JPS583203A - 高周波磁心材料及びその製造方法 - Google Patents
高周波磁心材料及びその製造方法Info
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- JPS583203A JPS583203A JP56101834A JP10183481A JPS583203A JP S583203 A JPS583203 A JP S583203A JP 56101834 A JP56101834 A JP 56101834A JP 10183481 A JP10183481 A JP 10183481A JP S583203 A JPS583203 A JP S583203A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、F−を主成分とし、高周波GCおける磁気特
性に優れた高周波トランス材料に関する本のである。
性に優れた高周波トランス材料に関する本のである。
従来、スイッjングレギーレーター用の高周波トランス
や7’r用のフライバックトランス、ノイズフィルター
柑コア寺゛の高周波トランス材料としては一ノエライト
材料を用I/)ることが多かった。
や7’r用のフライバックトランス、ノイズフィルター
柑コア寺゛の高周波トランス材料としては一ノエライト
材料を用I/)ることが多かった。
での理由ぐよ、7エライト磁性材料は飽和磁束密度B#
が5000以Fと低いにもかかわらず、電気抵抗が^い
ことにより、ブロック状でも数10KHz以上の高周波
頭載でのaX流損失が少ない為、透磁率の周波数特性が
良好であり、又高周波頭載における鉄損が少ないことの
・待機を有している為である。
が5000以Fと低いにもかかわらず、電気抵抗が^い
ことにより、ブロック状でも数10KHz以上の高周波
頭載でのaX流損失が少ない為、透磁率の周波数特性が
良好であり、又高周波頭載における鉄損が少ないことの
・待機を有している為である。
これ1C対して、金属系材料は戊気抵坑が低いので渦電
流損を少なくする丸めに、圧延等の工程を経て薄板化せ
ねばならず、工費が高くなりあまり使用されていないの
が現状である。
流損を少なくする丸めに、圧延等の工程を経て薄板化せ
ねばならず、工費が高くなりあまり使用されていないの
が現状である。
近・年、非晶質金属材料が、単ロール法や双ロール法等
の溶湯急冷法により15“〜50“の厚みを有する薄帯
として連続且つ大量に製造できるようになり、その優れ
た軟磁気特性が確認されるに及んで、14々のトランス
材料としての応用が期待されている。
の溶湯急冷法により15“〜50“の厚みを有する薄帯
として連続且つ大量に製造できるようになり、その優れ
た軟磁気特性が確認されるに及んで、14々のトランス
材料としての応用が期待されている。
特に!#系非晶質磁性材料は飽和磁束密度B#が組成に
よって(iloooo 以上あり、比抵抗゛′は結晶
質金属の3倍相度の約150“Q4を何し、且つもとも
と15〜501程度の薄板として帰られる為に、高周波
磁心材料として有利な条件を備えた材料といえる。 ・ 非晶質磁性材料は、急冷された時導入された歪をとり除
く為、歪取り焼鈍を行ない軟磁気特性を改善するが本願
発明者らはこのような歪取焼鈍では、直流で測定した抗
磁力は確かに低くなるが、直流j−Hカーブは角51
By /Beが高く高周波特性はフェライトに比して劣
るということを見出した。これは、歪取り焼鈍後におい
て本薄帯長手方向K 10”’す“種度−軸異方性がつ
いており、その為長手方向に180°磁壁がのびており
、これを長手方向に高周波で励磁した場合渦電流損が大
きくなることによると考えられる。
よって(iloooo 以上あり、比抵抗゛′は結晶
質金属の3倍相度の約150“Q4を何し、且つもとも
と15〜501程度の薄板として帰られる為に、高周波
磁心材料として有利な条件を備えた材料といえる。 ・ 非晶質磁性材料は、急冷された時導入された歪をとり除
く為、歪取り焼鈍を行ない軟磁気特性を改善するが本願
発明者らはこのような歪取焼鈍では、直流で測定した抗
磁力は確かに低くなるが、直流j−Hカーブは角51
By /Beが高く高周波特性はフェライトに比して劣
るということを見出した。これは、歪取り焼鈍後におい
て本薄帯長手方向K 10”’す“種度−軸異方性がつ
いており、その為長手方向に180°磁壁がのびており
、これを長手方向に高周波で励磁した場合渦電流損が大
きくなることによると考えられる。
本発明は上記従来技術による非晶質磁性薄帯の欠点を改
良し、高周波における磁気特性の優れた金属磁性薄帯を
提供することを目的とする。
良し、高周波における磁気特性の優れた金属磁性薄帯を
提供することを目的とする。
本発明は組成式F+oe −p−q Xp Yq (0
≦P≦so。
≦P≦so。
15≦9≦50)で表わされるF−系非晶質磁性薄帯を
通常の歪取り焼鈍温度より高い、結晶化温度に近い温度
、Tz−50<、T≦TxC但しT#は結晶化温度)で
規ポされる温度Tで焼鈍することを特徴とする奄のであ
り直流抗磁力d#を極少にする通常の歪取り焼鈍で帰ら
れるものに比し角形比の小さい特異なj−Hカーブを有
する材料を帰る工とができ、そ1てこの材料は数101
E算以上の高周波領域では優れた交流磁気特性を有する
という新規な効果を発揮できる。
通常の歪取り焼鈍温度より高い、結晶化温度に近い温度
、Tz−50<、T≦TxC但しT#は結晶化温度)で
規ポされる温度Tで焼鈍することを特徴とする奄のであ
り直流抗磁力d#を極少にする通常の歪取り焼鈍で帰ら
れるものに比し角形比の小さい特異なj−Hカーブを有
する材料を帰る工とができ、そ1てこの材料は数101
E算以上の高周波領域では優れた交流磁気特性を有する
という新規な効果を発揮できる。
本発明において、4常メタロイド元素と呼はれる元素r
は非晶質化のた・めの必須の元素であり、1i≦、(5
0に@一定したのけ、この範囲以外では非晶質化が不可
能である為である。
は非晶質化のた・めの必須の元素であり、1i≦、(5
0に@一定したのけ、この範囲以外では非晶質化が不可
能である為である。
本発明による材料の主成分は!−である。これは、磁束
密度を高く保つ為で必須の成分である。
密度を高く保つ為で必須の成分である。
Xはa次成分あるいは添加元素である。これらは実施例
で述べるように、結晶化温度を上げる効果や、高周波に
かける鉄損を下げる効果を有するが飽和磁束密度を下げ
るので5σmt’4以下に@定した。
で述べるように、結晶化温度を上げる効果や、高周波に
かける鉄損を下げる効果を有するが飽和磁束密度を下げ
るので5σmt’4以下に@定した。
・本発明の非晶質磁性薄帯により、高周波領域−におけ
る磁気特性を改善するためには、結晶化温度T#℃に近
い温度T”0における焼鈍が必要であり、これをTa”
−50°≦T′。≦Ta” K限定したのij Tm
−50の焼鈍では、角形比By/Byが高い通常の歪
取り焼鈍と一致するためであり、又T−1以上の焼鈍で
は、薄帯は完全に結晶化して軟磁気特性が全く失なわれ
る為である。
る磁気特性を改善するためには、結晶化温度T#℃に近
い温度T”0における焼鈍が必要であり、これをTa”
−50°≦T′。≦Ta” K限定したのij Tm
−50の焼鈍では、角形比By/Byが高い通常の歪
取り焼鈍と一致するためであり、又T−1以上の焼鈍で
は、薄帯は完全に結晶化して軟磁気特性が全く失なわれ
る為である。
ra+”=50°≦r′a<、 ra′。ナル温Kr
テtA鈍を行なえは、直流B−Hカーブにおける角型比
By/Beは50%以下に減少し、数10に11m以上
の高周波領域における透磁率の増大、鉄損の減少に対す
る効果が著しいう これけ、7 a” −5σ”O< TO≦Tx”なるT
o での焼鈍により薄帯内部に新たな一軸性以外異方
性が発生し、このためBy/Beが減少し、磁化変化が
回転磁化で進行゛シ、−渦電流損失が減少した為と考え
られる。
テtA鈍を行なえは、直流B−Hカーブにおける角型比
By/Beは50%以下に減少し、数10に11m以上
の高周波領域における透磁率の増大、鉄損の減少に対す
る効果が著しいう これけ、7 a” −5σ”O< TO≦Tx”なるT
o での焼鈍により薄帯内部に新たな一軸性以外異方
性が発生し、このためBy/Beが減少し、磁化変化が
回転磁化で進行゛シ、−渦電流損失が減少した為と考え
られる。
以下1本発明の内容を実施例により異体的に述べる。
実施例1
結晶化温度r#−2s1s でFarm Crk 5
1・B10なる組より低い温度i、−450°で2fi
″焼鈍し九ものとの。
1・B10なる組より低い温度i、−450°で2fi
″焼鈍し九ものとの。
直流j−Hカーブの比較を第1図に角形比及び高周波交
流磁気特性の比較を第1表にそれぞれ示す。
流磁気特性の比較を第1表にそれぞれ示す。
第1表71ys CrS Si@ B14 Kおける焼
鈍温度と、角形比及び高周波磁気特性 との関係 本発明め効果はこれらから井らかでめり。
鈍温度と、角形比及び高周波磁気特性 との関係 本発明め効果はこれらから井らかでめり。
495” X 20”’の焼鈍により角形比By/Be
は50%以下となり、それと供に実効透磁率μm、鉄損
rの高周rIL特性が著しく改善されている。
は50%以下となり、それと供に実効透磁率μm、鉄損
rの高周rIL特性が著しく改善されている。
実施例2
Fn71 CrS Si@ /B1aなる組成を有する
非晶質薄帯を各温度で20s″焼鈍したときの、焼鈍温
度と角形比、及び20にIIgにおける鉄損との関係を
第2図に示す。結晶化温度より20 低い7195
での焼鈍で、鉄損は最小値を取り1通常のIlrを小
さくする歪取抄暁鈍のための焼鈍たとえば450の焼鈍
材よりも20KII sにおける鉄損が改善されている
ことは明らかである。又角形比が悪くなるにつれて、鉄
損が改善される事はよく対応がつくが、焼鈍温度を上げ
すき゛てTs近くになると鉄損は逆に上昇する為、焼鈍
時の温度には十分気をつける必要がある。
非晶質薄帯を各温度で20s″焼鈍したときの、焼鈍温
度と角形比、及び20にIIgにおける鉄損との関係を
第2図に示す。結晶化温度より20 低い7195
での焼鈍で、鉄損は最小値を取り1通常のIlrを小
さくする歪取抄暁鈍のための焼鈍たとえば450の焼鈍
材よりも20KII sにおける鉄損が改善されている
ことは明らかである。又角形比が悪くなるにつれて、鉄
損が改善される事はよく対応がつくが、焼鈍温度を上げ
すき゛てTs近くになると鉄損は逆に上昇する為、焼鈍
時の温度には十分気をつける必要がある。
実施例5
1191−JF−y CrS Sit El系における
20にKmKおける鉄損を最小にする焼鈍温度と結晶化
温度のマツプを第3図に示す2図中数字は最適熱処理温
度を示す。また、矢印は鉄損の低減が期待できない組成
を示す。
20にKmKおける鉄損を最小にする焼鈍温度と結晶化
温度のマツプを第3図に示す2図中数字は最適熱処理温
度を示す。また、矢印は鉄損の低減が期待できない組成
を示す。
この図かられかるように最適焼鈍温度と結晶化温度はよ
く対応しており1本発明の中で、焼 0 鈍1度をTs −so ≦T≦T・°0の如く、結晶化
温度7zを基準に規定したことの正画性を証明している
。
く対応しており1本発明の中で、焼 0 鈍1度をTs −so ≦T≦T・°0の如く、結晶化
温度7zを基準に規定したことの正画性を証明している
。
実施例から分かるように1木兄#4による結晶化温度に
近い温度で焼鈍する事による高周波特性の改善の効果は
著しい。又このような単なる焼鈍によって高周波特性の
改善できる事は、末、だ報告されてお′らず、全ったく
新規なものでありその工学上の重要性は大きい。
近い温度で焼鈍する事による高周波特性の改善の効果は
著しい。又このような単なる焼鈍によって高周波特性の
改善できる事は、末、だ報告されてお′らず、全ったく
新規なものでありその工学上の重要性は大きい。
第1図は焼鈍温度による直流B−Hカーブの比較図、第
2図は、焼鈍温度と鉄損、角形比および抗磁力との相関
図、第3図はF・9L−z−yCr5SizBy Kお
ける組成検討結果を示す図である。 代理人 1)中 舞 徳 第1図 B(K(9)) 手続補正書(自発) 昭和56.10..23日 特許庁長官殿 補正をする者 名 称 澗8) 日立金属株式会社代7I6河野
典夫 代 理 人 居 所 東京都千代田区丸の内2丁目1番2号補
正の対象 明細書の「発明の名称」の欄
2図は、焼鈍温度と鉄損、角形比および抗磁力との相関
図、第3図はF・9L−z−yCr5SizBy Kお
ける組成検討結果を示す図である。 代理人 1)中 舞 徳 第1図 B(K(9)) 手続補正書(自発) 昭和56.10..23日 特許庁長官殿 補正をする者 名 称 澗8) 日立金属株式会社代7I6河野
典夫 代 理 人 居 所 東京都千代田区丸の内2丁目1番2号補
正の対象 明細書の「発明の名称」の欄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t 実質的に組成式(原子1り ”+0O−p−り pq 但し。 0≦P≦30 15≦9≦50 χ: Ni、Cm、 Ti、 F+Cr1Mh、 Zr
、!04のうち1種又は29以上 r、 : St、 B、C141,P、Cm、Om、
5IIB+のうち1種又ri2種以上 で表わされ角屋比B r / Baが50チ以下である
直流磁気特性をもつことを特徴とする高周波トランスコ
ア材料。2 、特許請求の範囲第1項記載の本のにおいて゛50嗟以
上か非晶質状部からなることを特徴とする高周波トラン
スコア材料。 & 結晶化温度をTa”Qとする時r、v−so≦T≦
Ta。 なる温度r’oで焼鈍することを特徴とするBr/Be
≦50チなる直流磁気物性を有する高周波トランスコア
材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101834A JPS583203A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 高周波磁心材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101834A JPS583203A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 高周波磁心材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583203A true JPS583203A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14311109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101834A Pending JPS583203A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 高周波磁心材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583203A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285408A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Toshiba Corp | 電源ラインフイルタ用磁心 |
| JPH04131790U (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-04 | 愛知機械工業株式会社 | 車体底部の路面干渉検出装置 |
| US6053989A (en) * | 1997-02-27 | 2000-04-25 | Fmc Corporation | Amorphous and amorphous/microcrystalline metal alloys and methods for their production |
| KR101055242B1 (ko) | 2006-12-15 | 2011-08-08 | 알프스 그린 디바이스 가부시키가이샤 | Fe기 비정질 자성 합금 및 자기 시트 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56101834A patent/JPS583203A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285408A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Toshiba Corp | 電源ラインフイルタ用磁心 |
| JPH04131790U (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-04 | 愛知機械工業株式会社 | 車体底部の路面干渉検出装置 |
| US6053989A (en) * | 1997-02-27 | 2000-04-25 | Fmc Corporation | Amorphous and amorphous/microcrystalline metal alloys and methods for their production |
| KR101055242B1 (ko) | 2006-12-15 | 2011-08-08 | 알프스 그린 디바이스 가부시키가이샤 | Fe기 비정질 자성 합금 및 자기 시트 |
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