JPS5834954A - レ−ザトリミング装置 - Google Patents
レ−ザトリミング装置Info
- Publication number
- JPS5834954A JPS5834954A JP56133509A JP13350981A JPS5834954A JP S5834954 A JPS5834954 A JP S5834954A JP 56133509 A JP56133509 A JP 56133509A JP 13350981 A JP13350981 A JP 13350981A JP S5834954 A JPS5834954 A JP S5834954A
- Authority
- JP
- Japan
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- laser
- trimming
- laser beam
- target value
- coarse adjustment
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、混成集積回路の回路素子のトリミング装置に
係シ、特にラダー状に形成された回路素子を連続的にト
リミングする手段を含むレーザトリイング装置に関する
。
係シ、特にラダー状に形成された回路素子を連続的にト
リミングする手段を含むレーザトリイング装置に関する
。
従来、レーザトリンング装置を用いたトリミングは、以
下のように行なわれる。
下のように行なわれる。
＃Ｉ１図は、混成集積回路の被トリミング抵抗体の←般
的形状を示す模型図である。ｌａ、ｌｂは、導体電極部
、２は抵抗体部、３は粗調整用ラダ一部、５は微調整ト
ップハツト部を示す。被トリミング抵抗体を最終目標抵
抗値にトリミングするには、１ず粗調整用ラダ一部を構
成するラダー３ｍ。
的形状を示す模型図である。ｌａ、ｌｂは、導体電極部
、２は抵抗体部、３は粗調整用ラダ一部、５は微調整ト
ップハツト部を示す。被トリミング抵抗体を最終目標抵
抗値にトリミングするには、１ず粗調整用ラダ一部を構
成するラダー３ｍ。
３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅを順次、一本づつレーザビーム
にて溶融切削し粗調整目標値迄トリミングする。ついで
、微調整部５をポイント５１から切削限度ポイント５２
迄、連続的に切削し、微調整目標値迄トリミングする。
にて溶融切削し粗調整目標値迄トリミングする。ついで
、微調整部５をポイント５１から切削限度ポイント５２
迄、連続的に切削し、微調整目標値迄トリミングする。
このようなトリミングにおいて、粗調整トリミングにつ
いて従来の方法を詳細に説明する。
いて従来の方法を詳細に説明する。
抵抗値が粗調整目標値に到達しているが否かをチェック
し、到達していないときは、ビームボジシ曹すを粗調整
開始ポイント３１へ移動させ、粗調整を開始する。
し、到達していないときは、ビームボジシ曹すを粗調整
開始ポイント３１へ移動させ、粗調整を開始する。
（手順）
（１）レーザビームの次の移動ポイント３２をビームポ
ジショナにセットする。
ジショナにセットする。
（２）レーザビームを発射させる。同時にビームボジシ
冒すをポイント３２へ向けて移動させる。
冒すをポイント３２へ向けて移動させる。
（３）ポイント３２へ到達するとレーザビームを停止さ
せる。
せる。
（４）抵抗値が粗調整目標値に到達しているかどうかチ
ェックする。到達していればボジシ諺すをポイント５１
へ移動させ微調整を開始する。到達していないときは、
移動ポイントを３３．３４．３５．３６と繰り返し、前
記（１） （２） （３）（４）の手順を行う。
ェックする。到達していればボジシ諺すをポイント５１
へ移動させ微調整を開始する。到達していないときは、
移動ポイントを３３．３４．３５．３６と繰り返し、前
記（１） （２） （３）（４）の手順を行う。
従来のこの方法では、次に述べる問題があった。
■ビームボジシ璽すの移動／停止の繰シ返しにともなう
機械振動等を抑制し、ビームポジシ冒すを静止させるた
め待ち時間を、ビームポジショナの移動開始前に設ける
必要があった。このことはトリミングを高速で行う上で
大きな障害となっていた ■−回あたシの移動距離は一般に１００μｍ程度と微少
距離のため、ビームボジシ曹すが定常速度に達する前に
減速、停止が行なわれ、このため切削長あたシのレーザ
パワ密度を一定とすることが困難で、ピームボジシ璽す
の移動始点、終点でレーザパワの過大を生起させ、混成
集積回路基板にマイクロクラック等の欠陥を多数発生さ
せる危険性があったっ 従来の他の粗調方法として、粗調部をトリミングする場
合も、微調部と同様、レーザビームを連続的に発射す慝
方法もある。この場合、上記１．２の欠点を除去可能で
あるが、レーザビームの停止がラダー片上にて行なわれ
る危険性があり、ラダー片が完全に切削除去されないた
め不安定な電流経路を作シ、結果として抵抗体の信頼性
を阻害することがあった。
機械振動等を抑制し、ビームポジシ冒すを静止させるた
め待ち時間を、ビームポジショナの移動開始前に設ける
必要があった。このことはトリミングを高速で行う上で
大きな障害となっていた ■−回あたシの移動距離は一般に１００μｍ程度と微少
距離のため、ビームボジシ曹すが定常速度に達する前に
減速、停止が行なわれ、このため切削長あたシのレーザ
パワ密度を一定とすることが困難で、ピームボジシ璽す
の移動始点、終点でレーザパワの過大を生起させ、混成
集積回路基板にマイクロクラック等の欠陥を多数発生さ
せる危険性があったっ 従来の他の粗調方法として、粗調部をトリミングする場
合も、微調部と同様、レーザビームを連続的に発射す慝
方法もある。この場合、上記１．２の欠点を除去可能で
あるが、レーザビームの停止がラダー片上にて行なわれ
る危険性があり、ラダー片が完全に切削除去されないた
め不安定な電流経路を作シ、結果として抵抗体の信頼性
を阻害することがあった。
本発明は、このような欠点を除去し、高速で高信頼度の
レーザトリミング装置を提供するものである。
レーザトリミング装置を提供するものである。
本発明の特徴は、レーザビームを連続的に走行する手段
と、とのレーザビームの被トリミングパターン上の位置
を検知する手段と、回路素子値を連続的に判定する手段
とを具備し、あらかじめ定められた被トリミングパター
ン上の区間をレーザビームが走行するとき１回路素子値
の判定を禁止するレーザトリミング装置にある。
と、とのレーザビームの被トリミングパターン上の位置
を検知する手段と、回路素子値を連続的に判定する手段
とを具備し、あらかじめ定められた被トリミングパター
ン上の区間をレーザビームが走行するとき１回路素子値
の判定を禁止するレーザトリミング装置にある。
以下、実施例にて説明する。本発明の基本的な考えは、
粗調部において微調部と同様に連続的にレーザビームを
走行させるが、レーザビームの被トリきフグ抵抗パター
ン上の位置を常にモニターし、レーザビームがラダー片
上に存在するときは、レーザの停止を禁止させることに
ある。
粗調部において微調部と同様に連続的にレーザビームを
走行させるが、レーザビームの被トリきフグ抵抗パター
ン上の位置を常にモニターし、レーザビームがラダー片
上に存在するときは、レーザの停止を禁止させることに
ある。
第２図は、本発明の実施例のブロック図である。
１０１は、被トリミング抵抗体からなる混成集積回路基
板、１０２はレーザビームを所定の位置に移動させるビ
ームボジシ冒すであり、同時にレーザビームのＸ−Ｙ平
面上の位置をセンスする機構を具備している。１０３は
、被トリミング抵抗値を連続的に測定し、抵抗値の量に
応じた電気量に変換する抵抗／電圧変換器、１０４け、
被トリミング抵抗値の粗調整目標値に応じて参照レベル
を設定する粗調設定器、１０５は、微調整目標値の参照
レベルを設定する微調設定器、１０６ＩＩ′ｉ、測定値
と粗調整あるいは微調整目標値との比較を行ない、目標
到達信号をコントローラに送出する比較器で、次に述べ
る禁止ゲート信号により、比較動作を一時的に禁止可能
である。１０７は、粗調目標値と微調目標値を選択する
切換器、１０８は、レーザ位置発生器でビームポジショ
ナ１０２のセンサー信号をうけてレーザビームの被トリ
ミング抵抗パターン上の現在位置を禁止ゲート発生器１
１０へ送出する。１０９は、被トリミング抵抗パターン
上の禁止区間を与える座標を記憶し禁止ゲート発生器の
信号をうけて逐次、座標データを禁止ゲート発生器へ送
出する禁止座標設定器、１１０は、レーザ位置発生器か
ら送出される座標データと禁止座標設定器からの禁止座
標データを比較し一致し九段階で、抵抗値の比較動作を
禁止あるいは解除する禁止ゲート発生器であり、同時に
次の禁止座標データをアクセスする機能を具備している
。１１１は、レーザ発振器、１１２は、コントローラか
らの指令によシレーザビームの発射、停止を行う、レー
ザＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御器、１１３は、混成集積回路基
板を保持し、ステップアンドリピート動作を行うテーブ
ル、１１４１ｄ％ コントローラでレーザトリミングに
併う上記各部の動作を制御する。この如き装置構成によ
るレーザトリミングの方法を以下に述べる。
板、１０２はレーザビームを所定の位置に移動させるビ
ームボジシ冒すであり、同時にレーザビームのＸ−Ｙ平
面上の位置をセンスする機構を具備している。１０３は
、被トリミング抵抗値を連続的に測定し、抵抗値の量に
応じた電気量に変換する抵抗／電圧変換器、１０４け、
被トリミング抵抗値の粗調整目標値に応じて参照レベル
を設定する粗調設定器、１０５は、微調整目標値の参照
レベルを設定する微調設定器、１０６ＩＩ′ｉ、測定値
と粗調整あるいは微調整目標値との比較を行ない、目標
到達信号をコントローラに送出する比較器で、次に述べ
る禁止ゲート信号により、比較動作を一時的に禁止可能
である。１０７は、粗調目標値と微調目標値を選択する
切換器、１０８は、レーザ位置発生器でビームポジショ
ナ１０２のセンサー信号をうけてレーザビームの被トリ
ミング抵抗パターン上の現在位置を禁止ゲート発生器１
１０へ送出する。１０９は、被トリミング抵抗パターン
上の禁止区間を与える座標を記憶し禁止ゲート発生器の
信号をうけて逐次、座標データを禁止ゲート発生器へ送
出する禁止座標設定器、１１０は、レーザ位置発生器か
ら送出される座標データと禁止座標設定器からの禁止座
標データを比較し一致し九段階で、抵抗値の比較動作を
禁止あるいは解除する禁止ゲート発生器であり、同時に
次の禁止座標データをアクセスする機能を具備している
。１１１は、レーザ発振器、１１２は、コントローラか
らの指令によシレーザビームの発射、停止を行う、レー
ザＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御器、１１３は、混成集積回路基
板を保持し、ステップアンドリピート動作を行うテーブ
ル、１１４１ｄ％ コントローラでレーザトリミングに
併う上記各部の動作を制御する。この如き装置構成によ
るレーザトリミングの方法を以下に述べる。
第３図は、本実施例を説明するための混成集積回路の抵
抗体の模型図である。コントローラ１１４は、粗調目標
値を１０４に送出し、切換器１゜７を経由し比較器１０
６ヘセツトする。コントローラから測定開始信号をうけ
た抵抗／電圧変換器１０３は結果を比較器１０６へ送出
する。比較結果は、コン）ｏ−ラへ返され、粗調目標値
以下のときビームポジシ習す１０２へ最初のポイント３
７の座標がセットされ、ビームポジショナは、ポイント
３７へ移動する。ついで本発明による粗調整を開始する
。
抗体の模型図である。コントローラ１１４は、粗調目標
値を１０４に送出し、切換器１゜７を経由し比較器１０
６ヘセツトする。コントローラから測定開始信号をうけ
た抵抗／電圧変換器１０３は結果を比較器１０６へ送出
する。比較結果は、コン）ｏ−ラへ返され、粗調目標値
以下のときビームポジシ習す１０２へ最初のポイント３
７の座標がセットされ、ビームポジショナは、ポイント
３７へ移動する。ついで本発明による粗調整を開始する
。
（手順）
（１）；ントローラは、連続ビーム走行に必要表座標デ
ータを各部に送出する。即ち禁止座標設定器１０９には
、粗調整２ダ一部における比較禁止区間を与えるポイン
ト座標をその座標の出現順に格納する。本実施例では、
ポイン）３８．３９．４０．４１１４２，４３．４４，
４５．４６．４７がこれに相当する。すなわち区間３８
−３９．４０−４１．４２−４３．４４−４５，４６−
４７において比較を禁止することになる。又、最初のポ
イント３８の座標がセットされ、この値が禁止ケート発
生器１１０へ送出される。さらにビームポジシ曹す１０
２には、レーザビームの走行限度を与えるポイント４８
がセットされる。
ータを各部に送出する。即ち禁止座標設定器１０９には
、粗調整２ダ一部における比較禁止区間を与えるポイン
ト座標をその座標の出現順に格納する。本実施例では、
ポイン）３８．３９．４０．４１１４２，４３．４４，
４５．４６．４７がこれに相当する。すなわち区間３８
−３９．４０−４１．４２−４３．４４−４５，４６−
４７において比較を禁止することになる。又、最初のポ
イント３８の座標がセットされ、この値が禁止ケート発
生器１１０へ送出される。さらにビームポジシ曹す１０
２には、レーザビームの走行限度を与えるポイント４８
がセットされる。
（２）ついで、コントローラは、レーザ０Ｎ１０ＦＦ制
御器１１２に指令を与え、レーザ発振器を作動し、レー
ザビームが基板に照射され始める。
御器１１２に指令を与え、レーザ発振器を作動し、レー
ザビームが基板に照射され始める。
同時にコントローラは、ビームボジシ璽すをポイント４
８へ向かって走行開始させる。
８へ向かって走行開始させる。
（３）ビームポジショナはレーザビームを基板面に照射
しながら、ポイント３８を通過する。ポイント３８を通
過したとき禁止座標設定器１０９の値によシ禁止ゲート
発生器１１０が、セットされ比較器１０６の動作を禁止
する。同時に、禁止座標設定器１０９には、次のポイン
ト３９が読み出されて禁止ゲート発生器へ送出される。
しながら、ポイント３８を通過する。ポイント３８を通
過したとき禁止座標設定器１０９の値によシ禁止ゲート
発生器１１０が、セットされ比較器１０６の動作を禁止
する。同時に、禁止座標設定器１０９には、次のポイン
ト３９が読み出されて禁止ゲート発生器へ送出される。
（４） ビームボジシ璽すは、レーザビームを基板面
に照射しながらポイント３９へ移動する。区間３８−３
９に於ては、測定比較は禁止される。
に照射しながらポイント３９へ移動する。区間３８−３
９に於ては、測定比較は禁止される。
（５） ビームポジショナがポイント３９を通過すると
、禁止ゲート発生器１１０は、禁止ゲートをリセットし
、比較器１０６の比較動作が解除される。同時に、禁止
座標設定器には次のポイント４０がセットされる。
、禁止ゲート発生器１１０は、禁止ゲートをリセットし
、比較器１０６の比較動作が解除される。同時に、禁止
座標設定器には次のポイント４０がセットされる。
（６）ビームポジショナは、ポイント４０へ向って移動
を続けるが、区間３９−４０を移動中、被トリミング抵
抗値が粗調目標値に到達していれば比較器１０６によす
粗調終了信号がコントローラに送出され、レーザ０Ｎ１
０ＦＦ制御器が作動しレーザを断にし、ビームボジシ曹
すは移動を中止し粗調整を完了し微調整へと移る。
を続けるが、区間３９−４０を移動中、被トリミング抵
抗値が粗調目標値に到達していれば比較器１０６によす
粗調終了信号がコントローラに送出され、レーザ０Ｎ１
０ＦＦ制御器が作動しレーザを断にし、ビームボジシ曹
すは移動を中止し粗調整を完了し微調整へと移る。
もし、粗調目標値に到達しないときピームボジシ曽すは
、ポイント４０へ向って移動し、上記（３）、 （４）
、 （ｓｒｓ ＜ｓ＞ と同様の動作を順次ラダー片
３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅと繰り返す。
、ポイント４０へ向って移動し、上記（３）、 （４）
、 （ｓｒｓ ＜ｓ＞ と同様の動作を順次ラダー片
３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅと繰り返す。
（７）ポイント４８へ到達した場合は、ビームボジシｌ
すの移動を中止し微調整へと移る。
すの移動を中止し微調整へと移る。
以上述べた如く１本発明によれば、粗調整を行うとき、
レーザビームの移動／停止をラダー片単位で繰り返す必
要はなく、又レーザビームがラダー片の途中で停止する
ということもなく、粗調整用ラダ一部を高速かつ一様に
トリミング可能となる。
レーザビームの移動／停止をラダー片単位で繰り返す必
要はなく、又レーザビームがラダー片の途中で停止する
ということもなく、粗調整用ラダ一部を高速かつ一様に
トリミング可能となる。
本実施例は、混成薄膜集積回路の抵抗体のトリミングに
ついて述べているが非連続的な調整片が直線上に並んで
いる素子であるならば、薄膜コンデンサにおいても適用
可能である、
ついて述べているが非連続的な調整片が直線上に並んで
いる素子であるならば、薄膜コンデンサにおいても適用
可能である、
第１図は混成集積回路の被トリミング抵抗体の模型図、
第２図は本発明の実施例を示すブロック図、第３図は本
発明の詳細な説明するための被トリミング抵抗体の模型
図、である。 なお図において、ｌａ、ｌｂ・・・・・・・導体電極部
、２・・・・・・抵抗体部、３・・・・・・粗調整ラダ
一部、３ａ。 ３ｂ、３Ｃ，３ｄ１３ｅ・・・・・・ラダー片、５・・
・・・・微調整トップハツト部、３１．３２．３３．３
４．３５．３６．５１．５２・・・・・・座標、１０１
・１．・・、混成集積回路、１０２・・・・・・ピーム
ボジシ璽す、１０３・・・・・・抵抗／電圧変換器、１
０４・・・・・・粗調目標設定器、１ｏ５・・・・・・
微調目標設定器、１０６・・・・・・比較器、１０７・
・・・・・切換器、１０８・・・・・・レーザ位置発生
器、１０９・・・・・・禁止座標設定器、１１０・・・
・・・禁止ゲート発生器、１１１・・・・・・レーザ発
振器、１１２・・・・・・レーザＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御
器、１１３・・・・・・テーブル、１１４・・間コント
四−ラ、３７．３８．３９．４０．４１，４２．４３，
４４．４５．４第ｆ 図 第 ２ 図
第２図は本発明の実施例を示すブロック図、第３図は本
発明の詳細な説明するための被トリミング抵抗体の模型
図、である。 なお図において、ｌａ、ｌｂ・・・・・・・導体電極部
、２・・・・・・抵抗体部、３・・・・・・粗調整ラダ
一部、３ａ。 ３ｂ、３Ｃ，３ｄ１３ｅ・・・・・・ラダー片、５・・
・・・・微調整トップハツト部、３１．３２．３３．３
４．３５．３６．５１．５２・・・・・・座標、１０１
・１．・・、混成集積回路、１０２・・・・・・ピーム
ボジシ璽す、１０３・・・・・・抵抗／電圧変換器、１
０４・・・・・・粗調目標設定器、１ｏ５・・・・・・
微調目標設定器、１０６・・・・・・比較器、１０７・
・・・・・切換器、１０８・・・・・・レーザ位置発生
器、１０９・・・・・・禁止座標設定器、１１０・・・
・・・禁止ゲート発生器、１１１・・・・・・レーザ発
振器、１１２・・・・・・レーザＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御
器、１１３・・・・・・テーブル、１１４・・間コント
四−ラ、３７．３８．３９．４０．４１，４２．４３，
４４．４５．４第ｆ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- レーザビームを連続的に走行する手段と、該レーずビー
ムの被トリ建ングパターン上の位置を検知する手段と、
回路素子値を連続的に判定する手段とを具備し、あらか
じめ定められた前記被トリンングパターン上の区間を前
記レーザビームが走行するとき、前記回路素子値の判定
を禁止することを特徴とするレーザトリ建ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133509A JPS5834954A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | レ−ザトリミング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56133509A JPS5834954A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | レ−ザトリミング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834954A true JPS5834954A (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=15106434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56133509A Pending JPS5834954A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | レ−ザトリミング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834954A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114157A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 混成集積回路における膜抵抗のトリミング方法 |
| FR2607627A1 (fr) * | 1986-12-02 | 1988-06-03 | Toshiba Kk | Dispositif a circuit integre en pellicule epaisse, susceptible d'etre fabrique au moyen d'une operation, facile a mettre en oeuvre, d'ajustement par enlevement de matiere |
| KR100383142B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-05-12 | 주식회사 포스코 | 프리쿨러 냉각용 노즐 장치 |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56133509A patent/JPS5834954A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114157A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 混成集積回路における膜抵抗のトリミング方法 |
| FR2607627A1 (fr) * | 1986-12-02 | 1988-06-03 | Toshiba Kk | Dispositif a circuit integre en pellicule epaisse, susceptible d'etre fabrique au moyen d'une operation, facile a mettre en oeuvre, d'ajustement par enlevement de matiere |
| KR100383142B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2003-05-12 | 주식회사 포스코 | 프리쿨러 냉각용 노즐 장치 |
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