、有機高
分子等の膜を形成し、その膜をラビング処理する方法等
が知られている。
しかしこれら公知の方法にはそれぞれ以下に述べるよう
な欠点があった。
な欠点があった。
すなわち、酸化珪素等の斜方蒸着膜は液晶物質の種類に
よって配向能に差があり全く配向しないような液晶物質
も存在する。
よって配向能に差があり全く配向しないような液晶物質
も存在する。
これは液晶の温度特性あるいは電気光学特性を改善する
ために各種の液晶を混合して使用する場合に非常に大き
な障害となる。
ために各種の液晶を混合して使用する場合に非常に大き
な障害となる。
また、各種表面処理剤、有機高分子等の膜を形成してそ
の膜をラビング処理する方法では膜の耐熱性が低いため
に、素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低
下する等の欠点をもつものがほとんどで、配向規制力の
耐熱性がよいのはポリイミド等の耐熱性有機高分子膜に
限られていた。
の膜をラビング処理する方法では膜の耐熱性が低いため
に、素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低
下する等の欠点をもつものがほとんどで、配向規制力の
耐熱性がよいのはポリイミド等の耐熱性有機高分子膜に
限られていた。
しかしながら、これらの耐熱性を有するポリイミド系高
分子においてもラビング後４００’Ｃ〜４５０℃でガラ
スフリットシールを行なうと液晶を封入した際に配向不
良が生じやすくなる。
分子においてもラビング後４００’Ｃ〜４５０℃でガラ
スフリットシールを行なうと液晶を封入した際に配向不
良が生じやすくなる。
特に誘起ドメインが発生し、表示特性の安定な液晶表示
装置を得ることは困難である。
装置を得ることは困難である。
これは従来のポリイミド系高分子の熱重量分析において
４００℃付近で重量減少開始が観測されることから加熱
によって高分子膜の表面状態に変化がおこりラビング効
果がそこなわれ、液晶の配向状態を変えてしまうものと
考えられる。
４００℃付近で重量減少開始が観測されることから加熱
によって高分子膜の表面状態に変化がおこりラビング効
果がそこなわれ、液晶の配向状態を変えてしまうものと
考えられる。
上記のような４００℃以上の熱処理で膜に変化がおこら
ず安定な配向をもつ高分子膜として、特開昭５３−２４
８５０号公報記載のイソインドロキナゾリンジオン環を
有するポリイミドの被膜が知られているが、この被膜は
、その基板面との接着性がわるいためにラビング処理の
際に塗膜に部分的に膜はがれが生じ、そのためにドメイ
ンが発生する等の配向不良がおこる欠点があった。
ず安定な配向をもつ高分子膜として、特開昭５３−２４
８５０号公報記載のイソインドロキナゾリンジオン環を
有するポリイミドの被膜が知られているが、この被膜は
、その基板面との接着性がわるいためにラビング処理の
際に塗膜に部分的に膜はがれが生じ、そのためにドメイ
ンが発生する等の配向不良がおこる欠点があった。
本発明者らは従来技術の上記の欠点をなくすべく検討し
た結果本発明に至った。
た結果本発明に至った。
すなわち本発明は、どの様な液晶物質であっても液晶の
分子軸を基板面に対し平行にかつ基板面の特性方向に配
向させ、かつこの液晶配向規制力がきわめて耐熱性に優
れ、なおかつ対ラビング性を向上させた液晶挾持基板を
提供するもので、これによって液晶表示素子組立に制限
を与えず経時的に安定で長寿命かつ高性能の液晶表示装
置が得られる。
分子軸を基板面に対し平行にかつ基板面の特性方向に配
向させ、かつこの液晶配向規制力がきわめて耐熱性に優
れ、なおかつ対ラビング性を向上させた液晶挾持基板を
提供するもので、これによって液晶表示素子組立に制限
を与えず経時的に安定で長寿命かつ高性能の液晶表示装
置が得られる。
本発明は、液晶挾持基板上の液晶に面する側に電極を設
け、該基板及び電極上に、カルボン酸無水物、ジアミン
、ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサンをジア
ミン、ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサンの
総量に対してジアミノモノアミドを０．１〜５０モルφ
、ジアミノシロキサンを０．１〜５０モルφとして反応
させて得られるシロキサン結合を含むポリアミド酸を、
脱水閉環して得られるシロキサン結合とイソインドロキ
ナゾリンジオン環を有するポリイミド（以下ポリイミド
とする）の被膜を形成してなる液晶挾持基板に関する。
け、該基板及び電極上に、カルボン酸無水物、ジアミン
、ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサンをジア
ミン、ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサンの
総量に対してジアミノモノアミドを０．１〜５０モルφ
、ジアミノシロキサンを０．１〜５０モルφとして反応
させて得られるシロキサン結合を含むポリアミド酸を、
脱水閉環して得られるシロキサン結合とイソインドロキ
ナゾリンジオン環を有するポリイミド（以下ポリイミド
とする）の被膜を形成してなる液晶挾持基板に関する。
本発明で用いるポリイミドの前駆体であるシロキサン結
合を含むポリアミド酸はカルボン酸無水物、ジアミン、
ジアミノモノアミド及びジアミノシロキサンの反応によ
り合成される。
合を含むポリアミド酸はカルボン酸無水物、ジアミン、
ジアミノモノアミド及びジアミノシロキサンの反応によ
り合成される。
これらの反応は無水条件下、好ましくは５０℃またはそ
れ以下の温度で行なわれる。
れ以下の温度で行なわれる。
カルボン酸無水物、ジアミン、ジアミノモノアミドおよ
びジアミノシロキサンの反応割合はカルボン酸無水物の
モル数とジアミン、ジアミノモノアミドおよびジアミノ
シロキサンのモル数とを等モルにすることが好ましい。
びジアミノシロキサンの反応割合はカルボン酸無水物の
モル数とジアミン、ジアミノモノアミドおよびジアミノ
シロキサンのモル数とを等モルにすることが好ましい。
この反応はジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリドン
等の溶剤の存在下で行なわれる。
ミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリドン
等の溶剤の存在下で行なわれる。
カルボン酸無水物としては、たとえばピロメリット酸無
水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボン酸無
水物、３．３’、４．４’−ジフェニルテトラカルボン
酸無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン
酸無水物、２．２’、３゜３′−ジフェニルテトラカル
ボン酸無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカ
ルボン酸無水物、２．２−ビス（３，４−ビスカルボキ
シフェニル）プロパン無水物、３，４−ジカルボキシフ
ェニルスルホン無水物、ペリレン−３，４，９，１０テ
トラカルボン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エーテル無水物、３．３’、４゜４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸無水物などが用いられる。
水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボン酸無
水物、３．３’、４．４’−ジフェニルテトラカルボン
酸無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン
酸無水物、２．２’、３゜３′−ジフェニルテトラカル
ボン酸無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカ
ルボン酸無水物、２．２−ビス（３，４−ビスカルボキ
シフェニル）プロパン無水物、３，４−ジカルボキシフ
ェニルスルホン無水物、ペリレン−３，４，９，１０テ
トラカルボン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エーテル無水物、３．３’、４゜４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸無水物などが用いられる。
ジアミンとしては、たとえばｍ−フェニレンジアミン、
ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−
キシレンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニルエー
テル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、３．３’
−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３
，３’、５，５’−テトラメチル−４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、２゜２′−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、４゜４′−メチレンジアニリン、ベンジ
ン、４．４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４．４
’−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナ
フタレン、３，３′−ジメチルベンジン、３，３′−ジ
メトキシベンジン、ジアミノモノアミドとしては、たと
えば１，４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミド、
４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン
アミドなどが用いられる。
ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−
キシレンジアミン、４．４’−ジアミノジフェニルエー
テル、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、３．３’
−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３
，３’、５，５’−テトラメチル−４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、２゜２′−ビス（４−アミノフェニ
ル）プロパン、４゜４′−メチレンジアニリン、ベンジ
ン、４．４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４．４
’−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナ
フタレン、３，３′−ジメチルベンジン、３，３′−ジ
メトキシベンジン、ジアミノモノアミドとしては、たと
えば１，４−ジアミノベンゼン−２−カルボンアミド、
４．４’−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボン
アミドなどが用いられる。
本発明で用いられるジアミノシロキサンとしては、たと
えば一般式 （式中Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３および
Ｒ４は１価の炭化水素基、ｎは１以上の整数である。
えば一般式 （式中Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３および
Ｒ４は１価の炭化水素基、ｎは１以上の整数である。
）で示される化合物が用いられ、その例としては、など
の化合物がある。
の化合物がある。
カルボン酸無水物、ジアミン、ジアミノモノアミドおよ
びジアミノシロキサンは、耐熱性の点からいずれも芳香
族の化合物を用いることが好ましい。
びジアミノシロキサンは、耐熱性の点からいずれも芳香
族の化合物を用いることが好ましい。
カルボン酸無水物、ジアミン、ジアミノモノアミドおよ
びジアミノシロキサンは、それぞれ二種以上併用しても
よい。
びジアミノシロキサンは、それぞれ二種以上併用しても
よい。
ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサンのジアミ
ン、ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサン中に
含まれる割合は、接着性、耐熱性および安定性の点から
ジアミン、ジアミノモノアミド、ジアミノシロキサンの
総量に対してジアミノモノアミドは０．１〜５０モル優
、ジアミノシロ☆・キサンは０．１〜５０モルφとされ
る。
ン、ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサン中に
含まれる割合は、接着性、耐熱性および安定性の点から
ジアミン、ジアミノモノアミド、ジアミノシロキサンの
総量に対してジアミノモノアミドは０．１〜５０モル優
、ジアミノシロ☆・キサンは０．１〜５０モルφとされ
る。
上記のポリアミド酸の基板及び電極上への塗布は、該ポ
リアミド酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン等の０．０１〜４０重量φ溶液として、これをディッ
プ法、スピンナ法、スプレー法、印刷法、刷毛塗り法な
どにより塗布して行なわれる。
リアミド酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン等の０．０１〜４０重量φ溶液として、これをディッ
プ法、スピンナ法、スプレー法、印刷法、刷毛塗り法な
どにより塗布して行なわれる。
塗布後１００’Ｃ〜４００℃好ましくは２５０℃ミ３５
０℃で加熱処理して上記のポリアミド酸を脱水閉環して
ポリイミドの被膜が得られる。
０℃で加熱処理して上記のポリアミド酸を脱水閉環して
ポリイミドの被膜が得られる。
ポリイミドは、シロキサン結合とイソインドロキナゾリ
ンジオン環を有するが、このポリイミドは、次の構造単
位（１） 、 （２）及び（３）を含むものである。
ンジオン環を有するが、このポリイミドは、次の構造単
位（１） 、 （２）及び（３）を含むものである。
構造単位（１）〜（３）において、Ａｒは例えは芳香族
残基、ＹはＳ０２又はＣＯ，Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ
′は１価の炭化水素基、Ｒ１は４価の基、Ｒ２は２価の
炭化水素基、ｍは１以上の整数である。
残基、ＹはＳ０２又はＣＯ，Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ
′は１価の炭化水素基、Ｒ１は４価の基、Ｒ２は２価の
炭化水素基、ｍは１以上の整数である。
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例 Ｉ
Ｎ−メチルピロリドン中で１，３−ビス（アミノプロピ
ル）−テトラメチルジシロキサン０．１モルと４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル０．８モル、４ 、４’
−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミドｏ
、ｉモル及び３．３’、４．４’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸無水物０．１モルを縮合して得られたシロ
キサン結合とイソインドロキナゾリンジオン環を有する
ポリイミドの前駆体であるシロキサン結合を有するポリ
アミド酸の１０重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液をスピ
ンナを用いて酸化インジウムの電極が形成されたガラス
基板に塗布した。
ル）−テトラメチルジシロキサン０．１モルと４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル０．８モル、４ 、４’
−ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミドｏ
、ｉモル及び３．３’、４．４’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸無水物０．１モルを縮合して得られたシロ
キサン結合とイソインドロキナゾリンジオン環を有する
ポリイミドの前駆体であるシロキサン結合を有するポリ
アミド酸の１０重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液をスピ
ンナを用いて酸化インジウムの電極が形成されたガラス
基板に塗布した。
塗布後３００℃で２時間加熱閉環させシロキサン結合と
イソインドロキナゾリンジオン環を有するポリイミドの
被膜を８０ＯＡの厚さに形成した。
イソインドロキナゾリンジオン環を有するポリイミドの
被膜を８０ＯＡの厚さに形成した。
その後絞被膜を一定方向にガーゼでラビング処理を行な
ったが、該被膜にはがれは生じなかった。
ったが、該被膜にはがれは生じなかった。
また上記のラビング処理した被膜を有する基板の一対を
用い、低融点ガラスフリットを用いて４５０℃で３０分
加熱圧着して液晶表示セルを作製し、液晶を封入して配
向性を観察したが、配向は良好であった。
用い、低融点ガラスフリットを用いて４５０℃で３０分
加熱圧着して液晶表示セルを作製し、液晶を封入して配
向性を観察したが、配向は良好であった。
比較例 Ｉ
Ｎ−メチルピロリドン中で、４．４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル０．９モル、４．４’−ジアミノジフェニ
ルエーテル−３−カルボンアミド０．１モル及び３．３
’、４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物
１．０モルを縮合して得られるイソインドロキナゾリン
ジオン環を有するポリイミドの前駆体であるポリアミド
酸の１０重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液を用い、上記
実施例１と同様の方法で処理してイソインドロキナゾリ
ンジオン環を有するポリイミドの被膜を８００人の厚さ
に形成した。
ニルエーテル０．９モル、４．４’−ジアミノジフェニ
ルエーテル−３−カルボンアミド０．１モル及び３．３
’、４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物
１．０モルを縮合して得られるイソインドロキナゾリン
ジオン環を有するポリイミドの前駆体であるポリアミド
酸の１０重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液を用い、上記
実施例１と同様の方法で処理してイソインドロキナゾリ
ンジオン環を有するポリイミドの被膜を８００人の厚さ
に形成した。
その後上記実施例１とまったく同様にしてラビング処理
を行なったところ、部分的に基板からはがれが生じた。
を行なったところ、部分的に基板からはがれが生じた。
また上記実施例１と同様にして液晶表示セルを作製した
ところ、部分的に配向不良が観測された。
ところ、部分的に配向不良が観測された。
実施例および比較例に示すとおり、本発明におけるシロ
キサン結合とイソインドロキナゾリンジオン環を有する
ポリイミドの被膜は基板に対して非常に優れた接着性を
示し、あらゆるラビング処理条件に耐えることができる
。
キサン結合とイソインドロキナゾリンジオン環を有する
ポリイミドの被膜は基板に対して非常に優れた接着性を
示し、あらゆるラビング処理条件に耐えることができる
。
また液晶配向規制力の耐熱性が４５０℃以上ときわめて
優れているため、本発明になる液晶挟持基板を用いれば
フリットシール等の液晶素子組立に制限を与えず経時的
に安定で長寿命かつ、高特性の液晶表示装置を得ること
ができる。
優れているため、本発明になる液晶挟持基板を用いれば
フリットシール等の液晶素子組立に制限を与えず経時的
に安定で長寿命かつ、高特性の液晶表示装置を得ること
ができる。
Claims (1)
- １ 液晶挟持基板上の液晶に面する側に電極を設け、該
基板及び電極上に、カルボン酸無水物、ジアミン、ジア
ミノモノアミドおよびジアミノシロキサンをジアミン、
ジアミノモノアミドおよびジアミノシロキサンの総量に
対して、ジアミノモノアミドを０．１〜５０モル袈、ジ
アミノシロキサンを０．１〜５０モルφとして反応させ
て得られるシロキサン結合を含むポリアミド酸を、脱水
閉環して得られるシロキサン結合とインインドロキナゾ
リンジオン環を有するポリイミドの被膜を形成してなる
液晶挟持基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55110918A JPS5826004B2 (ja) | 1980-08-11 | 1980-08-11 | 液晶挾持基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55110918A JPS5826004B2 (ja) | 1980-08-11 | 1980-08-11 | 液晶挾持基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734523A JPS5734523A (en) | 1982-02-24 |
| JPS5826004B2 true JPS5826004B2 (ja) | 1983-05-31 |
Family
ID=14547925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55110918A Expired JPS5826004B2 (ja) | 1980-08-11 | 1980-08-11 | 液晶挾持基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826004B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485301U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711132A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-01-13 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
| JPH0713012A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-01-17 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
-
1980
- 1980-08-11 JP JP55110918A patent/JPS5826004B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485301U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734523A (en) | 1982-02-24 |
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