JPS5835527B2 - 電子官能性樹脂 - Google Patents
電子官能性樹脂Info
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- JPS5835527B2 JPS5835527B2 JP52059292A JP5929277A JPS5835527B2 JP S5835527 B2 JPS5835527 B2 JP S5835527B2 JP 52059292 A JP52059292 A JP 52059292A JP 5929277 A JP5929277 A JP 5929277A JP S5835527 B2 JPS5835527 B2 JP S5835527B2
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- JP
- Japan
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- resin
- methacrylate
- radical
- item
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/38—Esters containing sulfur
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/143—Electron beam
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子官能性のネガチブ樹脂、すなわち充分なエ
ネルギーを与えられた電子線照射の作用下に、ある種の
化学試薬に対する耐性あるいはある種の溶剤に対する不
溶性を与えられるところの変態が可能な樹脂、に関する
。
ネルギーを与えられた電子線照射の作用下に、ある種の
化学試薬に対する耐性あるいはある種の溶剤に対する不
溶性を与えられるところの変態が可能な樹脂、に関する
。
電子回路、とくに集積された微小電子部品、の製造にお
いて、従来の遮蔽(masking )において用いら
れた光子に比べて、電子の使用によりより良い区画性を
もってその形状を区画されたマスクの製造が可能となる
ことは知られている。
いて、従来の遮蔽(masking )において用いら
れた光子に比べて、電子の使用によりより良い区画性を
もってその形状を区画されたマスクの製造が可能となる
ことは知られている。
したがって、電子官能性の樹脂が製造されている。
般的ネガチブ樹脂から、現在最も敏感であるとして知ら
れてい、20keyの電子線に対する感度を有する樹脂
を選び、以下に述べる(感度は、照射により樹脂の70
%が変態する量について与える)。
れてい、20keyの電子線に対する感度を有する樹脂
を選び、以下に述べる(感度は、照射により樹脂の70
%が変態する量について与える)。
−KPRおよびKTFR(KODAK社登録マスク材)
、感度は1m2当り0.1クーロンの電気量、−ホリビ
ニルシロキサン: 感K O,05C/ m2、−グリ
シジルポリメタククレート:感度0.01C/crtt
1 本発明は、上記樹脂中最良のものに対して約10倍高い
感度の樹脂の獲得を可能とする。
、感度は1m2当り0.1クーロンの電気量、−ホリビ
ニルシロキサン: 感K O,05C/ m2、−グリ
シジルポリメタククレート:感度0.01C/crtt
1 本発明は、上記樹脂中最良のものに対して約10倍高い
感度の樹脂の獲得を可能とする。
得らた新樹脂は、それを微小電子工学における集積回路
の製造に使用可能とするのに要求される、接着性および
化学薬品に対する耐性を有する。
の製造に使用可能とするのに要求される、接着性および
化学薬品に対する耐性を有する。
本発明による樹脂は、式
(ここでRはHラジカルまたはnが1〜10の整数であ
るアルキル基CnH2n t−、、R4ま炭素数1〜5
のアルキル基である)のビニルモノマーとのランダム共
重合体であり、その分子量は10,000〜500,0
00の範囲にある。
るアルキル基CnH2n t−、、R4ま炭素数1〜5
のアルキル基である)のビニルモノマーとのランダム共
重合体であり、その分子量は10,000〜500,0
00の範囲にある。
ビニルモノマーの割合は20〜60重量優にわたり得る
(下限15〜25%、上限55〜65)。
(下限15〜25%、上限55〜65)。
ビニルモノマー中で、メチルメタクリレート、ブチルメ
タクリレート、およびエチルアクリレートが挙げられる
。
タクリレート、およびエチルアクリレートが挙げられる
。
以下に、本発明の樹脂の製造の一態様、ならびに製造マ
スクを得るためのこの樹脂の利用法の一例を記載する。
スクを得るためのこの樹脂の利用法の一例を記載する。
樹脂の製造
出発物質として 式
の2,3−エビチオプロピルメタクリレートを与える。
この物質をエーテルに溶解する。
この溶液を硫酸ナトリウムで乾燥する。
真空下でエーテルを除去し、残留生成物を真空蒸留する
。
。
得られるエビチオプロピルメタクリレートを上記した所
定のビニルモノマーと後者が20〜60重量多となる割
合でベンゼンのような溶剤中で混合する。
定のビニルモノマーと後者が20〜60重量多となる割
合でベンゼンのような溶剤中で混合する。
共重合触媒として働くアゾビスイソブチロニトリルを添
加する。
加する。
混合物を窒素雰囲気下でso’cに1〜数時間加熱する
。
。
冷却後、共重合体をメタノールで沈殿させて得、次いで
真空乾燥する。
真空乾燥する。
樹脂の利用法
a)原理
得られた樹脂を、メチルエチルケトンなどの溶剤に溶解
する。
する。
この溶液を遠心装置上に置いた基体に付着させる。
基体の回転速度に応じて、種々の厚み、たとえば0.2
〜0.5μmの層が得られる。
〜0.5μmの層が得られる。
50℃と800Cの間の温度で約半時間加熱して溶媒を
除く。
除く。
照射は、脱気した室中で、5〜20KVの間の加速電圧
の電子線により、10−3〜5X10−3C/ m’の
電荷を吸収するのに必要な時間桁なう。
の電子線により、10−3〜5X10−3C/ m’の
電荷を吸収するのに必要な時間桁なう。
樹脂をアセトンなどの溶剤で現像して、照射により変態
していない(未架橋の)樹脂部を溶解する。
していない(未架橋の)樹脂部を溶解する。
120°Cで1〜数十分の熱処理をすることにより、現
像により得たマスクを用いて行うその後の操作のため、
樹脂の接着特性を向上させる。
像により得たマスクを用いて行うその後の操作のため、
樹脂の接着特性を向上させる。
b)例
0.01iのアゾビスイソブチロニトリルを、ベンゼン
30m1中にエビチオプロピルメタクリレート7.6g
およびメチルメタクリレート2.4gを含む溶液中に溶
解する。
30m1中にエビチオプロピルメタクリレート7.6g
およびメチルメタクリレート2.4gを含む溶液中に溶
解する。
この溶液を窒素雰囲気下80℃で1時間半加熱する。
冷却後、溶液をメタノールとへキサンの混合物中に注ぐ
。
。
沈殿したポリマー(分子量30.000)を真空乾燥し
、次いでメチルエチルケトンに溶解して10重重量相脂
溶液を得る。
、次いでメチルエチルケトンに溶解して10重重量相脂
溶液を得る。
この樹脂溶液を、クロム層で被覆したガラス板に回転速
度5000 r、p、m、で遠心付着して、厚みO,3
gミクロンの層を得る。
度5000 r、p、m、で遠心付着して、厚みO,3
gミクロンの層を得る。
この板を80’Cで半時間処理して溶媒を除く。
照射は、たとえば20 keyの線で、電荷5×1O−
3C/@’で行う。
3C/@’で行う。
照射時間は、秒あたりの総電荷(電流二アンペア)およ
び−で示す使用面積を考慮に入れて計算する。
び−で示す使用面積を考慮に入れて計算する。
現像をアセトンを用いて行い、0.5分だけ継続する。
120℃で10分間徐熱部理後、板をアルカリ性フェリ
シアン化カリウム溶液に浸漬してクロム膜を蝕刻する。
シアン化カリウム溶液に浸漬してクロム膜を蝕刻する。
本発明の樹脂を用いる方法により得られるマスクを用い
て蝕刻可能な線対の数は1關当り500である。
て蝕刻可能な線対の数は1關当り500である。
線の太さおよび二線間の距離は1ミクロン程度である。
本発明はシリコン半導体基体上のシリカのマスクの製造
に適用可能であり、より一般的には、集積微小電子回路
上のいかなる性質の付着物の蝕刻にも適用可能である。
に適用可能であり、より一般的には、集積微小電子回路
上のいかなる性質の付着物の蝕刻にも適用可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 (ここでRはHラジカルまたはnが1〜10の整数であ
るアルキル基CnH2n+i、R’は炭素数1〜5のア
ルキル基、式中の小数は重量比を示す)で表わされ、分
子量が10,000〜500,000の共重合体からな
る電子官能性樹脂。 2 RおよびR′がメチル基である上記第1項の樹脂。 3 Rがメチル基、R′がブチル基である上記第1項の
樹脂。 4 RがHラジカル、R′がエチル基である上記第1項
の樹脂。 5 下記の工程を含む電子官能性樹脂の製造法:a)グ
リシジルメタクリレートを室温、水−エタノール混合物
中でチオ尿素と反応させて、2゜3−エビチオプロピル
メタクリレートを与え、これをその溶液からエーテルで
抽出する工 ;b)2.3−エビチオプロピルメタクリ
レートと、式 (ここでRはHラジカルまたはnが1〜10の整数であ
るアルキル基CnH2n +tn 、 R’は炭素数1
〜5のアルキル基)を有するビニルモノマーとを後者が
15〜65饅となる割合で、溶剤中で混合する工程; C)溶液を熱処理し、生成共重合体をエタノールから抽
出する工程。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7615520A FR2352007A1 (fr) | 1976-05-21 | 1976-05-21 | Resine sensible aux electrons et procede de fabrication de ladite resine |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52142793A JPS52142793A (en) | 1977-11-28 |
| JPS5835527B2 true JPS5835527B2 (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=9173500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52059292A Expired JPS5835527B2 (ja) | 1976-05-21 | 1977-05-21 | 電子官能性樹脂 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4315067A (ja) |
| JP (1) | JPS5835527B2 (ja) |
| DE (1) | DE2722951C2 (ja) |
| FR (1) | FR2352007A1 (ja) |
| GB (1) | GB1576741A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2382709A1 (fr) * | 1977-03-04 | 1978-09-29 | Thomson Csf | Famille de composes comportant un cycle thiirane, reticulables par irradiation photonique |
| FR2441634A1 (fr) * | 1978-11-14 | 1980-06-13 | Thomson Csf | Resine a cycle thietane reticulable par irradiation electronique ou photonique et son utilisation pour la fabrication de composants electroniques et de couches de protection |
| FR2472768A1 (fr) * | 1979-12-27 | 1981-07-03 | Thomson Csf | Composition photopolymerisable comportant un cycle thiirane, procede de revetement d'une fibre optique utilisant une telle composition, et fibre ainsi revetue |
| JPS59146048A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Chisso Corp | 電子線又はx線に感応性の樹脂 |
| GB2163435B (en) * | 1984-07-11 | 1987-07-22 | Asahi Chemical Ind | Image-forming materials sensitive to high-energy beam |
| FR2630744B1 (fr) * | 1988-04-29 | 1992-04-17 | Thomson Csf | Procede d'obtention d'un materiau polymere utilisable en optique non lineaire et materiau polymere obtenu |
| JP3245324B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2002-01-15 | カネボウ株式会社 | 金属接着剤及び接着方法 |
| TWI482814B (zh) * | 2007-03-16 | 2015-05-01 | Mitsubishi Gas Chemical Co | 光學材料用樹脂組成物及由該組成物得到之光學材料 |
| GB2515697B (en) * | 2012-04-26 | 2020-03-04 | Ppg Ind Ohio Inc | Polymerizable compositions containing ethylenically unsaturated monomers having episulfide functional groups and related methods |
| US9279907B2 (en) | 2012-12-05 | 2016-03-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Epoxide and thioepoxide functional, polymerizable compositions and methods of preparing optical articles therefrom |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3364184A (en) * | 1959-12-04 | 1968-01-16 | Shell Oil Co | Oil - soluble polymeric glycidyl compounds and functional organic compositions containing them |
| US3404158A (en) * | 1964-05-18 | 1968-10-01 | Thiokol Chemical Corp | Thioglycidyl compounds |
| US4130424A (en) * | 1976-08-06 | 1978-12-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process using radiation curable epoxy containing resist and resultant product |
-
1976
- 1976-05-21 FR FR7615520A patent/FR2352007A1/fr active Granted
-
1977
- 1977-05-18 GB GB21007/77A patent/GB1576741A/en not_active Expired
- 1977-05-20 DE DE2722951A patent/DE2722951C2/de not_active Expired
- 1977-05-21 JP JP52059292A patent/JPS5835527B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-07-09 US US06/167,036 patent/US4315067A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2352007A1 (fr) | 1977-12-16 |
| FR2352007B1 (ja) | 1979-08-17 |
| DE2722951A1 (de) | 1977-12-01 |
| JPS52142793A (en) | 1977-11-28 |
| US4315067A (en) | 1982-02-09 |
| GB1576741A (en) | 1980-10-15 |
| DE2722951C2 (de) | 1987-05-07 |
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