JPS5830007A - 透明電導膜の製造方法 - Google Patents
透明電導膜の製造方法Info
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- JPS5830007A JPS5830007A JP12922981A JP12922981A JPS5830007A JP S5830007 A JPS5830007 A JP S5830007A JP 12922981 A JP12922981 A JP 12922981A JP 12922981 A JP12922981 A JP 12922981A JP S5830007 A JPS5830007 A JP S5830007A
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Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明電導膜の製造方法に関する。
従来の透明な電導膜は塩化錫と水と塩酸との混合液に微
量の酸化アンチモンを添加し、この混合液を５００℃程
度に加熱したガラス等の透明な基板表面に吹きつけ、こ
の混合液と基板とを反応させて基板上に酸化アンチモン
を含んだ酸化錫膜を付着させて形成していた。ところが
この方法では面積抵抗１００Ω／口、光の透過率８８係
が今までに得られている最良の膜である。
量の酸化アンチモンを添加し、この混合液を５００℃程
度に加熱したガラス等の透明な基板表面に吹きつけ、こ
の混合液と基板とを反応させて基板上に酸化アンチモン
を含んだ酸化錫膜を付着させて形成していた。ところが
この方法では面積抵抗１００Ω／口、光の透過率８８係
が今までに得られている最良の膜である。
本発明は、この種透明電導膜の抵抗値及び光透過率のよ
り一層の改善を図ったものであり、以下実施例につき本
発明を詳述する。
り一層の改善を図ったものであり、以下実施例につき本
発明を詳述する。
図は本発明方法を実施する装置を模式的に示すもので斯
る装置は、透明電導膜の原材料となる有機錫化合物液容
器（１）、弗化アンモニウム液容器（２）、酸素含有ガ
ス容器（３）及びキャリアガス容器（４）を含んでおり
、各容器（３）、（４）には夫々バルブ（５）、（６）
、圧力調整器（７）、（８）、流量計（９）、α１及び
逆止弁Ｕυ、（１りが関連づけられている。又キャリア
ガス容器（４）の流出経路はバルブ（６）を経た後分岐
して、圧力調整器０３、α楊及び流量計（Ｉｓ、（１［
９を経、夫々有機錫化合物液容器（１）及び弗化アンモ
ニウム液容器（２）に至る。従って容器（１１，（２）
内でキャリアガスによるバブリングが行なわれ夫々有機
錫化合物を含んだガス及び弗化アンモニウムを含んだガ
スが逆止弁（１７１，０秒を通る。
る装置は、透明電導膜の原材料となる有機錫化合物液容
器（１）、弗化アンモニウム液容器（２）、酸素含有ガ
ス容器（３）及びキャリアガス容器（４）を含んでおり
、各容器（３）、（４）には夫々バルブ（５）、（６）
、圧力調整器（７）、（８）、流量計（９）、α１及び
逆止弁Ｕυ、（１りが関連づけられている。又キャリア
ガス容器（４）の流出経路はバルブ（６）を経た後分岐
して、圧力調整器０３、α楊及び流量計（Ｉｓ、（１［
９を経、夫々有機錫化合物液容器（１）及び弗化アンモ
ニウム液容器（２）に至る。従って容器（１１，（２）
内でキャリアガスによるバブリングが行なわれ夫々有機
錫化合物を含んだガス及び弗化アンモニウムを含んだガ
スが逆止弁（１７１，０秒を通る。
装置は又反応容器（イ）を備え、該容器に上記各容器（
１）〜（４）からのガスが導入される。斯る導入ガスは
その後、反応容器翰の周縁開口（２υを経て排出される
。目的の透明電導膜を被着するための基板■は反応管■
内に置かれてヒータ（至）により加熱され、その加熱状
態はアスベスト等の保温材料（至）で保湿される。
１）〜（４）からのガスが導入される。斯る導入ガスは
その後、反応容器翰の周縁開口（２υを経て排出される
。目的の透明電導膜を被着するための基板■は反応管■
内に置かれてヒータ（至）により加熱され、その加熱状
態はアスベスト等の保温材料（至）で保湿される。
次に上記装置を使った製造方法を説明する。
まず有機錫化合物液容器（１）にテトラメチル錫（ＣＨ
ｓ ） ４８ｎを、弗化アンモニウム液容器（２）に塩
酸で溶かした弗化アンモニウムを、酸素含有ガス容器（
３）に酸素ガスを、又キャリアガス容器（４）に窒素ガ
スを夫々充填したものを準備し、更にヒータ（ハ）によ
り硼硅酸ガラスからなる基板＠を約５５０℃に保持して
あく。
ｓ ） ４８ｎを、弗化アンモニウム液容器（２）に塩
酸で溶かした弗化アンモニウムを、酸素含有ガス容器（
３）に酸素ガスを、又キャリアガス容器（４）に窒素ガ
スを夫々充填したものを準備し、更にヒータ（ハ）によ
り硼硅酸ガラスからなる基板＠を約５５０℃に保持して
あく。
そこでバルブ（６）及び圧力調整器（８）を調整して窒
素ガスのみを反応容器（社）内に導き、該容器内の不所
望ηガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器（８）
を閉じる。次いで圧力調整器α急、圓を調節して、窒素
ガスを容器（１）に１．５気圧、２００ ｍｌ１分で、
又容器（２）に１．５気圧、６０ｍｊＺ分で夫々送り込
むことによりテトラメチル錫を含むガスと弗化アンモニ
ウムガスを反応容器■に導入し、同時にバルブ（５）及
び圧力調整器（７）を調節して１．５気圧、６００ ｍ
ｌ／’ｔ＋の酸素ガスを反応容器■に導入する。
素ガスのみを反応容器（社）内に導き、該容器内の不所
望ηガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器（８）
を閉じる。次いで圧力調整器α急、圓を調節して、窒素
ガスを容器（１）に１．５気圧、２００ ｍｌ１分で、
又容器（２）に１．５気圧、６０ｍｊＺ分で夫々送り込
むことによりテトラメチル錫を含むガスと弗化アンモニ
ウムガスを反応容器■に導入し、同時にバルブ（５）及
び圧力調整器（７）を調節して１．５気圧、６００ ｍ
ｌ／’ｔ＋の酸素ガスを反応容器■に導入する。
これにより導入された反応容器■内の混合ガスが反応し
て基板＠表面に弗素を含む酸化錫の膜が形成される。実
験によれば約９０秒の反応時間で約１０００Ｘの厚さの
酸化錫膜が得られ、その面積抵抗は１２Ω／口、光の透
過率は９０％となり従来の方法に比べ十分改善された。
て基板＠表面に弗素を含む酸化錫の膜が形成される。実
験によれば約９０秒の反応時間で約１０００Ｘの厚さの
酸化錫膜が得られ、その面積抵抗は１２Ω／口、光の透
過率は９０％となり従来の方法に比べ十分改善された。
最後に、バルブ（５）及び圧力調整器ａｉ、ａ４を閉じ
ると共に、圧力調整器（８）を再度調節して反応管（至
）内の反応ガスが排出される。
ると共に、圧力調整器（８）を再度調節して反応管（至
）内の反応ガスが排出される。
他の実施例として、
まず有機錫化合物液容器（１）にテトラエチル錫（Ｃ２
Ｈ５）４ ａｎを、弗化アンモニウム液容器（２）に塩
酸で溶かした弗化アンモニウムを、酸素含有ガス容器（
３）に酸素ガスを、又キャリアガス容器（４）！こ窒素
ガスを夫々充填したものを準備し、更にヒータ（ハ）に
より硼硅酸ガラスからなる基板＠を約５８０℃に保持し
ておく。尚テトラエチル錫は非点が高いのでマントルヒ
ータ等で容器外部から約１００℃に加熱保持される。
Ｈ５）４ ａｎを、弗化アンモニウム液容器（２）に塩
酸で溶かした弗化アンモニウムを、酸素含有ガス容器（
３）に酸素ガスを、又キャリアガス容器（４）！こ窒素
ガスを夫々充填したものを準備し、更にヒータ（ハ）に
より硼硅酸ガラスからなる基板＠を約５８０℃に保持し
ておく。尚テトラエチル錫は非点が高いのでマントルヒ
ータ等で容器外部から約１００℃に加熱保持される。
そこでバルブ（６）及び圧力調整器（８）を調整して窒
素ガスのみを反応容器彌内に導き、該容器内の不所望な
ガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器（８）を閉
じる。次いで圧力調整器α３．（１４）を調節して、窒
素ガスを容器（１）に１．５気圧、３’ＯＯｍｊ々で、
又容器（２）に１．５気圧、ｓ ｏ ｍｚＺ分で夫々送
り込むことによりテトラメチル錫を含むガスと弗化アン
モニウムガスを反応容器端に導入し、同時にバルブ（５
）及び圧力調整器（７）を調節して１．５気圧、８００
１０７７分の酸素ガスを反応容器（１）に導入する。
素ガスのみを反応容器彌内に導き、該容器内の不所望な
ガスを窒素ガスで置換し、その後圧力調整器（８）を閉
じる。次いで圧力調整器α３．（１４）を調節して、窒
素ガスを容器（１）に１．５気圧、３’ＯＯｍｊ々で、
又容器（２）に１．５気圧、ｓ ｏ ｍｚＺ分で夫々送
り込むことによりテトラメチル錫を含むガスと弗化アン
モニウムガスを反応容器端に導入し、同時にバルブ（５
）及び圧力調整器（７）を調節して１．５気圧、８００
１０７７分の酸素ガスを反応容器（１）に導入する。
これにより導入された反応容器彌内の混合ガスが反応し
て基板（２）表面に弗素を含む酸化錫の膜が形成される
。実験によれば約２分の反応時間で約１ｏｏｏＸの厚さ
の酸化錫膜が得られ、その面積抵抗は１５Ω／口、光の
透過率は９０％となり従来の方法に比べ十分改善された
。
て基板（２）表面に弗素を含む酸化錫の膜が形成される
。実験によれば約２分の反応時間で約１ｏｏｏＸの厚さ
の酸化錫膜が得られ、その面積抵抗は１５Ω／口、光の
透過率は９０％となり従来の方法に比べ十分改善された
。
最後に、バルブ（５）及び圧力調整器−，０楊を閉じる
と共に、圧力調整器（８）を再度調節して反応管■内の
反応ガスが排出される。
と共に、圧力調整器（８）を再度調節して反応管■内の
反応ガスが排出される。
上記実施例の他、酸素ガス番こ代えて、空気や過酸化水
素ガスを使用でき、又エトラエチル錫やテトラメチル錫
に代えて、ジブチルジアセテート錫（ＣＨｉ（ＣＨｚ）
Ｂｌｚ Ｓｎ （ＯＯＣＣＨ５）ｔ、ジブチルジクロラ
イド錫（ＣＨ３（ＣＩＨｚ）ｓｌｚ８ｎｃｊ２、ジメチ
ルレジクロライド錫（ＣＨｉ）２ｓｎｃｊ２ 、テトラ
プロピル錫（ＣＳＨｌ）４８ｒ１ｓテトライソブチル錫
（Ｃ４ｔｙ）４ｎｎ、テトラアリル鍋（ＣＨ２，ＣＨ−
ＣＨ２）４８ｎ、）リメチルエチル錫（ＣＨｉ）ｓ８ｎ
Ｃ２Ｈ６１）ジメチル−ｎ−プロピル錫ＣＣＨｓ ）
ａ８ｎｃｉＨｙジメチルジエチル錫（ＣＨｉ ）ｚ８
ｎ（Ｃ２Ｈ５）２ を用いることもできる。
素ガスを使用でき、又エトラエチル錫やテトラメチル錫
に代えて、ジブチルジアセテート錫（ＣＨｉ（ＣＨｚ）
Ｂｌｚ Ｓｎ （ＯＯＣＣＨ５）ｔ、ジブチルジクロラ
イド錫（ＣＨ３（ＣＩＨｚ）ｓｌｚ８ｎｃｊ２、ジメチ
ルレジクロライド錫（ＣＨｉ）２ｓｎｃｊ２ 、テトラ
プロピル錫（ＣＳＨｌ）４８ｒ１ｓテトライソブチル錫
（Ｃ４ｔｙ）４ｎｎ、テトラアリル鍋（ＣＨ２，ＣＨ−
ＣＨ２）４８ｎ、）リメチルエチル錫（ＣＨｉ）ｓ８ｎ
Ｃ２Ｈ６１）ジメチル−ｎ−プロピル錫ＣＣＨｓ ）
ａ８ｎｃｉＨｙジメチルジエチル錫（ＣＨｉ ）ｚ８
ｎ（Ｃ２Ｈ５）２ を用いることもできる。
更に、反応容器（至）内でプラズマ放電を生起すれかく
して本発明によれば、抵抗値及び光透過率においてより
優れた特性の透明電導膜を得ることができる。
して本発明によれば、抵抗値及び光透過率においてより
優れた特性の透明電導膜を得ることができる。
図は本発明実施例を説明するための装置の模式図を示し
、圓は反応容器、器は基板である。
、圓は反応容器、器は基板である。
Claims (1)
- （１）有機錫化合物を含むガスと酸素を含むガスと弗化
アンモニウムガスとの混合ガスを反応容器内に導き、該
反応容器内に配置された基板表面に上記混合ガスの化学
反応により弗素を含む酸化錫膜を形成することを特徴と
する透明電導膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922981A JPS5830007A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922981A JPS5830007A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830007A true JPS5830007A (ja) | 1983-02-22 |
Family
ID=15004347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12922981A Pending JPS5830007A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830007A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188821A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | セントラル硝子株式会社 | 透明導電薄膜の形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5175991A (en) * | 1974-12-25 | 1976-06-30 | Sharp Kk | Tomeidenkyokuno seiho |
| JPS5651805A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming conductive thin film |
| JPS5751153A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-25 | Westinghouse Electric Corp | Formation of transparent electroconductive film |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12922981A patent/JPS5830007A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5175991A (en) * | 1974-12-25 | 1976-06-30 | Sharp Kk | Tomeidenkyokuno seiho |
| JPS5651805A (en) * | 1979-10-03 | 1981-05-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming conductive thin film |
| JPS5751153A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-25 | Westinghouse Electric Corp | Formation of transparent electroconductive film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188821A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | セントラル硝子株式会社 | 透明導電薄膜の形成方法 |
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