JPS5836411B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS5836411B2 JPS5836411B2 JP53079310A JP7931078A JPS5836411B2 JP S5836411 B2 JPS5836411 B2 JP S5836411B2 JP 53079310 A JP53079310 A JP 53079310A JP 7931078 A JP7931078 A JP 7931078A JP S5836411 B2 JPS5836411 B2 JP S5836411B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- recording medium
- fine particles
- nonmagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録媒体の改良に係り、記録密度の向上
を目指すオーディオ分野、ビデオ分野において磁気テー
プ、磁気ディスクを問わず効果的なものを提供せんとす
るものである。
を目指すオーディオ分野、ビデオ分野において磁気テー
プ、磁気ディスクを問わず効果的なものを提供せんとす
るものである。
近年、磁気記録において記録密度の向上は目覚しく、記
録媒体、記録再生システムの両方向からの改良が進めら
れている。
録媒体、記録再生システムの両方向からの改良が進めら
れている。
そのひとつの方向として、いわゆる塗布形の二層塗りに
よる高周波特性の改善があげられる。
よる高周波特性の改善があげられる。
これは従来のγ−Fe203の針状粒子を結合剤と共に
高分子戒形物基材上に塗布乾燥して得た磁性層上に、C
rO2等のr−Fe203より保磁力の大きい磁性体を
同様に塗布乾燥して二層構造とするのを基本としていた
が、塗布乾燥技術より長尺を安定に得る上では塗布厚を
1μ程度にまで下げるのが限界であり、下層と上層の保
磁力の調節や角形比、パッキングファクタ、塗布厚など
の相互調整によって得られる改善は、4. 7 5 c
rn/secのテープ速度で、記録ヘッドギャップ5μ
を用い、周波数10KHzで7〜8dB程度であり、記
録波長の短波長化を目指す分野、例えばビデオ分野では
一層の改善が期待されている。
高分子戒形物基材上に塗布乾燥して得た磁性層上に、C
rO2等のr−Fe203より保磁力の大きい磁性体を
同様に塗布乾燥して二層構造とするのを基本としていた
が、塗布乾燥技術より長尺を安定に得る上では塗布厚を
1μ程度にまで下げるのが限界であり、下層と上層の保
磁力の調節や角形比、パッキングファクタ、塗布厚など
の相互調整によって得られる改善は、4. 7 5 c
rn/secのテープ速度で、記録ヘッドギャップ5μ
を用い、周波数10KHzで7〜8dB程度であり、記
録波長の短波長化を目指す分野、例えばビデオ分野では
一層の改善が期待されている。
本発明は、このような要求を満足すべくなされたもので
あって、記録媒体の断面の構造例を第1図に示した。
あって、記録媒体の断面の構造例を第1図に示した。
第1図は、高分子成形物または非磁性金属からなる非磁
性基材1の表面に、例えば鉄族元素の単体もしくはそれ
らの合金の微粒子と非磁性微粒子例えばSiとを結合剤
と共に塗布固定してなる1〜10μ、好ましくは1〜3
μの塗布形の磁性層2を配設し、その上に、前記非磁性
微粒子と同一物質の非磁性層3すなわちSiからなる層
を介して真空蒸着法、イオンプレーテイング法、スパッ
タリング法等で得た高々0.5μまでの強磁性金属薄膜
からなる磁性層4を配し、さらにその上部に必要に応じ
て無機物質、有機物質等の保護層5を配した磁気記録媒
体を示すものである。
性基材1の表面に、例えば鉄族元素の単体もしくはそれ
らの合金の微粒子と非磁性微粒子例えばSiとを結合剤
と共に塗布固定してなる1〜10μ、好ましくは1〜3
μの塗布形の磁性層2を配設し、その上に、前記非磁性
微粒子と同一物質の非磁性層3すなわちSiからなる層
を介して真空蒸着法、イオンプレーテイング法、スパッ
タリング法等で得た高々0.5μまでの強磁性金属薄膜
からなる磁性層4を配し、さらにその上部に必要に応じ
て無機物質、有機物質等の保護層5を配した磁気記録媒
体を示すものである。
なお、上記強磁性微粒子と非磁性微粒子との混入割合は
、非磁性微粒子 強磁性微粒子+非磁性微粒子 =10〜60重量%(最
も好ましくは10〜20重量%)が適当である。
、非磁性微粒子 強磁性微粒子+非磁性微粒子 =10〜60重量%(最
も好ましくは10〜20重量%)が適当である。
一実施例として、真空蒸着法を適用して製造する場合に
ついて第2図を用いて説明する。
ついて第2図を用いて説明する。
真空槽6内に円筒状の冷却キャン1,8と蒸発源9,1
0.11をそれぞれ対向配設する。
0.11をそれぞれ対向配設する。
12は捲き取り軸、13は捲き出し軸を示し、非磁性基
材1はローラ14を介して前記円筒状の冷却キャン8,
7の周側面に沿って前記捲き出し軸13より捲き取り軸
12へ移動する。
材1はローラ14を介して前記円筒状の冷却キャン8,
7の周側面に沿って前記捲き出し軸13より捲き取り軸
12へ移動する。
15はスリットを示すが、圧力差を保持する必要がない
場合は不要である。
場合は不要である。
仕切板16とキャン7,8とでほぼ仕切られた空間1γ
,18,19,21’lは差圧状態が保持できる構造に
なっているが、これに限定されるものでないことは勿論
である。
,18,19,21’lは差圧状態が保持できる構造に
なっているが、これに限定されるものでないことは勿論
である。
21,22は真空排気系、23,24,25は加熱源、
26は可変リーク弁であり、必要に応じてガス導入が出
来る構造である。
26は可変リーク弁であり、必要に応じてガス導入が出
来る構造である。
なお、21は絶縁導入端子である。蒸発源9,io,i
iは抵抗加熱方式を模擬的に示したが、電子ビームによ
る加熱方式のほか、公知のいずれの方式を用いてもよい
。
iは抵抗加熱方式を模擬的に示したが、電子ビームによ
る加熱方式のほか、公知のいずれの方式を用いてもよい
。
以下その動作について説明する。
非磁性基材1としてポリエチレンテレフタレートフイル
ム(12μ厚)を用い、その上にFe微粒子とSi微粒
子とを結合剤と共に厚さ3μに塗布固定したものを新た
な基材として用い、キャン8,1に熱媒70℃を通し蒸
発源を作動させずに基材を移動搬送し、塗布層からの未
硬化物質や吸湿ガス等を放出させ安定化を図る。
ム(12μ厚)を用い、その上にFe微粒子とSi微粒
子とを結合剤と共に厚さ3μに塗布固定したものを新た
な基材として用い、キャン8,1に熱媒70℃を通し蒸
発源を作動させずに基材を移動搬送し、塗布層からの未
硬化物質や吸湿ガス等を放出させ安定化を図る。
この工程は必須のものではもちろんなく、結合剤との兼
ね合いで省くこともできる。
ね合いで省くこともできる。
そののち、例えば蒸発源10によりSiを蒸発させ、蒸
発源9によりCoを蒸発させることにより前記基材1上
にSi層3とCo層4を形成させる。
発源9によりCoを蒸発させることにより前記基材1上
にSi層3とCo層4を形成させる。
その後基材を反転させ、蒸発源11を作動させ、S t
02の保護層5を形成させる。
02の保護層5を形成させる。
勿論保護層の形成は、真空蒸着に限るものではなく、塗
布法よりは薄くて走行性に効果を与え、かつ防食効果を
有する層の形成法であればよい。
布法よりは薄くて走行性に効果を与え、かつ防食効果を
有する層の形成法であればよい。
真空蒸着法によりSi層3:0.05μ,Co層4二〇
.05μ,Sin2層5:0.05μポリエチレンテレ
フタレートフイルム(12μ厚)上に形成した場合の磁
気特性は飽和磁束密度14000CG)、角形比100
%、保磁力720〔Oe〕であった。
.05μ,Sin2層5:0.05μポリエチレンテレ
フタレートフイルム(12μ厚)上に形成した場合の磁
気特性は飽和磁束密度14000CG)、角形比100
%、保磁力720〔Oe〕であった。
これをFe微粒子と非磁性微粒子として平均粒径300
XのSi微粒子を15重量%(Feに対して)加えて結
合剤と共に3μ塗布固定(パッキングファクタ46%)
した磁性層(保磁力5000e )の上に前記層を得る
条件で蒸着した。
XのSi微粒子を15重量%(Feに対して)加えて結
合剤と共に3μ塗布固定(パッキングファクタ46%)
した磁性層(保磁力5000e )の上に前記層を得る
条件で蒸着した。
4. 7 5 CIrL/secのテープ速度で、記録
ヘッドギャップ5μの記録◇ツドを用い周波数10KH
zを記録して比較した。
ヘッドギャップ5μの記録◇ツドを用い周波数10KH
zを記録して比較した。
塗布層のみの場合に比べてCo層を形或した方が7 d
B高かった。
B高かった。
組み合わせによるが、co層0.02〜0.1μについ
て同一強磁性塗布層上に形或して比較したが、保磁力6
000e〜12000eの範囲で5dB〜12dT3I
v出力増の効果を確認した。
て同一強磁性塗布層上に形或して比較したが、保磁力6
000e〜12000eの範囲で5dB〜12dT3I
v出力増の効果を確認した。
なお、非磁性層3については、Ti,AA,Sn,In
,Cu,Crやこれらの非磁性金属の酸化物等について
も同様の実験を行ったが、それによる有意差はみられな
かった。
,Cu,Crやこれらの非磁性金属の酸化物等について
も同様の実験を行ったが、それによる有意差はみられな
かった。
さらに、Co層の形或を単層で行わず、0.09μ形成
する場合、例えば0.03μを、前述の非磁性層を0.
02〜0.04μ介して3層重畳して得た場合について
も基本的lこ効果は同一であった。
する場合、例えば0.03μを、前述の非磁性層を0.
02〜0.04μ介して3層重畳して得た場合について
も基本的lこ効果は同一であった。
以上述べた実施例についてはいずれも市販のγ−Fe2
03塗布テープ、CrO2テープとも比較し、14〜2
0dBの改善がみられ、塗布層による二層構5或による
高周波特性の改善を図ったタイプのものよりも6〜1
2 dBもさらに高い出力改善がみられたものである。
03塗布テープ、CrO2テープとも比較し、14〜2
0dBの改善がみられ、塗布層による二層構5或による
高周波特性の改善を図ったタイプのものよりも6〜1
2 dBもさらに高い出力改善がみられたものである。
これはビデオ領域についても同様で、さらに記録波長の
短波長化が図られる磁気記録技術分野においても同様で
ある。
短波長化が図られる磁気記録技術分野においても同様で
ある。
以上のように本発明による磁気記録媒体は、塗布形の磁
性層と金属薄膜形の磁性層との間に前記塗布形の磁性層
の中に混入した非磁性微粒子と同一物質の非磁性層を形
成したものであり、この構成により磁気記録媒体として
の摩耗特性に一層の改善がみられた。
性層と金属薄膜形の磁性層との間に前記塗布形の磁性層
の中に混入した非磁性微粒子と同一物質の非磁性層を形
成したものであり、この構成により磁気記録媒体として
の摩耗特性に一層の改善がみられた。
第3図に摩耗量とSi微粒子の添加量との関係を示す。
図はフエライト磁気ヘッドを使用し、テープ速度4.
7 5 cm/secでの10個のサンプルのバラツキ
特性である。
7 5 cm/secでの10個のサンプルのバラツキ
特性である。
上記効果は両磁性層間の付着強度の増加によるものであ
り、現状の磁気ヘッドと磁気記録媒体が摺接移動するシ
ステムにおいては価値が大きいものである。
り、現状の磁気ヘッドと磁気記録媒体が摺接移動するシ
ステムにおいては価値が大きいものである。
従来、塗布形の磁性層と金属薄膜形の磁性層の積層構造
の媒体もみられるが、この種のものは磁性層相互の接着
力が十分とはいえず、最上層の磁性層が剥れ、その剥れ
た磁性層が粉体となってさらに媒体を摩耗させるという
欠点があったが、本発明においては、塗布形の磁性層中
の非磁性微粒子と同一物質の非磁性層が両磁性層の接着
力を高め、したがって剥れがなく、剥れによる摩耗を未
然に防ぐことができるものである。
の媒体もみられるが、この種のものは磁性層相互の接着
力が十分とはいえず、最上層の磁性層が剥れ、その剥れ
た磁性層が粉体となってさらに媒体を摩耗させるという
欠点があったが、本発明においては、塗布形の磁性層中
の非磁性微粒子と同一物質の非磁性層が両磁性層の接着
力を高め、したがって剥れがなく、剥れによる摩耗を未
然に防ぐことができるものである。
以上のように本発明による磁気記録媒体は、耐摩耗性に
すぐれているという特長を有しているものであり、その
産業性は犬なるものである。
すぐれているという特長を有しているものであり、その
産業性は犬なるものである。
第1図は本発明による磁気記録媒体の一実施例の断面図
、第2図は同磁気記録媒体を製造するための装置の一実
施例の断面正面図、第3図は本発明による磁気記録媒体
の摩耗特性図である。 1・・・・・・非磁性基材、2・・・・・・第1の磁性
層、3・・・・・・非磁性層、4・・・・・・第2の磁
性層、5・・・・・・保護層。
、第2図は同磁気記録媒体を製造するための装置の一実
施例の断面正面図、第3図は本発明による磁気記録媒体
の摩耗特性図である。 1・・・・・・非磁性基材、2・・・・・・第1の磁性
層、3・・・・・・非磁性層、4・・・・・・第2の磁
性層、5・・・・・・保護層。
Claims (1)
- 1 高分子成形物、非磁性金属等の非磁性基材の表面に
強磁性の金属の微粒子と非磁性微粒子とを結合剤中に混
入してなる第1の磁性層を形成し、その第4の磁性層の
上に前記非磁性微粒子と同一物質の非磁性層を形成し、
その非磁性層の上に強磁性金属薄膜を第2の磁性層とし
て形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53079310A JPS5836411B2 (ja) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53079310A JPS5836411B2 (ja) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS558618A JPS558618A (en) | 1980-01-22 |
| JPS5836411B2 true JPS5836411B2 (ja) | 1983-08-09 |
Family
ID=13686274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53079310A Expired JPS5836411B2 (ja) | 1978-06-29 | 1978-06-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5836411B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180013U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-29 | 株式会社山武 | 基準電圧発生回路 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857631A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5319809A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
| JPS6037970B2 (ja) * | 1976-11-12 | 1985-08-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製法 |
-
1978
- 1978-06-29 JP JP53079310A patent/JPS5836411B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180013U (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-29 | 株式会社山武 | 基準電圧発生回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS558618A (en) | 1980-01-22 |
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