JPS5834931A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5834931A JPS5834931A JP56133479A JP13347981A JPS5834931A JP S5834931 A JPS5834931 A JP S5834931A JP 56133479 A JP56133479 A JP 56133479A JP 13347981 A JP13347981 A JP 13347981A JP S5834931 A JPS5834931 A JP S5834931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support substrate
- element substrate
- bonded
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は支持基板に素子基板が取り付けられている半
導体装置番こ関する。
導体装置番こ関する。
第１図囚）、知に従来の支持基板に対する素子基板の取
り付は方法を示す。なお、第１図（Ａ）はその平面図で
あり、同図（Ｂ）は同図（Ａｌのｘ−ｘ’における断面
図である。図中、１は支持基板を示している。この支持
基板１には接合部材２を介して素子基板３が接合されて
いる。このとき、素子基板３．接合部材２．支持基板１
それぞれの素材の線膨張係数、ヤング率等がそれぞれ異
なるために素子基板３には、接合温度と冥使用温度との
差により歪が生じる。この素子基板３に生じる歪は、素
子基板３．接合部材２．支持基板１の素材の線膨張係数
の差が小さい程小さい事は明らかである。
り付は方法を示す。なお、第１図（Ａ）はその平面図で
あり、同図（Ｂ）は同図（Ａｌのｘ−ｘ’における断面
図である。図中、１は支持基板を示している。この支持
基板１には接合部材２を介して素子基板３が接合されて
いる。このとき、素子基板３．接合部材２．支持基板１
それぞれの素材の線膨張係数、ヤング率等がそれぞれ異
なるために素子基板３には、接合温度と冥使用温度との
差により歪が生じる。この素子基板３に生じる歪は、素
子基板３．接合部材２．支持基板１の素材の線膨張係数
の差が小さい程小さい事は明らかである。
したがって、従来より上記の事を考慮して、支持基板１
の素材として線膨張係数が素子基板３に近い４２アロイ
、コバール等が用いられてきた。しかしながら、これら
の材料は熱伝導率が小さく、素子基板３が取り付けられ
た支持基板１を樹脂封止した場合には、熱抵抗が大きく
なってしまう。そこで、熱抵抗を小さくするために、熱
伝導率の大きい銅系の素材を用いることが考えられるが
、銅系の素材は線膨張係数が大き（、Ｎため、素子基板
内に生じる歪が大きくなり、最悪の場合には素子基板に
割れが生じてしまう。
の素材として線膨張係数が素子基板３に近い４２アロイ
、コバール等が用いられてきた。しかしながら、これら
の材料は熱伝導率が小さく、素子基板３が取り付けられ
た支持基板１を樹脂封止した場合には、熱抵抗が大きく
なってしまう。そこで、熱抵抗を小さくするために、熱
伝導率の大きい銅系の素材を用いることが考えられるが
、銅系の素材は線膨張係数が大き（、Ｎため、素子基板
内に生じる歪が大きくなり、最悪の場合には素子基板に
割れが生じてしまう。
第１表に各種素材の諸性質および樹脂封止した場合の熱
抵抗の一例を示す。
抵抗の一例を示す。
第 １ 表
たとえば、４２アロイを素材とした支持基板１ａを用い
た場合、素子基板３との間に生じる変形が、第２図（Ａ
）に示す程度であるとすると、銅系素材の支持基板１ｂ
を用いた場合の素子基板３との間に生じる変形は、第２
図体）に示すようになる。すなわち、銅系素材の支持基
板１を用いた場合の方がより大きな変形を生じる。なお
、素子基板３には線膨張差による収縮とバイメタル効果
による反りが生じる。
た場合、素子基板３との間に生じる変形が、第２図（Ａ
）に示す程度であるとすると、銅系素材の支持基板１ｂ
を用いた場合の素子基板３との間に生じる変形は、第２
図体）に示すようになる。すなわち、銅系素材の支持基
板１を用いた場合の方がより大きな変形を生じる。なお
、素子基板３には線膨張差による収縮とバイメタル効果
による反りが生じる。
第２表は、３ｍＩａの素子基板を４２アロイあるいは燐
脱酸鋼を素材とした支持基板に、各徨接着材料を用いて
接着した時に、素子基板表面に生じる応力の大きさを示
している。なお、この表において、＋は引張応力を示し
、−は圧縮応力を示している。
脱酸鋼を素材とした支持基板に、各徨接着材料を用いて
接着した時に、素子基板表面に生じる応力の大きさを示
している。なお、この表において、＋は引張応力を示し
、−は圧縮応力を示している。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
素子基板を支持基板に取り付けたときの素子基板に生じ
る歪を緩和することができる半導体装置を提供すること
を目的とする。
素子基板を支持基板に取り付けたときの素子基板に生じ
る歪を緩和することができる半導体装置を提供すること
を目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。第３
図はこの発明の一実施例の支持基板の平面図である。す
なわち、長方形状の銅系材料からなる支持基板１１には
、その１辺に平行な複数の切り込み１１ａ、１１ｂ、・
・・、１１ｄが形成されている。このように形成された
支持基板１ノ上に、接合部材（接着材料）を介して図示
せぬ素子基板が接合される。このとき、素子基板の下面
に上記切り込み１１ａ、１１ｂ・・・。
図はこの発明の一実施例の支持基板の平面図である。す
なわち、長方形状の銅系材料からなる支持基板１１には
、その１辺に平行な複数の切り込み１１ａ、１１ｂ、・
・・、１１ｄが形成されている。このように形成された
支持基板１ノ上に、接合部材（接着材料）を介して図示
せぬ素子基板が接合される。このとき、素子基板の下面
に上記切り込み１１ａ、１１ｂ・・・。
１１ｄの一部あるいは全部が位置するようにすることが
肝要である。そして、例えばこのように支持基板１１に
取り付けられた素子基板の複数の電極と図示せぬ各イン
ナーリードとをワイヤ接続したリードフレームの樹脂封
止を行なう。
肝要である。そして、例えばこのように支持基板１１に
取り付けられた素子基板の複数の電極と図示せぬ各イン
ナーリードとをワイヤ接続したリードフレームの樹脂封
止を行なう。
したがって、このような半導体装置では、支持基板１１
の強度が低下しているため、接合される素子基板に対す
る支持基板１１の影響は極めて小さくなる。特に、バイ
メタル効果がさくなるために、接合された素子基板の反
りが小さくなり、極めて安定した特性を出すことができ
る。また、支持基板の素材として銅系の材料を用いてい
るため、熱抵抗を低下させることができる。
の強度が低下しているため、接合される素子基板に対す
る支持基板１１の影響は極めて小さくなる。特に、バイ
メタル効果がさくなるために、接合された素子基板の反
りが小さくなり、極めて安定した特性を出すことができ
る。また、支持基板の素材として銅系の材料を用いてい
るため、熱抵抗を低下させることができる。
第４図はこの発明の他の実施例の支持基板の平（２）図
である。すなわち、長方形状の銅系材料からなる支持基
板１２には、図示されるようなうずまき状の切り込み１
２Ｂが形成されている。
である。すなわち、長方形状の銅系材料からなる支持基
板１２には、図示されるようなうずまき状の切り込み１
２Ｂが形成されている。
そして、前記実施例と同様に、この支持基板１２上に接
合部材を弁して素子基板が接合される。この場合にも、
前記実施例と同様な効果を得ることができる。
合部材を弁して素子基板が接合される。この場合にも、
前記実施例と同様な効果を得ることができる。
なお、上記実施例では支持基板の素材として銅系の材料
を用いるようにしたが、４２アロイ。
を用いるようにしたが、４２アロイ。
コバール等の材料を用いてもよいものである。
以上述べたようにこの発明によれば、素子基板を支持基
板に取り付けたときの素子基板に生じる歪を緩和させる
ことができる半導体装置を提供することができる。
板に取り付けたときの素子基板に生じる歪を緩和させる
ことができる半導体装置を提供することができる。
第１図＜ＡＩは従来の半導体装置の平面図、第１図（Ｂ
ｌは第１図（Ａ）におけるｘ−ｘ’における断面図、第
２図（Ａ） 、 （Ｂ）はそれぞれ支持基板に異なった
材料を用いた場合の変形を示す図、第３図はこの発明の
一実施例における支持基板の平面図、第４図はこの発明
の他の実施例の支持基板の平面図である。 １・・・支持基板、２・・・接合部材、３・・・素子基
板、１１．１２−・・支持基板、ｌｌａ〜ｌｌｄ、１２
ａ・・・切り込み。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 章節１図 （Ａ） （Ｂ） 第２図 （Ａ） （Ｂ）
ｌは第１図（Ａ）におけるｘ−ｘ’における断面図、第
２図（Ａ） 、 （Ｂ）はそれぞれ支持基板に異なった
材料を用いた場合の変形を示す図、第３図はこの発明の
一実施例における支持基板の平面図、第４図はこの発明
の他の実施例の支持基板の平面図である。 １・・・支持基板、２・・・接合部材、３・・・素子基
板、１１．１２−・・支持基板、ｌｌａ〜ｌｌｄ、１２
ａ・・・切り込み。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 章節１図 （Ａ） （Ｂ） 第２図 （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- 素子基板と、この素子基板が接着される面にまで切り込
みが形成された支持基板とを具備したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133479A JPS5834931A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133479A JPS5834931A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834931A true JPS5834931A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15105734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133479A Pending JPS5834931A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56133479A patent/JPS5834931A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
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