JPS5837620A - 液晶セル基板の製造方法 - Google Patents
液晶セル基板の製造方法Info
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- JPS5837620A JPS5837620A JP56135096A JP13509681A JPS5837620A JP S5837620 A JPS5837620 A JP S5837620A JP 56135096 A JP56135096 A JP 56135096A JP 13509681 A JP13509681 A JP 13509681A JP S5837620 A JPS5837620 A JP S5837620A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶セル基板庖にポリイミド被膜を配向処理
膜として表面に有する液晶セル基板の製造方法に関する
。
膜として表面に有する液晶セル基板の製造方法に関する
。
液晶表示装置の耐熱特性改善のため、液晶の配向処理膜
としてポリイミド被膜を用いる場合がある。ポリイミド
被膜の絶縁基板上への形成は、スピンナーによる塗布方
法が一般的であったが、基板の大きさに制限があり、又
ポリイミド被膜の膜厚が不均一になる欠点があった。さ
らにポリイミド被１１１Ａとシール材との接着力が極め
て低く、得られる液晶表示装置の耐熱特性も低下してし
まう欠点があった。
としてポリイミド被膜を用いる場合がある。ポリイミド
被膜の絶縁基板上への形成は、スピンナーによる塗布方
法が一般的であったが、基板の大きさに制限があり、又
ポリイミド被膜の膜厚が不均一になる欠点があった。さ
らにポリイミド被１１１Ａとシール材との接着力が極め
て低く、得られる液晶表示装置の耐熱特性も低下してし
まう欠点があった。
本発明の目的は、叙上の従来の欠点を解消し、均一な膜
厚のポリイミド被膜を安易に形成でき、耐熱特性、機械
的強度の優れた液晶表示装置を提供することである。以
下図面をもとに、本発明を説明する。
厚のポリイミド被膜を安易に形成でき、耐熱特性、機械
的強度の優れた液晶表示装置を提供することである。以
下図面をもとに、本発明を説明する。
１゛−−３−−−
第１図は、一般的な液晶表示装置の断側面図であり、（
１）は、液晶セル基板で、表面にＩｎＯ，等の透明電極
等を有するガラスノ１に板等の絶縁基板からなっている
。液晶表示装置に、少なくとも一方が透明な互に対向し
た２枚の液晶セル基板（１）、（１）の間隙に、ネマチ
ック液晶等の液晶物質（２）を、エポキシ樹脂等のシー
ル材（３）で封入した構造になっている。第２図Ｇ）、
（ロ）は、それぞれ従来の液晶セル基板及び液晶表示装
置の構造を示す図である。第２図（イ）、（ロ）をもと
に、従来の液晶表示装置の製造方法を説明する。
１）は、液晶セル基板で、表面にＩｎＯ，等の透明電極
等を有するガラスノ１に板等の絶縁基板からなっている
。液晶表示装置に、少なくとも一方が透明な互に対向し
た２枚の液晶セル基板（１）、（１）の間隙に、ネマチ
ック液晶等の液晶物質（２）を、エポキシ樹脂等のシー
ル材（３）で封入した構造になっている。第２図Ｇ）、
（ロ）は、それぞれ従来の液晶セル基板及び液晶表示装
置の構造を示す図である。第２図（イ）、（ロ）をもと
に、従来の液晶表示装置の製造方法を説明する。
従来の液晶表示装置の製造にあたっては、まず、第２図
（イ）に示すように、ガラス基板などの絶縁基板１．ｉ
η上に、印刷法、蒸着法などによりＩｎ（Ｊ、等の金属
酸化物からなる透明電極（１つを所定形状に形成する。
（イ）に示すように、ガラス基板などの絶縁基板１．ｉ
η上に、印刷法、蒸着法などによりＩｎ（Ｊ、等の金属
酸化物からなる透明電極（１つを所定形状に形成する。
該透明電極（１３を被って、浸漬法、蒸オーｒ法、印刷
法などによりアルミニウムアセチルアセトナート等の有
機アルミニウム化合物を塗布し、３５０℃で３０分間熱
処理し、ポリイミド被膜とガラス基板との密着度を上げ
るためＡｌ ｔ Ｏｓの４ｆｔ縁被膜時特開昭５８−
３７６２０（２ノ を形成する。さらに、該絶縁被膜θ→上に、スピンナー
によりポリアミック酸被膜を塗布し、３５０℃、３０分
熱処理を行いポリイミド被膜の配向処理膜（１４１を形
成する。該配向処理膜Ｑ４１を一定方向にラビングして
、液晶セル基板（１）を作製する。このようにして作製
した２枚の液晶セル基板上の周辺に、１１に品注入］］
を除き、所定形状に、エポキシ樹脂などのシール旧を塗
布乾燥した後、２枚の液晶セル基板を密灰配置し、加圧
加熱し、シール材を硬化させてｆ（ｋ晶セルを作製する
。次に、液晶物質を液晶注入［１より注入封止して、第
２図（ロ）に示すような液晶表示装置を完成する。斜上
のような液晶表示装置１″？の製イ１ｆ方法では、配向
処理膜０ゆが、シール材（３）と絶縁被膜０３との間に
介在しており、ポリイミドからなる配向処ｒ４１１膜ｕ
１１１が、エポキシ樹脂等から々るシール材（３）と絶
縁被膜０→との密着性を悪くしていた。このだめ、液晶
表示装置は、強度的に弱く、少しの応力、ｉｊｉ＋撃力
が働いた場合、２枚の絶縁基板がはがれ、機械強度的に
弱く、耐湿性、耐熱性の悪いものとなっていた。又、ス
ピンナー一−５−− により塗布したポリアミック酸被膜は、乾燥しす１１１
く、熱処理工程までの絶縁基板の取り扱い方や、熱処理
条件によっては、均一な膜厚のポリイミド被膜が得られ
ない欠点があった。
法などによりアルミニウムアセチルアセトナート等の有
機アルミニウム化合物を塗布し、３５０℃で３０分間熱
処理し、ポリイミド被膜とガラス基板との密着度を上げ
るためＡｌ ｔ Ｏｓの４ｆｔ縁被膜時特開昭５８−
３７６２０（２ノ を形成する。さらに、該絶縁被膜θ→上に、スピンナー
によりポリアミック酸被膜を塗布し、３５０℃、３０分
熱処理を行いポリイミド被膜の配向処理膜（１４１を形
成する。該配向処理膜Ｑ４１を一定方向にラビングして
、液晶セル基板（１）を作製する。このようにして作製
した２枚の液晶セル基板上の周辺に、１１に品注入］］
を除き、所定形状に、エポキシ樹脂などのシール旧を塗
布乾燥した後、２枚の液晶セル基板を密灰配置し、加圧
加熱し、シール材を硬化させてｆ（ｋ晶セルを作製する
。次に、液晶物質を液晶注入［１より注入封止して、第
２図（ロ）に示すような液晶表示装置を完成する。斜上
のような液晶表示装置１″？の製イ１ｆ方法では、配向
処理膜０ゆが、シール材（３）と絶縁被膜０３との間に
介在しており、ポリイミドからなる配向処ｒ４１１膜ｕ
１１１が、エポキシ樹脂等から々るシール材（３）と絶
縁被膜０→との密着性を悪くしていた。このだめ、液晶
表示装置は、強度的に弱く、少しの応力、ｉｊｉ＋撃力
が働いた場合、２枚の絶縁基板がはがれ、機械強度的に
弱く、耐湿性、耐熱性の悪いものとなっていた。又、ス
ピンナー一−５−− により塗布したポリアミック酸被膜は、乾燥しす１１１
く、熱処理工程までの絶縁基板の取り扱い方や、熱処理
条件によっては、均一な膜厚のポリイミド被膜が得られ
ない欠点があった。
従来の欠点を解消した本発明の特徴は、絶縁基板をポリ
アミック酸溶液中に浸漬しｆＣｆ＆絶縁基板を加熱しな
がら引き上げることにより均一な；膜厚のポリアミック
酸被膜を絶縁基板上に形成したことであり、又不必要な
ポリアミック酸被膜を除去し、シール材と絶縁基板との
密着性を良くシ、機械的強度のある液晶表示装置を扉供
したことである。
アミック酸溶液中に浸漬しｆＣｆ＆絶縁基板を加熱しな
がら引き上げることにより均一な；膜厚のポリアミック
酸被膜を絶縁基板上に形成したことであり、又不必要な
ポリアミック酸被膜を除去し、シール材と絶縁基板との
密着性を良くシ、機械的強度のある液晶表示装置を扉供
したことである。
次に、本発明液晶セル基板の製造方法を説明する。絶縁
基板上にＡ７２０．の絶縁被膜を形成させる昔では、従
来と同様である。次に、捷ずポリアミック酸溶液を作製
する。即ち、ポリアミック酸例えば、日立化成社製ＰＩ
Ｑ１００Ｆに、Ｎ−メチルピロリドン１００５’を加え
よく混合する。次にアセトン７００２とＮ−メチルピロ
リドン１００１との混合溶液を、攪拌しながら少祉づつ
加え混合し、前艷□更− 記Ｐ Ｉ Ｑを１０倍に１１ｉ′８釈した溶液を作り、
２〜３目放ｌｉｄ後１吏用する。作製したポリアミック
酸と、アセトンど、ＩＮ−メチルピロリドンとの混合浴
液に、ガラスなどの絶縁基板を浸漬し、ゆっくりと引き
上げながら、絶縁基板の両側面より赤外線ヒーター等に
」：す、絶縁水板表面温度が１２０℃〜１５０℃になる
ように加熱する。第３図は、この様子を示しだもので、
容器（４）に満たした前記混合溶７＋Ｍ（５）中に、絶
縁基板（１）を浸漬し、赤外線ヒーター（６）中を通過
させながら、ゆっくりと矢印方向に引き上げ、絶縁基板
（］）上にポリアミック１１ｐの破膜（７）を形成する
。なお、（８）は、絶縁基板ホルダーで、該ホルダーは
、赤外線ヒーター（６）の熱により絶縁基板（１）に与
えられた応力が緩和されるようスポンジ寺の弾性材（９
）を絶縁基板（１）との間に設ける必要がある。斜上の
ようにして作製したポリアミック酸の被膜（７）は、か
なり固く膜厚の均一な被膜となり、後工程の熱処理によ
り得られるポリイミドの被ｊ漢も均一なものとなる。
基板上にＡ７２０．の絶縁被膜を形成させる昔では、従
来と同様である。次に、捷ずポリアミック酸溶液を作製
する。即ち、ポリアミック酸例えば、日立化成社製ＰＩ
Ｑ１００Ｆに、Ｎ−メチルピロリドン１００５’を加え
よく混合する。次にアセトン７００２とＮ−メチルピロ
リドン１００１との混合溶液を、攪拌しながら少祉づつ
加え混合し、前艷□更− 記Ｐ Ｉ Ｑを１０倍に１１ｉ′８釈した溶液を作り、
２〜３目放ｌｉｄ後１吏用する。作製したポリアミック
酸と、アセトンど、ＩＮ−メチルピロリドンとの混合浴
液に、ガラスなどの絶縁基板を浸漬し、ゆっくりと引き
上げながら、絶縁基板の両側面より赤外線ヒーター等に
」：す、絶縁水板表面温度が１２０℃〜１５０℃になる
ように加熱する。第３図は、この様子を示しだもので、
容器（４）に満たした前記混合溶７＋Ｍ（５）中に、絶
縁基板（１）を浸漬し、赤外線ヒーター（６）中を通過
させながら、ゆっくりと矢印方向に引き上げ、絶縁基板
（］）上にポリアミック１１ｐの破膜（７）を形成する
。なお、（８）は、絶縁基板ホルダーで、該ホルダーは
、赤外線ヒーター（６）の熱により絶縁基板（１）に与
えられた応力が緩和されるようスポンジ寺の弾性材（９
）を絶縁基板（１）との間に設ける必要がある。斜上の
ようにして作製したポリアミック酸の被膜（７）は、か
なり固く膜厚の均一な被膜となり、後工程の熱処理によ
り得られるポリイミドの被ｊ漢も均一なものとなる。
次に、エツチングレジスト例えば、プロトコー■＋−−
−７− ト社５３４ｏ−ｃをスクリーン印刷法により、外部との
接続端子部とシール部とを除いた絶縁ノ、（仮」二の前
記ポリアミック酸の被膜上に塗布した陵、乾燥する。
−７− ト社５３４ｏ−ｃをスクリーン印刷法により、外部との
接続端子部とシール部とを除いた絶縁ノ、（仮」二の前
記ポリアミック酸の被膜上に塗布した陵、乾燥する。
次に、３俤水酸化ナトリウム溶液にて、外部との接続端
子部とシール部とのポリアミック酸液ハαをエツチング
除去した後、絶縁基板を水洗後トリクロルエタン中にて
超音波洗浄を行って、エツチングレジストを除去する。
子部とシール部とのポリアミック酸液ハαをエツチング
除去した後、絶縁基板を水洗後トリクロルエタン中にて
超音波洗浄を行って、エツチングレジストを除去する。
エツチングレジストを除去した絶縁基板を、３５０℃に
−Ｃ３０分間熱処３］１１して、ポリアミック酸に架橋
反応を起こさせポリイミド被膜を形成する。該ポリイミ
ド被膜上を、脱脂綿にて一定方向に摩擦して配向処理を
行い、配向処理膜となし、液晶セル基板を完成する。
−Ｃ３０分間熱処３］１１して、ポリアミック酸に架橋
反応を起こさせポリイミド被膜を形成する。該ポリイミ
ド被膜上を、脱脂綿にて一定方向に摩擦して配向処理を
行い、配向処理膜となし、液晶セル基板を完成する。
完成した１枚の液晶セル基板」−のポリイミド被膜が形
成されていないシール部上に、エボキ７傾１脂等のシー
ル材を、スクリーン印刷法により塗布し、もう一枚の液
晶セル基板を一定間隔を１ｌＡｊって対向させ、加圧加
熱してシール材を硬化さぜ、液晶セルを作製する。液晶
セル内に、液晶物ｌ！ｉ （例特開昭５３− ３７６２
０（８） えば、Ｐ型ネマチック液晶チッソ社製３０４６）を封入
して液晶表示装置を作製した。
成されていないシール部上に、エボキ７傾１脂等のシー
ル材を、スクリーン印刷法により塗布し、もう一枚の液
晶セル基板を一定間隔を１ｌＡｊって対向させ、加圧加
熱してシール材を硬化さぜ、液晶セルを作製する。液晶
セル内に、液晶物ｌ！ｉ （例特開昭５３− ３７６２
０（８） えば、Ｐ型ネマチック液晶チッソ社製３０４６）を封入
して液晶表示装置を作製した。
第４図は、ｑｒｔられた液晶表示装置の断側面図で、シ
ール材（３）とＡ、７２０．からなる絶縁被膜（１：３
とは、直［と嬢オ′「シており、従って、絶縁基板ａの
とシール材（３）との接着強ＩＷも良好で、２枚の絶縁
基板がはがれることもなく、本発明液晶表示装置は、耐
湿性、ｌ１１１１熱性に１・Ｖれたものであった。なお
、（２）は、液晶物′１ノ↓、（１磨」、透明電極、（
［Φは、ポリイミド被膜からなる配向処理膜である。
ール材（３）とＡ、７２０．からなる絶縁被膜（１：３
とは、直［と嬢オ′「シており、従って、絶縁基板ａの
とシール材（３）との接着強ＩＷも良好で、２枚の絶縁
基板がはがれることもなく、本発明液晶表示装置は、耐
湿性、ｌ１１１１熱性に１・Ｖれたものであった。なお
、（２）は、液晶物′１ノ↓、（１磨」、透明電極、（
［Φは、ポリイミド被膜からなる配向処理膜である。
作製した本発明ｉ１Ｍ品表示装置ｎに対して、１００℃
、７００ 時間の耐熱放置試験及び１２０℃、 ２ａｔ
ｍのプレッシャークツカー試験を施こしだが、液晶の配
向・１／１は、作製初）ＩＪＩと変らず良好で、配向乱
れや、ディスクリイ・−ジョンは発生しなかった。
、７００ 時間の耐熱放置試験及び１２０℃、 ２ａｔ
ｍのプレッシャークツカー試験を施こしだが、液晶の配
向・１／１は、作製初）ＩＪＩと変らず良好で、配向乱
れや、ディスクリイ・−ジョンは発生しなかった。
斜上の説明のとうり、本発明は、機械的強度があり、耐
？！＋ｉｉ ４’ｌ二、耐熱性に優れた液晶表示装置を
提供できる大きな利点がある。
？！＋ｉｉ ４’ｌ二、耐熱性に優れた液晶表示装置を
提供できる大きな利点がある。
４、 図面ｏ簡単’ｆ、 １ｊ８Ａ ’Ｊ］第１図は、
一般的な液晶表示装置の要部断側面ｊ’−−−９、−− 図、１１等２図（イ）、（ロ）は従来例で、（イ）に１
〆（１品セル基板の断側面図、（ロ）ｒよ、液晶表示装
置の断側面図である。そして、第３図、第４図１、本発
明実１ｔ（ｌＪ例で、第３図は、液晶セル基板の製造法
を１１ｉＵ明するための図で、第４図は、液晶表示装置
の断側面図である。
一般的な液晶表示装置の要部断側面ｊ’−−−９、−− 図、１１等２図（イ）、（ロ）は従来例で、（イ）に１
〆（１品セル基板の断側面図、（ロ）ｒよ、液晶表示装
置の断側面図である。そして、第３図、第４図１、本発
明実１ｔ（ｌＪ例で、第３図は、液晶セル基板の製造法
を１１ｉＵ明するための図で、第４図は、液晶表示装置
の断側面図である。
（１） 液晶セル基板
（２）液晶物質
（３） シール材
０１）絶縁基板
０シ 透明′電極
ｑ３ 絶縁被膜
（１４１配向処理膜
第１図
２
第２図
（イ）
（口つ
＋１ １２ １３ １４
（／／／
Ｉｔ １３ ＩＡ １２ ２第３図
第４図
Claims (2)
- （１） ポリアミック酸と、アセトンと、Ｎ−メチル
ピロリドンとの混合溶液に、絶縁基板を浸漬する工程と
、絶縁基板を加熱しながら前記混合溶液中より引き上げ
、絶縁基板上にポリアミック酸の被膜を形成する工程と
、絶縁基板に熱処理を施こして絶縁基板上にポリイミド
の被膜を形成する工程とからなることを特徴とする液晶
セル基板の製造方法。 - （２） ポリアミック酸と、アセトンと、Ｎ−メチル
ピロリドンとの混合溶液に、絶縁基板を浸漬する工程と
、絶縁基板を加熱しながら前記混合溶液中より引き上げ
、絶縁基板上全面にポリアミック酸の被膜を形成する工
程と、絶縁基板上に形成されたポリアミック酸の被膜の
不要部を除去する工程と、さらに絶縁基板に熱処理を施
こして絶縁基板上に所定形状のポリイミドの被膜ｐ、
２ を形成する工程とからなることを特徴とする液晶セル基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135096A JPS5837620A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 液晶セル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135096A JPS5837620A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 液晶セル基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837620A true JPS5837620A (ja) | 1983-03-04 |
Family
ID=15143734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135096A Pending JPS5837620A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 液晶セル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006301575A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135096A patent/JPS5837620A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006301575A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7880855B2 (en) | 2005-04-20 | 2011-02-01 | Lg Display Co., Ltd. | LCD device and method having a ball spacer in an alignment film groove having a groove width greater than the spacer diameter and curing a seal pattern and the spacer at the same time after bonding the substrates |
| US7907242B2 (en) | 2005-04-20 | 2011-03-15 | Lg. Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating same having spacer in alignment groove in which the groove width is greater than the spacer diameter |
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