JPS583214B2 - 液晶挾持基板 - Google Patents
液晶挾持基板Info
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- JPS583214B2 JPS583214B2 JP55104194A JP10419480A JPS583214B2 JP S583214 B2 JPS583214 B2 JP S583214B2 JP 55104194 A JP55104194 A JP 55104194A JP 10419480 A JP10419480 A JP 10419480A JP S583214 B2 JPS583214 B2 JP S583214B2
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶分子を初期状態（未励起状態）でホモジニ
アス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に使
用可能な初期のホモジニアス配向を良質にする手段を施
した液晶扶持基板に関するものである。
アス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に使
用可能な初期のホモジニアス配向を良質にする手段を施
した液晶扶持基板に関するものである。
従来このような液晶分子の初期状態におけるホモジニア
ス配向を良好にする手段として、基板上に酸化珪素等の
斜方蒸着膜を形成する方法や各種表面処理剤、有機高分
子等の膜を形成し、その膜をラビング処理する方法等が
知られている。
ス配向を良好にする手段として、基板上に酸化珪素等の
斜方蒸着膜を形成する方法や各種表面処理剤、有機高分
子等の膜を形成し、その膜をラビング処理する方法等が
知られている。
しかしこれら公知の方法にはそれぞれ以下に述べるよう
な欠点があった。
な欠点があった。
すなわち、酸化珪素等の斜方蒸着膜は液晶物質の種類に
よって配向能に差があり全く配向しないような液晶物質
も存在する。
よって配向能に差があり全く配向しないような液晶物質
も存在する。
これは液晶の温度特性あるいは電気光学特性を改善する
ために各種の液晶を混合して使用する場合に非常に大き
な障害となる。
ために各種の液晶を混合して使用する場合に非常に大き
な障害となる。
また、各種表面処理剤、有機高分子等の膜を形成してそ
の膜をラビング処理する方法では膜の耐熱性が低いため
に、素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低
下する等の欠点をもつものがほとんどで、配向規制力の
耐熱性がよいのはポリイミド等の耐熱性有機高分子膜に
限られていた。
の膜をラビング処理する方法では膜の耐熱性が低いため
に、素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低
下する等の欠点をもつものがほとんどで、配向規制力の
耐熱性がよいのはポリイミド等の耐熱性有機高分子膜に
限られていた。
しかしながら、これらの公知のポリイミド系高分子膜は
、その基板面との接触性がわるいためにラビング処理の
際に塗膜に部分的に膜はがれが生じ、そのためにドメイ
ンが発生する等の配向不良がおこる欠点があった。
、その基板面との接触性がわるいためにラビング処理の
際に塗膜に部分的に膜はがれが生じ、そのためにドメイ
ンが発生する等の配向不良がおこる欠点があった。
本発明者らは従来技術の上記の欠点をなくすべく検討し
た結果本発明に至った。
た結果本発明に至った。
すなわち本発明は、どの様な液晶物質であっても液晶の
分子軸を基板面に対し平行にかつ基板面の特性方向に配
向させ、かつこの液晶配向規制力が耐熱性に優れ、なお
かつ対ラビング性を向上させたことによって液晶表示素
子組立に制限を与えず経時的に安定で長寿命かつ高性能
の液晶表示装置を提供するものである。
分子軸を基板面に対し平行にかつ基板面の特性方向に配
向させ、かつこの液晶配向規制力が耐熱性に優れ、なお
かつ対ラビング性を向上させたことによって液晶表示素
子組立に制限を与えず経時的に安定で長寿命かつ高性能
の液晶表示装置を提供するものである。
本発明は、液晶扶持基板上の液晶に面する側に電極を設
ゆ、該基板及び電極上に、カルボン酸無水物、ジアミン
およびジアミノシロキサンを反応させて得られるポリア
ミド酸を脱水閉環して得られるポリイミドシリコン系高
分子被膜を形成してなる液晶扶持基板に関する。
ゆ、該基板及び電極上に、カルボン酸無水物、ジアミン
およびジアミノシロキサンを反応させて得られるポリア
ミド酸を脱水閉環して得られるポリイミドシリコン系高
分子被膜を形成してなる液晶扶持基板に関する。
本発明で用いるポリイミドシラン系高分子の前駆体であ
るポリアミド酸はカルボン酸無水物、ジアミン及びジア
ミノシロキサンの反応により合成される。
るポリアミド酸はカルボン酸無水物、ジアミン及びジア
ミノシロキサンの反応により合成される。
これらの反応は無水条件下、好ましくは、５０℃または
それ以下の温度で行なわれる。
それ以下の温度で行なわれる。
カルボン酸無水物、ジアミンおよびジアミノシロキサン
の反応割合は、カルボン酸無水物のモル数とジアミンお
よびジアミノシロキサンのモル数とを等モルとすること
が好ましい。
の反応割合は、カルボン酸無水物のモル数とジアミンお
よびジアミノシロキサンのモル数とを等モルとすること
が好ましい。
この反応は、ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン等の溶剤の存在下で行なわれる。
アミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロリド
ン等の溶剤の存在下で行なわれる。
カルボン酸無水物としては、たとえばピロメリット酸無
水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボン酸無
水物、３．３′，４，４’−ジフエニルテトラカルボン
酸無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン
酸無水物、２．２’，３，３′−ジフエニルテトラカル
ボン酸無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカ
ルボン酸無水物、２，２−ビス（３．４−ビス力ルポキ
シフェニル）プロパン無水物、３，４−ジカルボキシフ
エニルスルホン無水物 １０−テトラカルボン酸無水物、ビス（３，４一ジカル
ボキシフエニル）エーテル無水物、３，３′，４，４′
−ペンゾフエノンテトラカルボン酸無水物などが用いら
れる。
水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボン酸無
水物、３．３′，４，４’−ジフエニルテトラカルボン
酸無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン
酸無水物、２．２’，３，３′−ジフエニルテトラカル
ボン酸無水物、チオフエン−２，３，４，５−テトラカ
ルボン酸無水物、２，２−ビス（３．４−ビス力ルポキ
シフェニル）プロパン無水物、３，４−ジカルボキシフ
エニルスルホン無水物 １０−テトラカルボン酸無水物、ビス（３，４一ジカル
ボキシフエニル）エーテル無水物、３，３′，４，４′
−ペンゾフエノンテトラカルボン酸無水物などが用いら
れる。
ジアミンとしては、たとえばｍ−フエニレンジアミン、
ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−
キシレンジアミン、４，４’−ジアミノジフエニルエー
テル、４，４′−ジアミノジフエニルメタン、３．３’
−ジメチル−４，４′−ジアミノジフエニルメタン、３
，３’，５，５’ーテトラメチル−４，４′−ジアミノ
ジフエニルメタン，２，２’−ビス（４−アミノフエニ
ル）プロパン−４．４’−メチレンジアニリン、ベンジ
ジン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフイド、４，
４’−ジアミノジフエニルスルホン、１，５−ジアミノ
ナフタレン、３，３′−ジメチルベンジジン、３，３′
−ジメトキシベンジジン、２，４−ビス（β−アミノー
ｔｅｒｔ−ブチル）トルエン、ビス（４−β−アミノー
ｔｅｒｔ−プチルフエニル）エーテル、１，４−ビス（
２−メチル−４−アミノベンチル）ベンンルなどが用い
られる。
ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−
キシレンジアミン、４，４’−ジアミノジフエニルエー
テル、４，４′−ジアミノジフエニルメタン、３．３’
−ジメチル−４，４′−ジアミノジフエニルメタン、３
，３’，５，５’ーテトラメチル−４，４′−ジアミノ
ジフエニルメタン，２，２’−ビス（４−アミノフエニ
ル）プロパン−４．４’−メチレンジアニリン、ベンジ
ジン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフイド、４，
４’−ジアミノジフエニルスルホン、１，５−ジアミノ
ナフタレン、３，３′−ジメチルベンジジン、３，３′
−ジメトキシベンジジン、２，４−ビス（β−アミノー
ｔｅｒｔ−ブチル）トルエン、ビス（４−β−アミノー
ｔｅｒｔ−プチルフエニル）エーテル、１，４−ビス（
２−メチル−４−アミノベンチル）ベンンルなどが用い
られる。
本発明で用いられるジアミノシロキサンとしては、例え
ば一般式 （式中Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３および
Ｒ４は１価の炭化水素基、ｎは１以上の整数である）で
示される化合物が用いられ、その例としては、 などの化合物がある。
ば一般式 （式中Ｒは２価の炭化水素基、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３および
Ｒ４は１価の炭化水素基、ｎは１以上の整数である）で
示される化合物が用いられ、その例としては、 などの化合物がある。
上記のカルボン酸無水物、ジアミンおよびジアミノシロ
キサンは耐熱性の点からいずれも芳香族系の化合物を用
いることが好ましい。
キサンは耐熱性の点からいずれも芳香族系の化合物を用
いることが好ましい。
ジアミノシロキサンは接着性と耐熱性及び安定，性の関
係からジアミンおよびジアミノシロキサンの総量に対し
て０．１〜５０モル％とすることが好ましい。
係からジアミンおよびジアミノシロキサンの総量に対し
て０．１〜５０モル％とすることが好ましい。
上記ポリアミド酸の基板及び電極上への塗布は、該ポリ
アミド酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルフォキシド、Ｎ−メチルピロリドシ
等の０．０１〜４０重量係溶液として、これをデイップ
法、スピンナ法、スプレー法、印刷法、刷毛塗り法など
により塗布して行なわれる。
アミド酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルフォキシド、Ｎ−メチルピロリドシ
等の０．０１〜４０重量係溶液として、これをデイップ
法、スピンナ法、スプレー法、印刷法、刷毛塗り法など
により塗布して行なわれる。
塗布後１００℃〜４００℃、好ましくは２５０℃〜３５
０℃で加熱処理してポリアミド酸を脱水閉環してポリイ
ミドシリコン系高分子被膜が得られる。
０℃で加熱処理してポリアミド酸を脱水閉環してポリイ
ミドシリコン系高分子被膜が得られる。
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例１
Ｎ−メチルピロリドン中で１，３−ビス（アミノプロピ
ル）−テトラメチルジシロキサン０．１モルと４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル０．９モル及が３，３′
，４，４′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸無水物１
．０モルを縮合して得られたポリイミドシラン系高分子
の前駆体であるポリアミド酸の１５重量％Ｎ−メチルピ
ロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極
が形成されたガラス基板に塗布した。
ル）−テトラメチルジシロキサン０．１モルと４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル０．９モル及が３，３′
，４，４′−ベンゾフエノンテトラカルボン酸無水物１
．０モルを縮合して得られたポリイミドシラン系高分子
の前駆体であるポリアミド酸の１５重量％Ｎ−メチルピ
ロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極
が形成されたガラス基板に塗布した。
塗布後３００℃で１時間加熱閉環させポリイミドシリコ
ン系高分子被膜を１０００Ａの厚さに形成した。
ン系高分子被膜を１０００Ａの厚さに形成した。
その後、該被膜を一定方向にガーゼでラピング処理を行
なったが、ポリイミドシリコン系高分子被膜にはがれは
生じなかった。
なったが、ポリイミドシリコン系高分子被膜にはがれは
生じなかった。
また上記のラビング処理したポリイミドシリコン系高分
子被膜を有する基板の一対を用いて液晶表示セルを作製
したところ、配向性は非常に良好であった。
子被膜を有する基板の一対を用いて液晶表示セルを作製
したところ、配向性は非常に良好であった。
比較例Ｉ
Ｎ−メチルピロリドン中で４，４′−ジアミノジフエニ
ルエーテル１．０モルと３，３’，４，４’−ベンゾフ
エノンテトラカルボン酸無水物１．０モルとを縮合して
得られたポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の１５
重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液を土記実施例１と同様
の方法で処理してポリイミドの被膜を１０００Ａの厚さ
に形成した。
ルエーテル１．０モルと３，３’，４，４’−ベンゾフ
エノンテトラカルボン酸無水物１．０モルとを縮合して
得られたポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の１５
重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液を土記実施例１と同様
の方法で処理してポリイミドの被膜を１０００Ａの厚さ
に形成した。
その後上記実施例１とまったく同様にしてラビング処理
を行なったところ、部分的に基板からはがれが生じた。
を行なったところ、部分的に基板からはがれが生じた。
また上記のラビング処理したポリイミド被膜を有する基
板の一対を用いて液晶表示セルを作製したところ、部分
的に配向不良が観測された。
板の一対を用いて液晶表示セルを作製したところ、部分
的に配向不良が観測された。
実施例および比較例に示すとおり、ポリイミドシリコン
系高分子被膜は基板に対する非常に優れた接着性を示し
、あらゆるラビング処理条件に耐えることができる。
系高分子被膜は基板に対する非常に優れた接着性を示し
、あらゆるラビング処理条件に耐えることができる。
また液晶配向規制力の耐熱性がきわめて優れているため
、液晶素子組立に制限を与えず経時的に安定で長寿命か
つ、高特性の液晶表示装置を提供することができる。
、液晶素子組立に制限を与えず経時的に安定で長寿命か
つ、高特性の液晶表示装置を提供することができる。
Claims (1)
- １ 液晶扶持基板上の液晶に面する側に電極を設け、該
基板及び電極上に、カルボン酸無水物、ジアミンおよび
ジアミノシロキサンを反応させて得られるポリアミド酸
を脱水閉環して得られるポリイミドシリコン系高分子被
膜を形成してなる液晶扶持基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55104194A JPS583214B2 (ja) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | 液晶挾持基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55104194A JPS583214B2 (ja) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | 液晶挾持基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5729030A JPS5729030A (en) | 1982-02-16 |
| JPS583214B2 true JPS583214B2 (ja) | 1983-01-20 |
Family
ID=14374166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55104194A Expired JPS583214B2 (ja) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | 液晶挾持基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583214B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2653401B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1997-09-17 | 日立化成工業 株式会社 | ポリアミドイミドシリコン重合体の製造法 |
| JP2898674B2 (ja) * | 1989-12-25 | 1999-06-02 | 日立化成工業株式会社 | シロキサン変性ポリイミド及びその前駆体の製造法 |
| JPH05158046A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶配向膜用ポリアミド酸の製造方法及びそれを用いた液晶配向膜 |
| JP2603388B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1997-04-23 | 住友ベークライト株式会社 | 液晶配向膜 |
| JPH0711132A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-01-13 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
| JPH0713012A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-01-17 | Toray Ind Inc | カラーフィルタ用の耐熱着色ペースト |
| DE69841627D1 (de) | 1998-12-15 | 2010-06-02 | Max Planck Inst Fuer Polymerfo | Funktionelles Material enthaltende Polyimid-Schicht, Vorrichtung die sie verwendet und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung |
-
1980
- 1980-07-28 JP JP55104194A patent/JPS583214B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5729030A (en) | 1982-02-16 |
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