JPS583254A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS583254A JPS583254A JP56101785A JP10178581A JPS583254A JP S583254 A JPS583254 A JP S583254A JP 56101785 A JP56101785 A JP 56101785A JP 10178581 A JP10178581 A JP 10178581A JP S583254 A JPS583254 A JP S583254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- semiconductor substrate
- metallic wire
- pattern
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細な金属配線パターンを形成するのに好適な
半導体装置の構造に関するものである。
半導体装置の構造に関するものである。
従来の半導体装置における微細な金属配線パターンの形
成される下地の断面はフラットであった。
成される下地の断面はフラットであった。
このため、金属配線パターンの線巾が微細になるにつれ
て、特にフォトエツチング工程においてフォトレジスト
が十分に解像できなくなり、隣接するパターンのフォト
レジスト間に７オトレジストのつながりが生じ、エツチ
ング後には金属配線パターンのシ肩−トという問題が生
じていた。また、上記を防止するために従来はパターン
間寸法を大きくしていた。
て、特にフォトエツチング工程においてフォトレジスト
が十分に解像できなくなり、隣接するパターンのフォト
レジスト間に７オトレジストのつながりが生じ、エツチ
ング後には金属配線パターンのシ肩−トという問題が生
じていた。また、上記を防止するために従来はパターン
間寸法を大きくしていた。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は微細
な金属配線パターンを精度よく、さらに品質よく形成す
ることに好適な半導体装置の構造を提供することである
。
な金属配線パターンを精度よく、さらに品質よく形成す
ることに好適な半導体装置の構造を提供することである
。
・・′１゜
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例Ｉである。１は本発明による所
の凹凸状の断面を有す半導体基板下地。
の凹凸状の断面を有す半導体基板下地。
２は金属配線パターンである。
このような構造をとれば、隣接する金属配線パターン間
において、特にフォトレジストパターン形成を行なう工
程においてフォトレジストのつながりが生じない。これ
は、半導体基板下地断面がフラットな時と比べ露光光線
が金属配線パターン側に反射してフォトレジストパター
ンが太ることを防止するためであり、現像時においては
現像液によるフォトレジストのｌｌｌｌ１１による隣接
する金属配線パターン間の７オトレジストのつながりを
防止する。また、エツチング工程における金属配線膜の
サイドエツチング量は凹状溝部の方が凸状鞍部に比べ小
さいためにエツチング精度は正確に制御できるためであ
る。
において、特にフォトレジストパターン形成を行なう工
程においてフォトレジストのつながりが生じない。これ
は、半導体基板下地断面がフラットな時と比べ露光光線
が金属配線パターン側に反射してフォトレジストパター
ンが太ることを防止するためであり、現像時においては
現像液によるフォトレジストのｌｌｌｌ１１による隣接
する金属配線パターン間の７オトレジストのつながりを
防止する。また、エツチング工程における金属配線膜の
サイドエツチング量は凹状溝部の方が凸状鞍部に比べ小
さいためにエツチング精度は正確に制御できるためであ
る。
このように本発明は、微細な金属配線パターンを隣接す
る金属配線パターンとシ曹−卜することなく精度よく形
成することができる等のすぐれた効果を有するものであ
る。また、本発明は実施例Ｉのみならず実施例■および
璽においても同様の効果を有するものである。さらに本
発明の効果は金属配線パターンの線巾が金属配線パター
ン間のすき間の寸法に比べ大なる程効果を生ずるもので
ある０以上のように本発明は半導体基板上に微細な金属
配線パターンを形成するときに適用できる。
る金属配線パターンとシ曹−卜することなく精度よく形
成することができる等のすぐれた効果を有するものであ
る。また、本発明は実施例Ｉのみならず実施例■および
璽においても同様の効果を有するものである。さらに本
発明の効果は金属配線パターンの線巾が金属配線パター
ン間のすき間の寸法に比べ大なる程効果を生ずるもので
ある０以上のように本発明は半導体基板上に微細な金属
配線パターンを形成するときに適用できる。
特に隣接する金属配線パターン間寸法が微細で金属配線
パターン線巾が大なる時により有効に適用できるもので
ある。
パターン線巾が大なる時により有効に適用できるもので
ある。
また、この方法によれば、半導体基板上の断面形状をわ
ずかに変えるだけで金属配線を精度よく形成できるので
、隣接する金属配線パターン間寸法を小さくすることが
できるものである。
ずかに変えるだけで金属配線を精度よく形成できるので
、隣接する金属配線パターン間寸法を小さくすることが
できるものである。
図面はいずれも本発明の実施例である。
第１図は実施例■の断面図、第２図は実施例Ｉの断面図
、第３図は実施例■の断面図である。 １・・・・・・酸化物膜 ２・・・・・・金属配線膜（パターン）３・・・・・・
酸化物膜 ４・・・・・・半導体基板５・・・・・
・金属配線ＷＩ（パターン）６・・・・・・第２層酸化
物膜 ７・・・・・・第１層酸化物膜 ８・・・・・・金属配線膜（パターン）以上 出願人 株式金社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
、第３図は実施例■の断面図である。 １・・・・・・酸化物膜 ２・・・・・・金属配線膜（パターン）３・・・・・・
酸化物膜 ４・・・・・・半導体基板５・・・・・
・金属配線ＷＩ（パターン）６・・・・・・第２層酸化
物膜 ７・・・・・・第１層酸化物膜 ８・・・・・・金属配線膜（パターン）以上 出願人 株式金社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 半導体基板上に微細な金属配線パターンを形成する部分
の下地の断面が凹凸形状を有し、特に凹状溝部に金属配
線パターンを形成することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101785A JPS583254A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101785A JPS583254A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583254A true JPS583254A (ja) | 1983-01-10 |
Family
ID=14309830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101785A Pending JPS583254A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583254A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269533A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495283A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-01-17 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56101785A patent/JPS583254A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495283A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-01-17 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269533A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH031522A (ja) | レジストパターン形成法 | |
| US4690880A (en) | Pattern forming method | |
| JPS583254A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6211068B2 (ja) | ||
| US4612274A (en) | Electron beam/optical hybrid lithographic resist process in acoustic wave devices | |
| JPH0795543B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPH0548928B2 (ja) | ||
| JPS60101931A (ja) | 微細パタ−ン形成法 | |
| JPS62194628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100265989B1 (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 패턴 형성방법 | |
| JPH08248618A (ja) | レチクル | |
| JPS6240862B2 (ja) | ||
| JPS5824020B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR20020046489A (ko) | 이중노광에 의한 미세패턴 제조방법 | |
| KR100329605B1 (ko) | 반도체소자의금속배선제조방법 | |
| KR0174992B1 (ko) | 반도체용 레티클 제작방법 및 버니어-키 제작방법 | |
| US20200395239A1 (en) | Line structure for fan-out circuit and manufacturing method thereof, and photomask pattern for fan-out circuit | |
| JPS58197849A (ja) | 電極配線の形成方法 | |
| JPS58166347A (ja) | ホトマスク | |
| JPH07211849A (ja) | リードフレーム | |
| JPH01126651A (ja) | フォトマスク | |
| JPH04354153A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS60231331A (ja) | リフトオフ・パタ−ンの形成方法 | |
| JPS61288426A (ja) | アルミニウム膜のテ−パエツチング方法 | |
| JPH04180661A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 |