JPS5835527B2 - 電子官能性樹脂 - Google Patents

電子官能性樹脂

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JPS5835527B2
JPS5835527B2 JP52059292A JP5929277A JPS5835527B2 JP S5835527 B2 JPS5835527 B2 JP S5835527B2 JP 52059292 A JP52059292 A JP 52059292A JP 5929277 A JP5929277 A JP 5929277A JP S5835527 B2 JPS5835527 B2 JP S5835527B2
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JP
Japan
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resin
methacrylate
radical
item
alkyl group
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JP52059292A
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English (en)
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JPS52142793A (en
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アルマン・エラニアン
クロード・デユシユン
フランセーズ・バール
マリーズ・ガザール
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Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
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Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of JPS52142793A publication Critical patent/JPS52142793A/ja
Publication of JPS5835527B2 publication Critical patent/JPS5835527B2/ja
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/38—Esters containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S430/143—Electron beam

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子官能性のネガチブ樹脂、すなわち充分なエ
ネルギーを与えられた電子線照射の作用下に、ある種の
化学試薬に対する耐性あるいはある種の溶剤に対する不
溶性を与えられるところの変態が可能な樹脂、に関する
。
電子回路、とくに集積された微小電子部品、の製造にお
いて、従来の遮蔽(masking )において用いら
れた光子に比べて、電子の使用によりより良い区画性を
もってその形状を区画されたマスクの製造が可能となる
ことは知られている。
したがって、電子官能性の樹脂が製造されている。
般的ネガチブ樹脂から、現在最も敏感であるとして知ら
れてい、20keyの電子線に対する感度を有する樹脂
を選び、以下に述べる(感度は、照射により樹脂の70
%が変態する量について与える)。
−KPRおよびKTFR(KODAK社登録マスク材)
、感度は1m2当り0.1クーロンの電気量、−ホリビ
ニルシロキサン: 感K O,05C/ m2、−グリ
シジルポリメタククレート:感度0.01C/crtt
1 本発明は、上記樹脂中最良のものに対して約10倍高い
感度の樹脂の獲得を可能とする。
得らた新樹脂は、それを微小電子工学における集積回路
の製造に使用可能とするのに要求される、接着性および
化学薬品に対する耐性を有する。
本発明による樹脂は、式 (ここでRはHラジカルまたはnが1〜10の整数であ
るアルキル基CnH2n t−、、R4ま炭素数1〜5
のアルキル基である)のビニルモノマーとのランダム共
重合体であり、その分子量は10,000〜500,0
00の範囲にある。
ビニルモノマーの割合は20〜60重量優にわたり得る
(下限15〜25%、上限55〜65)。
ビニルモノマー中で、メチルメタクリレート、ブチルメ
タクリレート、およびエチルアクリレートが挙げられる
。
以下に、本発明の樹脂の製造の一態様、ならびに製造マ
スクを得るためのこの樹脂の利用法の一例を記載する。
樹脂の製造 出発物質として 式 の2,3−エビチオプロピルメタクリレートを与える。
この物質をエーテルに溶解する。
この溶液を硫酸ナトリウムで乾燥する。
真空下でエーテルを除去し、残留生成物を真空蒸留する
。
得られるエビチオプロピルメタクリレートを上記した所
定のビニルモノマーと後者が20〜60重量多となる割
合でベンゼンのような溶剤中で混合する。
共重合触媒として働くアゾビスイソブチロニトリルを添
加する。
混合物を窒素雰囲気下でso’cに1〜数時間加熱する
。
冷却後、共重合体をメタノールで沈殿させて得、次いで
真空乾燥する。
樹脂の利用法 a)原理 得られた樹脂を、メチルエチルケトンなどの溶剤に溶解
する。
この溶液を遠心装置上に置いた基体に付着させる。
基体の回転速度に応じて、種々の厚み、たとえば0.2
〜0.5μmの層が得られる。
50℃と800Cの間の温度で約半時間加熱して溶媒を
除く。
照射は、脱気した室中で、5〜20KVの間の加速電圧
の電子線により、10−3〜5X10−3C/ m’の
電荷を吸収するのに必要な時間桁なう。
樹脂をアセトンなどの溶剤で現像して、照射により変態
していない(未架橋の)樹脂部を溶解する。
120°Cで1〜数十分の熱処理をすることにより、現
像により得たマスクを用いて行うその後の操作のため、
樹脂の接着特性を向上させる。
b)例 0.01iのアゾビスイソブチロニトリルを、ベンゼン
30m1中にエビチオプロピルメタクリレート7.6g
およびメチルメタクリレート2.4gを含む溶液中に溶
解する。
この溶液を窒素雰囲気下80℃で1時間半加熱する。
冷却後、溶液をメタノールとへキサンの混合物中に注ぐ
。
沈殿したポリマー(分子量30.000)を真空乾燥し
、次いでメチルエチルケトンに溶解して10重重量相脂
溶液を得る。
この樹脂溶液を、クロム層で被覆したガラス板に回転速
度5000 r、p、m、で遠心付着して、厚みO,3
gミクロンの層を得る。
この板を80’Cで半時間処理して溶媒を除く。
照射は、たとえば20 keyの線で、電荷5×1O−
3C/@’で行う。
照射時間は、秒あたりの総電荷(電流二アンペア)およ
び−で示す使用面積を考慮に入れて計算する。
現像をアセトンを用いて行い、0.5分だけ継続する。
120℃で10分間徐熱部理後、板をアルカリ性フェリ
シアン化カリウム溶液に浸漬してクロム膜を蝕刻する。
本発明の樹脂を用いる方法により得られるマスクを用い
て蝕刻可能な線対の数は1關当り500である。
線の太さおよび二線間の距離は1ミクロン程度である。
本発明はシリコン半導体基体上のシリカのマスクの製造
に適用可能であり、より一般的には、集積微小電子回路
上のいかなる性質の付着物の蝕刻にも適用可能である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1一般式 (ここでRはHラジカルまたはnが1〜10の整数であ
    るアルキル基CnH2n+i、R’は炭素数1〜5のア
    ルキル基、式中の小数は重量比を示す)で表わされ、分
    子量が10,000〜500,000の共重合体からな
    る電子官能性樹脂。 2 RおよびR′がメチル基である上記第1項の樹脂。 3 Rがメチル基、R′がブチル基である上記第1項の
    樹脂。 4 RがHラジカル、R′がエチル基である上記第1項
    の樹脂。 5 下記の工程を含む電子官能性樹脂の製造法:a)グ
    リシジルメタクリレートを室温、水−エタノール混合物
    中でチオ尿素と反応させて、2゜3−エビチオプロピル
    メタクリレートを与え、これをその溶液からエーテルで
    抽出する工 ;b)2.3−エビチオプロピルメタクリ
    レートと、式 (ここでRはHラジカルまたはnが1〜10の整数であ
    るアルキル基CnH2n +tn 、 R’は炭素数1
    〜5のアルキル基)を有するビニルモノマーとを後者が
    15〜65饅となる割合で、溶剤中で混合する工程; C)溶液を熱処理し、生成共重合体をエタノールから抽
    出する工程。
JP52059292A 1976-05-21 1977-05-21 電子官能性樹脂 Expired JPS5835527B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7615520A FR2352007A1 (fr) 1976-05-21 1976-05-21 Resine sensible aux electrons et procede de fabrication de ladite resine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS52142793A JPS52142793A (en) 1977-11-28
JPS5835527B2 true JPS5835527B2 (ja) 1983-08-03

Family

ID=9173500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52059292A Expired JPS5835527B2 (ja) 1976-05-21 1977-05-21 電子官能性樹脂

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US (1) US4315067A (ja)
JP (1) JPS5835527B2 (ja)
DE (1) DE2722951C2 (ja)
FR (1) FR2352007A1 (ja)
GB (1) GB1576741A (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
FR2352007A1 (fr) 1977-12-16
FR2352007B1 (ja) 1979-08-17
DE2722951A1 (de) 1977-12-01
JPS52142793A (en) 1977-11-28
US4315067A (en) 1982-02-09
GB1576741A (en) 1980-10-15
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