JPH0370325B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0370325B2 JPH0370325B2 JP56129227A JP12922781A JPH0370325B2 JP H0370325 B2 JPH0370325 B2 JP H0370325B2 JP 56129227 A JP56129227 A JP 56129227A JP 12922781 A JP12922781 A JP 12922781A JP H0370325 B2 JPH0370325 B2 JP H0370325B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- container
- antimony
- compound
- reaction
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明電導膜の製造方法に関する。
従来の透明な電導膜は塩化錫と水と塩酸との混
合液に微量の酸化アンチモンを添加し、この混合
液を500℃程度に加熱したガラス等の透明な基板
表面に吹きつけ、この混合液と基板とを反応させ
て基板上に酸化アンチモンを含んだ酸化錫膜を付
着させて形成していた。ところがこの方法では面
積抵抗100Ω／口、光の透過率88％が今までに得
られている最良の膜である。
合液に微量の酸化アンチモンを添加し、この混合
液を500℃程度に加熱したガラス等の透明な基板
表面に吹きつけ、この混合液と基板とを反応させ
て基板上に酸化アンチモンを含んだ酸化錫膜を付
着させて形成していた。ところがこの方法では面
積抵抗100Ω／口、光の透過率88％が今までに得
られている最良の膜である。
本発明は、この種透明電導膜の抵抗値及び光透
過率のより一層の改善を図つたものであり、以下
実施例につき本発明を詳述する。
過率のより一層の改善を図つたものであり、以下
実施例につき本発明を詳述する。
第１図は本発明方法を実施する装置を模式的に
示すもので斯る装置は、透明電導膜の原材料とな
る有機錫化合物液容器１、アンチモン化合物液容
器２、酸素含有ガス容器３、弗素化合物容器４及
びキヤリアガス容器５を含んでおり、各容器３，
４，５には夫々バルブ６，７，８、圧力調整器
９，１０，１１、流量計１２，１３，１４及逆止
弁１５，１６，１７が関連づけられている。又キ
ヤリアガス容器５の流出経路はバルブ８を経た後
分岐して、圧力調整器１８，１９及び流量計２
０，２１を経、夫々有機錫化合物液容器１及びア
ンチモン化合物液容器２に至る。従つて容器１，
２内でキヤリアガスによるバブリングが行なわれ
夫々有機錫化合物を含んだガス及びアンチモン化
合物を含んだガスが逆止弁２３，２４を通る。
示すもので斯る装置は、透明電導膜の原材料とな
る有機錫化合物液容器１、アンチモン化合物液容
器２、酸素含有ガス容器３、弗素化合物容器４及
びキヤリアガス容器５を含んでおり、各容器３，
４，５には夫々バルブ６，７，８、圧力調整器
９，１０，１１、流量計１２，１３，１４及逆止
弁１５，１６，１７が関連づけられている。又キ
ヤリアガス容器５の流出経路はバルブ８を経た後
分岐して、圧力調整器１８，１９及び流量計２
０，２１を経、夫々有機錫化合物液容器１及びア
ンチモン化合物液容器２に至る。従つて容器１，
２内でキヤリアガスによるバブリングが行なわれ
夫々有機錫化合物を含んだガス及びアンチモン化
合物を含んだガスが逆止弁２３，２４を通る。
装置は又反応容器３０を備え、該容器に上記各
容器１〜５からのガスが導入される。斯る導入ガ
スはその後、反応容器３０の周縁開口３１を経て
排出される。目的の透明電導膜を被着するための
基板３２は反応管３０内に置かれてヒータ３３に
より加熱され、その加熱状態はアスベスト等の保
温材料３４で保温される。
容器１〜５からのガスが導入される。斯る導入ガ
スはその後、反応容器３０の周縁開口３１を経て
排出される。目的の透明電導膜を被着するための
基板３２は反応管３０内に置かれてヒータ３３に
より加熱され、その加熱状態はアスベスト等の保
温材料３４で保温される。
次に上記装置を使つた製造法を説明する。
まず有機錫化合物液容器１にテトラメチル錫
を、弗素化合物ガス容器４にブロムトリフルオル
メタンを、アンチモン化合物液容器２に五塩化ア
ンチモンを、酸素含有ガス容器３に酸素ガスを、
又キヤリアガス容器５に窒素ガスを夫々充填した
ものを準備し、更にヒータ３３により硼硅酸ガラ
スからなる基板３２を約580℃に保持しておく。
を、弗素化合物ガス容器４にブロムトリフルオル
メタンを、アンチモン化合物液容器２に五塩化ア
ンチモンを、酸素含有ガス容器３に酸素ガスを、
又キヤリアガス容器５に窒素ガスを夫々充填した
ものを準備し、更にヒータ３３により硼硅酸ガラ
スからなる基板３２を約580℃に保持しておく。
そこでバルブ８及び圧力調整器１１を調整して
窒素ガスのみを反応容器３０内に導き、該容器内
の不所棒なガスを窒素ガスで置換し、その後圧力
調整器１１を閉じる。次いで圧力調整器１８，１
９を調節して、窒素ガスを容器１に1.5気圧、200
ml／分で、又容器２に1.5気圧、20ml／分で夫々
送り込むことによりテトラメチル錫を含むガスと
弗化アンモニウムを含むガスを反応容器３０に導
入し、同時にバルブ６，７及び圧力調整器９，１
０を調節して1.5気圧、600ml／分の酸素ガス及び
1.5気圧、40ml／分のブロムトリフルオロメタン
ガスを反応容器３０に導入する。
窒素ガスのみを反応容器３０内に導き、該容器内
の不所棒なガスを窒素ガスで置換し、その後圧力
調整器１１を閉じる。次いで圧力調整器１８，１
９を調節して、窒素ガスを容器１に1.5気圧、200
ml／分で、又容器２に1.5気圧、20ml／分で夫々
送り込むことによりテトラメチル錫を含むガスと
弗化アンモニウムを含むガスを反応容器３０に導
入し、同時にバルブ６，７及び圧力調整器９，１
０を調節して1.5気圧、600ml／分の酸素ガス及び
1.5気圧、40ml／分のブロムトリフルオロメタン
ガスを反応容器３０に導入する。
これにより導入された反応容器３０内の混合ガ
スが反応して基板３２表面に弗素及びアンチモン
を含む酸化錫の膜が形成される。実験によれば約
90秒の反応時間で約1000Åの厚さの酸化錫膜が得
られ、その面積抵抗は10Ω／口、光の透過率は90
％となり従来の方法に比べ十分改善された。
スが反応して基板３２表面に弗素及びアンチモン
を含む酸化錫の膜が形成される。実験によれば約
90秒の反応時間で約1000Åの厚さの酸化錫膜が得
られ、その面積抵抗は10Ω／口、光の透過率は90
％となり従来の方法に比べ十分改善された。
最後に、バルブ６，７及び圧力調整器１８，１
９を閉じると共に、圧力調整器１１を再度調節し
て反応管３０内の反応ガスが排出される。
９を閉じると共に、圧力調整器１１を再度調節し
て反応管３０内の反応ガスが排出される。
第２図は本発明方法を実施する他の装置を模式
的に示すもので、第１図の装置に対する相違点
は、第１図のキヤリアガス容器５が酸素含有ガス
容器３に変更され、第１図の酸素含有ガス容器３
の経路が除去されたことと、反応容器３０が高周
波電源３５に連なる放電電極３６をもつたプラズ
マ反応型に変更されたことである。尚反応容器３
０内の排気は排気ポンプ３７より行なわれる。
的に示すもので、第１図の装置に対する相違点
は、第１図のキヤリアガス容器５が酸素含有ガス
容器３に変更され、第１図の酸素含有ガス容器３
の経路が除去されたことと、反応容器３０が高周
波電源３５に連なる放電電極３６をもつたプラズ
マ反応型に変更されたことである。尚反応容器３
０内の排気は排気ポンプ３７より行なわれる。
次に上記装置を使つた製造方法を説明する。
まず有機錫化合物液容器１にテトラメチル錫
を、アンチモン化合物液容器２に五塩化アンチモ
ンを、弗素化合物ガス容器４にブロムトリフルオ
ルメタンを、酸素含有ガス容器３に酸素ガスを
夫々充填したものを準備しておく。
を、アンチモン化合物液容器２に五塩化アンチモ
ンを、弗素化合物ガス容器４にブロムトリフルオ
ルメタンを、酸素含有ガス容器３に酸素ガスを
夫々充填したものを準備しておく。
そこで、各バルブ及び圧力調整器を調整して反
応容器３０に酸素ガスを100ml／分、ブロムトリ
フルオルメタンガスを20ml／分で導入し、同時に
容器１，２に夫々酸素ガスを30ml／分、10ml／分
で送り込むことによりテトラメチル錫及び塩化ア
ンチモンを含んだ酸素ガスを反応容器３０に導入
する。
応容器３０に酸素ガスを100ml／分、ブロムトリ
フルオルメタンガスを20ml／分で導入し、同時に
容器１，２に夫々酸素ガスを30ml／分、10ml／分
で送り込むことによりテトラメチル錫及び塩化ア
ンチモンを含んだ酸素ガスを反応容器３０に導入
する。
次いで排気ポンプ３７により反応容器３０内を
25℃で0.5Torrに減圧し、放電々極３６に13.56M
PH、1KVの電圧を印加してプラズマ放電を生起
せしめる。
25℃で0.5Torrに減圧し、放電々極３６に13.56M
PH、1KVの電圧を印加してプラズマ放電を生起
せしめる。
これにより導入された反応容器３０内の混合ガ
スが反応して基板３２表面に弗素及びアンチモン
を含む酸化錫の膜が形成される。実験によれば約
1000Åの厚さの酸化錫膜が得られ、その面積抵抗
は20Ω／口、光の透過率は90％となり従来の方法
に比べ十分改善された。
スが反応して基板３２表面に弗素及びアンチモン
を含む酸化錫の膜が形成される。実験によれば約
1000Åの厚さの酸化錫膜が得られ、その面積抵抗
は20Ω／口、光の透過率は90％となり従来の方法
に比べ十分改善された。
尚、この第２の実施例による特徴は基板３２を
加熱しないでよいことである。
加熱しないでよいことである。
上記各実施例において、酸素ガスに代えて空気
や過酸化水素ガスを使用でき、又テトラメチル錫
に代えて、テトラエチル錫、ジブチルジアセテー
ト錫、ジブチルジクロライド錫、ジメチルジクロ
ライド錫、テトラプロピル錫、テトライソブチル
錫、テトラアリル錫、トリメチルエチル錫、トリ
メチルｎ−プロピル錫、ジメチルジエチル錫を使
用でき、又ブロムトリフルオルメタンに代えて、
クロルトリフルオルメタン、ヨードトリフルオル
メタン、ブロムペンタフルオルエタン、ヨードペ
ンタフルオルエタン、ジクロルジフルオルメタ
ン、トリクロルフルオルメタン、ジクロルフルオ
ルメタン、ブロムペンタフルオルプロパン、ヨー
ドヘプタフルオルプロパンを使用でき、更に塩化
アンチモンに代えて、酸化アンチモンを使用する
ことができる。又、基板表面に直接ではなく
SiO2薄膜等を介して透明電導膜を形成してもよ
い。かくして本発明によれば、抵抗値及び光透過
率においてより優れた特性の透明電導膜を得るこ
とができる。
や過酸化水素ガスを使用でき、又テトラメチル錫
に代えて、テトラエチル錫、ジブチルジアセテー
ト錫、ジブチルジクロライド錫、ジメチルジクロ
ライド錫、テトラプロピル錫、テトライソブチル
錫、テトラアリル錫、トリメチルエチル錫、トリ
メチルｎ−プロピル錫、ジメチルジエチル錫を使
用でき、又ブロムトリフルオルメタンに代えて、
クロルトリフルオルメタン、ヨードトリフルオル
メタン、ブロムペンタフルオルエタン、ヨードペ
ンタフルオルエタン、ジクロルジフルオルメタ
ン、トリクロルフルオルメタン、ジクロルフルオ
ルメタン、ブロムペンタフルオルプロパン、ヨー
ドヘプタフルオルプロパンを使用でき、更に塩化
アンチモンに代えて、酸化アンチモンを使用する
ことができる。又、基板表面に直接ではなく
SiO2薄膜等を介して透明電導膜を形成してもよ
い。かくして本発明によれば、抵抗値及び光透過
率においてより優れた特性の透明電導膜を得るこ
とができる。
第１図及び第２図は本発明実施例を説明するた
めの装置の模式図を示し、３０は反応容器、３２
は基板である。
めの装置の模式図を示し、３０は反応容器、３２
は基板である。
Claims (1)
- １ 有機錫化合物を含むガスと酸素を含むガスと
弗素化合物を含むガスとアンチモン化合物を含む
ガスとの混合ガスを反応容器内に導き、該反応容
器内に配置された基板表面に上記混合ガスの化学
反応により弗素及びアンチモンを含む酸化錫膜を
形成することを特徴とする透明電導膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922781A JPS5830005A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12922781A JPS5830005A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830005A JPS5830005A (ja) | 1983-02-22 |
| JPH0370325B2 true JPH0370325B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=15004295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12922781A Granted JPS5830005A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | 透明電導膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830005A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139321A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化スズ導電膜の作製方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5061695A (ja) * | 1973-10-02 | 1975-05-27 | ||
| JPS5167994A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-12 | Sharp Kk | Handotaimakuseizosochi |
| JPS6018090B2 (ja) * | 1979-10-03 | 1985-05-08 | 日本板硝子株式会社 | 導電薄膜の形成方法 |
| US4293594A (en) * | 1980-08-22 | 1981-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Method for forming conductive, transparent coating on a substrate |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12922781A patent/JPS5830005A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5830005A (ja) | 1983-02-22 |
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