JPS5830006A - 透明電導膜の製造方法 - Google Patents
透明電導膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5830006A JPS5830006A JP12922881A JP12922881A JPS5830006A JP S5830006 A JPS5830006 A JP S5830006A JP 12922881 A JP12922881 A JP 12922881A JP 12922881 A JP12922881 A JP 12922881A JP S5830006 A JPS5830006 A JP S5830006A
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- JP
- Japan
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- gas
- transparent conductive
- conductive film
- reaction vessel
- container
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- Pending
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明電導膜の製造方法に関する。
従来の透明な電導膜は塩化錫と水と塩酸との混合液に微
量の酸化アンチモンを添加し、この混合液を５００℃程
度に加熱したガラス等の透明な基板表面に吹きつけ、こ
の混合液と基板とを反応させて基板上に酸化アンチモン
を含んだ酸化錫膜を付着させて形成していた。ところが
この方法では面積抵抗１００ ｆｌ／Ｃｌ−１光の透過
率８８饅が今までに得られている最良の膜である。
量の酸化アンチモンを添加し、この混合液を５００℃程
度に加熱したガラス等の透明な基板表面に吹きつけ、こ
の混合液と基板とを反応させて基板上に酸化アンチモン
を含んだ酸化錫膜を付着させて形成していた。ところが
この方法では面積抵抗１００ ｆｌ／Ｃｌ−１光の透過
率８８饅が今までに得られている最良の膜である。
本発明は、この種透明電導膜の抵抗値及び光透過率のよ
り一層の改善を図ったものであり、以下実施例につき本
発明を詳述する。
り一層の改善を図ったものであり、以下実施例につき本
発明を詳述する。
図は本発明方法を実施する装置を模式的に示すもので斯
る装置は、透明電導膜の原材料となる塩化錫液容器（１
）、酸素含有ガス容器（２）、弗素化合物ガス容器（３
）及びキャリアガス容器（４）を含んでおり、各容器（
２）〜（４）には夫々バルブ（５）〜（７）、圧力調整
器（８）〜α〔、流量計（１１）〜ａ３及び逆止弁α滲
〜αｅが関連づけられている。又キャリアガス容器（４
）の流出経路はバルブ（７）を経た後、分岐して圧力調
整器αη及び流量針（１１を経、塩化錫液容器（１）に
至る。従って容器（１）内でキャリアガスによるバブリ
ングが行なわれ塩化錫を含んだガスが逆止弁α■を通る
。
る装置は、透明電導膜の原材料となる塩化錫液容器（１
）、酸素含有ガス容器（２）、弗素化合物ガス容器（３
）及びキャリアガス容器（４）を含んでおり、各容器（
２）〜（４）には夫々バルブ（５）〜（７）、圧力調整
器（８）〜α〔、流量計（１１）〜ａ３及び逆止弁α滲
〜αｅが関連づけられている。又キャリアガス容器（４
）の流出経路はバルブ（７）を経た後、分岐して圧力調
整器αη及び流量針（１１を経、塩化錫液容器（１）に
至る。従って容器（１）内でキャリアガスによるバブリ
ングが行なわれ塩化錫を含んだガスが逆止弁α■を通る
。
装置は又反応容器彌を備え、該容器に上記各容器（１）
〜（４）からのガスが導入される。斯る導入ガスはその
後、反応容器（イ）の周縁開口（２）を経て排出される
。目的の透明電導膜を被着するための基板＠は反応管−
内に置かれてヒータ＠により加熱され、その加熱状態は
アスベスト等の保温材料（２）で保温される。
〜（４）からのガスが導入される。斯る導入ガスはその
後、反応容器（イ）の周縁開口（２）を経て排出される
。目的の透明電導膜を被着するための基板＠は反応管−
内に置かれてヒータ＠により加熱され、その加熱状態は
アスベスト等の保温材料（２）で保温される。
次に上記装置を使った製造方法を説明する。
まず、塩化錫容器（１）に無水塩化第２錫（１３ｎｃｊ
４）を、酸素含有ガス容器（２）に酸素ガスを、弗素化
合物ガス容器（３）にブロムトリフルオルメタン（ＣＦ
ｉＢｒ）ガスを、又キャリアガス容器（４）に窒素ガス
を夫々充填したものを準備し、更にヒータ＠番こより硼
硅酸ガラスからなる基板■を約５８０℃に保持しておく
。
４）を、酸素含有ガス容器（２）に酸素ガスを、弗素化
合物ガス容器（３）にブロムトリフルオルメタン（ＣＦ
ｉＢｒ）ガスを、又キャリアガス容器（４）に窒素ガス
を夫々充填したものを準備し、更にヒータ＠番こより硼
硅酸ガラスからなる基板■を約５８０℃に保持しておく
。
そこで、バルブα〔及び圧力調整器（至）を調節して窒
素ガスのみを反応容器■内に導き、該容器内の不所望な
ガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器（至）を閉
じる。次いで、バルブ（５）〜（７）を開き圧力調整器
（８）、（９）、αηを調節して、塩化錫液容器（１）
内に窒素ガスを１．５気圧、８０ ｍｌ１分で送り込む
ことにより塩化錫を含むガスを反応容器［株］に導入し
、同時に１．５気圧、６００１ＨＩ７分の酸素ガス及び
１．５気圧、４０ ｍｌ１分のブロムトリフルオルメタ
ンガスを夫々反応容器＠に導入する。
素ガスのみを反応容器■内に導き、該容器内の不所望な
ガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器（至）を閉
じる。次いで、バルブ（５）〜（７）を開き圧力調整器
（８）、（９）、αηを調節して、塩化錫液容器（１）
内に窒素ガスを１．５気圧、８０ ｍｌ１分で送り込む
ことにより塩化錫を含むガスを反応容器［株］に導入し
、同時に１．５気圧、６００１ＨＩ７分の酸素ガス及び
１．５気圧、４０ ｍｌ１分のブロムトリフルオルメタ
ンガスを夫々反応容器＠に導入する。
これにより導入された反応容器■内の混合ガスが反応し
て基板−表面に弗素を含む酸化錫の膜が形成される。実
験によれば約９０秒の反応時間で約１０００ムの厚さの
酸化錫膜が得られ、その面積抵抗は１３ｒＬ／口、光の
透過率は８９１１Ｉとなり従来の方法に比べ十分改善さ
れた。
て基板−表面に弗素を含む酸化錫の膜が形成される。実
験によれば約９０秒の反応時間で約１０００ムの厚さの
酸化錫膜が得られ、その面積抵抗は１３ｒＬ／口、光の
透過率は８９１１Ｉとなり従来の方法に比べ十分改善さ
れた。
最後に、バルブ（５）、（７）及び圧力調整器αηを閉
じると共に、バルブ圧力調整器（１（Ｉを再度調節して
反応管彌内の反応ガスが排出される。
じると共に、バルブ圧力調整器（１（Ｉを再度調節して
反応管彌内の反応ガスが排出される。
上記実施例の他、酸素含有ガス容器（２）のガスとして
空気や過酸化水素ガスを使用でき、又弗素化合物ガス容
器（３）のガスとしてクロルトリフルオルメタン（ｃｙ
、ｃｇ、ヨードトリフルオルメタン（ｃｙ。
空気や過酸化水素ガスを使用でき、又弗素化合物ガス容
器（３）のガスとしてクロルトリフルオルメタン（ｃｙ
、ｃｇ、ヨードトリフルオルメタン（ｃｙ。
工χブロムペンタフルすルエタン（ＣｚＦｓＢｒ） 、
Ｅｌ−ドペンタフルオルエタン（０２Ｆ５工）、ジクロ
ルフルオルメタン（ＣＦ２Ｃ／２）、）ジクロルフルオ
ルメタン（ＣＦｃｚ、）、ジクロルフルオルメタン（Ｃ
ＨＣｌ２Ｆ）、ブロムヘプタフルオロプロパン（ＣｓＦ
ｙＢｒ）、ヨードへブタフルオロプロパン（ＣｘＦｙ工
）を使用できる。
Ｅｌ−ドペンタフルオルエタン（０２Ｆ５工）、ジクロ
ルフルオルメタン（ＣＦ２Ｃ／２）、）ジクロルフルオ
ルメタン（ＣＦｃｚ、）、ジクロルフルオルメタン（Ｃ
ＨＣｌ２Ｆ）、ブロムヘプタフルオロプロパン（ＣｓＦ
ｙＢｒ）、ヨードへブタフルオロプロパン（ＣｘＦｙ工
）を使用できる。
又塩化錫液容器（１）へのキャリアガス導入流量は５０
〜１５０ ｍｌ１分、反応容器（４）への酸素含有ガス
及び弗素化合物ガスの各流量は２００〜６００ｍ１Ｚ分
及び３０〜５０ｍｊＺ分、基板＠の温度は５００〜６０
０℃の夫々範囲で設定されるのが好ましい。
〜１５０ ｍｌ１分、反応容器（４）への酸素含有ガス
及び弗素化合物ガスの各流量は２００〜６００ｍ１Ｚ分
及び３０〜５０ｍｊＺ分、基板＠の温度は５００〜６０
０℃の夫々範囲で設定されるのが好ましい。
更に、反応容器■内でプラズマ放電を生起すれば基板（
社）を加熱することなく混合ガスを反応させることがで
きる。
社）を加熱することなく混合ガスを反応させることがで
きる。
かくして本発明によれば、抵抗値及び光透過率
図は本発明実施例を説明するための装置の模式図を示し
、□□□は反応容器、（２）は基板である。
、□□□は反応容器、（２）は基板である。
Claims (1)
- （１）塩化錫を含むガスと酸素を含むガスと弗素化合物
を含むガスとの混合ガスを反応容器内に導き、該反応容
器内に配置された、基板表面に上記混合ガスの化学反応
により弗素を含む酸化錫膜を形成することを特徴とする
透明電導膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922881A JPS5830006A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922881A JPS5830006A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830006A true JPS5830006A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=15004321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12922881A Pending JPS5830006A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081709A (ja) * | 1983-10-08 | 1985-05-09 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 透明導電膜の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651805A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming conductive thin film |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12922881A patent/JPS5830006A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651805A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming conductive thin film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081709A (ja) * | 1983-10-08 | 1985-05-09 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 透明導電膜の製造方法 |
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