JPS58197860A - 硝子封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
硝子封止半導体装置の製造方法Info
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- JPS58197860A JPS58197860A JP57080925A JP8092582A JPS58197860A JP S58197860 A JPS58197860 A JP S58197860A JP 57080925 A JP57080925 A JP 57080925A JP 8092582 A JP8092582 A JP 8092582A JP S58197860 A JPS58197860 A JP S58197860A
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- lead frame
- metal
- semiconductor device
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
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- H—ELECTRICITY
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- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は硝子封止半導体装置、特に多数リードを有す
る硝子封止半導体装置の製造方法に関する。
る硝子封止半導体装置の製造方法に関する。
従来の硝子封止半導体装置の製造方法は第１図から第４
図に示す様に絶縁基板ｌに硝子材料２を形成した上に外
枠イで保持されたリードフレーム４を圧着する。その後
、半導体素子５をキャビィティ部３に固着し金属細線６
で内部リード４“の先端との間を配線している。更に絶
縁着部７の硝子材料２にて気密封止して硝子封止半導体
装置を製造している。すなわち、多数リードを有するリ
ードフレームの各々の内部リード先端の位置精度はリー
ドフレームの外枠によって保持しているため、リードフ
レームのプレス加工及び圧着する工程で内部リード先端
の位置がバラバラになったシ平担性が悪くカったシする
ことが多く発生している。
図に示す様に絶縁基板ｌに硝子材料２を形成した上に外
枠イで保持されたリードフレーム４を圧着する。その後
、半導体素子５をキャビィティ部３に固着し金属細線６
で内部リード４“の先端との間を配線している。更に絶
縁着部７の硝子材料２にて気密封止して硝子封止半導体
装置を製造している。すなわち、多数リードを有するリ
ードフレームの各々の内部リード先端の位置精度はリー
ドフレームの外枠によって保持しているため、リードフ
レームのプレス加工及び圧着する工程で内部リード先端
の位置がバラバラになったシ平担性が悪くカったシする
ことが多く発生している。
その為に、金属細線による配線作業を品質よく安定に行
なうことが出来ないため自動化が出来ず量産性がなく安
価に硝子封止半導体装置を提供することが出来なかった
。
なうことが出来ないため自動化が出来ず量産性がなく安
価に硝子封止半導体装置を提供することが出来なかった
。
本発明の目的は上述した従来の硝子封止半導体装置の製
造方法を改良し量産性の優れた安価な硝子封止半導体装
置の製造方法を提供するものである。
造方法を改良し量産性の優れた安価な硝子封止半導体装
置の製造方法を提供するものである。
すなわち本発明の特徴は半導体素子を固着する絶縁基板
のキャビティ部周縁から外方に延びる内部リードと外部
リードとが一体になっているリードフレームにおいて、
硝子材料で封止される内部リードの領域にリードフレー
ム素材よりも軟かい金属の金属固定部を固着したリード
フレームを用いた硝子封止半導体装置の製造方法であっ
て、絶縁基板に硝子材料を形成する工程と、硝子材料で
封止される内部リードの領域にリードフレーム素材より
も軟かい金属の金属固定部を固着し、各々の内部リード
間を固定したリードフレームを硝子材料に圧着する工程
と、内部リード間を固定した軟かい金属の金属固定部を
分離する工程と該絶縁基板のキャビィティ部に半導体素
子を固着し、内部リード先端と半導体素子との間を金属
細線にて配線したのち絶縁蓋部の硝子材料で封止する工
程とを含む硝子封止半導体装置の製造方法にある。
のキャビティ部周縁から外方に延びる内部リードと外部
リードとが一体になっているリードフレームにおいて、
硝子材料で封止される内部リードの領域にリードフレー
ム素材よりも軟かい金属の金属固定部を固着したリード
フレームを用いた硝子封止半導体装置の製造方法であっ
て、絶縁基板に硝子材料を形成する工程と、硝子材料で
封止される内部リードの領域にリードフレーム素材より
も軟かい金属の金属固定部を固着し、各々の内部リード
間を固定したリードフレームを硝子材料に圧着する工程
と、内部リード間を固定した軟かい金属の金属固定部を
分離する工程と該絶縁基板のキャビィティ部に半導体素
子を固着し、内部リード先端と半導体素子との間を金属
細線にて配線したのち絶縁蓋部の硝子材料で封止する工
程とを含む硝子封止半導体装置の製造方法にある。
又、本発明は該リードフレームを該硝子材料に圧着する
前に該半導体素子を固着することを％徴とする前記した
硝子封止半導体装置の製造方法にある。
前に該半導体素子を固着することを％徴とする前記した
硝子封止半導体装置の製造方法にある。
又、本発明Ｆｉ該内部リードを固定した軟かい金属の金
属固定部を分離する前に半導体素子を固着することを特
徴とする前記した硝子封止半導体装置の製造方法にある
。
属固定部を分離する前に半導体素子を固着することを特
徴とする前記した硝子封止半導体装置の製造方法にある
。
すなわち、本発明の硝子封止半導体装置の製造方法は第
６図、第７図に示す様に外枠１４′でり一ドフレーム１
４で保持された上に内部リード１４“の領域にリードフ
レーム１４の材質より軟かＧ金〒 属の金属固定部１８によって固定されたリードフ
□シーム１４を用いた硝子封止半導体装置の製造方法
である。
６図、第７図に示す様に外枠１４′でり一ドフレーム１
４で保持された上に内部リード１４“の領域にリードフ
レーム１４の材質より軟かＧ金〒 属の金属固定部１８によって固定されたリードフ
□シーム１４を用いた硝子封止半導体装置の製造方法
である。
次に第５図〜第１０図を参照して本発明の硝子封止半導
体装置の製造方法の実施例を説明する。
体装置の製造方法の実施例を説明する。
第５図は絶縁基板１１に硝子材料１２を半導体素子の固
着部となるキャビィティ部１３を除く全面に形成してい
る。この硝子材料１２はキャビィティ部１３かられずか
に離れた部分は厚みを薄くしている。
着部となるキャビィティ部１３を除く全面に形成してい
る。この硝子材料１２はキャビィティ部１３かられずか
に離れた部分は厚みを薄くしている。
第６図社リードフレーム１４でリードフレームの根元は
外枠１４’で保持され、さらに内部リード１４“の領域
はプレス加工時のＤＩＰ型に折り曲げる前にリードフレ
ーム１４の材質より軟かい金属の金属固定部１８が固着
されて内部リード１４“の位置精度を確保してから折り
曲げている。
外枠１４’で保持され、さらに内部リード１４“の領域
はプレス加工時のＤＩＰ型に折り曲げる前にリードフレ
ーム１４の材質より軟かい金属の金属固定部１８が固着
されて内部リード１４“の位置精度を確保してから折り
曲げている。
第７図は第６図のリードフレーム１４１に第５図の絶縁
基板１１の硝子材料１２を介して圧着したものである。
基板１１の硝子材料１２を介して圧着したものである。
この圧着時には硝子材料が軟化あるいは溶融した時全綱
固定部が埋まったりしない様にあらかじめ硝子材料１２
の形成方法は第５図の様に硝子材料１２の専みを薄く形
成している。その後、レーザスクラブ郷の分離方法を用
いて内部リード１４“間を固定している金属固着部１８
を分離又は除去して電気的に独立した内部リード１４″
を得ることによって第８図の半導体素子１５の固着前及
び金属細ｌ１ｓ１６の配線前の硝子封止半導体装［を得
ることが出来る。第９図、第１０図は自動組立方法によ
り、半導体素子１５を固着した彼に金楓細＃１６による
配ｒｔ行ないさらに気密封［卜する為に絶縁蓄部１７の
硝子材料１２で行ない本発明の硝子封止半導体装置を得
ている。この様な硝子封止半導体装置の製造方法は内部
リードの先端の位置精度が内部リード間を固定する。Ｉ
Ｊ −ドフレームより軟かい金属の全域固定部によシ確
保されてお９しかも絶縁基板の硝子材料に固着した後に
金属固定部の分離又は除去を行なっている為、圧着時の
熱処理の影響を押える事が出来る。
固定部が埋まったりしない様にあらかじめ硝子材料１２
の形成方法は第５図の様に硝子材料１２の専みを薄く形
成している。その後、レーザスクラブ郷の分離方法を用
いて内部リード１４“間を固定している金属固着部１８
を分離又は除去して電気的に独立した内部リード１４″
を得ることによって第８図の半導体素子１５の固着前及
び金属細ｌ１ｓ１６の配線前の硝子封止半導体装［を得
ることが出来る。第９図、第１０図は自動組立方法によ
り、半導体素子１５を固着した彼に金楓細＃１６による
配ｒｔ行ないさらに気密封［卜する為に絶縁蓄部１７の
硝子材料１２で行ない本発明の硝子封止半導体装置を得
ている。この様な硝子封止半導体装置の製造方法は内部
リードの先端の位置精度が内部リード間を固定する。Ｉ
Ｊ −ドフレームより軟かい金属の全域固定部によシ確
保されてお９しかも絶縁基板の硝子材料に固着した後に
金属固定部の分離又は除去を行なっている為、圧着時の
熱処理の影響を押える事が出来る。
半導体素子を固層する時の熱処理の影響がある場合は絶
縁基板のキャビィティ部に半導体素子を固層した後にリ
ードフレームを硝子材料を介して圧着した彼に金属固定
５ｔｌ−分離又は除去すればより内部リード先端の位置
精度を確保することが出来る。
縁基板のキャビィティ部に半導体素子を固層した後にリ
ードフレームを硝子材料を介して圧着した彼に金属固定
５ｔｌ−分離又は除去すればより内部リード先端の位置
精度を確保することが出来る。
従って硝子封止半導体装置の製造方法は自動組立、特に
金属細線の配線工程の自動化を計る事が出来、組立工程
の省力化及び品質の安定な硝子封止半導体装＃Ｉｔを製
造することが出来る。
金属細線の配線工程の自動化を計る事が出来、組立工程
の省力化及び品質の安定な硝子封止半導体装＃Ｉｔを製
造することが出来る。
以上説明した様にこの発明による硝子封止半導体装置の
製造では多数リード特に４０リ一ド以上を有する硝子封
止半導体装置を量産することが出来るために安価で高品
質の製品を提供できる利点を有する。
製造では多数リード特に４０リ一ド以上を有する硝子封
止半導体装置を量産することが出来るために安価で高品
質の製品を提供できる利点を有する。
第１〜第４図までは従来の硝子封止半導体装置の製造方
法を工程順に示す図であシ、第５図から第１０図までは
本発明の硝子封止半導体装置の製造方法の一実施例を工
程順に示す図である。 尚、図において、１，１１・旧・・絶縁基板、２．１２
・・・・・・硝子材料、３，１３・・・・・・キャビィ
ティ部、４゜１４・・・・・・リードフレーム、 ４
”、１４’・・・・・・外枠、４”１４“・・・・・・
内部リード、５，１５・・・・・・半導体素子、６１６
・・・・・・金属細線、７，１７・・・・・・絶縁蓋部
、１８・・・・・・金属固定部である。 ！・６ 目
法を工程順に示す図であシ、第５図から第１０図までは
本発明の硝子封止半導体装置の製造方法の一実施例を工
程順に示す図である。 尚、図において、１，１１・旧・・絶縁基板、２．１２
・・・・・・硝子材料、３，１３・・・・・・キャビィ
ティ部、４゜１４・・・・・・リードフレーム、 ４
”、１４’・・・・・・外枠、４”１４“・・・・・・
内部リード、５，１５・・・・・・半導体素子、６１６
・・・・・・金属細線、７，１７・・・・・・絶縁蓋部
、１８・・・・・・金属固定部である。 ！・６ 目
Claims (2)
- （１） 絶縁基板に硝子材料を形成する工程と、該硝
子材料で封止される内部リードの領域にリードフレーム
素材よシも軟かい金属を固着し、各々の内部リード間を
固定し喪金属固定部を有するリードフレームを骸硝子材
料に圧着する工程と、内部リード間を固定した軟かい金
属の金属固定部を分離する工程とを含むことｔ−Ｓ＊と
する硝子封止半導体装置の製造方法。 - （２）前記リードフレームを前記硝子材料に圧着する前
に前記半導体素子を固着することｔ％黴とする特許請求
の範囲（１）項に記載の硝子封止半導体装置の製造方法
。 り８）前記内部リードを固定した軟かい金属の金属固定
部を分離する前に前記半導体素子を固着することを特徴
とする特許請求の範囲（１）項に記載の硝子封止半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080925A JPS58197860A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57080925A JPS58197860A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197860A true JPS58197860A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13732002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57080925A Pending JPS58197860A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 硝子封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197860A (ja) |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57080925A patent/JPS58197860A/ja active Pending
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