JPS5832409A - 単結晶Ｓｉ膜育成装置 - Google Patents

単結晶Ｓｉ膜育成装置

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Publication number
JPS5832409A
JPS5832409A JP56131061A JP13106181A JPS5832409A JP S5832409 A JPS5832409 A JP S5832409A JP 56131061 A JP56131061 A JP 56131061A JP 13106181 A JP13106181 A JP 13106181A JP S5832409 A JPS5832409 A JP S5832409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
single crystal
wafer
polycrystalline
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP56131061A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP56131061A priority Critical patent/JPS5832409A/ja
Publication of JPS5832409A publication Critical patent/JPS5832409A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H—ELECTRICITY
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    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
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    • H10P14/382—Scanning of a beam

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は単結晶８１１１Ｆ育成装置に関する。
単結晶８１＠の育成装置としては、単結晶Ｓｉミラニー
へ板を１２００℃租度に抵抗加熱ヒーター又は赤外線ラ
ンプで加熱し、前記加熱８１基板嵌面Ｋ。
８１Ｈａｔｓ岬のシランガスで晒すことによシ、熱分解
によりＢ１が８１基板表面へ単結晶Ｓ１＠として育成す
る、いわゆるエピタキシャル装置が従来用いられていた
。
しかし、従来のエピタキシャル装置による単結晶５ｉｌ
ｌ育成では、８１基板裏面からの不純物が化学的に再ガ
ス化し、表面育成単結晶Ｓ１膜中にと抄込まれる。いわ
ゆる・、オート・ドーピング現象が避けられなかった。
本発明はかかる従来のエピタキシャル装置の欠点を改良
し、オート・ドーピングのない単結晶Ｂ１膜を育成する
装置を提供する事を目的とする。
上記目的を達成するための本発明σ）基本的な構成は、
単結晶８１ウエーノ・基板を８００℃以上１４００℃和
度迄の阻の融点以下に加熱、制御するヒーターおよび温
度調節器を具備し、月つ前記加熱されたＢ１ウェーハ基
板表面に形成されている８１＠ｆ１４００℃以上の８１
の融点以上に瞬時加熱し、融解するための光ランプ（Ｘ
θランプ、Ｈｇランプ、）−ロゲンランプ等）を具備す
る事を特徴とする特以下、１１施例を用いて本発明を具
体的ＫＭ明する・ 館１図は本発明の一実施例を示す単結晶Ｓｉ膜育威装ｗ
ｖ立体図である。
１は衰面Ｋ（１５声厚の多結晶８１を０ＶＩＩ法で形成
した単結晶Ｂ１ウェーハ試料、２けヒート・プロッタ３
及びサーモ・カップル４によシ８００℃以上１４００℃
以下の一定温度に加熱および温度制御されたウェーハ支
持台、５Ｆ１２ｋｎ　　のアーク状Ｘθランプで島抄、
モーター６を駆動源七して７に示した矢印方向に移動さ
れる。
この様Ｋ１１１ｍされた単結晶Ｂ１１１ｌ育成装置では
、８１基板１１面ＫＦｉ予め多結晶８１８１が家長され
、その多結晶ＢＩＭのみを瞬時（数秒）　１４００℃以
上での融解とその後の冷却によ〉単結晶Ｂ１１１を育成
するため冷却時の８１１１面を基板との温度差が少ない
為、欠陥が少なくかつ基板Ｂ１からのオートΦドーピン
グが雰囲気中あるいは基板を通して単結晶８１膜迄侵入
する余裕がなく、オー１ト・ドーピングのないすぐれた
単結晶Ｐ１Ｗが育成で診るという効果
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す図である。 １・・・・・・８１ウエーハ ２・・・・・・支持台 ３・・・・拳・ヒーター ４・・・・・・サーモ・カップル ５・・・・・・ランプ ６・・・ｅＴ・モーター ７・・・・・・ランプ駆動方向 以　　上 出願人　株式会社　諏訪精工舎 代理人　弁理士　最上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 単結晶８１ウエー八基板を８００℃以上１４００℃稈度
    迄の８１の融点以下に加熱、制御するヒーターおよび温
    度調節器を具備し、且つ前記加熱された。８１ウ工−八
    基板表ｆｌＡＫ形成されているＢ１膜を１４００℃以上
    の８１の融点以上に瞬時加熱し、融解するための光ラン
    プ（！ｅランプ、Ｈｇランプ、ハロゲンランプ等）を具
    備せる事を特徴とする単結晶ｓｉ＠育成育成装
JP56131061A 1981-08-20 1981-08-20 単結晶Ｓｉ膜育成装置 Pending JPS5832409A (ja)

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JP56131061A JPS5832409A (ja) 1981-08-20 1981-08-20 単結晶Ｓｉ膜育成装置

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JP (1) JPS5832409A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61129834A (ja) * 1984-11-28 1986-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光照射型熱処理装置
JPS62112319A (ja) * 1985-09-06 1987-05-23 フィリップス　エレクトロニクス　ネムローゼ　フェンノートシャップ 半導体デバイスの製造法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61129834A (ja) * 1984-11-28 1986-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光照射型熱処理装置
JPS62112319A (ja) * 1985-09-06 1987-05-23 フィリップス　エレクトロニクス　ネムローゼ　フェンノートシャップ 半導体デバイスの製造法

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