JPS5837176A - 真空蒸着用抵抗加熱型蒸発源 - Google Patents

真空蒸着用抵抗加熱型蒸発源

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Publication number
JPS5837176A
JPS5837176A JP13409781A JP13409781A JPS5837176A JP S5837176 A JPS5837176 A JP S5837176A JP 13409781 A JP13409781 A JP 13409781A JP 13409781 A JP13409781 A JP 13409781A JP S5837176 A JPS5837176 A JP S5837176A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaporation
resistance heating
boat
heating type
evaporation source
Prior art date
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Pending
Application number
JP13409781A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyo Nishijima
西島 英世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
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Publication of JPS5837176A publication Critical patent/JPS5837176A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、真空蒸着に用いられる抵抗加熱型蒸発源に関
する。
真空蒸着により蒸着膜を形成する場合に、膜厚や蒸着速
度を制御する方法としては、分光反射率や分光透過率を
利用する光学的膜厚監視装置、水晶発振子などを用いて
、ダイナミックに制御する方法が知られているが、これ
らの方法が適用できるのは最大10#L程度の蒸着膜ま
でであり、また、適用できる蒸着物質にも制限がある。
ダイナミックな制御が困難な場合あるいはその必要がな
い場合などは、予め実験を行ない、蒸着物質の蒸発源へ
の充填量や蒸発源への通電電流値などの条件を設定して
蒸着が行なわれている。設定条件に従って蒸着を繰り返
せば常に同一の蒸着条件が得られるはずであるが、実際
には条件が変動する。第1図は、スリットを有する肉厚
0.8簾の円筒状ステンレスボートを繰り返し使用した
場合に、同一のボート温度(蒸発源温度)を得るために
必要な電流値を示すグラフである。これから明らかなよ
うに、ボートを多数回使用してヒート、サイクルを繰り
返すと、所定のボート温度を得るためにはボートに流す
電波量を増加させなければならない。このことは、ボー
トを繰り返し使用する場合にはボートに供給する電流、
すなわちボートの発熱量を多くする必要があることを意
味する。このため、繰り返し回数により供給電簿を変化
させて制御させることが必要となるが、これは煩雑なば
かりか再現性も怪しいものである。ことに、蒸気圧が異
なる成分を含む合金材料を蒸着する場合に、実際の蒸着
条件が設定条件から外れると、蒸着膜の膜厚方向に合金
成分の偏析を生じたり、ボート内で突沸を生じたり、種
々の不都合な点が発生する。
本発明は、繰り返し使用しても特性の変化が少なく、設
定蒸着条件に与える影譬の少ない真空蒸着用抵抗加熱量
蒸着源を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の抵抗加熱型蒸発源は、充填される蒸
着物質と接触しない面または蒸着時に蒸気に直接さらさ
れる部分が輻射率を大きくするように処理されているこ
とを特徴とする。
抵抗加熱型蒸発源の材質としては、ステンレス、モリブ
デン、タンタル、タングステンなどの金属が用いられる
。これらの輻射率はε=0.1〜0.2と小さいが、蒸
着が繰り返されると輻射率が大きくなる。たとえば第1
図に示した場合では、蒸着が500回繰り返されたこと
によりステンレス製円筒ボートの外周面がε=0.1〜
0、2からg = 0.6〜0.8に変化し輻射損出が
増太し、その結果、必要供給電流値が増大する。
蒸発源は真空中で加熱されるので、蒸発物質に加えられ
る熱量Wは以下のように与えられる。
WW Wo  −Wr Wo:発熱量 Wr:輻射損出熱量 W6 = I”p X−1−×− 4,190 Wr−Bogσで I−1・88A:電流値 p=92 X 10−’Ω1;抵抗値 # −Q、2〜1.0:輻射率 et x 1. B @ X 10−”Ke&110s
l争m@a−’に:ステファンボルツマン定数 Tり27B+320=598笈:絶対 温度 9(1txs 3π−0,9m :面積D−(3π−o
、 e ) x o、 o s ad :部面積 W(1と個々の輻射率1についてのWrを比較してみる
と、− Wo = 1.10 X 10−”Kcal /asW
r = 1.42 X 10−’Kcal/m(g=l
 )== 1.14 X 10−”Kcal /lxi
 (g−0,8)= 0.85 X 10””Kcal
 /csl (g=0.6 )−= 0.57 X 1
0−”Kcal /lx (l=0.4 )= 0.2
8 X 10−”Keal/cIL(g=0.2 )と
なる。Woに比して、Wrのオーダーが同じであるため
、蒸発物質に加えられる熱量Wは輻射損出熱量Wrに大
きく影譬を受ける。さらに、Wrは輻射率6に依存する
ため第1図に示すようにボート電流値を変化させなけれ
ばならない。
逆にいうと、蒸発物質に加えられる熱量の変化を少なく
するには、輻射損出熱量の変化量、すなわち輻射*εの
変化量を少なくすればよい。
輻射率1の変化量を少なくするには、予め輻射率が大き
くなるように、好ましくは異体輻射(1=1)に近い状
態(#=0.7〜0.8以上)になるように蒸発源を処
理しておけばよい。たとえば、蒸着を繰り返すことによ
りgが0.2から1.0に変化すると、変化量6gはO
,Sとなり、またt = 0.4から1,0に変化する
とA g = 0.6となるが、予め# = 0.7〜
0.8に処理されていればεカ11.0に変化しても変
化量Δ8は0.2〜0゜3と少なくすることができる。
第2図は、スリット1を有する円筒状ボート2の断面図
である。本発明においては、円筒状ボート2の充填され
た蒸着物質3と接触しない面、すなわち外周面21が、
輻射率が大きくなるように、好ましくはε=0.7〜0
.8以上になるように処理(異化)されている。さらに
、内周面22を異化してもよい。以上、円筒状の抵抗加
熱型蒸発源を、中心にして説明したが、形状はこれに限
られず、箱状、半円筒状、樋状、あるいは中心部を凹状
にしたものなどいずれもが使用できる。
抵抗加熱型蒸発源の表面を異化するには、空やきすると
g = 0.3〜0.4になる。さらに異化するには、
たとえば、F匂04を用いるか、F@es 。
F@B・、を用いればよい。後者の化合物は真空中でボ
ートを400℃に加熱しS・の蒸気に10時間さらすこ
とにより形成することができる。
率を大きくするように処理されていることにより、蒸着
回数を重ねてヒートサイクルを繰り返しても蒸発源の特
性の変化が少なく、初期の設定条件を繰り返すことによ
り同一の蒸着操作を再現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は繰り返し回数とボート電流値の関係を示すグラ
フである。 第2図はスリットを有する円筒状ボートの断面図である
。 1・・・スリット     2由円筒状ボート3・・・
蒸着愉質     21・・・外周面22・・・内周面 昂1 図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、充填される蒸着物質と接触しない面または蒸着時蒸
    気に直接さらされる部分が輻射率を大きくするように処
    理されていることを特徴とする真空蒸着用抵抗加熱型蒸
    発源。
JP13409781A 1981-08-28 1981-08-28 真空蒸着用抵抗加熱型蒸発源 Pending JPS5837176A (ja)

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JP13409781A JPS5837176A (ja) 1981-08-28 1981-08-28 真空蒸着用抵抗加熱型蒸発源

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JP13409781A JPS5837176A (ja) 1981-08-28 1981-08-28 真空蒸着用抵抗加熱型蒸発源

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JPS5837176A true JPS5837176A (ja) 1983-03-04

Family

ID=15120364

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JP13409781A Pending JPS5837176A (ja) 1981-08-28 1981-08-28 真空蒸着用抵抗加熱型蒸発源

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