JPS5832013A - 硼素構造材の製造方法 - Google Patents
硼素構造材の製造方法Info
- Publication number
- JPS5832013A JPS5832013A JP56128930A JP12893081A JPS5832013A JP S5832013 A JPS5832013 A JP S5832013A JP 56128930 A JP56128930 A JP 56128930A JP 12893081 A JP12893081 A JP 12893081A JP S5832013 A JPS5832013 A JP S5832013A
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- JP
- Japan
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- boron
- substrate
- structural material
- crystalline layer
- amorphous
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、硼素構造(Aの製造方法に関するもので、
(t’Jl素」1°#I造14企構成する硼素の膜質や
機械的性IL′fの向−l: :l’r 、1:び硼素
構造(Aのコストダウンを目的とするものである。
(t’Jl素」1°#I造14企構成する硼素の膜質や
機械的性IL′fの向−l: :l’r 、1:び硼素
構造(Aのコストダウンを目的とするものである。
硼素(Blはダイヤモンドに次ぐ硬度A: ’P!I”
I> 、かつその耐摩耗性も非常に大きい・イ)ので;
(bるため、 j、lJ削工具やJi’l動機械部品、
ili受けなとにイ1−月1fr、口i1である。寸
だ、比りiil牛率(1即111率/1・64度)が1
31j〆1知られている物質中では最ノ(という1°d
−:/iた’l!+r改4でもっている。このゲ1.質
は51′?彼の(〕−16;J11埃が1p(:、仔の
物質中で最大であることを、(;5昧[〜* f”+”
ll’l+シ(旧パ1として特にイf用である。
I> 、かつその耐摩耗性も非常に大きい・イ)ので;
(bるため、 j、lJ削工具やJi’l動機械部品、
ili受けなとにイ1−月1fr、口i1である。寸
だ、比りiil牛率(1即111率/1・64度)が1
31j〆1知られている物質中では最ノ(という1°d
−:/iた’l!+r改4でもっている。このゲ1.質
は51′?彼の(〕−16;J11埃が1p(:、仔の
物質中で最大であることを、(;5昧[〜* f”+”
ll’l+シ(旧パ1として特にイf用である。
硼素応用製品を鋳造や川)iTとい一巧ρ方l!:’
k月1いて緻密な塊の状態で得ることd−■In+であ
り、(二のため5硼素応用製品の製作にあたってシー1
.はとんどの場合、硼素以夕1の4′A″4′:1かC
)なる居体にに蒸メ′i法やスパッタリング法、化学蒸
着法(cvn法)などによって、ホウ素IEイi4形成
した複合体として用いられている。
k月1いて緻密な塊の状態で得ることd−■In+であ
り、(二のため5硼素応用製品の製作にあたってシー1
.はとんどの場合、硼素以夕1の4′A″4′:1かC
)なる居体にに蒸メ′i法やスパッタリング法、化学蒸
着法(cvn法)などによって、ホウ素IEイi4形成
した複合体として用いられている。
このような従来の方法は、ポウメ・、の硬τ\や、そ−
の優れた面1摩粍Vl: h:利用(−ようとする製品
の用台には、大きな支1(+:’j 7.(牛じること
がない。ところが。
の優れた面1摩粍Vl: h:利用(−ようとする製品
の用台には、大きな支1(+:’j 7.(牛じること
がない。ところが。
比弾4牛率の大きさを利用するスピーカーの振動板3ベ
ーミ゛ や、カートリッジのカンチレバー等の音響椙料あるいは
、ビデオディスクのカンチレバー等ではきわめて重大な
支障となる。すなわち、複合体の密度や弾性率は基体の
性質に大きく左右され、硼素本来の性質がそれによって
大きく減殺されるからである。
ーミ゛ や、カートリッジのカンチレバー等の音響椙料あるいは
、ビデオディスクのカンチレバー等ではきわめて重大な
支障となる。すなわち、複合体の密度や弾性率は基体の
性質に大きく左右され、硼素本来の性質がそれによって
大きく減殺されるからである。
斗た。上記した方法以外に、タンタル(Ta)。
ニオブ(Nb) 、モリブデン(Mo”) 、タングス
テン(W)等の線(0,2〜0.4 mmφ)に■1素
−4c VD法に工9蒸着させ、その後これらの芯線全
溶解除去して硼素m体を得ることが可能となっているが
、振動板やビデオディスクのカンチレバー等の大きな形
状のものをこれらの芯線や基体で歩留り良く作成するの
は1周体との熱膨張の違いや、蒸着された硼素の内部応
力のため困難であった。特にMOやW等の安価な芯材で
硼素+1j体の大きな構造材全歩留り良く作成するのは
回帰であった。
テン(W)等の線(0,2〜0.4 mmφ)に■1素
−4c VD法に工9蒸着させ、その後これらの芯線全
溶解除去して硼素m体を得ることが可能となっているが
、振動板やビデオディスクのカンチレバー等の大きな形
状のものをこれらの芯線や基体で歩留り良く作成するの
は1周体との熱膨張の違いや、蒸着された硼素の内部応
力のため困難であった。特にMOやW等の安価な芯材で
硼素+1j体の大きな構造材全歩留り良く作成するのは
回帰であった。
本発明はかかる従来の欠点を除去するためになさJ+、
たものであり、クロムで被覆されたW基体上VC減圧化
学蒸着法(LP−IVD法)により硼素を析出させ、そ
の後熱処理に上りW J、1.、体人面にCrB2.W
B2.W2B5 の少くとも1つからなる結晶層全形成
し、この土に硼素層全析出さ−(Lることにより、機械
的強度があり、しかも歩留Vの良い硼素構造4Aを提供
できる、[すにしたく)ので、イうる1゜以下1本発明
の製造方法について具体的に説明する。
たものであり、クロムで被覆されたW基体上VC減圧化
学蒸着法(LP−IVD法)により硼素を析出させ、そ
の後熱処理に上りW J、1.、体人面にCrB2.W
B2.W2B5 の少くとも1つからなる結晶層全形成
し、この土に硼素層全析出さ−(Lることにより、機械
的強度があり、しかも歩留Vの良い硼素構造4Aを提供
できる、[すにしたく)ので、イうる1゜以下1本発明
の製造方法について具体的に説明する。
硼素′fr:LP−GvD法にJ:す、ノ1(体上に形
成する方法は、たとえば減圧にされた反Lr、:器内に
おかれた基体を、赤外線加熱、高周波加熱、)10電等
により加熱し、次式に示すごとき還元分jすT1反応に
」ニク硼素全析出させる。
成する方法は、たとえば減圧にされた反Lr、:器内に
おかれた基体を、赤外線加熱、高周波加熱、)10電等
により加熱し、次式に示すごとき還元分jすT1反応に
」ニク硼素全析出させる。
2BXs4−3H2−p 2B16HX(たたし、X
はCr、Br、I等のハt1ゲン元素)CVD法に使用
する原f′1ガスとしてQま、BI3の他に硼素の水素
化物等がある。裔だ、この1′111素、I1111m
においては、加熱温度、減用状態、ガス用。
はCr、Br、I等のハt1ゲン元素)CVD法に使用
する原f′1ガスとしてQま、BI3の他に硼素の水素
化物等がある。裔だ、この1′111素、I1111m
においては、加熱温度、減用状態、ガス用。
反応器への原料ガスの流入i^等に」ニリ種//の結晶
、形態が得られる。特に減圧状態では、上記の反応
ハア○○℃〜1000°Cでアモルファス状態の硼lj
、、−1・ 素が、1000°C〜130o0Cでβ−07ボヘドラ
ル硼素が得られる。特に、常圧のCVD法にくラヘテ、
L P−CV D 法は低温でアモルファス硼素やβ
−ロンボヘドラル硼素が析出されるため、基体と蒸着硼
素との間の熱的ひずみが少なく有利である。
、形態が得られる。特に減圧状態では、上記の反応
ハア○○℃〜1000°Cでアモルファス状態の硼lj
、、−1・ 素が、1000°C〜130o0Cでβ−07ボヘドラ
ル硼素が得られる。特に、常圧のCVD法にくラヘテ、
L P−CV D 法は低温でアモルファス硼素やβ
−ロンボヘドラル硼素が析出されるため、基体と蒸着硼
素との間の熱的ひずみが少なく有利である。
LP−IVD法を用いてW基体上にアモルファス[11
1素を析出させる際の温度は700〜80o℃が適当で
あり、700℃より低い温度では析出速度が非常に遅く
、パウダー状で析出するため、この後熱処理にj:つて
CrB2.WB2.W2B5 f作成−rるのが回加で
あり、8oO℃を越える温度ではJ、(体(W)とアモ
ルファス硼素との間にひずみが入り−やすい。また、こ
れらのアモルファス硼素ケ熱処理によって拡散させて、
CrBz 、WB2 、W2B5の少くとも1つからな
る結晶層全形成する際の温度としては、860〜125
0’Cが適当であり、850℃よ!l lJk イン!
+lL度では、 CrB 2 、WB 2 、W2B5
が生成しに< <、 12tso′C−r、越える温度
では熱的なO・ずみを生じやすい。またWの硼化物とし
て5WB2.W2B5あるいは、これr−、ノil+’
、合’10ノ結晶VC限定1〜たのは、これらの結晶系
がW2B、WB にくらべて硼素に近い熱膨張係数を持
って1.′−リ、したがって、硼素膜にO・ずみが/1
:じにぐいためで7ちる。
1素を析出させる際の温度は700〜80o℃が適当で
あり、700℃より低い温度では析出速度が非常に遅く
、パウダー状で析出するため、この後熱処理にj:つて
CrB2.WB2.W2B5 f作成−rるのが回加で
あり、8oO℃を越える温度ではJ、(体(W)とアモ
ルファス硼素との間にひずみが入り−やすい。また、こ
れらのアモルファス硼素ケ熱処理によって拡散させて、
CrBz 、WB2 、W2B5の少くとも1つからな
る結晶層全形成する際の温度としては、860〜125
0’Cが適当であり、850℃よ!l lJk イン!
+lL度では、 CrB 2 、WB 2 、W2B5
が生成しに< <、 12tso′C−r、越える温度
では熱的なO・ずみを生じやすい。またWの硼化物とし
て5WB2.W2B5あるいは、これr−、ノil+’
、合’10ノ結晶VC限定1〜たのは、これらの結晶系
がW2B、WB にくらべて硼素に近い熱膨張係数を持
って1.′−リ、したがって、硼素膜にO・ずみが/1
:じにぐいためで7ちる。
またWB<では、硼素とWB4間の結合力が強くなりす
ぎて、エツチングしにくくなる欠ll、(全イj−1,
ている。CrB2.WB2.W2B5の少くとも1つか
らなる結晶層の厚さは20〜2ool1mが1”−<
、 20 ltmよ!ll薄くなると、硼素層とw )
、q体の熱ひずみ全緩和することができず、斗だ200
71mより厚くなると基体自身がもろくなり1V形性が
ばちにくい。
ぎて、エツチングしにくくなる欠ll、(全イj−1,
ている。CrB2.WB2.W2B5の少くとも1つか
らなる結晶層の厚さは20〜2ool1mが1”−<
、 20 ltmよ!ll薄くなると、硼素層とw )
、q体の熱ひずみ全緩和することができず、斗だ200
71mより厚くなると基体自身がもろくなり1V形性が
ばちにくい。
寸たW基体にOr全被覆するのは、硼素とWB2あるい
はW2B5との密着性全問め、化学的、I・)るいit
機械的に基体全除去(−やすくするためである1、この
」動台、 crは硼素と反応してCrB2 となり、
硼素とWB2あるいはW 2 B 5との間の密着性を
弱める働き’CI/、そのためエツチング歩留りが向−
1−するという効果がある。なおOrの膜厚は数1tm
程度であることが望ましい。次いでこの1111化
物にに硼素全蒸着法、CVD/71、等全相イテ祈11
i 7! 1!、(−7、−1 かるのも化学的あるいは機械的に基体全除去し。
はW2B5との密着性全問め、化学的、I・)るいit
機械的に基体全除去(−やすくするためである1、この
」動台、 crは硼素と反応してCrB2 となり、
硼素とWB2あるいはW 2 B 5との間の密着性を
弱める働き’CI/、そのためエツチング歩留りが向−
1−するという効果がある。なおOrの膜厚は数1tm
程度であることが望ましい。次いでこの1111化
物にに硼素全蒸着法、CVD/71、等全相イテ祈11
i 7! 1!、(−7、−1 かるのも化学的あるいは機械的に基体全除去し。
硼素j1i体から成る構造拐全得る。
以下、本発明の一実施例について説明する。
直径2.0mm、長さ100園のW線全準備し5脱脂。
Wl: rJ+ののチ、スパッタリン/;f7ノーで約
1ミクロン厚のC・rf被被覆た。次にCVD炉の中に
この線を、l?き、O−タリーポンプで炉内の空気全排
除し、通電により7oO′Gに加熱した。次に三塩化硼
素(B(7Jx) 1容量部と、水素(R2)3容量部
を毎分2eの割合で4分間流した。この時、減圧状態は
100Torrになるようにロータリーポンプとバルブ
でコントロールした。その後BC7!sガスのみを市め
、850℃にて熱処理を3分間行ない。
1ミクロン厚のC・rf被被覆た。次にCVD炉の中に
この線を、l?き、O−タリーポンプで炉内の空気全排
除し、通電により7oO′Gに加熱した。次に三塩化硼
素(B(7Jx) 1容量部と、水素(R2)3容量部
を毎分2eの割合で4分間流した。この時、減圧状態は
100Torrになるようにロータリーポンプとバルブ
でコントロールした。その後BC7!sガスのみを市め
、850℃にて熱処理を3分間行ない。
アモルファス17111素全拡散さぜ20μm厚のWB
2とした(X線解析の結果)。次いで、再びBCβ3ガ
スを流、シ、ノ、(体芯線を1000°Cに保ち、6分
間ガスを流した。これによりWB2上にアモルファス硼
素が5071m析出した。このようにして作った試不二
l全4(mの長さに切断して、Br とメタノールの
混合液に浸漬さゼ、WおよびWB2全溶解させた。
2とした(X線解析の結果)。次いで、再びBCβ3ガ
スを流、シ、ノ、(体芯線を1000°Cに保ち、6分
間ガスを流した。これによりWB2上にアモルファス硼
素が5071m析出した。このようにして作った試不二
l全4(mの長さに切断して、Br とメタノールの
混合液に浸漬さゼ、WおよびWB2全溶解させた。
次に梁の長さ全3.5歯とし5両端支持梁の形でdtj
重を加えて、パイプが破壊したlL7の荷重より″1′
均強度を求めた。その結果、明断(〜たザンブル2゜水
中17本が良品で、その〜IL均jj・n度は1.s5
に2であ〜た。この結果欠次衣の試γ’L No1に・
iす、。
重を加えて、パイプが破壊したlL7の荷重より″1′
均強度を求めた。その結果、明断(〜たザンブル2゜水
中17本が良品で、その〜IL均jj・n度は1.s5
に2であ〜た。この結果欠次衣の試γ’L No1に・
iす、。
以下、各条件を変え、実施例と同様に17でR11l素
構造材を得た。その結果を次表に示す。たたし試料番号
No、 ’ O−No、 15 f’:1: 比較’l
I/lI テアZ)。トζスべての試料は、内径および
外径がそれぞれJOlnm。
構造材を得た。その結果を次表に示す。たたし試料番号
No、 ’ O−No、 15 f’:1: 比較’l
I/lI テアZ)。トζスべての試料は、内径および
外径がそれぞれJOlnm。
2.1mmと一定の値になるように(肉厚が50 lt
mで一定)硼素の析出ii七ケコンl−TI−ルした
。
mで一定)硼素の析出ii七ケコンl−TI−ルした
。
以下余白
0
表から明らかなJ:うに5本発明の範囲内の試FLは抗
折強度が大きく5歩留りも良く、γ6響4A利として極
めて位れた特性を有している。
折強度が大きく5歩留りも良く、γ6響4A利として極
めて位れた特性を有している。
以−1=説明した如く、本発明の製造方法は、W基体上
にLP−IVD法に」:リアモルファスall 2 k
析出さ(1,その後熱処理にエリこ′J’1. k拡1
1(l−さ氾てGrB2.WB2.W2B5 f生成さ
→↓、1八に基体−にに硼素を析出さ」J、その後基体
を除去して硼素rl′l一体を得るようにしたものであ
り、このJ:うな本発明の方法は、従来の方法と比較し
て高強度の硼素構造材全歩留り良く5(〜かも安価に(
i)ろことができるため、その産業上の価値lt大きい
ものである。
にLP−IVD法に」:リアモルファスall 2 k
析出さ(1,その後熱処理にエリこ′J’1. k拡1
1(l−さ氾てGrB2.WB2.W2B5 f生成さ
→↓、1八に基体−にに硼素を析出さ」J、その後基体
を除去して硼素rl′l一体を得るようにしたものであ
り、このJ:うな本発明の方法は、従来の方法と比較し
て高強度の硼素構造材全歩留り良く5(〜かも安価に(
i)ろことができるため、その産業上の価値lt大きい
ものである。
Claims (1)
- り11ノ・を被覆1−たタングステンL”体e7oo〜
800℃のン都度に1υ1ノ、この基体上に減圧化学蒸
j’:f法?i:用いてアモルファス硼素を析出させる
第1の工程と、前記アモルファス硼素を析出さぜた基体
f 85 o’0〜1250”Qの1111V度で熱処
理することに−に’) 、 I)il記jI(体表面に
CrB2 、 WB2 、 W2B5)少くとも1つか
らなる結晶開音20〜200μmの厚さに形成する第2
の工程と、前記結晶層上に硼素荀析出させる第3の工程
と、前記基体を化学的手段イ)シフは機械的手段により
除去する第4の工程を経て製i?−すること”;j:
’l”l徴とする硼素構造材の製1:1′L方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56128930A JPS5832013A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 硼素構造材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56128930A JPS5832013A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 硼素構造材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832013A true JPS5832013A (ja) | 1983-02-24 |
| JPS6154113B2 JPS6154113B2 (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=14996907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56128930A Granted JPS5832013A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 硼素構造材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006150461A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Mitsubishi Materials Kobe Tools Corp | 耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具 |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP56128930A patent/JPS5832013A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006150461A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Mitsubishi Materials Kobe Tools Corp | 耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154113B2 (ja) | 1986-11-20 |
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