JPS583222A - イオンビ−ム堆積法 - Google Patents
イオンビ−ム堆積法Info
- Publication number
- JPS583222A JPS583222A JP56101118A JP10111881A JPS583222A JP S583222 A JPS583222 A JP S583222A JP 56101118 A JP56101118 A JP 56101118A JP 10111881 A JP10111881 A JP 10111881A JP S583222 A JPS583222 A JP S583222A
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- ion beam
- deposited
- beams
- ion
- energy
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発Ｉｊ１１ａ電子ビーム、レーザービーム郷のエネル
ギー線と併用してイオンビームのイオンを被堆積体上に
堆積させるイオンビーム堆積法Ｋ１１ｔゐ〇従来のイオ
ンビーム堆積法は、大量生量的で慶く、比較的小口径（
７，５ａｍφ以下）の被堆積体をイオンビームに対し相
対的に移動させクク、射央イオンの正電荷を中和させな
がら、ある特定の元素、又唸化金物の膜を被堆積体上に
堆積書せ石ものであった０このとき、良好な物履善性、
即ち、堆積体が結晶質の鳩舎に紘結晶欠陥密度が小さい
こと、又非結晶質の鳩舎には緻密であゐことなどの物運
譬性を有する堆積体を得るために必ｍｅ条件である堆積
時に被堆積体を加熱すること紘困難ではなかった。しか
し、大量生麿を目的として大口１１（１Ｇａｍφ以上）
の被堆積体を用いると亀、被堆積体に熱的歪を与えない
１ｌＫ一様な温度分布で、九とえは７００℃以上の高温
に加熱できて、しか奄実用上十分な耐久性を有し、さら
にイオン加速用電圧を被堆積体に印加するための電気的
接続が容品な被堆積体移動機構はＸＩＩＡらない。従っ
て、大口径の被堆積体の場合はある一定の十分ではない
温度で堆積をさせ九元素又は化合物の物塩４１１性を１
復する丸め、アエーに若しくは再融解・再凝固電層を堆
積後に施すＯこのと亀、被堆積体を一旦イオンビーム堆
ｌＩａ量から蹴出し良後、上記被堆積体を九と見ば電子
ビームアニール乃至メル訃処履装置内に入れて堆積１れ
た元素又状化金物のアニール乃至メルシを生じさせねば
ならなかつえ・従２て、堆積の丸めの装置とアニール乃
至メルトの丸めの装置とを別個に用意しなければならな
いｄか抄でなく、このこと鵜不純物の介入素地を与える
から上記両処鳳工糧の４ｋｋがクリーンなｌ１であって
も両処履工程を総合してみた場合にはクリーンなｌ１で
はなくなってしまう。ｔた、上記両工程は分離されてい
るから、電子ビームの有する正電荷を中和で龜るという
電気的性賀状全く活用されないｉ−にあるばかりでなく
、固体表面を活性化したヤ、堆積を促進させた抄する電
子ビーム特有の加熱以外の機能はイオンビームイオンの
堆積には何んら有効に作用されていない・また、エネル
ギー線として、レーず一ビームを用いる場合も同様で、
レーず一先の４つ加熱以外の機能紘利用されてい危い。
ギー線と併用してイオンビームのイオンを被堆積体上に
堆積させるイオンビーム堆積法Ｋ１１ｔゐ〇従来のイオ
ンビーム堆積法は、大量生量的で慶く、比較的小口径（
７，５ａｍφ以下）の被堆積体をイオンビームに対し相
対的に移動させクク、射央イオンの正電荷を中和させな
がら、ある特定の元素、又唸化金物の膜を被堆積体上に
堆積書せ石ものであった０このとき、良好な物履善性、
即ち、堆積体が結晶質の鳩舎に紘結晶欠陥密度が小さい
こと、又非結晶質の鳩舎には緻密であゐことなどの物運
譬性を有する堆積体を得るために必ｍｅ条件である堆積
時に被堆積体を加熱すること紘困難ではなかった。しか
し、大量生麿を目的として大口１１（１Ｇａｍφ以上）
の被堆積体を用いると亀、被堆積体に熱的歪を与えない
１ｌＫ一様な温度分布で、九とえは７００℃以上の高温
に加熱できて、しか奄実用上十分な耐久性を有し、さら
にイオン加速用電圧を被堆積体に印加するための電気的
接続が容品な被堆積体移動機構はＸＩＩＡらない。従っ
て、大口径の被堆積体の場合はある一定の十分ではない
温度で堆積をさせ九元素又は化合物の物塩４１１性を１
復する丸め、アエーに若しくは再融解・再凝固電層を堆
積後に施すＯこのと亀、被堆積体を一旦イオンビーム堆
ｌＩａ量から蹴出し良後、上記被堆積体を九と見ば電子
ビームアニール乃至メル訃処履装置内に入れて堆積１れ
た元素又状化金物のアニール乃至メルシを生じさせねば
ならなかつえ・従２て、堆積の丸めの装置とアニール乃
至メルトの丸めの装置とを別個に用意しなければならな
いｄか抄でなく、このこと鵜不純物の介入素地を与える
から上記両処鳳工糧の４ｋｋがクリーンなｌ１であって
も両処履工程を総合してみた場合にはクリーンなｌ１で
はなくなってしまう。ｔた、上記両工程は分離されてい
るから、電子ビームの有する正電荷を中和で龜るという
電気的性賀状全く活用されないｉ−にあるばかりでなく
、固体表面を活性化したヤ、堆積を促進させた抄する電
子ビーム特有の加熱以外の機能はイオンビームイオンの
堆積には何んら有効に作用されていない・また、エネル
ギー線として、レーず一ビームを用いる場合も同様で、
レーず一先の４つ加熱以外の機能紘利用されてい危い。
零発＠社上述のような従来装置の有する欠点に着層して
創案されたもので、その目的社、イオンビームイオンの
堆積にエネルギー線の４つ加熱以外の機能を有効に活用
させると共にその堆積を夕！−ン１に雰囲気中で生じさ
せ得る等の改良を図つ九イオンビーム堆積法を提供する
ことにある。
創案されたもので、その目的社、イオンビームイオンの
堆積にエネルギー線の４つ加熱以外の機能を有効に活用
させると共にその堆積を夕！−ン１に雰囲気中で生じさ
せ得る等の改良を図つ九イオンビーム堆積法を提供する
ことにある。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例を説−する
。
。
第１固状本発明方法を示す図で、単一テヤンパ−（図示
せず）内に置かれ九被堆積体ＩＫ対しイオンビーム２は
相対的に審動する。例えば、イオンビーム２が静止して
か）、被堆積体１が図面に調して矢印の如く左の方へ＄
動する。図中、ム“はイオン、ムは堆積物を示す。
せず）内に置かれ九被堆積体ＩＫ対しイオンビーム２は
相対的に審動する。例えば、イオンビーム２が静止して
か）、被堆積体１が図面に調して矢印の如く左の方へ＄
動する。図中、ム“はイオン、ムは堆積物を示す。
このイオンビームに対しエネルギーＩＩ（以下、電子ビ
ームについて述べる。）が予め決められた関係、鄭ちイ
オンビーム２の被堆積体１への照射位置に対し予め決め
られ九関係て電子ビーム３を照射する。
ームについて述べる。）が予め決められた関係、鄭ちイ
オンビーム２の被堆積体１への照射位置に対し予め決め
られ九関係て電子ビーム３を照射する。
この予め決められ大関係祉第２図０（２−１’）、（２
−４）、（２−３）Ｋ示すように、電子ビーム３がイオ
ンビーム２に先行して、同時に又は彼行して照射されゐ
関係である。このように照射される電子ビーム３社パル
ス形式で一１又連続形式でもよい。また、電子ビーム３
はイオンビーム２の照射面と重な）合うに足シる照射面
となる大きさを有するのがよい、これに加えて、電子ビ
ーム３のパワーは後述する堆積物のアニール、又社メル
トの効果を生ぜしめ得るに足シる値であることを要する
。なお、イオンビーム２の静電的ポテンシャルを静電界
の影響ｉ受叶易い電子ビーム３に作用せしめ得なくする
ことを要する場合Ｋａ、電子ビーム３を所定の照射Ｗｔ
で確実にドリフトさせるためのドリフト管４が電子ビー
ム３に対して配置される。
−４）、（２−３）Ｋ示すように、電子ビーム３がイオ
ンビーム２に先行して、同時に又は彼行して照射されゐ
関係である。このように照射される電子ビーム３社パル
ス形式で一１又連続形式でもよい。また、電子ビーム３
はイオンビーム２の照射面と重な）合うに足シる照射面
となる大きさを有するのがよい、これに加えて、電子ビ
ーム３のパワーは後述する堆積物のアニール、又社メル
トの効果を生ぜしめ得るに足シる値であることを要する
。なお、イオンビーム２の静電的ポテンシャルを静電界
の影響ｉ受叶易い電子ビーム３に作用せしめ得なくする
ことを要する場合Ｋａ、電子ビーム３を所定の照射Ｗｔ
で確実にドリフトさせるためのドリフト管４が電子ビー
ム３に対して配置される。
上述のような電子ビーム３が照射されると、イオンビー
ム２のイオンが堆積して′ｔ＃威される堆積層Ｓは単に
アニール又はメルトされるばかシでなく、堆積層５が活
性化されて堆積が促進され、結晶性の良好表堆積層が得
られる外、被堆積体１が絶−材であっても電荷の蓄積（
チャージアップ）がなく、絶縁性被堆積体ｌ上に首尾よ
く堆積層５を形成することが出来る。
ム２のイオンが堆積して′ｔ＃威される堆積層Ｓは単に
アニール又はメルトされるばかシでなく、堆積層５が活
性化されて堆積が促進され、結晶性の良好表堆積層が得
られる外、被堆積体１が絶−材であっても電荷の蓄積（
チャージアップ）がなく、絶縁性被堆積体ｌ上に首尾よ
く堆積層５を形成することが出来る。
また、上記の堆積は単一チャンパー内で施行されるから
、堆積からアニール又はメルトＫＩｊＡｔでめｌ１はク
リーンな雰囲気の中で行ないうる。
、堆積からアニール又はメルトＫＩｊＡｔでめｌ１はク
リーンな雰囲気の中で行ないうる。
従って、不純物の介入がら惹起される不具合は全く生じ
ない。
ない。
更に、本発明方法によれば、亭導体ウェハの局部的な任
意の位置に結晶成長を生じさせ得ぷ。このような局部的
な処理であシ、そこにたとえ歪が生じたとしても歪雪域
が微小である九め周８に悪影響を及ぼすことなく、回復
し得るから、被堆積体１、例えばウェハに与える歪は小
さい。
意の位置に結晶成長を生じさせ得ぷ。このような局部的
な処理であシ、そこにたとえ歪が生じたとしても歪雪域
が微小である九め周８に悪影響を及ぼすことなく、回復
し得るから、被堆積体１、例えばウェハに与える歪は小
さい。
また、イオンビーム、電子ビームそれぞれの電流・電圧
値中熱点位置を正確に制御できるので上述のような作用
効果も制御性よく遂行し得る。このような制御性の良さ
から、電子ビーム３のスポット七一定の大きさでなく、
大きさを変えてイオンビーム２の照射面をカバーする割
合を変化させることも出来る。
値中熱点位置を正確に制御できるので上述のような作用
効果も制御性よく遂行し得る。このような制御性の良さ
から、電子ビーム３のスポット七一定の大きさでなく、
大きさを変えてイオンビーム２の照射面をカバーする割
合を変化させることも出来る。
第３図の（３−１）、（３−２）は本発明の方法によ、
１ｊ）８０Ｉ構造体を製造する場合の具体的例示であシ
、第３図の（３−１）は、第１図に示す被堆積体１をｓ
ｉｏ□層６とする場合であり、Ｉ！１１０．層６の下に
８１層７があってとの５ｔａ７社ｓｔｏ、４６に形成さ
れた黴＠＄８にイオンビーム９及び電子ビーム３が照射
されて８１層７の露出部から８１堆積層１０が成長形成
されていく場合の例示である。１１はドリフト管である
。第３図の（３−２）は、第１図に示す被堆積体１ｔサ
ファイア層１２とする、第３図の（３−１）と同様の例
を示す。
１ｊ）８０Ｉ構造体を製造する場合の具体的例示であシ
、第３図の（３−１）は、第１図に示す被堆積体１をｓ
ｉｏ□層６とする場合であり、Ｉ！１１０．層６の下に
８１層７があってとの５ｔａ７社ｓｔｏ、４６に形成さ
れた黴＠＄８にイオンビーム９及び電子ビーム３が照射
されて８１層７の露出部から８１堆積層１０が成長形成
されていく場合の例示である。１１はドリフト管である
。第３図の（３−２）は、第１図に示す被堆積体１ｔサ
ファイア層１２とする、第３図の（３−１）と同様の例
を示す。
また、被堆積体１０例としては、 ８１．Ｇ・、Ｇａ。
Ａｓ、ムｔ、ｐｏ他、混晶ム４０ｓ −５１０ｔ ａ
”ｓＮ＊が＃）シ、他方堆積層の例としては、８１．Ｇ
＠、Ｇａ、ムＳの他、混晶ＡＬｚ０５ ＋ １１％０２
ｍ ８１５Ｎ＄ １ムｚ４ｓ、Ｇａｐがある。
”ｓＮ＊が＃）シ、他方堆積層の例としては、８１．Ｇ
＠、Ｇａ、ムＳの他、混晶ＡＬｚ０５ ＋ １１％０２
ｍ ８１５Ｎ＄ １ムｚ４ｓ、Ｇａｐがある。
以上要するに１本発ＩＮＫよれば次のような効果が得ら
れる。
れる。
■ 堆積の活性化にエネルギー線の活用が図られている
？、特に、エネルギー線を電子ビームとする場合には、
イオンビームの堆積ＯＩＩ蓄積されゐ電荷を電子ビーム
によって中和することが出来、円滑な堆積が行えるばか
シでなく、絶縁物上への堆積を容易になしうる。
？、特に、エネルギー線を電子ビームとする場合には、
イオンビームの堆積ＯＩＩ蓄積されゐ電荷を電子ビーム
によって中和することが出来、円滑な堆積が行えるばか
シでなく、絶縁物上への堆積を容易になしうる。
■ 上記活性化によシ結晶性の＆い堆積層を形成し得る
。
。
■ このような堆積からアニールＸ線メルトに至るまで
の工程をクリーンな雰囲気の中で施行しうる。従って、
不純物の介入する余地はない。
の工程をクリーンな雰囲気の中で施行しうる。従って、
不純物の介入する余地はない。
■ 普堆積体ｏｊ６’ｓ的な任意の位ｍ！に結晶成長さ
せ得る。このよう１ｋｊｉｌＥｉｋＯＩ１局部的に歪が
生じてもただちｒＩ！１ｍｓれるから、被堆積体例えば
ウェハに与える歪は小さい。
せ得る。このよう１ｋｊｉｌＥｉｋＯＩ１局部的に歪が
生じてもただちｒＩ！１ｍｓれるから、被堆積体例えば
ウェハに与える歪は小さい。
■ アニール、メル）の加熱機構のａｔ化が容易である
等である。
等である。
４１１面の簡単ｅｌｌ明
第１図は本発明方法を説明するための図、第２図の（２
−１）、（２−２）、（２−３）はイオンビームスポツ
シと電子ビームスポットとの位置関係を示す図、第３１
Ｉｌの（３−１）、（３−２）はいづれ４１０Ｉ＠ＩＩ
に本発明方法を適用した場合０１２明図である。
−１）、（２−２）、（２−３）はイオンビームスポツ
シと電子ビームスポットとの位置関係を示す図、第３１
Ｉｌの（３−１）、（３−２）はいづれ４１０Ｉ＠ＩＩ
に本発明方法を適用した場合０１２明図である。
図中、１は被堆積体、２はイオンビーム、３は電子ビー
ムである。
ムである。
特許出願人 富士通株式会社
第１図
第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）単一のチャンパル内に置かれる被堆積体と相対的に
移動するイオンビームが照射される上記被堆積体上の照
射位置に対し予め決められ九位置関係で電子ビー為、レ
ーず一ビー五等のエネルギー線を上記禎堆積体上ＫＮ射
しつ〜上記イオンビーム□のイオンを上記被堆積体上に
堆積さぜることを潰徴とするイオンビーム堆積法０２）
被堆積体上でのイオンビームとエネルギー線する特許請
求の範囲第１項記載のイオンビーム堆積法。 ３）被堆積体上でのイオンビームの照射位置がエネルギ
ー線の照射位置より先行するようになっていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム堆積
法。 ４）被堆積体上でのイオンビームの照射位置がエネルギ
ー線の照射位置よ勲後行するよう帆なっているヒとを特
徴とする特徴請求の範囲第１項記載のイオンビーム堆積
法０ ５）イオンビームで照射される領域を、エネルギー線で
照射される領域が含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のイオンビーム堆積法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101118A JPS583222A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | イオンビ−ム堆積法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101118A JPS583222A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | イオンビ−ム堆積法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583222A true JPS583222A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14292155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101118A Pending JPS583222A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | イオンビ−ム堆積法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634541B1 (ko) | 2005-04-13 | 2006-10-13 | 삼성전자주식회사 | 다결정 실리콘 제조방법 |
| JP2012506143A (ja) * | 2008-10-15 | 2012-03-08 | インフォビオン カンパニー リミテッド | エネルギービームの照射を利用したシリコーン薄膜の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4880274A (ja) * | 1972-01-31 | 1973-10-27 | ||
| JPS5063883A (ja) * | 1973-10-08 | 1975-05-30 | ||
| JPS54971A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Nec Corp | Growing method of ion beam crystal |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56101118A patent/JPS583222A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4880274A (ja) * | 1972-01-31 | 1973-10-27 | ||
| JPS5063883A (ja) * | 1973-10-08 | 1975-05-30 | ||
| JPS54971A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Nec Corp | Growing method of ion beam crystal |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634541B1 (ko) | 2005-04-13 | 2006-10-13 | 삼성전자주식회사 | 다결정 실리콘 제조방법 |
| JP2012506143A (ja) * | 2008-10-15 | 2012-03-08 | インフォビオン カンパニー リミテッド | エネルギービームの照射を利用したシリコーン薄膜の製造方法 |
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