JPS5863136A - 光ドライエツチング装置 - Google Patents

光ドライエツチング装置

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Publication number
JPS5863136A
JPS5863136A JP56161580A JP16158081A JPS5863136A JP S5863136 A JPS5863136 A JP S5863136A JP 56161580 A JP56161580 A JP 56161580A JP 16158081 A JP16158081 A JP 16158081A JP S5863136 A JPS5863136 A JP S5863136A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
film
polycrystal
dry etching
mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP56161580A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5863136A publication Critical patent/JPS5863136A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
    • H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
    • H10P50/268—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は固体のドライエツチング装置に関し例えば半
導体表面のドライエツチング装置を対象とする。
半導体装置の製造において、基材となるシリロン（日イ
〕等の半導体ウェーハやウェーハ表面の酸化膜（５ｊｏ
ｚ）等のエツチング処理に気体を化学反応させて行なう
ドライエツチング法が在来のウ１− エツトエツチング液をｍ−たウェット法に代って洗浄処
理等の後工程を不要とする手軽さの点から最近多く採用
されつつある。
しかしながら、従来のドライエツチング法では図形状に
固体表面をエツチングする場合には固体表面にレジスト
膜を図形状に形成した後にエツチング処理を施す必要が
あり必ずしも効率的な方法とはｂえな一〇 本発明は上記した従来技術の問題を解決するために々さ
れたものであって、その目的はドライエツチングにおい
て工り効率的な図形状エツチングを可能にする装置を提
供することにある。
上記目的を達成するためこの発明においては、固体に対
し気体を反応させるドライエツチング装置において、図
形状マスクを透過した光を固体表面に前記マスク図形を
結像させる光学系を具備することを特徴とする。
以下、本発明を実施例にそって説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、２ＫＷ程にの
ＸｇあるいはＬｓ　−Ｈｇランプ１からの光は反２− 射ｆｊ！２．３お工びフライ・アイ・レンズ４を通して
マスク上５に平行光線として照射され、結像光学レンズ
系６を通して石英反応管７円に設置された＋ＢＢ上に形
成された５ｚ３Ｎ４膜９と多結晶Ｓ（膜ｌＯ上にマスク
図形を結像して照射される１、石英管７内にはｃ７２ガ
スが導入され、管内圧力を２００Ｔｏｒｒに保持される
。この様に多結晶ｓ７膜上に結像図形状態で光を照射し
ながら＋Ｊ、ガスに旺すことにエリ多結晶Ｓ（は０．３
ミグ０フ１分程Ｉのエツチング速度で図形状にエツチン
グされ、５ｉ３Ｎ４膜９Ｉはエツチング舎ストップ材と
しての作用をする。
この様に図形状に結像光を固体表面に照射することにエ
リドライエツチングを図形状に行なう方式ではレジスト
を固体表面に塗布して一担露光、現象、定着等の処理を
要することなく、効率的に図形状エツチングをドライエ
ツチングで施すことができる効果がある。
尚、図形の結像は縮少投影方式にエリ、それをステップ
・アンド・リピートで行なっても良く、３− 又、ガラス・レンズに工らず反射レンズ光学系を用すて
も良い。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す照弐図である。 １・・ランプ　２．３−・反射鏡　４・・フライ・アイ
・レンズ　５・・ガラスｅマスク　６ｅ・結像光学系　
７・・石英反応管　８・・ＳＺウェーハ　９−・Ｂｉｓ
Ｎ４Ｍ　　１０　ＩＩ。多結晶８ｉ膜。 以　　　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理士最　上　　務 ４−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 固体に対し気体を反応させて上記固体表面をエツチング
    するに当り、同時に図形状マスクを透過した光を固体表
    面に前記マスク図形を結像させる光学系を有することに
    エリ、図形状にエツチングを行なうことを特徴とする光
    ドライエツチング装置。
JP56161580A 1981-10-09 1981-10-09 光ドライエツチング装置 Pending JPS5863136A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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