JPS5834950A - 硝子封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
硝子封止半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5834950A JPS5834950A JP56133506A JP13350681A JPS5834950A JP S5834950 A JPS5834950 A JP S5834950A JP 56133506 A JP56133506 A JP 56133506A JP 13350681 A JP13350681 A JP 13350681A JP S5834950 A JPS5834950 A JP S5834950A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- inner lead
- semiconductor device
- top end
- sealed semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は硝子封止半導体装置の製造方法にかがり一特
に多数リードを有する硝子封止半導体装置の製造方法に
関するものである。
に多数リードを有する硝子封止半導体装置の製造方法に
関するものである。
従来、硝子゛封止半導体装置の製造方法は第１図から第
４図に示す様に、絶縁基板ＩＫ硝子材料２を形成した上
に、外枠イで保持されたＩＣ用リードフレーム４を圧着
する。その後半導体素子５ｔキヤビイテイ部３に固着し
、金属細線６でインナリード４′との間を配ＭＡ１てい
る０更に絶縁蓋部７の硝子材料２にて気密封止して硝子
封止半導体装置を製造している。すなわち、多数リード
を有するＩＣ用リードフレームの各々のインナリード先
端の位置精ＩＩＬＦｉＩＣ用替−ドフレームの外枠によ
って保持しているため、１０用リードフレームのプレス
加工及び圧着する工程でインナリード先端の位置精度が
バラバラになったり平担性が悪くなったジすることが多
く発生していた。
４図に示す様に、絶縁基板ＩＫ硝子材料２を形成した上
に、外枠イで保持されたＩＣ用リードフレーム４を圧着
する。その後半導体素子５ｔキヤビイテイ部３に固着し
、金属細線６でインナリード４′との間を配ＭＡ１てい
る０更に絶縁蓋部７の硝子材料２にて気密封止して硝子
封止半導体装置を製造している。すなわち、多数リード
を有するＩＣ用リードフレームの各々のインナリード先
端の位置精ＩＩＬＦｉＩＣ用替−ドフレームの外枠によ
って保持しているため、１０用リードフレームのプレス
加工及び圧着する工程でインナリード先端の位置精度が
バラバラになったり平担性が悪くなったジすることが多
く発生していた。
その丸めに、金属細線による配線工程に対して品質よく
安定に行なうことが出来ないため自動化するが出来ず量
産性がなく安価に硝子封止半導体装置を提供することが
出来なかった０ 本発明の目的は上述した従来の硝子封止半導体装置の製
造方法を改良し量産性の優れた安価な硝子封止半導体装
置の製造方法を提供するものである０ すなわち本発明の特徴はインナリード先端部と該インナ
ーリード先端近傍にて囲まれる打抜き小片とを打抜き前
の状態に戻し組合わせたＩＣ用リードフレームを用いた
硝子封止半導体装置の製造方法であって、絶縁基板に硝
子材料を形成する工程と、インナリード先端部と該イン
ナーリード先端近傍にて囲まれる打抜き小片とを打抜き
前の状態に戻し組合わせたＩＣ用リードフレームを該硝
子材料に圧着する工程と、該小片ヲ取りはずす工程と、
該絶縁基板のキャビィティ部に半導体素子を固着し、イ
ンナーリード先端と該半導体素子との間を金属＃ｉｆｌ
線にて配線したのち絶縁蓋部の硝子材料で封止する工程
と金含む硝子封止半導体装置の製造方法にある０ 又１本発明は該ＩＣ用リードフレームを該硝子材料に圧
着する前に該半導体素子を固着すること全特徴とする前
記した硝子封止半導体装置の製造方法にある。
安定に行なうことが出来ないため自動化するが出来ず量
産性がなく安価に硝子封止半導体装置を提供することが
出来なかった０ 本発明の目的は上述した従来の硝子封止半導体装置の製
造方法を改良し量産性の優れた安価な硝子封止半導体装
置の製造方法を提供するものである０ すなわち本発明の特徴はインナリード先端部と該インナ
ーリード先端近傍にて囲まれる打抜き小片とを打抜き前
の状態に戻し組合わせたＩＣ用リードフレームを用いた
硝子封止半導体装置の製造方法であって、絶縁基板に硝
子材料を形成する工程と、インナリード先端部と該イン
ナーリード先端近傍にて囲まれる打抜き小片とを打抜き
前の状態に戻し組合わせたＩＣ用リードフレームを該硝
子材料に圧着する工程と、該小片ヲ取りはずす工程と、
該絶縁基板のキャビィティ部に半導体素子を固着し、イ
ンナーリード先端と該半導体素子との間を金属＃ｉｆｌ
線にて配線したのち絶縁蓋部の硝子材料で封止する工程
と金含む硝子封止半導体装置の製造方法にある０ 又１本発明は該ＩＣ用リードフレームを該硝子材料に圧
着する前に該半導体素子を固着すること全特徴とする前
記した硝子封止半導体装置の製造方法にある。
すなわち１本発明の硝子封止半導体装置の製造方法は第
６図、第７図に示す様に外枠１４′でＩＣ用リードフレ
ーム１４が保持された上にインナリード先端１４“が小
片１８によって固定されたＩｃ用リードフレーム１４を
用いた硝子封止半導体装置の製造方法である。
６図、第７図に示す様に外枠１４′でＩＣ用リードフレ
ーム１４が保持された上にインナリード先端１４“が小
片１８によって固定されたＩｃ用リードフレーム１４を
用いた硝子封止半導体装置の製造方法である。
次に第５図〜第１０図を参照して本発明の硝子封止半導
体装置の製造方法を説明する。第５図は絶縁基板１１に
硝子材料１２ｔｌ−半導体索子の固着部となるキャビィ
ティ部１３を除く全面に形成している。この硝子材料１
２はキャビィティ部１３かられずかに引き下がっている
。第６図はＩＣ用リードフレーム１４でＩｃ用リードフ
レームの根元は外枠１４’で保持され、さらにインナー
リード先端１４′はプレス加工時に切りはなされた小片
１８が組合せてインナリード先端１４″の位置ｎｌｆｔ
−固定している。第７図は第６図のＩｃ用リードフレー
ム１４を第５図の絶縁基板１１の硝子材料１２を介して
圧着したものである。この圧着時には硝子材料１２が軟
化あるいは溶融した時小片１８に接触しない様にあらか
じめ硝子材料１２の形成方法は第５図の様にキャビィテ
ィ部１３よジわずかに引き下がっている。その後、小片
１８の穴部を利用してインナリード先端１４“付近を固
定しながら小片１８を引き上げることによって第８図の
半導体索子１５の固着前及び金属細線１６の配線前の硝
子封止半導体装置を得ることが出来る。第９図、ｙｒ、
ｔｏ図は自動組立方法により半導体索子１５を固着し死
後に金属細＠１６による配線を行ないさらに気密封止す
る為に絶縁蓋部１７の硝子材料１２で封止を行ない本発
明の硝子封止半導体装置を得ている。この様な硝子封止
半導体装置の製造方法はインナリード先端の位ｗｔ棺度
が小片に固定されており、しかも絶縁基板上の硝子材料
に固着した後に小片を取り除いている為、圧着時の熱処
理の影響を押える事が出来る０又、半導体素子を固着す
る時の熱処理の影響がある場合は絶縁基板のキャビィテ
ィ部に半導体素子を固着した後にＩｃ用リードフレーム
を硝子材料を介して圧着した後に小片を除去すればより
リンナリード先端の位置精度は確保することが出来る。
体装置の製造方法を説明する。第５図は絶縁基板１１に
硝子材料１２ｔｌ−半導体索子の固着部となるキャビィ
ティ部１３を除く全面に形成している。この硝子材料１
２はキャビィティ部１３かられずかに引き下がっている
。第６図はＩＣ用リードフレーム１４でＩｃ用リードフ
レームの根元は外枠１４’で保持され、さらにインナー
リード先端１４′はプレス加工時に切りはなされた小片
１８が組合せてインナリード先端１４″の位置ｎｌｆｔ
−固定している。第７図は第６図のＩｃ用リードフレー
ム１４を第５図の絶縁基板１１の硝子材料１２を介して
圧着したものである。この圧着時には硝子材料１２が軟
化あるいは溶融した時小片１８に接触しない様にあらか
じめ硝子材料１２の形成方法は第５図の様にキャビィテ
ィ部１３よジわずかに引き下がっている。その後、小片
１８の穴部を利用してインナリード先端１４“付近を固
定しながら小片１８を引き上げることによって第８図の
半導体索子１５の固着前及び金属細線１６の配線前の硝
子封止半導体装置を得ることが出来る。第９図、ｙｒ、
ｔｏ図は自動組立方法により半導体索子１５を固着し死
後に金属細＠１６による配線を行ないさらに気密封止す
る為に絶縁蓋部１７の硝子材料１２で封止を行ない本発
明の硝子封止半導体装置を得ている。この様な硝子封止
半導体装置の製造方法はインナリード先端の位ｗｔ棺度
が小片に固定されており、しかも絶縁基板上の硝子材料
に固着した後に小片を取り除いている為、圧着時の熱処
理の影響を押える事が出来る０又、半導体素子を固着す
る時の熱処理の影響がある場合は絶縁基板のキャビィテ
ィ部に半導体素子を固着した後にＩｃ用リードフレーム
を硝子材料を介して圧着した後に小片を除去すればより
リンナリード先端の位置精度は確保することが出来る。
従って硝子封止半導体装置の製造方法は自動組立、特に
金属細線の配線工程の自動化を計る事が出来１胆立工程
の省力化及び品質の安定な硝子封止半導体装置全製造す
るが出来る。
金属細線の配線工程の自動化を計る事が出来１胆立工程
の省力化及び品質の安定な硝子封止半導体装置全製造す
るが出来る。
以上説明した様にこの発明による硝子封止半導体装置の
製造方法では多数リード特に４０リ一ド以上を有する硝
子封止半導体装置を量産することが出来るために安価で
高品質の製品を提供できる利点を有する。
製造方法では多数リード特に４０リ一ド以上を有する硝
子封止半導体装置を量産することが出来るために安価で
高品質の製品を提供できる利点を有する。
第１図から第４図は従来の硝子封止牛４体装置の製造方
法を工程順に示す癖去図であり、第５図から第１０図は
本発明の硝子封止半導体装置の製造方法の一実施例を工
程ｒｄＫ、示す絣橿図である。 同、図において、１．１１・・・・−・絶縁基板、２．
１２・・・−・硝子材料、３．１３・・・・・・キャビ
ィティ部、４゜１４・−・・・・ｌＣ用リードフレーム
、４’、１４’・・・・・・外枠、４’、 １４“・・
・・−インナリード先端、５．１５・−・・・半導体素
子、６．１６・・・・・・金属紙ｉ１！％７．１７・・
・・・・絶縁蓋部、１８・・・・−小片である。 η ′７ 図
法を工程順に示す癖去図であり、第５図から第１０図は
本発明の硝子封止半導体装置の製造方法の一実施例を工
程ｒｄＫ、示す絣橿図である。 同、図において、１．１１・・・・−・絶縁基板、２．
１２・・・−・硝子材料、３．１３・・・・・・キャビ
ィティ部、４゜１４・−・・・・ｌＣ用リードフレーム
、４’、１４’・・・・・・外枠、４’、 １４“・・
・・−インナリード先端、５．１５・−・・・半導体素
子、６．１６・・・・・・金属紙ｉ１！％７．１７・・
・・・・絶縁蓋部、１８・・・・−小片である。 η ′７ 図
Claims (1)
- （１）絶縁基板に硝子材料を形成する工程と、インナリ
ード先端部と該インナーリード先端近傍にて囲まれる打
抜き小片とを打抜き前の状態に戻し組合わせ九ＩＣ用リ
ードフレームを該硝子材料に圧着する工程と、膣小片を
取りはずす工程と、該結縁基板のキャビィティ部に半導
体素子を固着し、インナーリード先端と該半導体素子と
の開音金属細線にて配線したのち封止する工程とを含む
こと１に４１１黴とする硝子封止半導体装置Ｏ製造方法
〇（２）前記ＩＣ用リードフレームを前記硝子材料に圧
着する前に前記半導体素子を固着することを特徴とする
特許請求の範囲Ｎ （１）項に記載の硝子封止半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133506A JPS5834950A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133506A JPS5834950A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834950A true JPS5834950A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15106359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133506A Pending JPS5834950A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834950A (ja) |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56133506A patent/JPS5834950A/ja active Pending
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